CN116266024A - 一种电致变色器件 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种电致变色器件，属于电致变色领域。电致变色器件包括依次层叠的第一导电基底、电致变色层和第二导电基底；第一导电基底包括层叠的第一导电层和第一基底层，第二导电基底包括层叠的第二导电层和第二基底层，且第一基底层层叠在第一导电层远离电致变色层的一侧，且第二基底层层叠在第二导电层远离电致变色层的一侧；第一导电层的硬度和第二导电层的硬度中，至少其一不小于第一硬度值，通过调节第一导电层与第二导电层的硬度，以避免第一导电层与第二导电层接触发生短路，从而提高电致变色器件的稳定性。

Description

一种电致变色器件

技术领域

本申请涉及电致变色领域，尤其涉及一种电致变色器件。

背景技术

现有的电致变色器件中，由于导电层ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)和固态电解质硬度较低，在后续制备过程中(例如玻璃高压釜封装)受压，导电层和电解质的边缘受压发生形变，导致两侧导电层短接，引起电致变色器件短路。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种电致变色器件。

本申请提供如下技术方案：一种电致变色器件，包括依次层叠的第一导电基底、电致变色层和第二导电基底；所述第一导电基底包括层叠的第一导电层和第一基底层，所述第二导电基底包括层叠的第二导电层和第二基底层，且所述第一基底层层叠在所述第一导电层远离所述电致变色层的一侧，且所述第二基底层层叠在所述第二导电层远离所述电致变色层的一侧；所述第一导电层的硬度和所述第二导电层的硬度中，至少其一不小于第一硬度值。

在本申请中，通过限定导电层的硬度大于特定的硬度值，使导电层的硬度控制在一定范围之上，即增加第一导电层与第二导电层的硬度，可以减小第一导电层与第二导电层受压时的弯折高度，以避免电致变色器件受压发生弯折的情况下使第一导电层与第二导电层接触发生短路的情况，从而提高电致变色器件的使用稳定性和可靠性。

可选地，所述第一导电基底的边缘设有第一容纳槽，所述第二导电基底的边缘设有第二容纳槽，所述电致变色层的边缘设有第三容纳槽；所述第一容纳槽和所述第三容纳槽连通形成第一凹槽，所述第二容纳槽和所述第三容纳槽连通形成第二凹槽；所述第一容纳槽在所述电致变色层所在平面的正投影与所述第三容纳槽重叠，且所述第二容纳槽在所述电致变色层所在平面的正投影与所述第三容纳槽重叠。由此，可以在电致变色器件的边缘形成半切的凹槽(第一凹槽贯穿第一导电基底和电致变色层，但未贯通第二导电基底，第二凹槽贯穿第二导电基底和电致变色层，但未贯通第一导电基底)，从而使第一导电基底和第二导电基底分别通过第二凹槽和第一凹槽暴露出来，从而可以通过凹槽处的导电基底与外部电源等形成电连接，以为电致变色器件供电，使其在表观上发生变色等现象。

可选地，所述第一容纳槽为多个，且多个所述第一容纳槽相间隔的设置在所述第一导电基底的边缘；所述第二容纳槽为多个，且多个所述第二容纳槽相间隔的设置在所述第二导电基底的边缘；所述第三容纳槽为多个，多个所述第三容纳槽相间隔的设置在所述电致变色层的边缘。优选地，一个所述第一容纳槽和一个所述第三容纳槽连通形成第一凹槽，一个所述第二容纳槽和一个所述第三容纳槽连通形成第二凹槽；每一个所述第一容纳槽在所述电致变色层所在平面的正投影分别与一个所述第三容纳槽重叠，且每一个所述第二容纳槽在所述电致变色层所在平面的正投影分别与一个所述第三容纳槽重叠。由此，可以通过多个凹槽(容纳槽)同时暴露导电基底的多个导电部位，以形成多电极的电致变色器件，外部电源可以通过多个导电部位与电致变色器件同时形成电连接，以加快电致变色器件的电传导效率，从而提升器件的变色效率等。

