CN218525574U - 可控硅半导体器件 - Google Patents
可控硅半导体器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN218525574U CN218525574U CN202222196885.XU CN202222196885U CN218525574U CN 218525574 U CN218525574 U CN 218525574U CN 202222196885 U CN202222196885 U CN 202222196885U CN 218525574 U CN218525574 U CN 218525574U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heat dissipation
- semiconductor device
- silicon controlled
- shell
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
本实用新型公开一种可控硅半导体器件，包括：壳体、若干根引脚，所述壳体顶部设置有一上表面具有若干个第一凹槽的上壳盖，与壳体内部电路连接的引脚位于壳体与上壳盖形成的封装体一端，所述第一凹槽可供一底部固定有定位杆的散热片嵌入安装，该散热片的上部开设有一散热孔，所述散热孔内安装有至少两根第一散热杆，所述散热片的两侧壁上各设置有一第二散热杆。本实用新型增大了器件的散热面积，还便于空气快速通过，从而提升了整体的散热效果，有效减少热量在器件内堆积导致元器件损坏的情况。
Description
技术领域
本实用新型涉及可控硅器件技术领域，尤其涉及一种可控硅半导体器件。
背景技术
电子设备已经成为人们生活中不可或缺的一部分，半导体是电子设备中的重要部分之一。普通的三端封装可控硅采用半包形式，且散热片与可控硅的其中一脚相连通，通常与中间引线框架引脚连为一体的。
现有技术中，可控硅芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降，但是可控硅在工作时会产生大量的热量，传统的可控硅散热效果差，热量在器件内堆积容易损坏可控硅上的元器件。为此，我们提出一种可控硅半导体器件。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种可控硅半导体器件，该可控硅半导体器件增大了器件的散热面积，还便于空气快速通过，从而提升了整体的散热效果，有效减少热量在器件内堆积导致元器件损坏的情况。
为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种可控硅半导体器件，包括：壳体、若干根引脚，所述壳体顶部设置有一上表面具有若干个第一凹槽的上壳盖，与壳体内部电路连接的引脚位于壳体与上壳盖形成的封装体一端；
所述第一凹槽可供一底部固定有定位杆的散热片嵌入安装，该散热片的上部开设有一散热孔，所述散热孔内安装有至少两根第一散热杆，所述散热片的两侧壁上各设置有一第二散热杆。
上述技术方案中进一步改进的方案如下：
1. 上述方案中，所述第一凹槽内固定安装有一固定框。
2. 上述方案中，所述固定框为磁铁框。
3. 上述方案中，所述定位杆为铁杆。
4. 上述方案中，所述第一散热杆相互交叉设置。
5. 上述方案中，所述第二散热杆包括连接杆和散热球。
6. 上述方案中，所述连接杆为金属弧形杆。
7. 上述方案中，所述引脚为三根，分别为栅极电极、阳极电极、阴极电极。
由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：
本实用新型可控硅半导体器件，其上表面具有若干个第一凹槽的上壳盖位于壳体顶部，第一凹槽可供一底部固定有定位杆的散热片嵌入安装，通过固定有定位杆的散热片嵌入第一凹槽中，可以将器件内部的热量传导至散热片，再通过若干散热片与流动的空气接触，增大了器件的散热面积，提高了整体的散热效率；进一步的，其散热片的上部开设有一散热孔，散热孔内安装有至少两根第一散热杆，散热片的两侧壁上各设置有一第二散热杆，使得一部分空气从散热孔流出，另一部从散热片两侧流过，便于空气快速通过散热片形成的高温区域，且在散热孔内设置第一散热杆、在散热片两侧设置第二散热杆，可以将散热片整体热量分散，从而提高了散热片的散热效率，提升了整体的散热效果，有效减少热量在器件内堆积导致元器件损坏的情况。
附图说明
附图1为本实用新型可控硅半导体器件的整体结构示意图；
附图2为本实用新型可控硅半导体器件的剖面正视图；
附图3为本实用新型附图2的A 处放大图；
附图4为本实用新型可控硅半导体器件的局部结构示意图。
以上附图中：1、壳体；2、引脚；3、上壳盖；4、第一凹槽；5、散热片；6、定位杆；7、散热孔；8、第一散热杆；9、第二散热杆；901、连接杆；902、散热球；12、固定框。
