CN216485894U - 一种电致变色器件 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种电致变色器件，属于电致变色领域。电致变色器件包括依次层叠的第一导电基底、电致变色层和第二导电基底；第一导电基底的边缘设有第一容纳槽，第二导电基底的边缘设有第二容纳槽，电致变色层的边缘设有第三容纳槽；第一容纳槽在电致变色层所在平面的正投影与第三容纳槽重叠，且第一容纳槽和第三容纳槽连通形成第一凹槽；第二容纳槽在电致变色层所在平面的正投影与第三容纳槽重叠，且第二容纳槽和第三容纳槽连通形成第二凹槽；第二导电基底的边缘设有第一阻隔结构，第一导电基底的边缘设有第二阻隔结构，通过第一阻隔结构和第二阻隔结构在第一导电基底与第二导电基底之间形成阻隔，从而提高电致变色器件的稳定性。

Description

一种电致变色器件

技术领域

本申请涉及电致变色领域，尤其涉及一种电致变色器件。

背景技术

现有的电致变色器件由于导电层ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)和固态电解质硬度较低，在后续制备过程中(例如玻璃高压釜封装)受压，使导电层和电解质的边缘受压发生形变，从而导致两侧的导电层相互接触，引起电致变色器件短路。

实用新型内容

有鉴于此，本申请的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种电致变色器件。

本申请提供如下技术方案：一种电致变色器件，包括依次层叠的第一导电基底、电致变色层和第二导电基底；所述第一导电基底的边缘设有第一容纳槽，所述第二导电基底的边缘设有第二容纳槽，所述电致变色层的边缘设有第三容纳槽；所述第一容纳槽在所述电致变色层所在平面的正投影与所述第三容纳槽重叠，且所述第一容纳槽和所述第三容纳槽连通形成第一凹槽；所述第二容纳槽在所述电致变色层所在平面的正投影与所述第三容纳槽重叠，且所述第二容纳槽和所述第三容纳槽连通形成第二凹槽；所述第二导电基底的边缘设有第一阻隔结构，所述第一导电基底的边缘设有第二阻隔结构。

本申请通过在导电基底的边缘设置阻隔结构，可以实现对导电基底边缘结构的支撑或隔断作用，避免导电基底边缘因外界压力或高温等作用，导致导电基底边缘侧边的接触，即避免第一导电基底边缘侧边与第二导电基底的接触，或/和避免第二导电基底边缘侧边与第一导电基底的接触，或/和避免第一导电基底边缘侧边和第二导电基底边缘侧边的接触，从而防止短路情况的发生，以提高电致变色器件的使用稳定性和可靠性等。

可选地，所述第一容纳槽为多个，且多个所述第一容纳槽相间隔的设置在所述第一导电基底的边缘；所述第二容纳槽为多个，且多个所述第二容纳槽相间隔的设置在所述第二导电基底的边缘；所述第三容纳槽为多个，多个所述第三容纳槽相间隔的设置在所述电致变色层的边缘。由此，可以适用于多电极的电致变色器件，以提高电致变色器件的电传导效率，从而提升器件的变色效率等。

可选地，所述第一阻隔结构为第一阻隔部，所述第一阻隔部设置于所述第二导电基底靠近所述电致变色层的一侧，所述第一阻隔部位于所述第一凹槽内，且所述第一阻隔部与所述第一凹槽的内壁具有间隙，以形成第一缝隙区；所述第二阻隔结构为第二阻隔部，所述第二阻隔部设置于所述第一导电基底靠近所述电致变色层的一侧，所述第二阻隔部位于所述第二凹槽内，且所述第二阻隔部与所述第二凹槽的内壁具有间隙，以形成第二缝隙区。由此，通过缝隙区的设置，可以使得阻隔部和凹槽内壁之间具有一定距离，从而避免缝隙区与凹槽内壁的接触，以更加有效地防止接触短路事件的发生，进一步提升电致变色器件的使用稳定性和可靠性。

可选地，所述第一缝隙区靠近所述第一阻隔部的一侧到所述第一缝隙区靠近所述第一凹槽的内壁的垂直距离为0.1～2mm；所述第二缝隙区靠近所述第二阻隔部的一侧到所述第二缝隙区靠近所述第二凹槽的内壁的垂直距离为0.1～2mm。优选地，所述第一缝隙区靠近所述第一阻隔部的一侧到所述第一缝隙区靠近所述第一凹槽的内壁的垂直距离为1～2mm；所述第二缝隙区靠近所述第二阻隔部的一侧到所述第二缝隙区靠近所述第二凹槽的内壁的垂直距离为1～2mm。缝隙区靠近阻隔部的一侧到缝隙区靠近凹槽内壁的一侧之间的距离，即为缝隙区的宽度，通常情况下，当缝隙区的宽度过小时，容易导致阻隔部和凹槽内壁的平行接触(即导电基底之间发生电连接)，而形成短路连接；当缝隙区的宽度过大时，会使得凹槽内壁侧的导电基底侧弯至缝隙区与对侧的导电基底形成电接触而短路；因此，将缝隙区的宽度限定在一定范围内，既能保证阻隔部对凹槽外侧的导电基底的支撑作用，防止在缝隙区形成短路连接，又能防止阻隔部与凹槽外侧导电基底之间的平行接触形成的短路，从而有效避免了短路情况的发生，提升了电致变色器件的使用稳定性和可靠性。