可选地，所述第一硬度值的取值范围为2H～6H。优选地，所述第一容纳槽在所述第二导电基底所在平面的正投影与所述第二容纳槽具有间隙。更优选地，所述第一硬度值为3H。通常情况下，导电层的硬度过低，在外压作用或基底层的压力作用下，容易使导电层塌陷，尤其是导电层的边缘容易发生弯折，弯折后与对侧的导电层发生电连接则会形成短路，影响器件的使用稳定性；而导电层的硬度过高，尤其是在弯折的情况下，容易发生断裂等，影响导电层的导电性能。因此，将导电层的硬度设置在一定范围内，可以有效防止导电层塌陷弯折形成短路的同时，还能防止导电层弯折断裂等情况的发生，确保电致变色器件的使用稳定性，提高其使用寿命等。进一步地，当导电基底边缘形成凹槽时，若两侧凹槽之间具有间隙，则间隙位置处为器件半切的情况(即第一导电基底和电致变色层被切掉而留下第二导电基底，或第二导电基底和电致变色层被切掉而留下第一导电基底)，如此在间隙位置处存在第一导电层的侧边与第二导电层接触或第二导电层的侧边与第一导电层接触的风险，而未被切割的第一基底层或第二基底层发生弯折的程度或可能性较低，被切割部分的第一基底层或第二基底层发生弯折的程度或可能性较高，此时，适当地提高导电层的硬度，例如使导电层的硬度为3H，可以有效抵抗此时基底层的弯折压力，防止两侧导电层之间的电接触，有效避免短路的发生。

可选地，所述第一容纳槽在所述第二导电基底所在平面的正投影与所述第二容纳槽具有重叠。优选地，所述第一硬度值为5H。当导电基底边缘形成凹槽时，若两侧凹槽之间具有重叠，则重叠位置处为器件全切的情况(即器件边缘的第一导电基底、电致变色层和第二导电基底均被切掉)，如此在重叠位置处存在第一导电层的侧边与第二导电层的侧边接触的风险，而两侧的第一基底层和第二基底层发生弯折的程度或可能性均较高，因此，需要进一步提高导电层的硬度，例如使导电层的硬度为5H，才可以有效抵抗此时两侧基底层的弯折压力，防止两侧导电层之间的电接触，有效避免短路的发生。

可选地，所述电致变色层包括依次层叠的电致变色材料层、电解质层和离子存储层。由此，可以依次层叠设置形成电致变色器件，简化了电致变色器件的结构和制备工艺等。

可选地，所述第一导电层的边缘设有第一让位槽，所述第二导电层的边缘设有第二让位槽，所述第一凹槽的内壁设有第三让位槽，所述第三让位槽位于所述电致变色材料层的边缘，且所述第三让位槽在第一导电层所在平面的正投影与第一让位槽重合，所述第一让位槽与所述第三让位槽连通形成第一蚀刻区；所述第二凹槽的内壁设有第四让位槽，所述第四让位槽位于所述电致变色材料层的边缘，且所述第四让位槽在第二导电层所在平面的正投影与第二让位槽重合，所述第二让位槽与所述第四让位槽连通形成第二蚀刻区。由此，通过让位槽(蚀刻区)的设置，可以在导电层上、或者导电层和电致变色层上、亦或者导电层和离子存储层上形成隔断区域，这样，即便导电基底的边缘受压，在凹槽处发生侧弯与对侧导电基底形成电连接，因让位槽(蚀刻区)的存在，隔断了导电基底边缘与导电基底内侧的电连接，因此，不会形成短路，也能提升电致变色器件的使用稳定性和可靠性；并且，进一步将让位槽延伸至基底层，以部分贯通基底层，从而可以进一步确保导电层被让位槽充分隔断，提升防短路的有效性，即提升电致变色器件的使用稳定性和可靠性。

