CN218524998U - 曝光掩模 - Google Patents

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CN218524998U CN202222605286.9U CN202222605286U CN218524998U CN 218524998 U CN218524998 U CN 218524998U CN 202222605286 U CN202222605286 U CN 202222605286U CN 218524998 U CN218524998 U CN 218524998U
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Abstract

提供了曝光掩模。该曝光掩模包括被曝于光以在衬底上形成图案的图案部分、围绕图案部分的外围的围绕部分以及布置在围绕部分中的校正图案部分。校正图案部分沿图案部分的边缘以线排列布置。

Description

曝光掩模
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年10月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0132373号的优先权和权益，该韩国专利申请的整个内容通过引用并入本文中。
技术领域
本公开涉及曝光掩模以及使用该曝光掩模的曝光设备的校正方法。
背景技术
光刻工艺可以用于形成包括显示装置的装置。
当在使用曝光设备和曝光掩模执行光刻工艺期间在曝光设备的曝光方向上产生误差时，在通过使用曝光设备的光刻工艺形成的图案中可能产生误差。
显示装置的分辨率增加并且包括在显示装置中的图案的大小减小，并且相应地，进一步减小曝光设备的曝光方向上的误差的需求在增加。
在本背景部分中公开的以上信息仅为了增强对所描述的技术的背景的理解，并且因此其可能包含不构成在本国中对本领域的普通技术人员已知的现有技术的信息。
实用新型内容
实施例提供了能够减小在曝光设备的曝光方向上的误差的曝光掩模以及使用该曝光掩模的曝光设备的校正方法。
然而，通过实施例要解决的问题不限于上述问题，并且可以在包括在实施例中的技术思想的范围内进行各种扩展。
根据实施例的曝光掩模可以包括被曝于光以在衬底上形成图案的图案部分、围绕图案部分的外围的围绕部分以及布置在围绕部分中的多个校正图案部分。多个校正图案部分可以沿图案部分的边缘以线排列布置。
多个校正图案部分中的每个可以包括多个校正图案，并且多个校正图案可以沿第一方向以线排列布置，并且可以沿与第一方向垂直的第二方向以线排列布置。
多个校正图案的布置在第一方向上的相邻的校正图案可以具有第一间距，并且多个校正图案的布置在第二方向上的相邻的校正图案可以具有第二间距。
第一间距和第二间距可以彼此相同。
第一间距和第二间距可以为大约20μm。
多个校正图案可以具有彼此相同的平面形状。
多个校正图案可以具有彼此相同的面积。
多个校正图案可以具有四边形形状。
多个校正图案可以具有十字形形状。
多个校正图案可以具有带有倒角边缘的四边形形状。
根据实施例的曝光设备的校正方法可以包括：基于曝光设备的光供给单元的移动方向和速度来校正光供给单元的光供给方向；在初次校正后光供给方向上曝出光；通过将光曝光于多个校正图案部分来形成多个曝光图案；通过使用曝光图案来确定在光供给方向上是否产生误差；以及基于所确定的误差来校正光供给方向。
曝出光可以使用曝光掩模。曝光掩模可以包括：被曝于光以在衬底上形成图案的图案部分、围绕图案部分的外围的围绕部分以及布置在围绕部分中的多个校正图案部分。多个校正图案部分可以沿图案部分的边缘以线排列布置。
确定是否产生误差可以包括：确定多个曝光图案是否沿第一方向和第二方向以线排列布置。
确定是否产生误差可以包括：测量多个曝光图案沿第一方向或第二方向偏离的距离。
根据依据实施例的曝光掩模和使用曝光掩模的曝光设备的校正方法，可以能够减小在曝光设备的曝光方向上的误差。
显而易见的是，实施例的效果不限于上述效果，而是可以在不脱离实施例的精神和范围的情况下在一范围内进行各种扩展。
附图说明
图1是根据实施例的曝光设备的平面视图。