可选地，所述第一缝隙区和所述第二缝隙区内分别填充有绝缘胶。优选地，所述绝缘胶为具有耐高温特性，所述绝缘胶为绝缘高温胶。由此，通过绝缘胶填充在缝隙区内，可以更加有效地防止阻隔部和凹槽外侧导电基底之间形成的短路接触，从而提升防短路的可靠性，即进一步提升电致变色器件的使用稳定性和可靠性。

可选地，所述第一阻隔结构为第一绝缘部，所述第一绝缘部贴设在所述第一凹槽的内壁，且所述第一绝缘部位于所述第二导电基底靠近所述电致变色层的一侧；所述第二阻隔结构为第二绝缘部，所述第二绝缘部贴设在所述第二凹槽的内壁，且所述第二绝缘部位于所述第一导电基底靠近所述电致变色层的一侧。优选地，所述第一绝缘部和所述第二绝缘部中至少其一为绝缘胶。更优选地，所述绝缘胶具有密封特性，所述绝缘胶为绝缘密封胶。再优选地，所述绝缘胶具有耐高温特性，所述绝缘胶为高温绝缘胶。由此，通过绝缘部的设置，可以更加便捷地在凹槽的内壁形成阻隔结构，即阻隔凹槽外侧的导电基底的侧边与对侧的导电基底之间的电连接，以防止短路情况的发生，从而提升电致变色器件的使用稳定性和可靠性；此外，使绝缘胶具有密封特性或耐高温特性中的至少其一，可以使绝缘部不仅具有绝缘功能，还能同时实现对器件边缘的密封效果，从而无需再额外设置密封胶等，可以简化器件的制备工艺，进一步地还能耐高温，可以进一步提升电致变色器件的适用性。

可选地，所述第一绝缘部远离所述第一凹槽的内壁的一侧到所述第一凹槽的内壁的垂直距离不小于第一阈值范围；所述第二绝缘部远离所述第二凹槽的内壁的一侧到所述第二凹槽的内壁的垂直距离不小于第一阈值范围；所述第一阈值范围为0.45～0.5mm。优选地，所述第一绝缘部远离所述第一凹槽的内壁的一侧到所述第一凹槽的内壁的垂直距离不大于第二阈值范围；所述第二绝缘部远离所述第二凹槽的内壁的一侧到所述第二凹槽的内壁的垂直距离不大于第二阈值范围；所述第二阈值范围为1～2mm。绝缘部远离凹槽内壁一侧到凹槽内壁的垂直距离即为绝缘部的宽度，通常情况下，当绝缘部的宽度过小时，其绝缘效果(密封效果)不够理想；当绝缘部的宽度过大时，会浪费较多的绝缘材料(形成绝缘部的材料)，不利于资源节约，并且绝缘部的宽度过大，还会影响设置在凹槽内部的电极(例如导电银浆、导电铜箔等)的设置宽度等；因此，将绝缘部的宽度控制在一定的范围内，也即，通过使绝缘部的宽度不小于第一阈值范围，可以保证其具有较为理想的绝缘效果(密封效果)，通过使绝缘部的宽度不大于第二阈值范围，可以进一步减少材料浪费，且使凹槽内部其他部件的设置具有足够的空间，提升电致变色器件的使用率。

可选地，所述第一导电基底包括层叠的第一导电层和第一基底层，且所述第一基底层层叠在所述第一导电层远离所述电致变色层的一侧；所述第二导电基底包括层叠的第二导电层和第二基底层，且所述第二基底层层叠在所述第二导电层远离所述电致变色层的一侧；所述电致变色层包括依次层叠的电致变色材料层、电解质层和离子存储层。由此，可以依次层叠设置形成电致变色器件，简化了电致变色器件的结构和制备工艺等。

可选地，所述第一导电层的边缘设有第一让位槽，所述第二导电层的边缘设有第二让位槽，且所述第一让位槽为所述第一阻隔结构，第二让位槽为第二阻隔结构。优选地，所述第一让位槽延伸至所述第一基底层，以部分贯通所述第一基底层，所述第二让位槽延伸至所述第二基底层，以部分贯通所述第二基底层。更优选地，所述电致变色材料层的边缘设有第三让位槽，所述离子存储层的边缘设有第四让位槽；所述第三让位槽在第一导电层所在平面的正投影与第一让位槽重合，且所述第一让位槽与所述第三让位槽连通形成第一蚀刻区；所述第四让位槽在第二导电层所在平面的正投影与第二让位槽重合，且所述第二让位槽与所述第四让位槽连通形成第二蚀刻区。由此，通过让位槽(蚀刻区)的设置，可以在导电层上、或者导电层和电致变色层上、亦或者导电层和离子存储层上形成隔断区域，这样，即便导电基底的边缘受压，在凹槽处发生侧弯与对侧导电基底形成电连接，因让位槽(蚀刻区)的存在，隔断了导电基底边缘与导电基底内侧的电连接，因此，不会形成短路，也能提升电致变色器件的使用稳定性和可靠性；并且，进一步将让位槽延伸至基底层，以部分贯通基底层，从而可以进一步确保导电层被让位槽充分隔断，提升防短路的有效性，即提升电致变色器件的使用稳定性和可靠性。

