CN216956608U - 一种可降低ch孔接触阻抗的阵列基板 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及液晶显示技术领域，具体的说是一种可降低CH孔接触阻抗的阵列基板，该可降低CH孔接触阻抗的阵列基板包括基板，所述基板上端形成有栅极，所述基板上端和栅极上端均形成有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上端且位于右侧所述栅极处形成有有源层，所述栅极绝缘层上端和有源层上端均形成有刻蚀阻挡层。本实用新型可降低CH孔接触阻抗的阵列基板，在第三绝缘层上开第三绝缘层孔后像素电极层成膜之前，增加一道额外的纯钼金属层，以第三绝缘层光罩搭配负型光阻的方法，在源漏极与像素电极层之间设置纯钼金属层，起到桥接作用，以此降低像素电极层与源漏极之间的接触阻抗，从而保证显示屏画面的正常显示。

Description

一种可降低CH孔接触阻抗的阵列基板

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术领域，具体为一种可降低CH孔接触阻抗的阵列基板。

背景技术

目前非晶态金属氧化物半导体发展迅速。其中，非晶InGaZnO(IGZO)凭借其简单的制备工艺以及优异的光电学性能而成为TFT制备的理想材料，以其制备的TFT有着高迁移率、高开关比等特点，具有替代a-Si的潜力。较a-Si TFT相比，IGZO-TFT的载流子迁移率可以达到10~30cm2/V·S，大大提高TFT对像素电极的充放电效率和响应速度。更为重要的是，IGZO制程和现有的a-Si生产线具有很好的兼容性，较生产工艺更为复杂、设备投资更高的低温多晶硅(LTPS)具有更低的投资成本。

现有的In-Cell技术是指将触摸面板功能嵌入到液晶像素中的方法，从而实现触摸面板部件与液晶面板一体化的设计。在Array制程方面，以ITO等透明材料作为公共电极和像素电极的膜层，是通过CH孔搭接源漏极金属层进行像素的充放电。而在实际的量产过程中，ITO与金属层之间的搭接阻抗大小往往会影响到充放电效率，严重者直接会影响显示屏画面的正常显示，出现画面显示不均或其他Mura类不良等等。现有的SD源漏极材料大多以TiAlTi三层复合金属为主，其中Al为主要导电膜层，而Ti主要作为buffer层来改善Al与无机膜层的接触界面以及保护Al不被氧化。然而在实际产品制程过程中，会发现Ti与ITO之间的接触阻抗会远超设计值，达到105Ω，从而造成上述所述的像素充放电及画面显示不均等问题，根据深入研究发现，这个主要是由于ITO靶材在Sputter过程中的氧原子会造成TiAlTi源漏极金属表面的Ti氧化，形成高电阻的TiOx，进而影响到搭接阻抗，而直接改善的方法就是换透明电极材料或源漏极金属材料。

目前市场可选的金属有Mo/Al/Mo、Cu和Ag几种，然而Ag成本过高，Mo、Cu虽然成本低，但与无机膜层SiOx的接触性差，特别是在高温下一些无机膜质会出现浮膜或peeling的现象，极大的限制了无机膜层膜质的选择，导致其他类Issue不良。虽然Mo/Al/Mo金属层作为导电层会对无机膜层有要求限制，但是Mo与ITO之间的接触阻抗很小，符合现有的设计规格值，在103Ω左右。

为此，我们推出一种可降低CH孔接触阻抗的阵列基板。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可降低CH孔接触阻抗的阵列基板，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种可降低CH孔接触阻抗的阵列基板，包括基板，所述基板上端形成有栅极，所述基板上端和栅极上端均形成有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上端且位于右侧所述栅极处形成有有源层，所述栅极绝缘层上端和有源层上端均形成有刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层上蚀刻有刻蚀阻挡层孔和电源插孔，所述刻蚀阻挡层上端形成有源漏极，所述源漏极上端覆盖有第一绝缘层，所述第一绝缘层上端涂布有有机平坦层，有机平坦层主要为有机材料，覆盖于第一绝缘层，所述有机平坦层上形成有有机平坦层孔，所述有机平坦层上端形成有触控金属层，所述有机平坦层上端和触控金属层上端均沉积有第二绝缘层，所述第二绝缘层上且位于触控金属层处干刻有第二绝缘层孔，所述第二绝缘层上端且位于第二绝缘层孔处沉积有公共电极层，所述公共电极层通过第二绝缘层孔与触控金属层搭接，所述第二绝缘层上端和公共电极层上端均沉积有第三绝缘层，所述第三绝缘层上形成有第三绝缘层孔，所述第三绝缘层上端沉积有纯钼金属层，所述第三绝缘层上端和纯钼金属层上端均形成有像素电极层。

所述栅极为钼铝钼层或钛铝钛层。

所述栅极绝缘层为硅氧化物层。

所述有源层为铟镓锌氧化物层。

所述刻蚀阻挡层、第一绝缘层均为硅氧化物层。刻蚀阻挡层为具有较大介电常数的绝缘层，保护有源层不被源漏极蚀刻液或气体蚀刻；第一绝缘层为具有较大介电常数的绝缘层，阻隔水和氧，避免其对基板上端器件的稳定性造成影响。

所述触控金属层为钼铝钼层。

所述第二绝缘层和第三绝缘层均为硅氧化物层或硅氮化物层。第三绝缘层为具有较大介电常数的绝缘层，便于像素电极层与源漏极相连。

所述公共电极层和像素电极层均为氧化铟锡层。

所述纯钼金属层介于像素电极层与源漏极之间，起到桥接作用，避免了像素电极层与源漏极直接搭接造成第三绝缘层阻抗偏大的问题。

一种可降低CH孔接触阻抗的阵列基板的制造方法，具体包括以下步骤：

S1、依序在基板上形成栅极和栅极绝缘层；

S2、在栅极绝缘层上端对应右侧栅极处形成有源层；

S3、在栅极绝缘层上端和有源层上端形成刻蚀阻挡层，并蚀刻出刻蚀阻挡层孔和电源插孔；

S4、在刻蚀阻挡层上端形成源漏极；

S5、在源漏极上覆盖一层第一绝缘层；

S6、在第一绝缘层上端涂布一层有机平坦层，并形成有机平坦层孔；

S7、在有机平坦层上端形成触控金属层；

S8、在触控金属层上沉积一层第二绝缘层，并形成第二绝缘层孔；

S9、在第二绝缘层上端且位于有第二绝缘层孔处沉积一层公共电极层，公共电极层通过第二绝缘层孔与触控金属层搭接；

S10、在公共电极层上端沉积一层第三绝缘层，并构成第三绝缘层孔；

S11、在第三绝缘层上端沉积一层纯钼金属层；

S12、在纯钼金属层上涂布一层负型光阻层，并用第三绝缘层光罩进行曝光显影；

S13、根据负型光阻特性，经第三绝缘层光罩曝光后，第三绝缘层孔位置的光阻经曝光显影后保留了下来；

S14、将显影后的基板进行湿蚀刻，蚀刻采用铝酸，蚀刻掉未被光阻覆盖的纯钼金属层；

S15、进行剥膜制程，去掉剩余的纯钼金属层上的负型光阻层；

S16、在第三绝缘层上端和纯钼金属层上端形成像素电极层。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、本实用新型可降低CH孔接触阻抗的阵列基板，在第三绝缘层上开第三绝缘层孔后像素电极层成膜之前，增加一道额外的纯钼金属层，以第三绝缘层光罩搭配负型光阻的方法，在源漏极与像素电极层之间设置纯钼金属层，起到桥接作用，以此降低像素电极层与源漏极之间的接触阻抗，从而保证显示屏画面的正常显示；

2、本实用新型可降低CH孔接触阻抗的阵列基板的制造方法，在第三绝缘层上开第三绝缘层孔后像素电极层成膜之前，增加一道额外的纯钼金属层，在纯钼金属层上涂布一层负型光阻层，并用第三绝缘层光罩进行曝光显影，然后进行湿蚀刻，不仅有效改善阻抗问题，并非常有利应用于量产。

附图说明

图1为本实用新型可降低CH孔接触阻抗的阵列基板的结构示意图；

图2为本实用新型可降低CH孔接触阻抗的阵列基板的制造方法的步骤S1的结构示意图；

图3为本实用新型可降低CH孔接触阻抗的阵列基板的制造方法的步骤S2的结构示意图；

图4为本实用新型可降低CH孔接触阻抗的阵列基板的制造方法的步骤S3的结构示意图；

图5为本实用新型可降低CH孔接触阻抗的阵列基板的制造方法的步骤S4的结构示意图；

图6为本实用新型可降低CH孔接触阻抗的阵列基板的制造方法的步骤S5的结构示意图；

图7为本实用新型可降低CH孔接触阻抗的阵列基板的制造方法的步骤S6的结构示意图；

图8为本实用新型可降低CH孔接触阻抗的阵列基板的制造方法的步骤S7的结构示意图；

图9为本实用新型可降低CH孔接触阻抗的阵列基板的制造方法的步骤S8的结构示意图；

图10为本实用新型可降低CH孔接触阻抗的阵列基板的制造方法的步骤S9的结构示意图；

图11为本实用新型可降低CH孔接触阻抗的阵列基板的制造方法的步骤S10的结构示意图；

图12为本实用新型可降低CH孔接触阻抗的阵列基板的制造方法的步骤S11的结构示意图；

图13为本实用新型可降低CH孔接触阻抗的阵列基板的制造方法的步骤S12的结构示意图；

图14为本实用新型可降低CH孔接触阻抗的阵列基板的制造方法的步骤S13的结构示意图；

图15为本实用新型可降低CH孔接触阻抗的阵列基板的制造方法的步骤S14的结构示意图；

图16为本实用新型可降低CH孔接触阻抗的阵列基板的制造方法的步骤S15的结构示意图；

图17为本实用新型可降低CH孔接触阻抗的阵列基板的制造方法的步骤S16的结构示意图。

图中：1、基板；2、栅极；3、栅极绝缘层；4、有源层；5、刻蚀阻挡层；6、源漏极；7、第一绝缘层；8、有机平坦层；9、触控金属层；10、第二绝缘层；11、公共电极层；12、第三绝缘层；13、纯钼金属层；14、像素电极层。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，本实用新型提供一种技术方案：一种可降低CH孔接触阻抗的阵列基板，包括基板1，基板1为显示器件的基本部件，所述基板1上端形成有栅极2，所述栅极2为钼铝钼层或钛铝钛层，所述基板1上端和栅极2上端均形成有栅极绝缘层3，所述栅极绝缘层3为硅氧化物层，所述栅极绝缘层3上端且位于右侧所述栅极2处形成有有源层4，所述有源层4为铟镓锌氧化物层，所述栅极绝缘层3上端和有源层4上端均形成有刻蚀阻挡层5，所述刻蚀阻挡层5为硅氧化物层，刻蚀阻挡层5为具有较大介电常数的绝缘层，保护有源层4不被源漏极6蚀刻液或气体蚀刻，所述刻蚀阻挡层5上蚀刻有刻蚀阻挡层孔和电源插孔，所述刻蚀阻挡层5上端形成有源漏极6，所述源漏极6上端覆盖有第一绝缘层7，所述第一绝缘层7为硅氧化物层，第一绝缘层7为具有较大介电常数的绝缘层，阻隔水和氧，避免其对基板1上端器件的稳定性造成影响，所述第一绝缘层7上端涂布有有机平坦层8，有机平坦层8主要为有机材料，覆盖于第一绝缘层7，所述有机平坦层8上形成有有机平坦层孔，所述有机平坦层8上端形成有触控金属层9，所述触控金属层9为钼铝钼层，所述有机平坦层8上端和触控金属层9上端均沉积有第二绝缘层10，所述第二绝缘层10为硅氧化物层或硅氮化物层，所述第二绝缘层10上且位于触控金属层9处干刻有第二绝缘层孔，所述第二绝缘层10上端且位于第二绝缘层孔处沉积有公共电极层11，所述公共电极层11为氧化铟锡层,所述公共电极层11通过第二绝缘层孔与触控金属层9搭接，所述第二绝缘层10上端和公共电极层11上端均沉积有第三绝缘层12，所述第三绝缘层12为硅氧化物层或硅氮化物层，第三绝缘层12为具有较大介电常数的绝缘层，便于像素电极层14与源漏极6相连，所述第三绝缘层12上形成有第三绝缘层孔，所述第三绝缘层12上端沉积有纯钼金属层13，所述纯钼金属层13介于像素电极层14与源漏极6之间，起到桥接作用，避免了像素电极层14与源漏极6直接搭接造成第三绝缘层12阻抗偏大的问题,所述第三绝缘层12上端和纯钼金属层13上端均形成有像素电极层14, 所述像素电极层14为氧化铟锡层。

请参阅图2-17,一种可降低CH孔接触阻抗的阵列基板的制造方法，具体包括以下步骤：

S1、依序在基板1上形成栅极2和栅极绝缘层3；

S2、在栅极绝缘层3上端对应右侧栅极2处形成有源层4；

S3、在栅极绝缘层3上端和有源层4上端形成刻蚀阻挡层5，并蚀刻出刻蚀阻挡层孔和电源插孔；

S4、在刻蚀阻挡层5上端形成源漏极6；

S5、在源漏极6上覆盖一层第一绝缘层7；

S6、在第一绝缘层7上端涂布一层有机平坦层8，并形成有机平坦层孔；

S7、在有机平坦层8上端形成触控金属层9；

S8、在触控金属层9上沉积一层第二绝缘层10，并形成第二绝缘层孔；

S9、在第二绝缘层10上端且位于有第二绝缘层孔处沉积一层公共电极层11，公共电极层11通过第二绝缘层孔与触控金属层9搭接；

S10、在公共电极层11上端沉积一层第三绝缘层12，并构成第三绝缘层孔；

S11、在第三绝缘层12上端沉积一层纯钼金属层13；

S12、在纯钼金属层13上涂布一层负型光阻层，并用第三绝缘层光罩进行曝光显影；

S13、根据负型光阻特性，经第三绝缘层光罩曝光后，第三绝缘层孔位置的光阻经曝光显影后保留了下来；

S14、将显影后的基板1进行湿蚀刻，蚀刻采用铝酸，蚀刻掉未被光阻覆盖的纯钼金属层13；

S15、进行剥膜制程，去掉剩余的纯钼金属层13上的负型光阻层；

S16、在第三绝缘层12上端和纯钼金属层13上端形成像素电极层14。

综上所述，与现有技术相比：

1、本实用新型可降低CH孔接触阻抗的阵列基板，在第三绝缘层12上开第三绝缘层孔后像素电极层14成膜之前，增加一道额外的纯钼金属层13，以第三绝缘层光罩搭配负型光阻的方法，在源漏极6与像素电极层14之间设置纯钼金属层13，起到桥接作用，以此降低像素电极层14与源漏极6之间的接触阻抗，从而保证显示屏画面的正常显示；

2、本实用新型可降低CH孔接触阻抗的阵列基板的制造方法，在第三绝缘层12上开第三绝缘层孔后像素电极层14成膜之前，增加一道额外的纯钼金属层13，在纯钼金属层13上涂布一层负型光阻层，并用第三绝缘层光罩进行曝光显影，然后进行湿蚀刻，不仅有效改善阻抗问题，并非常有利应用于量产。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (9)

1.一种可降低CH孔接触阻抗的阵列基板，包括基板（1），其特征在于：所述基板（1）上端形成有栅极（2），所述基板（1）上端和栅极（2）上端均形成有栅极绝缘层（3），所述栅极绝缘层（3）上端且位于右侧所述栅极（2）处形成有有源层（4），所述栅极绝缘层（3）上端和有源层（4）上端均形成有刻蚀阻挡层（5），所述刻蚀阻挡层（5）上蚀刻有刻蚀阻挡层孔和电源插孔，所述刻蚀阻挡层（5）上端形成有源漏极（6），所述源漏极（6）上端覆盖有第一绝缘层（7），所述第一绝缘层（7）上端涂布有有机平坦层（8），所述有机平坦层（8）上形成有有机平坦层孔，所述有机平坦层（8）上端形成有触控金属层（9），所述有机平坦层（8）上端和触控金属层（9）上端均沉积有第二绝缘层（10），所述第二绝缘层（10）上且位于触控金属层（9）处干刻有第二绝缘层孔，所述第二绝缘层（10）上端且位于第二绝缘层孔处沉积有公共电极层（11），所述公共电极层（11）通过第二绝缘层孔与触控金属层（9）搭接，所述第二绝缘层（10）上端和公共电极层（11）上端均沉积有第三绝缘层（12），所述第三绝缘层（12）上形成有第三绝缘层孔，所述第三绝缘层（12）上端沉积有纯钼金属层（13），所述第三绝缘层（12）上端和纯钼金属层（13）上端均形成有像素电极层（14）。

2.根据权利要求1所述的一种可降低CH孔接触阻抗的阵列基板，其特征在于：所述栅极（2）为钼铝钼层或钛铝钛层。

3.根据权利要求1所述的一种可降低CH孔接触阻抗的阵列基板，其特征在于：所述栅极绝缘层（3）为硅氧化物层。

4.根据权利要求1所述的一种可降低CH孔接触阻抗的阵列基板，其特征在于：所述有源层（4）为铟镓锌氧化物层。

5.根据权利要求1所述的一种可降低CH孔接触阻抗的阵列基板，其特征在于：所述刻蚀阻挡层（5）、第一绝缘层（7）均为硅氧化物层。

6.根据权利要求1所述的一种可降低CH孔接触阻抗的阵列基板，其特征在于：所述触控金属层（9）为钼铝钼层。

7.根据权利要求1所述的一种可降低CH孔接触阻抗的阵列基板，其特征在于：所述第二绝缘层（10）和第三绝缘层（12）均为硅氧化物层或硅氮化物层。

8.根据权利要求1所述的一种可降低CH孔接触阻抗的阵列基板，其特征在于：所述公共电极层（11）和像素电极层（14）均为氧化铟锡层。

9.根据权利要求1所述的一种可降低CH孔接触阻抗的阵列基板，其特征在于：所述纯钼金属层（13）介于像素电极层（14）与源漏极（6）之间。

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