CN218474089U - 气溶胶产生装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种气溶胶产生装置，其包括微波谐振器；微波谐振器包括用于界定谐振腔的外导体单元以及设置于该外导体单元中的内导体单元，外导体单元具有一个开口端和一个封闭端，内导体单元一端连接于外导体单元的封闭端、一端朝外导体单元的开口端延伸；内导体单元包括导体柱，导体柱包括一个连接于外导体单元封闭端的固定端和一个朝外导体单元开口端延伸的自由端；内导体单元还包括与导体柱欧姆接触的第一导体盘；第一导体盘设于自由端；其可有效降低谐振腔的高度。

Description

气溶胶产生装置

技术领域

本实用新型涉及电子雾化领域，更具体地说，涉及一种气溶胶产生装置。

背景技术

加热不燃烧(Heat Not Burning，HNB)装置，是一种加热装置加上气溶胶产生基质(经过处理的植物叶类制品)的组合设备。外部加热装置通过高温加热到气溶胶产生基质可以产生气溶胶但是却不足以燃烧的温度，能在不燃烧的前提下，让气溶胶产生基质产生用户所需要的气溶胶。

目前市场上采用微波加热装置，作为加热气溶胶生成基质的设备，其微波一般从一端馈入，然后在谐振器内进行谐振。相关技术中的同轴微波加热腔体，由于λ/4波长原理的限制，腔体的高度一般在30mm以上，如何缩小腔体高度是相关业界想要攻克的技术问题。

目前微波加热的腔体主要基于λ/4同轴谐振腔进行设计。在相关技术中，是通过在腔体内添加高介电材料的方法，实现了同轴谐振腔高度的减小。然而，在该种技术方案当中，所选高介电材料虽然介电损耗较小(小于0.001)，但是其位置一般处于强场区，在微波加热植物叶类的介质的同时，高介电材料也不可避免的会被加热。这会带来一些问题，一方面进入腔体的能量被高介电材料吸收，导致加热气溶胶产生基质的能量减少，降低了气溶胶产生基质的升温速度；另一方面高介电材料有明显温升，而其与腔体接触，会导致腔体有明显温升，进而带来散热问题。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，针对相关技术的缺陷，提供一种改进的气溶胶产生装置。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：本实用新型构造一种气溶胶产生装置，包括微波谐振器；所述微波谐振器包括用于界定谐振腔的外导体单元以及设置于该外导体单元中的内导体单元，所述外导体单元具有一个开口端和一个封闭端，所述内导体单元一端连接于所述外导体单元的封闭端、一端朝所述外导体单元的开口端延伸；

所述内导体单元包括导体柱，所述导体柱包括一个连接于所述外导体单元封闭端的固定端和一个朝所述外导体单元开口端延伸的自由端；

所述内导体单元还包括与所述导体柱欧姆接触的第一导体盘；所述第一导体盘设于所述自由端。

优选地，所述第一导体盘固定于所述自由端端壁。

优选地，所述第一导体盘与所述导体柱一体成型。

优选地，所述第一导体盘与所述导体柱共轴。

优选地，所述第一导体盘与所述导体柱采用金属材料制成，

或者，所述第一导体盘的表面设有第三导电层，以及所述导体柱的表面设有第二导电层。

优选地，所述内导体单元还包括呈环形的至少一第二导体盘，所述至少一第二导体盘共轴地环绕于所述导体柱的外周壁，并与所述导体柱欧姆接触。

优选地，所述至少一第二导体盘沿所述导体柱的轴向间隔排布在所述第一导体盘的下方。

优选地，所述第一导体盘呈圆盘形。

优选地，所述第一导体盘的直径大于所述导体柱的直径。

优选地，所述内导体单元还包括可导电的探针装置；所述探针装置与所述第一导体盘欧姆接触。

优选地，所述内导体单元还包括轴向贯穿所述导体柱和第一导体盘的穿设通道；所述探针装置靠近所述第一导体盘的一端插入所述穿设通道，并与所述导体柱以及所述第一导体盘欧姆接触。