可选地，所述电解质层的厚度不小于所述第一导电层靠近所述第一凹槽的一侧的弯折高度与所述第二导电层靠近所示第二凹槽的一侧的弯折高度之和。

可选地，所述第一蚀刻区和所述第二蚀刻区内填充有绝缘胶。优选地，所述绝缘胶与电解质层形成一体结构。更优选地，所述电解质层由非固态电解质材料制成，所述绝缘胶由所述非固态电解质材料制成。由此，通过绝缘胶填充在缝隙区内，可以更加有效地防止绝缘部和凹槽外侧导电基底之间形成的短路接触，从而提升防短路的可靠性，即进一步提升电致变色器件的使用稳定性和可靠性；并且，将绝缘胶设置为由非固态电解质材料制成，可以在制备电解质层的同时，使非固态电解质材料填充蚀刻区内，从而形成绝缘胶，简化了制备工艺。

可选地，所述第一凹槽的内壁设有第一绝缘部，且所述第一绝缘部位于所述第二导电基底靠近所述电致变色层的一侧；所述第二凹槽的内壁设有第二绝缘部，且所述第二绝缘部位于所述第一导电基底靠近所述电致变色层的一侧。优选地，所述第一绝缘部和所述第二绝缘部中至少其一为绝缘胶。更优选地，所述绝缘胶具有密封特性，所述绝缘胶为绝缘密封胶。再优选地，所述绝缘胶具有耐高温特性，所述绝缘胶为高温绝缘胶。由此，通过绝缘部的设置，可以更加便捷地在凹槽的内壁形成阻隔结构，即阻隔凹槽外侧的导电基底的侧边与对侧的导电基底之间的电连接，以防止短路情况的发生，从而提升电致变色器件的使用稳定性和可靠性；此外，使绝缘胶具有密封特性或耐高温特性中的至少其一，可以使绝缘部不仅具有绝缘功能，还能同时实现对器件边缘的密封效果，从而无需再额外设置密封胶等，可以简化器件的制备工艺，进一步地还能耐高温，可以进一步提升电致变色器件的适用性。

可选地，所述第一绝缘部远离所述第一凹槽的内壁的一侧到所述第一凹槽的内壁的垂直距离不小于第一阈值范围；所述第二绝缘部远离所述第二凹槽的内壁的一侧到所述第二凹槽的内壁的垂直距离不小于第一阈值范围。优选地，所述第一阈值范围为0.45～0.5mm。更优选地，所述第一绝缘部远离所述第一凹槽的内壁的一侧到所述第一凹槽的内壁的垂直距离不大于第二阈值范围；所述第二绝缘部远离所述第二凹槽的内壁的一侧到所述第二凹槽的内壁的垂直距离不大于第二阈值范围；所述第二阈值范围为1～2mm。绝缘部远离凹槽内壁一侧到凹槽内壁的垂直距离即为绝缘部的宽度，通常情况下，当绝缘部的宽度过小时，其绝缘效果(密封效果)不够理想；当绝缘部的宽度过大时，会浪费较多的绝缘材料(形成绝缘部的材料)，不利于资源节约，并且绝缘部的宽度过大，还会影响设置在凹槽内部的电极(例如导电银浆、导电铜箔等)的设置宽度等；因此，将绝缘部的宽度控制在一定的范围内，也即，通过使绝缘部的宽度不小于第一阈值范围，可以保证其具有较为理想的绝缘效果(密封效果)，通过使绝缘部的宽度不大于第二阈值范围，可以进一步减少材料浪费，且使凹槽内部其他部件的设置具有足够的空间，提升电致变色器件的使用率。

为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显和易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，做详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1示出了本申请的一些实施例提供的一种电致变色器件的一视角的结构示意图一；