可选地，所述第一蚀刻区位于所述第一凹槽的内壁，且所述第二蚀刻区位于所述第二凹槽的内壁。由此，可以靠近凹槽的边缘设置蚀刻区，从而减小凹槽与蚀刻区之间的距离，即相应地增大了凹槽外侧的电致变色器件各层的面积，减小了蚀刻区对器件变色面积的影响，实现了阻隔防短路效果的同时，又能确保器件具有足够的变色面积。

可选地，所述第一蚀刻区在所述第二导电基底所在平面的正投影间隔位于所述第一凹槽的周向，且所述第二蚀刻区在所述第一导电基底所在平面的正投影间隔位于所述第二凹槽的周向。由此，可以在凹槽的周向设置蚀刻区，以确保凹槽周边全部被蚀刻区包围，从而更加全面地防止短路情况的发生，提升器件的使用稳定性和可靠性。

可选地，所述第一蚀刻区和所述第二蚀刻区内填充有绝缘胶。优选地，所述绝缘胶与电解质层形成一体结构。更优选地，所述电解质层由非固态电解质材料制成，所述绝缘胶由所述非固态电解质材料制成。由此，通过绝缘胶填充在缝隙区内，可以更加有效地防止阻隔部和凹槽外侧导电基底之间形成的短路接触，从而提升防短路的可靠性，即进一步提升电致变色器件的使用稳定性和可靠性；并且，将绝缘胶设置为由非固态电解质材料制成，可以在制备电解质层的同时，使非固态电解质材料填充蚀刻区内，从而形成绝缘胶，简化了制备工艺。

为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显和易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，做详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1示出了本申请的一些实施例提供的一种电致变色器件的一视角的结构示意图一；

图2示出了图1中A部的放大图；

图3示出了本申请的一些实施例提供的一种电致变色器件的一视角的结构示意图二；

图4示出了图3中B部的放大图；

图5示出了本申请的一些实施例提供的一种电致变色器件的一视角的结构示意图三；

图6示出了图5中C部的放大图；

图7示出了本申请的一些实施例提供的一种电致变色器件的一视角的结构示意图四；

图8示出了图7中D部的放大图；

图9示出了本申请的一些实施例提供的电致变色层的一视角的结构示意图；

图10示出了本申请的一些实施例提供的第一导电基底的一视角的结构示意图；

图11示出了本申请的一些实施例提供的第二导电基底的一视角的结构示意图；

图12示出了本申请的一些实施例提供的一种电致变色器件的一视角的结构示意图五；

图13示出了图12中E部的放大图。

主要元件符号说明：

100-电致变色器件；110-第一导电基底；113-第一容纳槽；111-第一导电层；112-第一基底层；120-电致变色层；121-第三容纳槽；122-电致变色材料层；123-电解质层；124-离子存储层；130-第二导电基底；133-第二容纳槽；131-第二导电层；132-第二基底层；140-第一凹槽；150-第二凹槽；160-第一阻隔部；170-第二阻隔部；180-第一蚀刻区；190-第二蚀刻区；200-第一绝缘部；300-第二绝缘部。

具体实施方式

下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在模板的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

如图1、图3、图9、图10和图11所示，本申请的一些实施例提供一种电致变色器件，主要应用于电致变色领域。电致变色器件100包括依次层叠的第一导电基底110、电致变色层120和第二导电基底130。需要说明的是，第一导电基底110和第二导电基底130均完全覆盖于电致变色层120。

其中，在第一导电基底110的边缘设有第一容纳槽113，在第二导电基底130的边缘设有第二容纳槽133，在电致变色层120的边缘设有第三容纳槽121。需要说明的是，第一容纳槽113、第二容纳槽133和第三容纳槽121的数量均可以是一个、两个或两个以上任意数值的个数，可根据实际情况具体设定。

具体的，每一个第一容纳槽113在电致变色层120所在平面的正投影分别与一个第三容纳槽121重叠，且一个第一容纳槽113和一个第三容纳槽121连通形成第一凹槽140，且每一个第二容纳槽133在电致变色层120所在平面的正投影分别与一个第三容纳槽121重叠，且一个第二容纳槽133和一个第三容纳槽121连通形成第二凹槽150。

需要说明的是，第一容纳槽113和第二容纳槽133在电致变色层120所在平面的正投影形成相间隔且相互交错的凹槽结构，同时与第三容纳槽121重合。

可以理解的是，第一容纳槽113的数量和第二容纳槽133的数量之和与第三容纳槽121的数量相等。

进一步的，在第二导电基底的边缘设有第一阻隔结构，并通过第一阻隔结构对第一凹槽的内壁与第二导电基底靠近电致变色层的一侧形成阻隔，以避免电致变色器件弯折时，第一导电基底或电致变色层远离第二导电基底一侧与第二导电基底靠近电致变色层的一侧接触发生短路情况，从而提供电致变色器件的稳定性。