优选地，所述探针装置包括可导电且纵长的中空探针以及设于所述中空探针内的测温组件；

所述中空探针靠近所述第一导体盘的一端依次插入所述第一导体盘和所述导体柱，且所述中空探针的外壁面与所述第一导体盘和/或所述导体柱欧姆接触。

优选地，所述中空探针远离所述导体柱的端部的形状包括呈平面形、球形、椭球形、圆锥形或者圆台形。

优选地，所述中空探针包括可导电的第二侧壁以及可导电的第二端壁；

所述第二侧壁远离第一导体盘的一端向所述第二端壁方向延伸，以与所述第二端壁连接。

优选地，所述第二侧壁远离所述第一导体盘的一端的最大直径大于所述第二端壁的直径。

优选地，所述第二侧壁远离第一导体盘的一端与所述第二端壁之间平滑连接。

优选地，所述中空探针还包括沿其轴向延伸的中空通道；所述测温组件收容于所述中空通道中。

优选地，所述微波谐振器为四分之一波长型同轴线谐振器。

优选地，所述气溶胶产生装置还包括用于装载气溶胶生成基质的收容座；所述收容座包括设置于所述谐振腔中、以收容气溶胶生成基质的收容部；

所述收容部的底部贴合于所述第一导体盘的顶部。

本实用新型还构造一种气溶胶产生装置，包括四分之一波长型同轴线谐振器；所述同轴线谐振器包括谐振腔、位于所述谐振腔内的内导体单元；

所述内导体单元包括靠近所述同轴线谐振器短路端的导体柱；

所述内导体单元还包括与所述导体柱欧姆接触的第一导体盘；所述第一导体盘设于所述导体柱的顶部。

优选地，所述第一导体盘呈圆盘状，其共轴地固定于所述导体柱的顶部。

优选地，所述第一导体盘与所述导体柱一体成型。

优选地，所述第一导体盘的外径大于所述导体柱的直径。

优选地，所述气溶胶产生装置还包括安装于所述同轴线谐振器的开路端的收容座；

所述收容座包括用于收容气溶胶生成基质的收容部，所述收容部位于所述同轴线谐振器的谐振腔中；

所述内导体单元还包括靠近所述开路端的探针装置，所述探针装置包括可导电的中空探针；所述中空探针与所述第一导体盘欧姆接触，且所述中空探针的一端伸入所述收容部内以作用于气溶胶生成基质。

优选地，所述中空探针远离所述导体柱的一端伸入至所述收容部内；所述中空探针靠近所述导体柱的一端插入所述第一导体盘和所述导体柱，且所述中空探针的外壁面与所述第一导体盘和所述导体柱连接。

优选地，所述中空探针远离所述导体柱的端部形状包括呈平面形、球形、椭球形、圆锥形或者圆台形。

优选地，所述内导体单元还包括呈环形的至少一第二导体盘，所述至少一第二导体盘共轴地环绕于所述导体柱的外周壁，并与所述导体柱欧姆接触。

优选地，所述至少一第二导体盘沿所述导体柱的轴向间隔排布在所述第一导体盘的下方。

实施本实用新型的气溶胶产生装置，具有以下有益效果：通过在谐振腔中位于内导体的顶部增设第一导体盘结构，可有效降低谐振腔的高度；避免相关技术中带来的加热气溶胶产生基质的能量减少，降低气溶胶产生基质的升温速度、散热问题等副作用。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：

图1是本实用新型一些实施例中的气溶胶产生装置与气溶胶生成基质配合的立体结构示意图；

图2是本实用新型一些实施例中的气溶胶产生装置的立体结构示意图；

图3是图2所示气溶胶产生装置的纵向剖面结构示意图；

图4是图2所示气溶胶产生装置的立体分解结构示意图；

图5是图4所示气溶胶产生装置在分解状态下的纵向剖面结构示意图；

图6是本实用新型气溶胶产生装置中的探针装置的纵向剖面结构示意图；

图7是本实用新型另一些实施例中气溶胶产生装置的立体结构示意图；

图8是本实用新型再一些实施例中气溶胶产生装置的立体结构示意图；

图9是本实用新型的气溶胶产生装置在没有设置第一导体盘的状态下的谐振频率图；

图10是本实用新型的气溶胶产生装置在设置第一导体盘的状态下的谐振频率图；

图11是本实用新型的气溶胶产生装置在其第一导体盘的直径限定为10mm，且其外导体单元的内径限定为10.6mm的状态下的谐振频率图；

图12是本实用新型的气溶胶产生装置在其第一导体盘的直径限定为8mm，且其外导体单元的内径限定为10.6mm的状态下的谐振频率图；

图13是本实用新型的气溶胶产生装置在其第一导体盘的直径限定为10.4mm，且其外导体单元的内径限定为10.6mm的状态下的谐振频率图；

图14是本实用新型气溶胶产生装置中顶部呈平顶结构的中空探针的微波场分布图；

图15是本实用新型气溶胶产生装置中顶部呈圆台形结构的中空探针的微波场分布图。

具体实施方式

为了对本实用新型的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本实用新型的具体实施方式。

图1至图6示出了本实用新型实施例1中的气溶胶产生装置1，该气溶胶产生装置1可利用微波加热气溶胶生成基质40，以雾化产生气溶胶，从而供使用者吸食。在一些实施例中，该气溶胶生成基质40为诸如经过处理的植物叶类制品等固态气溶胶生成基质。可以理解地，在另一些实施例中，该气溶胶生成基质40也可以为液态气溶胶生成基质。