图2是示出图1的一部分和光供给方向的正视图。
图3是简要示出根据实施例的曝光掩模的平面视图。
图4是根据实施例的曝光掩模的校正图案部分的布局视图。
图5是图4的部分A的放大视图。
图6至图8是根据实施例的由曝光掩模形成的曝光图案的布局视图。
图9是根据实施例的曝光设备的校正方法的流程图。
图10是根据实施例的曝光掩模的校正图案部分的布局视图。
图11是图10的部分B的放大视图。
图12是根据实施例的曝光掩模的校正图案部分的布局视图。
图13是图12的部分C的放大视图。
具体实施方式
将在下文中参考示出了实施例的附图更加充分地描述实施例。如本领域技术人员将认识到的，所描述的实施例可以在所有不脱离实施例的精神或范围的情况下以各种不同的方式进行修改。
与实施例无关的部分的描述被省略，并且在整个说明书中，类似的附图标记表示类似的元件。
附图仅为了容易理解说明书中公开的实施例，并且说明书中公开的技术思想不受附图限制，并且应被理解为包括包含在实施例的思想和技术范围中的所有修改、等同物或替代物。
在附图中，一些组成元件被夸大、省略或示意性地图示，并且每个组成元件的大小不完全反映实际大小。在附图中，为了清楚，层、膜、面板、区等的厚度被夸大。在附图中，为了描述的更好理解以及描述的方便，一些层和区域的厚度被夸大。
将理解，当诸如层、膜、区或衬底的元件被称为在另一元件“上”时，该元件能直接在另一元件上，或者也可以存在居间元件。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，不存在居间元件。此外，词语“上”或“上方”意味着被放置在对象部上或下方，并且不一定意味着基于重力方向被放置在对象部的上侧上。
除非明确相反描述，否则词语“包括(comprise)”以及变体(诸如“包括(comprises)”或“包括(comprising)”)将被理解为意味着包括所陈述的元件，但不排除任何其它元件。
在整个说明书中，短语“在平面上”意味着从顶部观察对象部，并且短语“在截面上”意味着从侧面观察对象部被垂直切开的截面。
在说明书中，当提及“连接到”时，这不意味着仅两个或更多个组成元件彼此直接连接，而是两个或更多个组成元件可以通过其它组成元件间接连接和物理连接，并且它们也可以电连接或者根据位置或功能以不同的名称被提及，并且可以意味着它们为一个主体。
在下文中，将参考附图详细描述各种实施例和变化。
首先，参考图1描述根据实施例的曝光设备1。图1是根据实施例的曝光设备1的平面视图。
参考图1，根据实施例的曝光设备1可以包括用于支撑为处理目标的衬底SB的衬底支撑板SP、将用于曝光的光(诸如激光)供给到安装在衬底支撑板SP上的衬底SB的光供给单元LS以及光源支撑单元LSB，光供给单元LS被安装到光源支撑单元LSB并且光源支撑单元LSB使光供给单元LS移动。
光供给单元LS可以在沿光源支撑单元LSB沿第一方向DR1移动的同时在平行于与第一方向DR1垂直的第二方向DR2的方向上供给光B(例如，参见图2)，以使得被供给的光B可以沿扫描条SS的方向扩散。
光供给单元LS可以在重复如下操作的情况下将光B供给到衬底SB的整个表面：在沿与第一方向DR1平行的方向移动的同时在衬底SB上供给光B，在与第二方向DR2相反的方向PR2(例如，参见图2)上移动，并且再次在沿第一方向DR1移动的同时在衬底SB上供给光B。
参考图2连同图1描述从曝光设备1供给的光B的供给方向。图2是示出图1的一部分和光供给方向的正视图。
参考图1和图2，光供给单元LS可以在沿光源支撑单元LSB在第一方向DR1上移动的同时供给光B。光B必须沿与第二方向DR2平行的目标方向Dc被供给。
如上所述，由于光供给单元LS可以在与第一方向DR1平行的方向上移动，因此如果在与第二方向DR2平行的方向上经过扫描条SS从光供给单元LS供给光，则光实际上可能沿第三方向Da被供给，而第三方向Da是为光供给单元LS的移动方向的第一方向DR1与供给光的方向的矢量和。
因此，为了在与第二方向DR2平行的目标方向Dc上供给光，第三方向Da与第四方向Db的矢量和的方向应通过将光供给方向校正为第四方向Db来被校正为与目标方向Dc平行。