图2示出了本申请的一些实施例提供的一种电致变色器件的一视角的结构示意图二；

图3示出了图2中A部的放大图；

图4示出了本申请的一些实施例提供的一种电致变色器件的一视角的结构示意图三；

图5示出了图4中B部的放大图；

图6示出了本申请的一些实施例提供的一种电致变色器件的一视角的结构示意图四；

图7示出了图6中C部的放大图；

图8示出了本申请的一些实施例提供的一种电致变色器件中电致变色层的一视角的结构示意图；

图9示出了本申请的一些实施例提供的一种电致变色器件中第一导电基底的一视角的结构示意图；

图10示出了本申请的一些实施例提供的一种电致变色器件中第二导电基底的一视角的结构示意图。

主要元件符号说明：

100-电致变色器件；110-第一导电基底；111-第一导电层；112-第一基底层；113-第一容纳槽；120-电致变色层；121-第三容纳槽；122-电致变色材料层；123-电解质层；124-离子存储层；130-第二导电基底；131-第二导电层；132-第二基底层；133-第二容纳槽；140-第一凹槽；150-第二凹槽；160-第一绝缘部；170-第二绝缘部；180-第一蚀刻区；190-第二蚀刻区。

具体实施方式

下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在模板的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

如图1、图2、图8、图9和图10所示，本申请的一些实施例提供一种电致变色器件，主要应用于电致变色领域。电致变色器件100包括依次层叠的第一导电基底110、电致变色层120和第二导电基底130。需要说明的是，第一导电基底110和第二导电基底130均完全覆盖于电致变色层120。

其中，在第一导电基底110的边缘设有第一容纳槽113，在第二导电基底130的边缘设有第二容纳槽133，在电致变色层120的边缘设有第三容纳槽121。需要说明的是，第一容纳槽113、第二容纳槽133和第三容纳槽121的数量均可以是一个、两个或两个以上任意数值的个数，可根据实际情况具体设定。

其中，第一导电基底110的第一导电层111的硬度和/或第二导电基底130的第二导电层131的硬度不小于第一硬度值。可以理解的是，第一导电层111和第二导电层131的硬度均不小于第一硬度值，第一硬度值的范围可以为2H～6H。在一些示例中，第一容纳槽113在第二导电基底130所在平面的正投影与第二容纳槽133具有间隙，此时，第一导电层111的硬度可以不小于3H。在另一些示例中，第一容纳槽113在第二导电基底130所在平面的正投影与第二容纳槽133具有重叠，此时，第一导电层111的硬度可以不小于5H。

通过增加第一导电层与第二导电层的硬度，减少第一导电层与第二导电层受压时的弯折高度，以避免电致变色器件受压发生弯折的情况下第一导电层与第二导电层接触发生短路的情况，从而提高电致变色器件的稳定性。

具体的，每一个第一容纳槽113在电致变色层120所在平面的正投影分别与一个第三容纳槽121重叠，且一个第一容纳槽113与一个第三容纳槽121连通形成第一凹槽140。每一个第二容纳槽133在电致变色层120所在平面的正投影分别与一个第三容纳槽121重叠，且一个第二容纳槽133与一个第三容纳槽121连通形成第二凹槽150。

需要说明的是，第一容纳槽113和第二容纳槽133在电致变色层120所在平面的正投影形成相间隔且相互交错的凹槽结构，同时与第三凹槽重合。

可以理解的是，第一容纳槽113的数量和第二容纳槽133的数量之和与第三容纳槽121的数量相等。

如图1、图2、图8、图9和图10所示，在本申请的一些实施例中，所述第一容纳槽113为多个，且多个所述第一容纳槽113相间隔的设置在所述第一导电基底110的边缘。需要说明的是，在第一导电基底110的边缘的每一侧均设有多个相间隔的第一容纳槽113。

其中，所述第二容纳槽133为多个，且多个所述第二容纳槽133相间隔的设置在所述第二导电基底130的边缘。需要说明的是，在第二导电基底130的边缘的每一侧均设有多个相间隔的第二容纳槽133。

另外，所述第三容纳槽121为多个，多个所述第三容纳槽121相间隔的设置在所述电致变色层120的边缘。需要说明的是，在电致变色层120的边缘的每一侧均设有多个相间隔的第三容纳槽121。