具体实施方式
在本专利的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利的具体含义。
下面结合实施例对本实用新型作进一步描述：
实施例1：一种可控硅半导体器件，包括：壳体1、若干根引脚2，所述壳体1顶部设置有一上表面具有若干个第一凹槽4的上壳盖3，与壳体1内部电路连接的引脚2位于壳体1与上壳盖3形成的封装体一端；
所述第一凹槽4可供一底部固定有定位杆6的散热片5嵌入安装，该散热片5的上部开设有一散热孔7，所述散热孔7内安装有至少两根第一散热杆8，所述散热片5的两侧壁上各设置有一第二散热杆9，通过固定有定位杆6的散热片5嵌入第一凹槽中，可以将器件内部的热量传导至散热片5，再通过若干散热片5与流动的空气接触，增大了器件的散热面积，提高了整体的散热效率。
上述第一凹槽4内固定安装有一固定框10；上述固定框10为磁铁框；上述定位杆6为铁杆，固定框10可以对定位杆6具有磁吸作用，从而可以实现定位杆6在第一凹槽4内的快速插、拔，提高了人员安装的便捷性，同时也可以保证定位杆6与第一凹槽4的稳定连接，保证整体散热效果的稳定。
上述第二散热杆9包括连接杆901和散热球902。
上述连接杆901为金属弧形杆。
实施例2：一种可控硅半导体器件，包括：壳体1、若干根引脚2，所述壳体1顶部设置有一上表面具有若干个第一凹槽4的上壳盖3，与壳体1内部电路连接的引脚2位于壳体1与上壳盖3形成的封装体一端；
所述第一凹槽4可供一底部固定有定位杆6的散热片5嵌入安装，该散热片5的上部开设有一散热孔7，所述散热孔7内安装有至少两根第一散热杆8，所述散热片5的两侧壁上各设置有一第二散热杆9。
通过开设散热孔7便于流动的空气快速通过，且在散热孔7内设置第一散热杆8、在散热片5两侧设置第二散热杆9上，进一步增大了散热片5与流动空气的接触面积，从而提高了散热片5的散热效率，提升了整体的散热效果，有效避免热量在器件内堆积导致元器件损坏的情况。
上述第一凹槽4内固定安装有一固定框10；上述固定框10为磁铁；上述定位杆6为铁杆。
上述第一散热杆8相互交叉设置，增大了第一散热杆8在散热孔7内的面积，当空气通过散热孔7时可以带走更多热量，提高了散热效率。
上述引脚2为三根，分别为栅极电极、阳极电极、阴极电极。
工作原理为：工作时，通过引脚件2可以输送壳体1的介质，把定位杆6插入上壳盖3的内部，定位杆6和散热片5具有良好的导热作用，器件工作时会产生大量的热量，该热量会堆积在壳体1与上壳盖3之间，定位杆6把上壳盖3内部的热量吸收传递给散热片5；
散热片5通过外界的风进行散热处理，外界的风可以从散热孔7流动，当风从散热孔7流动时会带走散热孔7、第一散热杆8处的热量，第一散热杆8可以继续吸收散热片7上的热量；
第一散热杆8、第二散热杆9可以分布散热片7上的热量，相对于散热片7主体形成低温区，从而使散热片7将器件内部的热量持续导出，多组散热杆21可以提高散热片17的散热效果，减少器件因热量无法及时排出损耗内部元器件的情况。
采用上述可控硅半导体器件时，其上表面具有若干个第一凹槽的上壳盖位于壳体顶部，第一凹槽可供一底部固定有定位杆的散热片嵌入安装，通过固定有定位杆的散热片嵌入第一凹槽中，可以将器件内部的热量传导至散热片，再通过若干散热片与流动的空气接触，增大了器件的散热面积，提高了整体的散热效率；
进一步的，其散热片的上部开设有一散热孔，散热孔内安装有至少两根第一散热杆，散热片的两侧壁上各设置有一第二散热杆，使得一部分空气从散热孔流出，另一部从散热片两侧流过，便于空气快速通过散热片形成的高温区域，且在散热孔内设置第一散热杆、在散热片两侧设置第二散热杆，可以将散热片整体热量分散，从而提高了散热片的散热效率，提升了整体的散热效果，有效减少热量在器件内堆积导致元器件损坏的情况。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种可控硅半导体器件，包括：壳体（1）、若干根引脚（2），其特征在于：所述壳体（1）顶部设置有一上表面具有若干个第一凹槽（4）的上壳盖（3），与壳体（1）内部电路连接的引脚（2）位于壳体（1）与上壳盖（3）形成的封装体一端；
所述第一凹槽（4）可供一底部固定有定位杆（6）的散热片（5）嵌入安装，该散热片（5）的上部开设有一散热孔（7），所述散热孔（7）内安装有至少两根第一散热杆（8），所述散热片（5）的两侧壁上各设置有一第二散热杆（9）。
2.根据权利要求1所述的可控硅半导体器件，其特征在于：所述第一凹槽（4）内固定安装有一固定框（10）。
3.根据权利要求2所述的可控硅半导体器件，其特征在于：所述固定框（10）为磁铁框。
4.根据权利要求3所述的可控硅半导体器件，其特征在于：所述定位杆（6）为铁杆。
5.根据权利要求1所述的可控硅半导体器件，其特征在于：所述第一散热杆（8）相互交叉设置。