以这种方式，通过将光实际上被供给的方向校正为第四方向Db，即使光供给单元LS在与第一方向DR1平行的方向上移动，实际上被供给的光B也可以在目标方向Dc上被供给。
如果在为校正后光供给方向的第四方向Db上产生了一些误差，则在形成在衬底SB上的图案的位置上也可能产生误差，并且考虑到这一点，通过附加地校正为校正后光标准方向的第四方向Db(例如，通过将曝光方向附加校正至为校正后光标准方向的第四方向Db)，可以增大从曝光设备1的光供给单元LS供给的光B的供给方向的精度。
参考图3描述根据实施例的曝光掩模M。图3是示意性地示出根据实施例的曝光掩模M的俯视图。
参考图3，根据实施例的曝光掩模M可以包括被曝光以在衬底SB(例如，参见图1)上形成期望图案的图案部分Ma以及布置为围绕图案部分Ma的外围的围绕部分Maa。
曝光掩模M可以包括形成在曝光掩模M的围绕部分Maa中的多个校正图案部分CP。
至少三个校正图案部分CP可以沿曝光掩模M的图案部分Ma的与第一方向DR1平行或与第二方向DR2平行的每个边缘布置，并且将多个校正图案部分CP连接的假想线C布置为围绕曝光掩模M的图案部分Ma。
由于至少三个校正图案部分CP沿曝光掩模M的图案部分Ma的与第一方向DR1平行或与第二方向DR2平行的每个边缘布置，因此即使曝光掩模M的大小增大，也可以在曝光掩模M的中间部分以及沿第一方向DR1和第二方向DR2中的每个彼此面对的两端处确定在曝光方向上的误差。
参考图4和图5描述根据实施例的曝光掩模M(例如，参见图3)的校正图案部分CP。图4是根据实施例的曝光掩模M的校正图案部分CP的布局视图，并且图5是图4的部分A的放大视图。
参考图4，根据实施例的曝光掩模M的校正图案部分CP可以包括在与第一方向DR1平行的方向上以线排列布置的多个校正图案P以及在与第二方向DR2平行的方向上以线排列布置的多个校正图案P。
如图4中所示，将校正图案部分CP的沿第一方向DR1布置的多个校正图案P的中心连接的线可以与第一方向DR1平行地延伸，并且将校正图案部分CP的多个校正图案P的中心连接的线可以与第二方向DR2平行地延伸(例如，将校正图案部分CP的沿第二方向DR2布置的多个校正图案P的中心连接的线可以与第二方向DR2平行地延伸)。
参考图5，曝光掩模M的校正图案部分CP的多个校正图案P可以间隔开，以便具有沿第一方向DR1的第一间距Pa和沿第二方向DR2的第二间距Pb。第一间距Pa和第二间距Pb可以为近似相同的。例如，第一间距Pa和第二间距Pb可以各自为大约20μm。
如图4和图5中所示，根据实施例的曝光掩模M的校正图案部分CP可以包括多个校正图案P，并且多个校正图案P可以在与第一方向DR1平行的方向上以线排列布置以便具有第一间距Pa的距离，且同时在与第二方向DR2平行的方向上以线排列布置以便具有第二间距Pb的距离。
根据实施例的曝光掩模M的校正图案部分CP的多个校正图案P可以具有相同的面积和相同的平面形状，并且例如，可以具有基本上四边形的平面形状。
参考图6至图8描述根据实施例的使用曝光掩模M(例如，参见图3)的多个校正图案P(例如，参见图4)的曝光图案PP。图6至图8是根据实施例的由曝光掩模M形成的曝光图案PP的布局视图。
首先，参考图6描述在从曝光设备1(例如，参见图1)曝出的光B(例如，参见图2)的曝光方向上不存在误差的情况。
参考图6，如果在从曝光设备1曝出的光B的曝光方向上不存在误差，则形成在衬底SB(例如，参见图1)上的曝光图案PP可以沿与第一方向DR1和第二方向DR2平行的方向以线排列布置为具有恒定的距离，如同多个校正图案P。
参考图7和图8，如果在从曝光设备1曝出的光B的曝光方向上产生误差，则形成在衬底SB上的曝光图案PP可以不沿第二方向DR2以线排列布置，而是可以布置为沿第一方向DR1偏移第一距离DP1并且沿第二方向DR2偏移第二距离DP2。
根据通过曝光掩模M的校正图案部分CP(例如，参见图3)的多个校正图案P形成在衬底SB上的曝光图案PP是形成为沿第一方向DR1和第二方向DR2以线排列布置还是形成为彼此偏移，可以确定在从曝光设备1曝出的光B的曝光方向上是否存在误差。