如图2和图3所示，在本申请的一些实施例中，第一导电基底110包括层叠的第一导电层111和第一基底层112，且第一基底层112层叠在第一导电层111远离电致变色层120的一侧。需要说明的是，第一基底层112完全覆盖于第一导电层111，通过第一基底层对第一导电层提供支撑作用，以提高第一导电层在第一基底层上的稳定性。

其中，第二导电基底130包括层叠的第二导电层131和第二基底层132，且第二基底层132层叠在第二导电层131远离电致变色层120的一侧。其中，第二基底层132完全覆盖于第二导电层131，通过第二基底层对第二导电层提供支撑作用，以提高第二导电层在第二基底层上的稳定性。

另外，电致变色层120包括依次层叠的电致变色材料层122、电解质层123和离子存储层124，且电致变色材料层122和离子存储层124分别完全覆盖于电解质层123。

在本申请的一些实施例中，第一硬度值为3H。需要说明的是，在本申请中，H用来表示表面硬度，其中，材料局部抵抗硬物压入其表面的能力称为硬度。

通过增加第一导电层和/或第二导电层的硬度，以减少第一导电层和第二导电层的弯折高度，并减少降低第一导电层和第二导电层受压时发生的形变，避免第一导电层和/或第二导电层受压发生形变，导致第一导电层和第二导电层接触出现短路的情况，从而降低电致变色器件短路的几率，提高电致变色器件的稳定性。

在本申请的一些实施例中，电解质层123的厚度不小于第一导电层111靠近第一凹槽140的一侧的弯折高度与第二导电层131靠近第二凹槽150的一侧的弯折高度之和。

需要说明的是，第一导电层111靠近第一凹槽140的一侧的弯折高度是指位于第一凹槽140内壁的第一导电层111向第二导电层131弯折并与第二导电层131接触时的位移高度。第二导电层131靠近第二凹槽150的一侧的弯折高度是指位于第二凹槽150内壁的第二导电层131向第一导电层111弯折并与第一导电层111接触时的位移高度。

具体的，在一些实施例中，若电解质厚度为10μm，短路概率接近100％，器件短路电流大概为50mA。当电解质厚度为20μm，短路概率为20％，器件短路电流大概在10mA。当电解质厚度调整至30μm，短路概率基本为0％。即通过增大电解质层123的厚度，使得电解质层123在第一导电层111和第二导电层131之间形成高度差，当电解质层123的厚度不小于30μm时，即便第一导电层和第二导电层受到挤压发生形变弯折，也不会形成短接，从而提高电致变色器件的稳定性。

如图4和图5所示，在本申请的一些实施例中，第一凹槽140的内壁设有第一让位槽，且第一让位槽位于第一导电层111的边缘。需要说明的是，第一让位槽位于第一凹槽140的内壁的周向，且第一让位槽远离电致变色层120一侧到第一让位槽靠近电致变色层120一侧的垂直距离与第一导电层111的厚度相等。

同时，在第二凹槽150的内壁设有第二让位槽，第二让位槽位于第二导电层131的边缘。需要说明的是，第二让位槽位于第二凹槽150的内壁的周向，且第二让位槽远离电致变色层120一侧到第二让位槽靠近电致变色层120一侧的垂直距离与第二导电层131的厚度相等。

通过第一让位槽和第二让位槽避免电致变色器件发生形变时，第一导电层与第二导电层接触形成短接。

其中，第一让位槽可通过在第一凹槽140内壁的第一导电层111上蚀刻形成，第二让位槽可通过在第二凹槽150内壁的第二导电层131上蚀刻形成。

另外，为了进一步提高第一导电层与第二导电层之间的稳定性，避免第一导电层和第二导电层之间短接，在第一让位槽和第二让位槽内分别填充有绝缘胶，并通过绝缘胶将第一凹槽内壁的第一导电层密封，同时通过绝缘胶将第二凹槽内壁的第二导电层密封，从而防止电致变色器件受挤压发生形变时，第一导电层与第二导电层接触形成短接，以提高电致变色器件的稳定性。

