CN217901819U - 一种芯片高通量并联电测装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种芯片高通量并联电测装置,包括电测装置本体,电测装置本体包括插座面板、测试壳、散热片、四个安装机构、两个耐高温触头和测试电路板,插座面板的一侧固定安装有测试壳,测试壳的内部固定安装有测试电路板,插座面板远离测试壳一侧的中部开设有两个插孔,两个插孔的内部均固定安装有耐高温触头,本实用新型一种芯片高通量并联电测装置,通过设置耐高温触头,耐高温触头在保证导电率的同时,提高耐高温性能,避免高通量芯片进行高低温测试时由于温度应力容易导致的电测插座触点变形,延长电测装置的使用寿命,通过设置安装机构,工作人员通过真空吸盘对电测装置进行吸附固定,提高电测装置固定的便捷性。
Description
技术领域
本实用新型涉及高通量芯片技术领域,具体为一种芯片高通量并联电测装置。
背景技术
高通量芯片相对于传统的芯片来说,传统的芯片一代测序一次测序只能够对1个基因进行测序,而高通量芯片测序能够一次检测几十甚至几百个基因,其中产生的数据超大,高通量芯片在生产的过程中需要借助于电测装置进行检测,电测装置由一个插座和一个带有测试通道的电路板组成,工作人员先要将插座焊于带有测试通道的电路板上,实现高通量芯片并联测试,然而,传统的电测装置存在以下缺陷:电测插座对高通量芯片进行高低温测试时由于温度应力容易导致的电测插座触点变形,缩短电测装置的使用寿命。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种芯片高通量并联电测装置,以解决上述背景技术中提出的电测插座对高通量芯片进行高低温测试时由于温度应力容易导致的电测插座触点变形,缩短电测装置的使用寿命的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种芯片高通量并联电测装置,包括电测装置本体,所述电测装置本体包括插座面板、测试壳、散热片、四个安装机构、两个耐高温触头和测试电路板,所述插座面板的一侧固定安装有测试壳,所述测试壳的内部固定安装有测试电路板,所述插座面板远离测试壳一侧的中部开设有两个插孔,两个所述插孔的内部均固定安装有耐高温触头,所述测试壳远离插座面板一侧的中部固定安装有散热片,所述测试壳的表面固定安装有四个安装机构,工作人员将高通量芯片通过导线与耐高温触头连接,测试电路板上的测试通道对高通量芯片进行测试。
优选的,四个所述安装机构均包括真空吸盘、延长杆、固定杆、固定螺钉、安装框、滑行板和弹簧,所述安装框的内部滑动连接有滑行板,所述滑行板的底端固定安装有贯穿安装框的固定杆,所述固定杆的内部滑动连接有延长杆,所述延长杆的底端固定安装有真空吸盘,所述滑行板与安装框之间固定安装有弹簧,所述固定杆的表面螺纹连接有固定螺钉,所述固定杆通过固定螺钉与延长杆固定连接,工作人员沿着固定杆滑动延长杆,调节延长杆与固定杆之间的距离,工作人员拧动固定螺钉,将延长杆固定在固定杆上,工作人员通过吸盘真空吸附在工作台上,完成对电测装置本体的固定。
优选的,四个所述安装框的顶端分别与测试壳远离插座面板一侧的四个边角固定连接,安装机构通过安装框安装在测试壳上。
优选的,两个所述耐高温触头均包括第一触头和第二触头,所述第一触头的一侧固定安装有第二触头,第一触头和第二触头均采用铜掺杂少量的铬材料制成,保证耐高温触头导电率的同时,提高耐高温触头的耐高温性能,在波动性加热环境下即加热冷却的循环高温环境中,依然表现出良好的耐高温特性以及良好的硬度、强度、导电率、延展率等。
优选的,所述散热片的表面开设有若干个散热孔,两个所述插孔的内部均固定安装有绝缘片,散热片直接与测试壳接触,对测试壳产生的热量进行降温,外环境的气体可以通过散热孔在散热片内流动,对散热片上的热量进行消散。
优选的,所述插座面板远离测试壳一侧的两端均固定安装有挡尘板,挡尘板从插孔的两侧对外环境中飘散的粉尘进行阻挡,避免粉尘落入插孔内污染插孔。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:通过设置耐高温触头,耐高温触头在保证导电率的同时,提高耐高温性能,避免高通量芯片进行高低温测试时由于温度应力容易导致的电测插座触点变形,延长电测装置的使用寿命,通过设置安装机构,工作人员通过真空吸盘对电测装置进行吸附固定,提高电测装置固定的便捷性。
附图说明
图1为本实用新型的立体图;
图2为本实用新型的剖视图;
图3为本实用新型安装机构的剖视图;
图4为本实用新型耐高温触头的测试图。
图中:1、电测装置本体;2、散热片;3、散热孔;4、插座面板;5、挡尘板;6、插孔;7、绝缘片;8、耐高温触头;81、第一触头;82、第二触头;9、测试壳;10、测试电路板;11、安装机构;111、真空吸盘;112、延长杆;113、固定杆;114、固定螺钉;115、安装框;116、滑行板;117、弹簧。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
请参阅图1-4,本实用新型提供了一种芯片高通量并联电测装置,包括电测装置本体1,电测装置本体1包括插座面板4、测试壳9、散热片2、四个安装机构11、两个耐高温触头8和测试电路板10,插座面板4的一侧固定安装有测试壳9,测试壳9的内部固定安装有测试电路板10,插座面板4远离测试壳9一侧的中部开设有两个插孔6,两个插孔6的内部均固定安装有耐高温触头8,测试壳9远离插座面板4一侧的中部固定安装有散热片2,测试壳9的表面固定安装有四个安装机构11,工作人员将高通量芯片通过导线与耐高温触头8连接,测试电路板10上的测试通道对高通量芯片进行测试。
四个安装机构11均包括真空吸盘111、延长杆112、固定杆113、固定螺钉114、安装框115、滑行板116和弹簧117,安装框115的内部滑动连接有滑行板116,滑行板116的底端固定安装有贯穿安装框115的固定杆113,固定杆113的内部滑动连接有延长杆112,延长杆112的底端固定安装有真空吸盘111,滑行板116与安装框115之间固定安装有弹簧117,固定杆113的表面螺纹连接有固定螺钉114,固定杆113通过固定螺钉114与延长杆112固定连接,工作人员沿着固定杆113滑动延长杆112,调节延长杆112与固定杆113之间的距离,工作人员拧动固定螺钉114,将延长杆112固定在固定杆113上,工作人员通过吸盘真空吸附在工作台上,完成对电测装置本体1的固定。
四个安装框115的顶端分别与测试壳9远离插座面板4一侧的四个边角固定连接,安装机构11通过安装框115安装在测试壳9上。
两个耐高温触头8均包括第一触头81和第二触头82,第一触头81的一侧固定安装有第二触头82,第一触头81和第二触头82均采用铜掺杂少量的铬材料制成,保证耐高温触头8导电率的同时,提高耐高温触头8的耐高温性能,在波动性加热环境下即加热冷却的循环高温环境中,依然表现出良好的耐高温特性以及良好的硬度、强度、导电率、延展率等。
散热片2的表面开设有若干个散热孔3,两个插孔6的内部均固定安装有绝缘片7,散热片2直接与测试壳9接触,对测试壳9产生的热量进行降温,外环境的气体可以通过散热孔3在散热片2内流动,对散热片2上的热量进行消散。
插座面板4远离测试壳9一侧的两端均固定安装有挡尘板5,挡尘板5从插孔6的两侧对外环境中飘散的粉尘进行阻挡,避免粉尘落入插孔6内污染插孔6。
本申请实施例在使用时:工作人员将高通量芯片通过导线与耐高温触头8连接,第一触头81和第二触头82均采用铜掺杂少量的铬材料制成,保证耐高温触头8导电率的同时,提高耐高温触头8的耐高温性能,在波动性加热环境下即加热冷却的循环高温环境中,依然表现出良好的耐高温特性以及良好的硬度、强度、导电率、延展率等,测试电路板10上的测试通道对高通量芯片进行测试,工作人员沿着固定杆113滑动延长杆112,调节延长杆112与固定杆113之间的距离,工作人员拧动固定螺钉114,将延长杆112固定在固定杆113上,工作人员通过吸盘真空吸附在工作台上,完成对电测装置本体1的固定。
尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种芯片高通量并联电测装置,包括电测装置本体(1),其特征在于:所述电测装置本体(1)包括插座面板(4)、测试壳(9)、散热片(2)、四个安装机构(11)、两个耐高温触头(8)和测试电路板(10),所述插座面板(4)的一侧固定安装有测试壳(9),所述测试壳(9)的内部固定安装有测试电路板(10),所述插座面板(4)远离测试壳(9)一侧的中部开设有两个插孔(6),两个所述插孔(6)的内部均固定安装有耐高温触头(8),所述测试壳(9)远离插座面板(4)一侧的中部固定安装有散热片(2),所述测试壳(9)的表面固定安装有四个安装机构(11)。
2.根据权利要求1所述的一种芯片高通量并联电测装置,其特征在于:四个所述安装机构(11)均包括真空吸盘(111)、延长杆(112)、固定杆(113)、固定螺钉(114)、安装框(115)、滑行板(116)和弹簧(117),所述安装框(115)的内部滑动连接有滑行板(116),所述滑行板(116)的底端固定安装有贯穿安装框(115)的固定杆(113),所述固定杆(113)的内部滑动连接有延长杆(112),所述延长杆(112)的底端固定安装有真空吸盘(111),所述滑行板(116)与安装框(115)之间固定安装有弹簧(117),所述固定杆(113)的表面螺纹连接有固定螺钉(114),所述固定杆(113)通过固定螺钉(114)与延长杆(112)固定连接。
3.根据权利要求2所述的一种芯片高通量并联电测装置,其特征在于:四个所述安装框(115)的顶端分别与测试壳(9)远离插座面板(4)一侧的四个边角固定连接。
4.根据权利要求1所述的一种芯片高通量并联电测装置,其特征在于:两个所述耐高温触头(8)均包括第一触头(81)和第二触头(82),所述第一触头(81)的一侧固定安装有第二触头(82)。
5.根据权利要求1所述的一种芯片高通量并联电测装置,其特征在于:所述散热片(2)的表面开设有若干个散热孔(3),两个所述插孔(6)的内部均固定安装有绝缘片(7)。
6.根据权利要求1所述的一种芯片高通量并联电测装置,其特征在于:所述插座面板(4)远离测试壳(9)一侧的两端均固定安装有挡尘板(5)。
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CN202221432131.3U Active CN217901819U (zh) | 2022-06-09 | 2022-06-09 | 一种芯片高通量并联电测装置 |
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- 2022-06-09 CN CN202221432131.3U patent/CN217901819U/zh active Active
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