此外，通过测量曝光图案PP沿第一方向DR1偏移的第一距离DP1和曝光图案PP沿第二方向DR2偏移的第二距离DP2，可以在从曝光设备1曝出的光B的曝光方向上确定误差方向和误差大小。考虑到如上所述确定的曝光方向的误差方向和误差大小，可以进一步校正光B的曝光方向，以增大曝光设备1的曝光方向的精度。
如上所述，第一间距Pa(例如，参见图5)和第二间距Pb(例如，参见图5)可以各自为大约20μm，并且第一距离DP1和第二距离DP2可以各自小于大约20μm。例如，第一距离DP1和第二距离DP2可以各自为大约60nm至大约100nm。可以使用曝光图案PP测量的从曝光设备1曝出的光B的曝光方向的误差范围可以小于为在曝光掩模M的校正图案部分CP的多个校正图案P当中的两个相邻的校正图案P之间的距离的第一间距Pa和第二间距Pb中的每个。
参考图9连同图1至图8描述根据实施例的使用曝光掩模M的曝光设备1的校正方法。图9是根据实施例的曝光设备1的校正方法的流程图。
第一，根据实施例的使用曝光掩模M的曝光设备1的校正方法可以包括：考虑到在光供给单元LS在与第一方向DR1平行的方向上移动的同时供给光B期间的光供给单元LS的移动方向和移动速度，在第四方向Db上对实际上供给光B的方向进行初次校正的初次校正步骤(S100)，并且即使光供给单元LS在与第一方向DR1平行的方向上移动，也可以实际上在目标方向Dc上供给光B。
第二，根据实施例的使用曝光掩模M的曝光设备1的校正方法可以包括：通过使用具有初次校正步骤(S100)中的初次校正后光供给方向的曝光设备1来将衬底SB曝光于光B以便穿过包括多个校正图案部分CP的曝光掩模M(例如，通过使用具有初次校正步骤(S100)中的初次校正后光供给方向的曝光设备1来将衬底SB曝光以便光B穿过包括多个校正图案部分CP的曝光掩模M)的曝光步骤(S200)。
根据实施例的使用曝光掩模M的曝光设备1的校正方法的曝光步骤(S200)可以包括：通过校正图案部分CP将多个曝光图案PP形成为与多个校正图案P相对应的曝光图案形成步骤(S300)。
第三，如参考图6至图8所述，根据实施例的使用曝光掩模M的曝光设备1的校正方法可以包括：通过使用在曝光图案形成步骤(S300)中形成的多个曝光图案PP的排列来确定在曝光方向(该曝光方向为从曝光设备1曝出的光B的供给方向)上是否已产生误差的误差确定步骤(S400)。
在该步骤处，在于曝光方向上产生误差的情况下，能够确定曝出的光B的曝光方向的误差大小以及误差方向。
在光B被曝出的情况下，可以通过检查多个曝光图案PP是否沿第一方向DR1和第二方向DR2以线排列布置来确定在曝光方向上是否产生误差。例如，在多个曝光图案PP沿第一方向DR1和第二方向DR2以线排列布置的情况下，可以确定在曝出的光B的曝光方向上没有产生误差。在多个曝光图案PP布置为未对齐从而没有沿第一方向DR1和第二方向DR2以线排列布置的情况下，可以确定在光B的曝光方向上已产生误差。
在光B被曝出的情况下，可以通过测量多个曝光图案PP沿第一方向DR1和第二方向DR2彼此移位的第二距离DP2和第一距离DP1来确定在曝光方向上生成的误差大小。
第四，根据实施例的使用曝光掩模M的曝光设备1的校正方法可以包括：通过使用在误差确定步骤(S400)中确定的曝光方向的误差方向和误差大小对曝光方向(该曝光方向为光B的供给方向)进行二次校正的二次校正步骤(S500)。
如上所述，根据实施例的使用曝光掩模M的曝光设备1的校正方法可以使用形成在曝光掩模M的围绕部分Maa中的多个校正图案部分CP以确定在光B的曝光方向上是否产生误差、误差方向以及误差大小，并且通过使用这些以附加校正曝光设备1的曝光方向，从而通过减小曝光设备1的曝光方向的误差而增大了曝光工艺的精度。
参考图10和图11描述根据实施例的曝光掩模M(例如，参见图3)的校正图案部分CP。图10是根据实施例的曝光掩模M的校正图案部分CP的布局视图，并且图11是图10的部分B的放大视图。
参考图10和图11，根据实施例的曝光掩模M的校正图案部分CP可以与根据参考图4和图5描述的实施例的曝光掩模M的校正图案部分CP类似。
根据实施例的曝光掩模M的校正图案部分CP可以包括多个校正图案P，并且多个校正图案P可以在与第一方向DR1平行的方向上以线排列布置以便具有第一间距Pa的距离，且同时在与第二方向DR2平行的方向上以线排列布置以便具有第二间距Pb的距离。例如，第一间距Pa和第二间距Pb可以各自为大约20μm。