再如图2-图6所示，该气溶胶产生装置1在一些实施例中可包括微波谐振器10、收容座20以及微波馈入装置30。微波谐振器10在一些实施例中可呈圆柱状，其可包括一个让微波于其内持续振荡的谐振腔13。收容座20用于装载气溶胶生成基质40，其固定地或可拆卸地安装于微波谐振器10上，以让其内的气溶胶生成基质40暴露于谐振腔13内的微波场中，被微波加热雾化。微波馈入装置30连接于微波谐振器10上，用于将微波发生装置(未图示)产生的微波馈入谐振腔13中。可以理解地，微波谐振器10并不局限于圆柱状，其也可呈方柱、椭圆柱状等其他形状。

微波谐振器10在一些实施例中可为四分之一波长型同轴线谐振器，其可包括用于实现电磁屏蔽的呈筒状的外导体单元11、设置于该外导体单元11内的内导体单元12以及介于该内导体单元12的外壁面和外导体单元11的内侧壁面之间的介质(例如，空气)，外导体单元11和内导体单元12一道界定出上述的谐振腔13。

内导体单元12的第一端与外导体单元11的第一端壁112欧姆接触，形成该微波谐振器10的短路端A。内导体单元12的第二端向外导体单元11的第一开口110延伸，并不与外导体单元11直接欧姆接触，形成该微波谐振器10的开路端B。收容座20安装(例如，可拆卸或不可拆卸地嵌置)于该微波谐振器10的开路端B，并与内导体单元12的第二端连接。在一些实施例中，内导体单元12的轴线与外导体单元11的轴线相互重合或平行，优选地，两者相互重合。

外导体单元11在一些实施例中可包括可导电的第一侧壁111、可导电的第一端壁112、以及第一开口110。第一侧壁111在一些实施例中可呈圆筒状，其包括第一端以及与该第一端相对的第二端。第一端壁112封闭于该第一侧壁111的第一端上，形成外导体单元11的一个封闭端。第一开口110形成于第一侧壁111的第二端上，形成外导体单元11的一个开口端，用于供收容座20嵌置于其中。外导体单元11的第一侧壁111靠近第一端壁112处可设置一个径向贯通的馈入孔1110，以供微波馈入装置30安装于其中。

外导体单元11在一些实施例中可采用可导电的金属材料一体制成，其材质可为铝合金、铜、金、银、不锈钢等导电金属。可以理解地，外导体单元11并不局限于采用导电材料一体制成，其也可以通过在非导电筒体的内壁面镀覆第一导电层的方式实现。该第一导电层在一些实施例可以是镀金层、镀银层、镀铜层等等。再可以理解地，外导体单元11并不局限于圆筒状，其也可以呈方筒状、椭圆筒状等其他适合的形状。

如图3-图6所示，内导体单元12在一些实施例中可包括导体柱121、位于导体柱121顶部的第一导体盘123、以及一端嵌置于导体柱121中的探针装置122；该探针装置122另一端插入于收容座20中，以作用于气溶胶生成基质40。导体柱121连接于外导体单元11，以与外导体单元11形成良好的欧姆接触。第一导体盘123用于增加自身电感以及电容，从而使得气溶胶产生装置1的整体尺寸进一步地缩小。探针装置122与导体柱121形成良好的欧姆接触，让微波能够经由导体柱121传导给探针装置122。在一些实施例中，探针装置122在形状和布局等方面被特别地配置，用于促进微波场更均匀地分布于收容座20，从而实现对收容座20中的气溶胶生成基质40的更均匀的微波加热效果，进而提升了气溶胶生成基质40的利用率。

再如图4、图5所示，导体柱121呈圆柱状，置于外导体单元11内，且沿外导体单元11的轴向延伸。优选导体柱121的轴线与外导体单元11的轴线重合设置。进一步地，导体柱121中靠近外导体单元11的第一端壁112的一端，固定连接于外导体单元11的第一端壁112的内壁面上，形成导体柱121的一个固定端。导体柱121远离第一端壁112的一端，朝外导体单元11的第一开口110延伸，形成导体柱121的一个自由端，该导体柱121的自由端可与第一导体盘123连接。

在一些实施例中，导体柱121可采用金属等导电材料制成，优选铝合金或者铜作为导电材料。在其他一些实施例中，导体柱121也可以通过在非导电材料制成的圆柱体的外壁面涂覆第二导电层形成，该第二导电层为镀金属薄膜层，如镀金层、镀银层、镀铜层等等。此外，可以理解地，在一些实施例中，导体柱121呈圆柱状，当然，其也可以呈方柱状、椭圆柱状、阶梯柱状、不规则柱状等其他形状。

如图4-图5所示，第一导体盘123连接于导体柱121远离第一端壁112的一端，即连接于导体柱121的顶部，且第一导体盘123与导体柱121形成良好的欧姆接触。第一导体盘123的直径大于导体柱121的直径。在一些实施例中，第一导体盘123的底部贴合固定连接于导体柱121的顶部。上述的连接方式可以是焊接、粘接、螺接或者一体成型的方式。

在一些实施例中，第一导体盘123可采用金属等导电材料制成，优选铝合金或者铜作为导电材料。在其他一些实施例中，第一导体盘123也可以通过在非导电材料制成的外壁面涂覆第三导电层形成，该第三导电层为镀金属薄膜层，如镀金层、镀银层、镀铜层等等。优选第一导体盘123与导体柱121采用同一种材料制成，即采用同一种导电材料制成，或是采用同一种非导电材料且涂覆相同材料的导电层，即制成第三导电层与第二导电层的材料相同。此外，在一些实施例中，第一导体盘123呈圆盘状，具体地，第一导体盘123呈直径大于其轴向长度的圆柱状。当然，其也可以呈方柱状、椭圆柱状、阶梯柱状、不规则柱状等其他形状，具体根据仿真确认第一导体盘123的形状以及尺寸大小，以满足降低腔体高度的要求。

如图8所示，内导体单元12在一些实施例中还包括与导体柱121欧姆接触的至少一第二导体盘124，该至少一第二导体盘124设于第一导体盘123的下方。具体地，至少一第二导体盘124呈环形，共轴地环绕于导体柱121的外周壁。

在一些实施例中，第二导体盘124可采用金属等导电材料制成，优选铝合金或者铜作为导电材料。在其他一些实施例中，第二导体盘124也可以通过在非导电材料制成的外壁面涂覆第六导电层形成，该第六导电层为镀金属薄膜层，如镀金层、镀银层、镀铜层等等。优选第一导体盘123、第二导体盘124与导体柱121采用同一种材料制成，即采用同一种导电材料制成，或是采用同一种非导电材料且涂覆相同材料的第六导电层。此外，在一些实施例中，第二导体盘124呈环形的圆盘结构。当然，其也可以呈环形的方柱结构、环形的椭圆柱状结构、环形的阶梯柱状结构、环形的不规则柱状结构等其他形状；具体根据仿真确认第二导体盘124的形状以及尺寸大小，以满足降低腔体高度的要求。

当第二导体盘124的数量为一个时，第二导体盘124间隔排布在第一导体盘123的下方，第二导体盘124与第一导体盘123的外径可以相同或不相同。当第二导体盘124的数量为多个时，多个第二导体盘124位于第一导体盘123的下方、沿导体柱121的轴向均匀间隔排布在导体柱121的外周壁，邻近第一导体盘123的第二导体盘124、与第一导体盘123之间的间距与相邻两个第二导体盘124之间的间距相等；多个第二导体盘124之间的外径可以相同或不相同，第一导体盘123的外径与多个第二导体盘124之间的外径可以部分相同、完全相同或者完全不相同。当中，第一导体盘123、第二导体盘124各自具体的尺寸可通过仿真及实验确定。

可以理解地，气溶胶产生装置1对气溶胶生成基质40的加热过程中，频率会发生偏移，当第一导体盘123、或第一导体盘123和第二导体盘124的厚度越大，频率的偏移会变得越小；但当第一导体盘123、或第一导体盘123和第二导体盘124的厚度达到一定程度时，频率的变小幅度会变得相对特别小。另外，第一导体盘123、或第一导体盘123和第二导体盘124的直径对频率的影响很大，当第一导体盘123、或第一导体盘123和第二导体盘124的直径越大，谐振频率越低，越有利于降低外导体单元11的轴向长度。在工程应用中，为了便于控制成本及尺寸，优选仅在导体柱121的顶部安装第一导体盘123。

如图5所示，内导体单元12还包括轴向贯穿导体柱121和第一导体盘123的穿设通道1211，该穿设通道1211可用于供探针装置122插入和/或穿设。具体地，该穿设通道1211呈直圆柱状，沿导体柱121和第一导体盘123的中轴线轴向贯穿成形。在本实施例中，探针装置122的中空探针1221的靠近第一导体盘123的一端通过插入穿设通道1211，以将探针装置122嵌置于导体柱121上。

需要说明的是，当导体柱121或第一导体盘123采用非导电材料+涂覆第三导电层的方式制成时，穿设通道1211在对应导体柱121或第一导体盘123位置的内壁面也需要涂覆上第三导电层，以使中空探针1221与第一导体盘123、或第一导体盘123和导体柱121形成良好的欧姆接触。再如图3-图6所示，探针装置122在一些实施例中可包括可导电且纵长的中空探针1221、设于中空探针1221内的测温组件1222。该中空探针1221可与第一导体盘123、或导体柱121和第一导体盘123欧姆接触。在另一些实施例中，中空探针1221靠近第一导体盘123的一端从第一导体盘123的顶部插入穿设通道1211，穿过第一导体盘123后设于穿设通道1211中对应导体柱121的位置，使得中空探针1221相应的外周面与第一导体盘123、导体柱121连接，形成良好的欧姆接触。可选地，中空探针1221、第一导体盘123、导体柱121共轴设置。另外，测温组件1222用于在气溶胶生成基质40插入中空探针1221时，监测气溶胶生成基质40内部的温度。

需要说明的是，中空探针1221需要外部导电，并和第一导体盘123形成良好的欧姆接触；同时，中空探针1221的外表面的导电率越高，微波传导越为容易，还可以避免中空探针1221通过壁电流损耗消耗掉微波，导致自身发热。

进一步地，中空探针1221呈中空结构，其包括可导电的第二侧壁1223、可导电的第二端壁1224、以及第二开口1225。第二侧壁1223在一些实施例中可呈圆筒状；第二端壁1224封闭于该第二侧壁1223的远离第一导体盘123的一端，形成中空探针1221的一个封闭端。第二开口1225形成于第二侧壁1223的靠近第一导体盘123的一端，形成中空探针1221的一个开口端；第二开口1225用于供测温组件1222的连接线1228穿设。第二侧壁1223、第二端壁1224以及第二开口1225共同形成带一开口的中空通道1226，测温组件1222收容于该中空通道1226中。

中空探针1221的远离第一导体盘123的一端向收容座20延伸，且插入收容座20内。在一些实施例中，中空探针1221的顶部，即其远离第一导体盘123的一端端部，该端部的形状可以是平顶、球形、椭球形、圆锥形、圆台形等；优选地，中空探针1221的顶部为圆台形。在一些实施例中，第二侧壁1223中邻近第二端壁1224的端部沿第二端壁1224方向延伸，以连接于第二端壁1224的外周边缘；其中，第二端壁1224呈平面结构，其直径小于第二侧壁1223中邻近第二端壁1224的端部的最大直径。在一些实施例中，第二侧壁1223中邻近第二端壁1224的端部与第二端壁1224之间的连接呈平滑连接。

可以理解地，通过优化中空探针1221的顶部的形状，可以增强微波场局部场强提升雾化气溶胶生成基质40的雾化速度；其中当中空探针1221的顶部为圆台形时，效果最佳。

在一些实施例中，中空探针1221可采用金属等导电材料制成，优选不锈钢、铝合金或者铜作为导电材料。在其他一些实施例中，中空探针1221也可以由非导电材料制成，但需要在其外壁面涂覆第四导电层形成，该第四导电层为镀金属薄膜层，如镀金层、镀银层、镀铜层等等。此外，在一些实施例中，中空探针1221的横截面呈圆形，当然，其也可以呈方形、椭圆形、三角形等等。

进一步地，测温组件1222可为温度传感器，比如测温热电偶。在一些实施例中，测温组件1222可包括测温探头1227以及与测温探头1227电连接的连接线1228。该测温探头1227设于中空探针1221远离第一导体盘123的一端内，其可通过设于穿设通道1211和中空通道1226的连接线1228与该气溶胶产生装置1中的控制装置(未图示)电连接，进而向控制装置反馈气溶胶生成基质40内部的温度。

再如图5所示，收容座20在一些实施例中可包括收容部21以及与该收容部21一体连接的固定部22。收容部21用于收容气溶胶生成基质40；固定部22用于轴向封堵于外导体单元11的第一开口110上，并让收容部21伸入到收容部21内，与内导体单元12相连接。收容座20在一些实施例中可采用低介电损耗的耐高温材料，例如，为塑料、陶瓷、玻璃、氧化铝、氧化锆、氧化硅中的一种或多种的复合。另外，在塑料材料中，优选地为聚四氟乙烯PEEK、聚醚醚酮PTFE、PPSU聚亚苯基砜树脂；在陶瓷材料中，优选地为玻璃、石英玻璃、氧化铝、氧化锆。收容座20的材质的损耗角正切优选地小于0.1。

收容座20在一些实施例中可包括若干个纵长的定位筋23和若干纵长的支撑筋25。这些定位筋23间隔均匀地设置于收容腔210和/或第一通孔220的壁面周向上。每一定位筋23均沿着平行于收容座20的轴线的方向延伸。这些支撑筋25均匀间隔地呈放射状分布于收容腔210的底面上。定位筋23一个方面可用于夹紧插入收容腔210和/或第一通孔220的气溶胶生成基质40，另一个方面每相邻两定位筋23之间均形成一个纵向延伸的第一进气通道。支撑筋25一个方面用于支撑气溶胶生成基质40，另一个方向形成若干放射状第二进气通道。这些第二进气通道分别与这些第一进气通道相连通，以方便环境空气被吸入到气溶胶生成基质40的底部，再进入气溶胶生成基质40中带走被微波加热产生的气溶胶。

该收容部21在一些实施例中可呈圆筒状，且其外径可小于外导体单元11的内径。收容部21可包括一个轴向的收容腔210，该收容腔210用于收容气溶胶生成基质40。该固定部22可呈环形，与收容部21共轴地连接一起。固定部22可共轴地封堵于外导体单元11的第一开口110中，以将收容部21共轴地固定于微波谐振器10中。固定部22包括一个将收容腔210与环境相连通的轴向的第一通孔220，令得气溶胶生成基质40可以经由该第一通孔220放入收容腔210。

收容部21在一些实施例中可呈圆筒状，其包括平坦的第三底壁211以及围设在第三底壁211周缘的筒状的第三侧壁212，第三侧壁212外径小于外导体单元11的内径。在一些实施例中，在收容座20装配于外导体单元11时，第三底壁211刚好抵接第一导体盘123的顶部。

在该实施例中，收容部21还包括设于第三底壁211中的第二通孔26。具体地，第二通孔26沿第三底壁211轴向贯穿成形；优选第二通孔26设于第三底壁211的中部。可以理解地，探针装置122的中空探针1221的顶部，即其远离第一导体盘123的一端穿过该第二通孔26，插入至收容座20中；且由于中空探针1221的底端嵌置于内导体单元12中，使得中空探针1221的顶部可悬空于收容座20的收容腔210中。

再如图5所示，微波馈入装置30在一些实施例中可为同轴连接器，可与设于外导体单元11外部的微波源(未图示)相连接，以将微波馈入腔体。

具体地，图5示出了本实用新型实施例1的气溶胶产生装置1，微波馈入装置30在该实施例中可包括内导体31、外导体33以及介于内导体31和外导体33之间的介质层32。微波馈入装置30安装于微波谐振器10上时，其内导体31与外导体单元11的内壁面和/或内导体单元12的导体柱121的外表面欧姆接触，且其外导体33与外导体单元11的表面欧姆接触，以向微波谐振器10内馈入微波。

在该实施例中，微波馈入装置30的内导体31呈一字型，微波馈入装置30安装于微波谐振器10上时，内导体31与导体柱121的表面欧姆接触，且与导体柱121的轴线相垂直。

图7示出了本实用新型实施例2中的另一气溶胶产生装置1，其与上述气溶胶产生装置1的结构基本相同，两者的区别在于用第二微波馈入装置30a替代了上述气溶胶产生装置1的微波馈入装置30。

如图7所示，第二微波馈入装置30a可为同轴连接器，其可包括第二内导体31a、第二外导体33a以及介于第二内导体31a和第二外导体33a之间的第二介质层32a。第二微波馈入装置30a安装于微波谐振器10上时，其第二内导体31a与外导体单元11的内壁面欧姆接触，且其第二外导体33a与外导体单元11的表面欧姆接触，以向微波谐振器10内馈入微波。

第二微波馈入装置30a的第二内导体31a在该实施例中呈L型，其可包括一个垂直于微波谐振器10轴线的第一段311a和平行于微波谐振器10轴线的第二段312a,第二段312a与外导体单元11的第一端壁112欧姆接触。

进一步地，内导体31和/或第二内导体31a在一些实施例中可采用金属等导电材料制成，优选铝或者铜作为导电材料。在其他一些实施例中，内导体31和/或第二内导体31a也可以由非导电材料制成，但需要在其外壁面涂覆第五导电层形成，该第五导电层为镀金属薄膜层，如镀金层、镀银层、镀铜层等等。此外，在一些实施例中，内导体31和/或第二内导体31a可以是耦合环，耦合环的外部呈同轴结构，可与微波源相连接，以将微波馈入腔体。

可以理解地，结合上述对于微波谐振器10及其谐振腔13的设计，在气溶胶生成基质40装于气溶胶产生装置1时，谐振频率可达到在2.4-2.5GHz的范围区间内。

以下结合实验数据，如图9-图15所示，具体证明第一导体盘123以及中空探针1221顶部呈圆台形在本气溶胶产生装置1中的作用：

需要说明的是，以下实验数据采用控制变量法，以是否存在第一导体盘123、第一导体盘123的尺寸、中空探针1221顶部的形状作为自变量，气溶胶产生装置1的其他结构不变。

图9示出了实施例3中的气溶胶产生装置1的谐振频率图，在该实施例中的气溶胶产生装置1与上述实施例1的气溶胶产生装置1的区别在于，实施例3中的气溶胶产生装置1的外导体单元11内没有设置第一导体盘123。如图9所示，在没有设置第一导体盘123的情况下，气溶胶产生装置1的谐振频率为2.9375GHz，S11为-3.77db。此时若要降低谐振频率，则需要增加谐振腔13的高度。

图10示出了实施例1中的气溶胶产生装置1的谐振频率图，可以看到，通过在外导体单元11内设置第一导体盘123，谐振频率为2.4375GHz，S11为-27.75db，频率有明显的降低。外导体单元11或其谐振腔13的轴向长度可成功降低到25mm以下，同时保证谐振频率在2.4-2.5GHz之间。

图11示出了实施例1-1中的气溶胶产生装置1的谐振频率图，在该实施例中的气溶胶产生装置1与上述实施例1的气溶胶产生装置1的区别在于，实施例1-1中的第一导体盘123的直径限定为10mm，且外导体单元11的内径限定为10.6mm。如图11所示，在实施例1-1中，谐振频率为2.4375GHz，S11为-27.75db。

图12示出了实施例1-2中的气溶胶产生装置1的谐振频率图，在该实施例中的气溶胶产生装置1与上述实施例1-1的气溶胶产生装置1的区别在于，实施例1-2中的第一导体盘123的直径限定为8mm，且外导体单元11的内径限定为10.6mm。如图12所示，在实施例1-2中，谐振频率为2.87GHz，S11为-8.02db。

图13示出了实施例1-3中的气溶胶产生装置1的谐振频率图，在该实施例中的气溶胶产生装置1与上述实施例1-1的气溶胶产生装置1的区别在于，实施例1-3中的第一导体盘123的直径限定为10.4mm，且外导体单元11的内径限定为10.6mm。如图13所示，在实施例1-3中，谐振频率为2.16GHz，S11为-13.01db。

综上，通过实施例1-1、1-2、1-3对应的谐振频率图各自的对比，可以看出，第一导体盘123与外导体单元11的第一侧壁111的内壁面之间的距离，对于谐振频率及馈入频率存在较大影响。可以理解的是，第一导体盘123与第一侧壁111的内壁面之间的距离越小，谐振频率越低。

图14示出了实施例4中的气溶胶产生装置1中，其探针装置122在第一导体盘123上方的部分结构的微波场分布图，在该实施例中的气溶胶产生装置1与上述实施例1的气溶胶产生装置1的区别在于，实施例4气溶胶产生装置1中的中空探针1221的顶部为平顶结构。如图14所示，设置微波源功率为1w，在中空探针1221的顶部为平顶结构的情况下，微波场最强电场约为40385V/m。

图15示出了实施例1中的气溶胶产生装置1中，其探针装置122在第一导体盘123上方的部分结构的微波场分布图，该实施例中的中空探针1221的顶部呈圆台形结构。如图15所示，同样设置微波源功率为1w，微波场最强电场达到约104540V/m，同时微波场更加聚焦于中空探针1221的顶部。

综上，通过实施例4、实施例1对应的微波场分布图的对比，可以看出，中空探针1221顶部的形状对于微波场分布有较强影响。可以理解地是，当中空探针1221顶部越尖时，微波场的场强越大，加热速度越快；同时，还可以改变微波场的分布。

可以理解地，上述各技术特征可以任意组合使用而不受限制。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (28)

1.一种气溶胶产生装置，包括微波谐振器(10)；所述微波谐振器(10)包括用于界定谐振腔(13)的外导体单元(11)以及设置于该外导体单元(11)中的内导体单元(12)，所述外导体单元(11)具有一个开口端和一个封闭端，所述内导体单元(12)一端连接于所述外导体单元(11)的封闭端、一端朝所述外导体单元(11)的开口端延伸；

所述内导体单元(12)包括导体柱(121)，所述导体柱(121)包括一个连接于所述外导体单元(11)封闭端的固定端和一个朝所述外导体单元(11)开口端延伸的自由端；

其特征在于，所述内导体单元(12)还包括与所述导体柱(121)欧姆接触的第一导体盘(123)；所述第一导体盘(123)设于所述自由端。

2.根据权利要求1所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述第一导体盘(123)固定于所述自由端端壁。

3.根据权利要求1所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述第一导体盘(123)与所述导体柱(121)一体成型。

4.根据权利要求1所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述第一导体盘(123)与所述导体柱(121)共轴。

5.根据权利要求1所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述第一导体盘(123)与所述导体柱(121)采用金属材料制成；

或者，所述第一导体盘(123)的表面设有第三导电层，以及所述导体柱(121)的表面设有第二导电层。

6.根据权利要求1所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述内导体单元(12)还包括呈环形的至少一第二导体盘(124)，所述至少一第二导体盘(124)共轴地环绕于所述导体柱(121)的外周壁，并与所述导体柱(121)欧姆接触。

7.根据权利要求6所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述至少一第二导体盘(124)沿所述导体柱(121)的轴向间隔排布在所述第一导体盘(123)的下方。

8.根据权利要求1所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述第一导体盘(123)呈圆盘形。

9.根据权利要求1所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述第一导体盘(123)的直径大于所述导体柱(121)的直径。

10.根据权利要求1所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述内导体单元(12)还包括可导电的探针装置(122)；所述探针装置(122)与所述第一导体盘(123)欧姆接触。

11.根据权利要求10所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述内导体单元(12)还包括轴向贯穿所述导体柱(121)和第一导体盘(123)的穿设通道(1211)；

所述探针装置(122)靠近所述第一导体盘(123)的一端插入所述穿设通道(1211)，并与所述导体柱(121)以及所述第一导体盘(123)欧姆接触。

12.根据权利要求10所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述探针装置(122)包括可导电且纵长的中空探针(1221)以及设于所述中空探针(1221)内的测温组件(1222)；

所述中空探针(1221)靠近所述第一导体盘(123)的一端依次插入所述第一导体盘(123)和所述导体柱(121)，且所述中空探针(1221)的外壁面与所述第一导体盘(123)和/或所述导体柱(121)欧姆接触。

13.根据权利要求12所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述中空探针(1221)远离所述导体柱(121)的端部的形状包括呈平面形、球形、椭球形、圆锥形或者圆台形。

14.根据权利要求12所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述中空探针(1221)包括可导电的第二侧壁(1223)以及可导电的第二端壁(1224)；

所述第二侧壁(1223)远离第一导体盘(123)的一端向所述第二端壁(1224)方向延伸，以与所述第二端壁(1224)连接。

15.根据权利要求14所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述第二侧壁(1223)远离所述第一导体盘(123)的一端的最大直径大于所述第二端壁(1224)的直径。

16.根据权利要求14所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述第二侧壁(1223)远离第一导体盘(123)的一端与所述第二端壁(1224)之间平滑连接。

17.根据权利要求15所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述中空探针(1221)还包括沿其轴向延伸的中空通道(1226)；所述测温组件(1222)收容于所述中空通道(1226)中。

18.根据权利要求1所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述微波谐振器(10)为四分之一波长型同轴线谐振器。

19.根据权利要求1所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述气溶胶产生装置还包括用于装载气溶胶生成基质(40)的收容座(20)；所述收容座(20)包括设置于所述谐振腔(13)中、以收容气溶胶生成基质的收容部(21)；

所述收容部(21)的底部贴合于所述第一导体盘(123)的顶部。

20.一种气溶胶产生装置，包括四分之一波长型同轴线谐振器；所述同轴线谐振器包括谐振腔(13)、位于所述谐振腔(13)内的内导体单元(12)；

所述内导体单元(12)包括靠近所述同轴线谐振器短路端(A)的导体柱(121)；

其特征在于，所述内导体单元(12)还包括与所述导体柱(121)欧姆接触的第一导体盘(123)；所述第一导体盘(123)设于所述导体柱(121)的顶部。

21.根据权利要求20所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述第一导体盘(123)呈圆盘状，其共轴地固定于所述导体柱(121)的顶部。

22.根据权利要求20所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述第一导体盘(123)与所述导体柱(121)一体成型。

23.根据权利要求20所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述第一导体盘(123)的外径大于所述导体柱(121)的直径。

24.根据权利要求20所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述气溶胶产生装置还包括安装于所述同轴线谐振器的开路端(B)的收容座(20)；

所述收容座(20)包括用于收容气溶胶生成基质(40)的收容部(21)，所述收容部(21)位于所述同轴线谐振器的谐振腔(13)中；

所述内导体单元(12)还包括靠近所述开路端(B)的探针装置(122)，所述探针装置(122)包括可导电的中空探针(1221)；所述中空探针(1221)与所述第一导体盘(123)欧姆接触，且所述中空探针(1221)的一端伸入所述收容部(21)内以作用于气溶胶生成基质(40)。

25.根据权利要求24所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述中空探针远离所述导体柱(121)的一端伸入至所述收容部(21)内；所述中空探针靠近所述导体柱(121)的一端插入所述第一导体盘(123)和所述导体柱(121)，且所述中空探针的外壁面与所述第一导体盘(123)和所述导体柱(121)连接。

26.根据权利要求24所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述中空探针远离所述导体柱(121)的端部形状包括呈平面形、球形、椭球形、圆锥形或者圆台形。

27.根据权利要求24所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述内导体单元(12)还包括呈环形的至少一第二导体盘(124)，所述至少一第二导体盘(124)共轴地环绕于所述导体柱(121)的外周壁，并与所述导体柱(121)欧姆接触。

28.根据权利要求27所述的气溶胶产生装置，其特征在于，所述至少一第二导体盘(124)沿所述导体柱(121)的轴向间隔排布在所述第一导体盘(123)的下方。

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