6.根据权利要求1所述的可控硅半导体器件，其特征在于：所述第二散热杆（9）包括连接杆（901）和散热球（902）。
7.根据权利要求6所述的可控硅半导体器件，其特征在于：所述连接杆（901）为金属弧形杆。
8.根据权利要求1所述的可控硅半导体器件，其特征在于：所述引脚（2）为三根，分别为栅极电极、阳极电极、阴极电极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202222196885.XU CN218525574U (zh) | 2022-08-21 | 2022-08-21 | 可控硅半导体器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202222196885.XU CN218525574U (zh) | 2022-08-21 | 2022-08-21 | 可控硅半导体器件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN218525574U true CN218525574U (zh) | 2023-02-24 |
Family
ID=85245202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202222196885.XU Active CN218525574U (zh) | 2022-08-21 | 2022-08-21 | 可控硅半导体器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN218525574U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117352885A (zh) * | 2023-11-09 | 2024-01-05 | 暨南大学 | 一种动力电池热流泄放装置及动力电池热流泄放方法 |
-
2022
- 2022-08-21 CN CN202222196885.XU patent/CN218525574U/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117352885A (zh) * | 2023-11-09 | 2024-01-05 | 暨南大学 | 一种动力电池热流泄放装置及动力电池热流泄放方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN218525574U (zh) | 可控硅半导体器件 | |
| CN209183534U (zh) | 一种易于组装的散热型二极管封装结构 | |
| CN115513166A (zh) | 一种低电感功率模块 | |
| CN218784060U (zh) | 一种碟片散热的整流硅堆 | |
| CN217058488U (zh) | 一种高效散热翅片 | |
| CN214505477U (zh) | 一种可减缓过热的二极管封装结构 | |
| CN211670191U (zh) | 一种高散热性的贴片整流桥 | |
| CN211578733U (zh) | 电子设备散热器 | |
| CN216133855U (zh) | 一种结构紧凑的碳化硅肖特基二极管 | |
| CN220796717U (zh) | 半包型封装体 | |
| CN209803724U (zh) | 一种mimi-pc主机中的大核散热模组 | |
| CN220829955U (zh) | 高效散热pcb模块 | |
| CN213071112U (zh) | 一种整流半导体器件 | |
| CN220774349U (zh) | 一种散热型半导体封装件 | |
| CN209199911U (zh) | 一种模块结构的升、降压硅堆 | |
| CN209471952U (zh) | 一种整流二极管硅塑封结构 | |
| CN212810301U (zh) | 一种防应力结构的二极管整流模块 | |
| CN216413045U (zh) | 一种通讯电子器件用双列直插封装管壳 | |
| CN212587495U (zh) | 一种半导体产品电连接结构及电子产品 | |
| CN208271873U (zh) | 一种晶闸管散热装置 | |
| CN220474617U (zh) | 高效散热型桥堆 | |
| CN217114370U (zh) | 一种新型5g防反二极管 | |
| CN219658701U (zh) | 一种半导体器件的跳线连接框架 | |
| CN212086013U (zh) | 一种发电机整流桥支架 | |
| CN217693814U (zh) | 一种用于pcb板便于可控硅安装的散热片 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |