CN216928576U - 一种微波芯片的封装结构 - Google Patents
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Abstract
一种微波芯片的封装结构，其包括一个由至少两个FR4层相互压装组成的FR4层组，一个与所述FR4层间隔设置的PTFE层，以及至少一个设置在所述FR4层组与所述PTFE层之间的介质层。所述PTFE层的两个侧面分别设置有一层铜层。所述PTFE层背离所述FR4层组的一侧设置有至少一个图形。每个所述图形包括一个薄金层和一个厚金层。所述薄金层和所述厚金层的外部包覆有一层铜层。本微波芯片的封装结构具有一个由至少两个FR4层组成的FR4层组，一个与所述FR4层组间隔设置的PTFE层，以及一个设置在所述FR4层组与所述PTFE层之间的介质层。通过将PTFE层设置在所述FR4层组的一侧，并在二者之间设置所述介质层，从而简化了封装结构。
Description
技术领域
本实用新型涉及芯片制造领域，特别涉及一种微波芯片的封装结构。
背景技术
高频微波板是指采用特殊的高频材料进行加工制造而成的印制电路板，主要应用于高频信号传输电子产品，如通信基站，微波通信，卫星通信和雷达等领域。高频微波板对信号完整性要求较高，加工难度较大。
专利号为CN202011463892.0，专利名为一种芯片封装结构及其封装方法，公开了一种芯片封装结构，其包括载体基板，所述载体基板具有第一表面，所述载体基板中具有芯片容纳槽，所述芯片容纳槽朝向所述第一表面，位于所述芯片容纳槽内部的多个内置芯片，所述多个内置芯片沿垂直于芯片容纳槽的底面的方向层叠设置，重布线结构，所述重布线结构位于第一表面且覆盖所述多个内置芯片，所述重布线结构与所述内置芯片电学连接。这种封装结构增强了芯片封装结构的集成度。然而这种封装结构的结构比较复杂，不便加工。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型提供了一种微波芯片的封装结构，以解决上述问题。
一种微波芯片的封装结构，其包括一个由至少两个FR4层相互压装组成的FR4层组，一个与所述FR4层间隔设置的PTFE层，以及至少一个设置在所述FR4层组与所述PTFE层之间的介质层。所述PTFE层的两个侧面分别设置有一层铜层。所述PTFE层背离所述FR4层组的一侧设置有至少一个图形。每个所述图形包括一个薄金层和一个厚金层，所述薄金层和所述厚金层的外部包覆有一层铜层。
进一步的，所述薄金层的厚度为0.1-0.5μm，所述厚金层的厚度为2-3μm。
进一步的，所述薄金层和所述厚金层与所述PTFE层的接触面的形状相同。
进一步的，所述PTFE层的材质为陶瓷材料，所述介质层的材质为PP。
进一步的，所述薄金层和所述厚金层的外部的铜层厚度相同。
进一步的，所述PTFE层上开设有至少一个通孔，所述FR4层背离所述PTFE层的一侧插装有元器件，所述元器件的引脚穿过所述通孔与所述图形焊接。
进一步的，所述FR4层的数量为五层，所述介质层的数量为两层。
与现有技术相比，本实用新型提供的微波芯片的封装结构具有一个由至少两个FR4层组成的FR4层组，一个与所述FR4层组间隔设置的PTFE层，以及一个设置在所述FR4层组与所述PTFE层之间的介质层。通过将PTFE层设置在所述FR4层组的一侧，并在二者之间设置所述介质层，从而简化了封装结构。所述PTFE层的两侧分别设置有一层铜层，所述PTFE层背离所述FR4层组一侧的设置有至少一个图形，每个所述图形包括一个薄金层和一个厚金层。所述FR4层组背离所述PTFE层的一侧插装有元器件，所述PTFE层上开设有通孔，以便于所述元器件的引脚穿过所述通孔与对应的所述图形连接。
附图说明
图1为本实用新型提供的一种微波芯片的封装结构。
图2为图1的微波芯片的封装结构在A处的局部放大图。
具体实施方式
以下对本实用新型的具体实施例进行进一步详细说明。应当理解的是，此处对本实用新型实施例的说明并不用于限定本实用新型的保护范围。
如图1和图2所示，其为本实用新型提供的一种微波芯片的封装结构的结构示意图。所述微波芯片的封装结构包括一个至少由两个相互压装的FR4层组成的FR4层组10，一个与所述FR4层组10间隔设置的PTFE层20，以及至少一个设置在所述FR4层组10与所述PTFE层20之间的介质层30，可以想到的是，所述微波芯片的封装结构还包括一些功能模块，如插装在所述FR4层上的元器件40等，其为本领域技术人员习知的技术，在此不再赘述。
在本实施例中，所述FR4层组10中所述FR4层11的数量为5层，可根据需要改变FR4层11的层数，从而满足不同的使用需求。每层所述FR4层11的大小和厚度均相同。每层所述FR4层11的两侧分别设置有一层铜层。所述FR4层11背离所述PTFE层20的一侧插装有至少一个元器件40。
所述PTFE层20的两侧分别设置有一层铜层。所述PTFE层20的材质为陶瓷材料，具有低介电常数，耐高温，热稳定性好等优点，可以应用在微波通讯领域。所述PTFE层20背离所述FR4层组10的一侧设置有至少一个图形21，所述图形21包括一个薄金层211和一个厚金层212。所述薄金层211和对应的所述厚金层212在所述FR4层11上的接触面积的大小和形状分别相同并且位置紧贴。所述薄金层211的厚度为0.1-0.5μm，所述厚金层212的厚度为2-3μm，从而能够产生不同的微波频率。所述薄金层211和所述厚金层212的外部分别设置有一层铜层。所述PTFE层20的表面开设有通孔22。所述元器件40的引脚依次穿过所述FR4层组10，所述介质层30，并穿过开设在所述PTFE层20上的通孔22，最终与所述PTFE层20上的图形21焊接。所述PTFE层20可选择睿龙R220板材，其为有编织的玻璃纤维布与PTFE的复合材料，与无纺布支撑的基材相比，具有更好的尺寸安定性。所述PTFE层20的厚度可以设置为0.254mm，由于本板材较薄，电镀时使用干膜而不是用湿膜印刷。板面光滑平整，无划伤和划痕，且没有经过磨刷处理。在压制干膜时，压力选择6kg，压膜速度选择0.8-1.2m/min，在第一次压膜后走一次二压。曝光前需要确认板面是否有凹坑或压膜不良的情况发生。在上机曝光前每pnl测量涨缩，从而保证在显影后，图形和通孔的位置准确。为了保证显影后的位置准确，需要依据干膜的特性来选择合适的显影速度。也可使用镀金湿膜+镀金干膜的方式来形成所述薄金层和所述厚金层，第一次湿膜显影后固化条件选择150℃20min，并再在湿膜表面涂覆一层干膜，同时选择LDI曝光机生产。在镀薄金面贴干膜，并当所述薄金层镀金完毕后，检查干膜是否产生浮离。如果干膜浮离则需要先除胶后再压干膜，如果没有浮离则直接压干膜，然后再曝光和显影后镀厚金层。
所述介质层30的材质为pp，在本实施例中，所述介质层30的数量为两个。两个所述介质层30的厚度、大小和形状均相同。所述介质层30、所述PTFE层20，以及所述FR4层11的侧面形状完全相同。
与现有技术相比，本实用新型提供的微波芯片的封装结构具有一个由至少两个FR4层11组成的FR4层组10，一个与所述FR4层组10间隔设置的PTFE层20，以及一个设置在所述FR4层组10与所述PTFE层20之间的介质层30。通过将PTFE层20设置在所述FR4层组10的一侧，并在二者之间设置所述介质层30，从而简化了封装结构。所述PTFE层20的两侧分别设置有一层铜层，所述PTFE层20背离所述FR4层组10一侧的设置有至少一个图形21，每个所述图形21包括一个薄金层211和一个厚金层212。所述FR4层组10背离所述PTFE层20的一侧插装有元器件40，所述PTFE层20上开设有通孔22，以便于所述元器件40的引脚穿过所述通孔22与对应的所述图形21连接。
以上仅为本实用新型的较佳实施例，并不用于局限本实用新型的保护范围，任何在本实用新型精神内的修改、等同替换或改进等，都涵盖在本实用新型的权利要求范围内。
Claims (7)
1.一种微波芯片的封装结构，其特征在于：所述微波芯片的封装结构包括一个由至少两个FR4层相互压装组成的FR4层组，一个与所述FR4层间隔设置的PTFE层，以及至少一个设置在所述FR4层组与所述PTFE层之间的介质层，所述PTFE层的两个侧面分别设置有一层铜层，所述PTFE层背离所述FR4层组的一侧设置有至少一个图形，每个所述图形包括一个薄金层和一个厚金层，所述薄金层和所述厚金层的外部包覆有一层铜层。
2.如权利要求1所述的微波芯片的封装结构，其特征在于：所述薄金层的厚度为0.1-0.5μm，所述厚金层的厚度为2-3μm。
3.如权利要求1所述的微波芯片的封装结构，其特征在于：所述薄金层和所述厚金层与所述PTFE层的接触面的形状相同。
4.如权利要求1所述的微波芯片的封装结构，其特征在于：所述PTFE层的材质为陶瓷材料，所述介质层的材质为PP。
5.如权利要求1所述的微波芯片的封装结构，其特征在于：所述薄金层和所述厚金层的外部的铜层厚度相同。
6.如权利要求1所述的微波芯片的封装结构，其特征在于：所述PTFE层上开设有至少一个通孔，所述FR4层组背离所述PTFE层的一侧插装有元器件，所述元器件的引脚穿过所述通孔与所述图形焊接。
7.如权利要求1所述的微波芯片的封装结构，其特征在于：所述FR4层组中所述FR4层的数量为五层，所述介质层的数量为两层。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202220681350.9U CN216928576U (zh) | 2022-03-25 | 2022-03-25 | 一种微波芯片的封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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| CN216928576U true CN216928576U (zh) | 2022-07-08 |
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ID=82229279
Family Applications (1)
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| CN202220681350.9U Active CN216928576U (zh) | 2022-03-25 | 2022-03-25 | 一种微波芯片的封装结构 |
Country Status (1)
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2022
- 2022-03-25 CN CN202220681350.9U patent/CN216928576U/zh active Active
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