同时，在第一导电基底的边缘设有第二阻隔结构，并通过第二阻隔结构对第二凹槽的内壁与第一导电基底靠近电致变色层的一侧形成阻隔，以避免第二导电基底或电致变色层远离第一导电基底一侧与第一导电基底靠近电致变色层的一侧接触发生短路情况，从而提供电致变色器件的稳定性。

另外，在本申请的一些实施例中，可以在第一导电层的边缘蚀刻形成第一凹槽，还可以在第二导电层的边缘蚀刻形成第二凹槽，从而使外部电源可穿过第一凹槽与第一导电层连接，亦可穿过第二凹槽与第二导电层连接，以避免第一导电层和第二导电层短接。

如图1、图3、图9、图10和图11所示，在本申请的一些实施例中，所述第一容纳槽为多个，且多个所述第一容纳槽相间隔的设置在所述第一导电基底的边缘。需要说明的是，在第一导电基底110的边缘的每一侧均设有多个相间隔的第一容纳槽113。

其中，所述第二容纳槽为多个，且多个所述第二容纳槽相间隔的设置在所述第二导电基底的边缘。需要说明的是，在第二导电基底130的边缘的每一侧均设有多个相间隔的第二容纳槽133。

另外，所述第三容纳槽为多个，多个所述第三容纳槽相间隔的设置在所述电致变色层的边缘。需要说明的是，在电致变色层120的边缘的每一侧均设有多个相间隔的第三容纳槽121。

如图2至图4所示，在本申请的一些实施例中，第一阻隔结构为第一阻隔部160，第一阻隔部160设置于第二导电基底130靠近电致变色层120的一侧，第一阻隔部160位于第一凹槽140内，且第一阻隔部160与第一凹槽140的内壁具有间隙，以形成第一缝隙区。

需要说明的是，第一阻隔部160在第二导电基底所在平面的正投影为“凹”字形，且位于第一凹槽140内，并通过第一阻隔部对第一凹槽的内壁提供支撑作用，并减少电致变色器件边缘受压发生的形变，从而避免第一凹槽内壁的第一导电基底与第二导电基底靠近电致变色层的一侧短接，以提高电致变色器件的稳定性。

另外，第二阻隔结构为第二阻隔部170，在第二阻隔部170设置于第一导电基底110靠近电致变色层120的一侧，且第二阻隔部170与第二凹槽150的内壁具有间隙，以形成第二缝隙区。

需要说明的是，第二阻隔部170在第一导电基底所在平面的正投影为“凹”字形，且位于第二凹槽150内，并通过第二阻隔部对第二凹槽的内壁提供支撑作用，并减少电致变色器件边缘受压发生的形变，从而避免第二凹槽内壁的第二导电基底与第一导电基底靠近电致变色层的一侧短接，以提高电致变色器件的稳定性。

需要说明的是，在本申请的一些实施例中，第一缝隙区是在第一导电基底110和电致变色层120上蚀刻形成，该蚀刻的第一缝隙区间隔位于第一凹槽140的周向，并在第一缝隙区和第一凹槽140之间形成第一阻隔部160。可以理解的是，第一阻隔部160包括电致变色层120和第一导电基底110，且第一阻隔部160在第二导电层所在平面的正投影为“凹”字形。

同理，第二缝隙区是在第二导电基底130和电致变色层120上蚀刻形成，该蚀刻的第二缝隙区间隔位于第二凹槽150的周向，并在第二缝隙区和第二凹槽150之间形成第二阻隔部170。可以理解的是，第二阻隔部170包括电致变色层120和第二导电基底130，且第二阻隔部170在第一导电层所在平面的正投影为“凹”字形。

如图3和图4所示，在本申请的一些实施例中，第一阻隔部160远离第二导电基底130的一侧到第二导电基底130的垂直距离不大于第一导电基底110的厚度与电致变色层120的厚度之和。可以理解的是，第一阻隔部160远离第二导电基底130的一侧到第二导电基底130的垂直距离等于第一导电基底110的厚度与电致变色层120的厚度之和。或第一阻隔部160远离第二导电基底130的一侧到第二导电基底130的垂直距离小于第一导电基底110的厚度与电致变色层120的厚度之和。

需要说明的是，为了提高第一阻隔部的阻隔质量，第一阻隔部160远离第二导电基底130的一侧到第二导电基底130的垂直距离不小于电致变色层120的厚度，以避免第一导电基底与第二导电基底短接。

另外，第二阻隔部170远离第一导电基底110的一侧到第一导电基底110的垂直距离不大于第二导电基底130的厚度与电致变色层120的厚度之和。可以理解的是，第二阻隔部170远离第一导电基底110的一侧到第一导电基底110的垂直距离等于第二导电基底130的厚度与电致变色层120的厚度之和。或第二阻隔部170远离第一导电基底110的一侧到第一导电基底110的垂直距离小于第二导电基底130的厚度与电致变色层120的厚度之和。

需要说明的是，为了提高第二阻隔部的阻隔质量，第二阻隔部170远离第一导电基底110的一侧到第一导电基底110的垂直距离不小于电致变色层120的厚度，以避免第二导电基底与第一导电基底短接。

如图2所示，在本申请的一些实施例中，为了提高第一阻隔部和第二阻隔部的支撑效果，第一缝隙区靠近第一阻隔部160的一侧到第一缝隙区靠近第一凹槽140的内壁的垂直距离为0.1～2mm，可以是0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1mm、1.1mm、1.2mm、1.3mm、1.4mm、1.5mm、1.6mm、1.7mm、1.8mm、1.9mm、2mm中的任意一种。

进一步的，为了避免在高温情况下第一阻隔部出现烧结与第一导电基底重新形成电连接，在本申请的一些实施例中，第一缝隙区靠近第一阻隔部160的一侧到第一缝隙区靠近第一凹槽140的内壁的垂直距离不小于1mm，以提高第一阻隔部对第一凹槽内壁的支撑作用，从而提高电致变色器件的稳定性。

另外，在第二缝隙区靠近第二阻隔部170的一侧到第二缝隙区靠近第二凹槽150的内壁的垂直距离为0.1～2mm，可以是0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1mm、1.1mm、1.2mm、1.3mm、1.4mm、1.5mm、1.6mm、1.7mm、1.8mm、1.9mm、2mm中的任意一种。

进一步的，为了避免在高温情况下第二阻隔部出现烧结与第二导电基底重新形成电连接，在本申请的一些实施例中，第二缝隙区靠近第二阻隔部170的一侧到第二缝隙区靠近第二凹槽150的内壁的垂直距离不小于1mm，以提高第二阻隔部对第二凹槽内壁的支撑作用，从而提高电致变色器件的稳定性。

在本申请的一些实施例中，为了进一步提高第一阻隔部和第二阻隔部的支撑效果，避免电致变色器件短路，在第一缝隙区和第二缝隙区内分别填充有绝缘胶，在第一阻隔部和第二阻隔部提供支撑作用的同时，通过绝缘胶将第一导电基底与第二导电基底隔开，以提高电致变色器件受压发生形变过程中，第一导电基底和第二导电基底的稳定性，从而提高电致变色器件的稳定性。

如图7和图8所示，在本申请的另一些实施例中，第一阻隔结构为第一绝缘部，将第一绝缘部200贴设在第一凹槽140的内壁，且第一绝缘部200位于第二导电基底130靠近电致变色层120的一侧。

具体的，第一绝缘部200贴设在第一凹槽140的内壁的周向，并通过第一绝缘部防止电致变色器件受压发生形变时，第一导电层与第二导电层发生短接。

另外，第二阻隔结构为第二绝缘部300，在第二绝缘部300贴设在第二凹槽150的内壁，且第二绝缘部300位于第一导电基底110靠近电致变色层120的一侧。

具体的，第二绝缘部300贴设在第二凹槽150的内壁的周向，并通过第二绝缘部防止电致变色器件受压发生形变时，第一导电层与第二导电层发生短接。

需要说明的是，第一绝缘部200和第二绝缘部300均为绝缘材质。

为了进一步提高第一绝缘部和第二绝缘部的绝缘质量，防止第一导电基底与第二导电基底短接，第一绝缘部远离第一凹槽140的内壁的一侧到第一凹槽140的内壁的垂直距离不小于第一阈值范围。需要说明的是，第一绝缘部200远离第一凹槽140的内壁的一侧到第一凹槽140的内壁的垂直距离大于第一导电层111的厚度和第一导电层111的形变宽度之和。

需要说明的是，第一导电层111的形变宽度是指电致变色层120收挤压发生形变时，第一凹槽140内壁的第一导电层111的位移距离。

另外，第二绝缘部300远离第二凹槽150的内壁的一侧到第二凹槽150的内壁的垂直距离不小于第一阈值范围。其中，第二绝缘部300远离第二凹槽150的内壁的一侧到第二凹槽150的内壁的垂直距离大于第二导电层131的厚度和第二导电层131的形变宽度之和。

具体的，第一阈值范围为0.45～0.5mm，可以是0.45mm、0.46mm、0.47mm、0.48mm、0.49mm、0.5mm中的任意一种。

需要说明的是，第二导电层131的形变宽度是指电致变色层120收挤压发生形变时，第二凹槽150内壁的第二导电层131的位移距离。

优选的，为了进一步提高第一导电层和第二导电层之间的稳定性，第一绝缘部200远离第一凹槽140的内壁的一侧到第一凹槽140的内壁的垂直距离不小于0.5mm，且第二绝缘部300远离第二凹槽150的内壁的一侧到第二凹槽150的内壁的垂直距离不小于0.5mm。

具体的，第一绝缘部200远离第一凹槽140的内壁的一侧到第一凹槽140的内壁的垂直距离小于第一凹槽140宽度的一半，且第二绝缘部300远离第二凹槽150的内壁的一侧到第二凹槽150的内壁的垂直距离小于第二凹槽150宽度的一半。

如图4、图6、图8和图9所示，在本申请的一些实施例中，第一导电基底110包括层叠的第一导电层111和第一基底层112，且第一基底层112层叠在第一导电层111远离电致变色层120的一侧。需要说明的是，第一基底层112完全覆盖于第一导电层111。

其中，第二导电基底130包括层叠的第二导电层131和第二基底层132，且第二基底层132层叠在第二导电层131远离电致变色层120的一侧。其中，第二基底层132完全覆盖于第二导电层131。

另外，电致变色层120包括依次层叠的电致变色材料层122、电解质层123和离子存储层124，且电致变色材料层122和离子存储层124分别完全覆盖于电解质层123。

在本申请的一些实施例中，在第一导电层111的边缘设有第一让位槽，第一让位槽为第一阻隔结构。

同时，在第二导电层131的边缘设有第二让位槽，第二让位槽为第二阻隔结构。

电致变色材料层122的边缘设有第三让位槽，离子存储层124的边缘设有第四让位槽。

其中，第三让位槽在第一导电层所在平面的正投影与第一让位槽重合，且第一让位槽与第三让位槽连通形成第一蚀刻区180。需要说明的是，一个第三让位槽与一个第一让位槽连通形成一个第一蚀刻区180。

另外，第四让位槽在第二导电层131所在平面的正投影与第二让位槽重合，且第二让位槽与第四让位槽连通形成第二蚀刻区190。需要说明的是，一个第四让位槽与一个第二让位槽连通形成一个第二蚀刻区190。

具体的，第三让位槽的数量和第一让位槽的数量相等，第四让位槽的数量和第二让位槽的数量相等，且第一蚀刻区180和第二蚀刻区190交错设置。

如图5和图6所示，在本申请的一些实施例中，第一蚀刻区180位于第一凹槽140的内壁，且第二蚀刻区190位于第二凹槽150的内壁。

可以理解的是，第一让位槽位于第一凹槽140的内壁的周向，且第一让位槽远离电致变色层120一侧到第一让位槽靠近电致变色层120一侧的垂直距离与第一导电层111的厚度相等。

需要说明的是，第二让位槽位于第二凹槽150的内壁的周向，且第二让位槽远离电致变色层120一侧到第二让位槽靠近电致变色层120一侧的垂直距离与第二导电层131的厚度相等。

其中，第一让位槽可通过在第一凹槽140内壁的第一导电层111上蚀刻形成，第二让位槽可通过在第二凹槽150内壁的第二导电层131上蚀刻形成。

可以理解的是，第三让位槽设置在第一凹槽140的内壁，且第三让位槽位于电致变色材料层122的边缘。需要说明的是，第三让位槽远离电解质层123的一侧到第三让位槽靠近电解质层123的一侧的垂直距离与电致变色材料层122的厚度相等，且第三让位槽在第一导电层111所在平面的正投影与第一让位槽重合，第一让位槽与第三让位槽连通形成第一蚀刻区180。

具体的，第一蚀刻区180远离电解质层123的一侧到第一蚀刻区180靠近电致变色层120一侧的垂直距离与电致变色材料层122和第一导电层111的厚度之和相等。

另外，第四让位槽设置在第二凹槽150的内壁，且第四让位槽位于电致变色材料层122的边缘。需要说明的是，第四让位槽远离电解质层123的一侧到第四让位槽靠近电解质层123的一侧的垂直距离与离子存储层124的厚度相等，且第四让位槽在第二导电层131所在平面的正投影与第二让位槽重合，所述第二让位槽与所述第四让位槽连通形成第二蚀刻区190。

可以理解的是，第二蚀刻区190远离电解质层123的一侧到第二蚀刻区190靠近电致变色层120一侧的垂直距离与电致变色材料层122和第二导电层131的厚度之和相等。

此时，第一蚀刻区180与第一凹槽连通，且第二蚀刻区190与第二凹槽连通。通过第一蚀刻区180和第二蚀刻区190防止电致变色器件发生形变时，第一导电层111与第二导电层131接触形成短接。

如图12和图13所示，在本申请的一些实施例中，所述第一蚀刻区180在所述第二导电基底130所在平面的正投影间隔位于所述第一凹槽140的周向，且所述第二蚀刻区190在所述第一导电基底110所在平面的正投影间隔位于所述第二凹槽150的周向。

需要说明的是，第一蚀刻区180在所述第二导电基底130所在平面的正投影为“凹”字形，且间隔的位于第一凹槽140的周向。可以理解的是，第一蚀刻区180与第一凹槽140相间隔设置。

通过第一蚀刻区180将第一导电层111和电致变色材料层122上蚀刻形成非导电部，即位于第一凹槽140和第一蚀刻区180之间的第一导电层111和电致变色材料层122为非导电部，从而防止电致变色器件受挤压发生形变时，第一导电层111与第二导电层131接触形成短接，以提高电致变色器件的稳定性。

第二蚀刻区190在所述第一导电基底110所在平面的正投影为“凹”字形，且间隔的位于第一凹槽140的周向。可以理解的是，第二蚀刻区190与第二凹槽150相间隔设置。

同时通过第二蚀刻区190将第二导电层131和离子存储层124上蚀刻形成非导电部，即位于第二凹槽150和第二蚀刻区190之间的第二导电层131和离子存储层124为非导电部，从而防止电致变色器件受挤压发生形变时，第一导电层111与第二导电层131接触形成短接，以提高电致变色器件的稳定性。

另外，在本申请的另一些实施例中，第一蚀刻区180还包括部分蚀刻到第一基底层112靠近第一导电层111的一侧，第二蚀刻区190还包括部分蚀刻到第二基底层132靠近第二导电层131的一侧。

需要说明的是，在第一基底层112上的蚀刻区在第一导电层111所在平面的正投影与第一让位槽重合，且第一基底层112上的蚀刻区靠近第一导电层111的一侧到远离第一导电层111的一侧的垂直距离小于第一基底层112的厚度。同理的，在第二基底层132上的蚀刻区在第二导电层131所在平面的正投影与第二让位槽重合，且第二基底层132上的蚀刻区靠近第二导电层131的一侧到远离第二导电层131的一侧的垂直距离小于第二基底层132的厚度。

其中，为了进一步提高电致变色器件的稳定性，在第一蚀刻区180和第二蚀刻区190内均分别填充有绝缘胶，并通过绝缘胶将第一导电层和电致变色材料层与第二导电层隔断，第二导电层和离子存储层与第一导电层隔断，从而防止电致变色器件受挤压发生形变时，第一导电层与第二导电层接触形成短接，以提高电致变色器件的稳定性。

需要说明的是，在本申请的一些实施例中，第一蚀刻区180和第二蚀刻区190内还可填充非固态电解质，并在非固态电解质固化后形成分别在第一蚀刻区和第二蚀刻区内形成绝缘层，并通该绝缘层防止第一导电层和第二导电层接触出现短接的情况，从而提高电致变色器件的稳定性。

其中，第一蚀刻区180远离第一导电层111的一侧到第一蚀刻区180靠近第一导电层111的一侧的垂直距离为0.1～2mm，且第二蚀刻区190远离第二导电层131的一侧到第二蚀刻区190靠近第二导电层131的一侧的垂直距离为0.1～2mm。可以是0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1mm、1.1mm、1.2mm、1.3mm、1.4mm、1.5mm、1.6mm、1.7mm、1.8mm、1.9mm、2mm中的任意一种。

另外，在本申请的又一些实施例中，第一阻隔结构为第一绝缘部，第一绝缘部设置在第一凹槽140的内壁，且第一绝缘部至少部分覆盖于电致变色层120。可以理解的是，第一绝缘部部分覆盖于电致变色层120，或第一绝缘部覆盖于电致变色层120。

同时，第二阻隔结构为第二绝缘部，将第二绝缘部设置在第二凹槽150的内壁，且第二绝缘部至少部分覆盖于电致变色层120。可以理解的是，第二绝缘部部分覆盖于电致变色层120，或第二绝缘部覆盖于电致变色层120。

其中，第一绝缘部和第二绝缘部均可以是绝缘胶。

另外，第一绝缘部和第二绝缘部可以是在现有制备工艺预留的未除去的一定宽度的电致变色堆叠层，例如，电解质层123和电致变色材料层122、或电解质层123和离子存储层124。

需要说明的是，当第一绝缘部部分覆盖于电致变色层120，且第二绝缘部部分覆盖于电致变色层120时，第一绝缘部可以是电解质层123和离子存储层124，第二绝缘部为电解质层123和电致变色材料层122。或第一绝缘部还可以是电解质层123和电致变色材料层122，第二绝缘部为电解质层123和离子存储层124。第一绝缘部和第二绝缘部的材质可以根据实际情况具体设定，并在第一导电层111和/或第二导电层131形变弯折时，通过第一绝缘部和第二绝缘部在第一导电层和第二导电层之间形成阻隔，以避免出现短路情况，从而提高电致变色器件的稳定性。

在本申请的又一些实施例中，在第一导电层111的表面设置第一导电段，且第一导电段位于第二凹槽150内，第一导电段与第二凹槽150的内壁具有间隙。同时在第二导电层131的表面设置第二导电段，且第二导电段位于第一凹槽140内，第二导电段与第一凹槽140的内壁具有间隙。

具体的，可通过第一汇流条与第一导电段形成电连接，并通过第一汇流条与外部电源连接，从而在第二导电层上形成多电极的导电引出。同时，亦可通过第二汇流条与第二导电段形成电连接，并通过第二汇流条与外部电源连接，从而在第一导电层上形成多电极的导电引出。

另外，还可通过通过金属箔贴覆的方式，通过金属箔形成多电极之间的电连接，在通过金属箔连接外部电源，形成导电层的导电引出。具体的，在第二导电基底远离电致变色层一侧的边缘设有第一汇流条，经由第二凹槽，第一汇流条通过第一导电胶与第一导电基底电连接，从而在第二导电层上形成多电极的导电引出。

同时，在第一导电基底远离电致变色层一侧的边缘设有第二汇流条，经由第一凹槽，第二汇流条通过第二导电胶与第二导电基底电连接，从而在第一导电层上形成多电极的导电引出。

由此，通过将第一汇流条和第二汇流条接入外部电源，并在电致变色器件内部形成电场，从而使电致变色层中的离子或电子发生嵌入或脱嵌，以在表观上实现电致变色器件的变色或透过率变化。

在这里示出和描述的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制，因此，示例性实施例的其他示例可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

以上实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。

Claims (12)

1.一种电致变色器件，其特征在于，包括依次层叠的第一导电基底、电致变色层和第二导电基底；

所述第一导电基底的边缘设有第一容纳槽，所述第二导电基底的边缘设有第二容纳槽，所述电致变色层的边缘设有第三容纳槽；

所述第一容纳槽在所述电致变色层所在平面的正投影与所述第三容纳槽重叠，且所述第一容纳槽和所述第三容纳槽连通形成第一凹槽；

所述第二容纳槽在所述电致变色层所在平面的正投影与所述第三容纳槽重叠，且所述第二容纳槽和所述第三容纳槽连通形成第二凹槽；

所述第二导电基底的边缘设有第一阻隔结构，所述第一导电基底的边缘设有第二阻隔结构。

2.根据权利要求1所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一容纳槽为多个，且多个所述第一容纳槽相间隔的设置在所述第一导电基底的边缘；

所述第二容纳槽为多个，且多个所述第二容纳槽相间隔的设置在所述第二导电基底的边缘；

所述第三容纳槽为多个，多个所述第三容纳槽相间隔的设置在所述电致变色层的边缘。

3.根据权利要求1所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一阻隔结构为第一阻隔部，所述第一阻隔部设置于所述第二导电基底靠近所述电致变色层的一侧，所述第一阻隔部位于所述第一凹槽内，且所述第一阻隔部与所述第一凹槽的内壁具有间隙，以形成第一缝隙区；

所述第二阻隔结构为第二阻隔部，所述第二阻隔部设置于所述第一导电基底靠近所述电致变色层的一侧，所述第二阻隔部位于所述第二凹槽内，且所述第二阻隔部与所述第二凹槽的内壁具有间隙，以形成第二缝隙区。

4.根据权利要求3所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一缝隙区靠近所述第一阻隔部的一侧到所述第一缝隙区靠近所述第一凹槽的内壁的垂直距离为0.1～2mm；

所述第二缝隙区靠近所述第二阻隔部的一侧到所述第二缝隙区靠近所述第二凹槽的内壁的垂直距离为0.1～2mm。

5.根据权利要求3所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一缝隙区和所述第二缝隙区内分别填充有绝缘胶。

6.根据权利要求1所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一阻隔结构为第一绝缘部，所述第一绝缘部贴设在所述第一凹槽的内壁，且所述第一绝缘部位于所述第二导电基底靠近所述电致变色层的一侧；

所述第二阻隔结构为第二绝缘部，所述第二绝缘部贴设在所述第二凹槽的内壁，且所述第二绝缘部位于所述第一导电基底靠近所述电致变色层的一侧。

7.根据权利要求6所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一绝缘部远离所述第一凹槽的内壁的一侧到所述第一凹槽的内壁的垂直距离不小于第一阈值范围；

所述第二绝缘部远离所述第二凹槽的内壁的一侧到所述第二凹槽的内壁的垂直距离不小于第一阈值范围；

所述第一阈值范围为0.45～0.5mm。

8.根据权利要求1所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一导电基底包括层叠的第一导电层和第一基底层，且所述第一基底层层叠在所述第一导电层远离所述电致变色层的一侧；

所述第二导电基底包括层叠的第二导电层和第二基底层，且所述第二基底层层叠在所述第二导电层远离所述电致变色层的一侧；

所述电致变色层包括依次层叠的电致变色材料层、电解质层和离子存储层。

9.根据权利要求8所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一导电层的边缘设有第一让位槽，所述第二导电层的边缘设有第二让位槽，且所述第一让位槽为所述第一阻隔结构，第二让位槽为第二阻隔结构；

所述电致变色材料层的边缘设有第三让位槽，所述离子存储层的边缘设有第四让位槽；

所述第三让位槽在第一导电层所在平面的正投影与第一让位槽重合，且所述第一让位槽与所述第三让位槽连通形成第一蚀刻区；

所述第四让位槽在第二导电层所在平面的正投影与第二让位槽重合，且所述第二让位槽与所述第四让位槽连通形成第二蚀刻区。

10.根据权利要求9所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一蚀刻区位于所述第一凹槽的内壁，且所述第二蚀刻区位于所述第二凹槽的内壁。

11.根据权利要求9所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一蚀刻区在所述第二导电基底所在平面的正投影间隔位于所述第一凹槽的周向，且所述第二蚀刻区在所述第一导电基底所在平面的正投影间隔位于所述第二凹槽的周向。

12.根据权利要求10或11所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一蚀刻区和所述第二蚀刻区内填充有绝缘胶。

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