多个校正图案P可以具有相同的面积和相同的平面形状。
然而，与根据图4和图5中所示的实施例的曝光掩模M的校正图案部分CP的多个校正图案P不同，根据实施例的曝光掩模M的校正图案部分CP的多个校正图案P可以具有几乎十字形形状的平面形状。
根据上述实施例的曝光掩模M的校正图案部分CP的确定误差方向和误差大小以及使用误差方向和误差大小的曝光方向的方法可以所有适用于根据图10和图11中的实施例的曝光掩模M的校正图案部分CP。例如，根据上述实施例的使用曝光掩模M的校正图案部分CP确定误差方向和误差大小并且使用误差方向和误差大小对曝光方向进行校正的方法可以所有适用于根据图10和图11中的实施例的曝光掩模M的校正图案部分CP。
参考图12和图13描述根据实施例的曝光掩模M(例如，参见图3)的校正图案部分CP。图12是根据另一实施例的曝光掩模M的校正图案部分CP的布局视图，并且图13是图12的部分C的放大视图。
参考图12和图13，根据实施例的曝光掩模M的校正图案部分CP可以与根据参考图4和图5描述的实施例的曝光掩模M的校正图案部分CP类似。
根据实施例的曝光掩模M的校正图案部分CP可以包括多个校正图案P，并且多个校正图案P可以在与第一方向DR1平行的方向上以线排列布置以便具有第一间距Pa的距离，且同时在与第二方向DR2平行的方向上以线排列布置以便具有第二间距Pb的距离。
多个校正图案P可以具有相同的面积和相同的平面形状。
然而，与根据图4和图5中所示的实施例的曝光掩模M的校正图案部分CP的多个校正图案P不同，根据实施例的曝光掩模M的校正图案部分CP的多个校正图案P可以具有使四边形的一个拐角成倒角的平面六边形形状。
根据上述实施例的曝光掩模M的校正图案部分CP的确定误差方向和误差大小以及使用误差方向和误差大小的曝光方向的方法可以所有适用于根据图12和图13中的实施例的曝光掩模M的校正图案部分CP。例如，根据上述实施例的使用曝光掩模M的校正图案部分CP确定误差方向和误差大小以及使用误差方向和误差大小对曝光方向进行校正的方法可以所有适用于根据图12和图13中的实施例的曝光掩模M的校正图案部分CP。
尽管已结合被认为为可实施的实施例描述本公开，但应理解，本公开不限于所公开的实施例。相反，旨在覆盖包括在所附权利要求书的精神和范围内的各种修改和等同排列。

Claims (10)

1.一种曝光掩模，其特征在于，包括：
图案部分，所述图案部分被曝于光以在衬底上形成图案；
围绕部分，所述围绕部分围绕所述图案部分的外围；以及
多个校正图案部分，所述多个校正图案部分布置在所述围绕部分中，
其中，所述多个校正图案部分沿所述图案部分的边缘以线排列布置。
2.根据权利要求1所述的曝光掩模，其特征在于，
所述多个校正图案部分中的每个包括多个校正图案，并且
所述多个校正图案沿第一方向以线排列布置，并且沿与所述第一方向垂直的第二方向以线排列布置。
3.根据权利要求2所述的曝光掩模，其特征在于，
所述多个校正图案的布置在所述第一方向上的相邻的校正图案具有第一间距，并且
所述多个校正图案的布置在所述第二方向上的相邻的校正图案具有第二间距。
4.根据权利要求3所述的曝光掩模，其特征在于，所述第一间距和所述第二间距彼此相同。
5.根据权利要求4所述的曝光掩模，其特征在于，所述第一间距和所述第二间距为20μm。
6.根据权利要求3所述的曝光掩模，其特征在于，所述多个校正图案具有彼此相同的平面形状。
7.根据权利要求6所述的曝光掩模，其特征在于，所述多个校正图案具有彼此相同的面积。
8.根据权利要求6所述的曝光掩模，其特征在于，所述多个校正图案具有四边形形状。
9.根据权利要求6所述的曝光掩模，其特征在于，所述多个校正图案具有十字形形状。
10.根据权利要求6所述的曝光掩模，其特征在于，所述多个校正图案具有带有倒角边缘的四边形形状。
CN202222605286.9U 2021-10-06 2022-09-30 曝光掩模 Active CN218524998U (zh)

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