如图4和图5所示，在本申请的一些实施例中，第一凹槽140的内壁设有第三让位槽，第三让位槽位于电致变色材料层122的边缘。需要说明的是，第三让位槽远离电解质层123的一侧到第三让位槽靠近电解质层123的一侧的垂直距离与电致变色材料层122的厚度相等，且第三让位槽在第一导电层111所在平面的正投影与第一让位槽重合，以形成第一蚀刻区180。

可以理解的是，第一蚀刻区180远离电解质层123的一侧到第一蚀刻区180靠近电解质层123的一侧的垂直距离与电致变色材料层122和第一导电层111的厚度之和相等。

另外，第二凹槽150的内壁设有第四让位槽，第四让位槽位于电致变色材料层122的边缘。需要说明的是，第四让位槽远离电解质层123的一侧到第四让位槽靠近电解质层123的一侧的垂直距离与离子存储层124的厚度相等，且第四让位槽在第二导电层131所在平面的正投影与第二让位槽重合，以形成第二蚀刻区190。

可以理解的是，第二蚀刻区190远离电解质层123的一侧到第二蚀刻区190靠近电解质层123的一侧的垂直距离与离子存储层124和第二导电层131的厚度之和相等。

其中，为了进一步提高电致变色器件的稳定性，在第一蚀刻区180和第二蚀刻区190内均分别填充有绝缘胶，并通过绝缘胶将第一导电层和电致变色材料层与第二导电层隔断，同时将第二导电层和离子存储层与第一导电层隔断。

具体的，第一蚀刻区180远离第一导电层111的一侧到第一蚀刻区180靠近第一导电层111的一侧的垂直距离为0.1～2mm，且第二蚀刻区190远离第二导电层131的一侧到第二蚀刻区190靠近第二导电层131的一侧的垂直距离为0.1～2mm。可以是0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1mm、1.1mm、1.2mm、1.3mm、1.4mm、1.5mm、1.6mm、1.7mm、1.8mm、1.9mm、2mm中的任意一种。

另外，在本申请的一些实施例中，绝缘胶还可以是电解质材料层。

如图6和图7所示，在本申请的又一些实施例中，第一凹槽140的内壁设有第一绝缘部160，且第一绝缘部160位于第二导电基底130靠近电致变色层120的一侧。

具体的，第一绝缘部160贴设在第一凹槽140的内壁的周向，并通过第一绝缘部防止电致变色器件受压发生形变时，第一导电层与第二导电层发生短接。

另外，第二凹槽150的内壁设有第二绝缘部170，且第二绝缘部170位于第一导电基底110靠近电致变色层120的一侧。

具体的，第二绝缘部170贴设在第二凹槽150的内壁的周向，并通过第二绝缘部防止电致变色器件受压发生形变时，第一导电层与第二导电层发生短接。

需要说明的是，第一绝缘部160和第二绝缘部170均为绝缘层。

为了进一步提高第一绝缘部和第二绝缘部的阻隔质量，防止第一导电基底与第二导电基底短接，第一绝缘部160远离第一凹槽140的内壁的一侧到第一凹槽140的内壁的垂直距离不小于第一阈值范围。需要说明的是，第一绝缘部160远离第一凹槽140的内壁的一侧到第一凹槽140的内壁的垂直距离大于第一导电层111的厚度和第一导电层111的形变宽度之和。

需要说明的是，第一导电层111的形变宽度是指电致变色层120收挤压发生形变时，第一凹槽140内壁的第一导电层111的位移距离。

另外，第二绝缘部170远离第二凹槽150的内壁的一侧到第二凹槽150的内壁的垂直距离不小于第一阈值范围。其中，第二绝缘部170远离第二凹槽150的内壁的一侧到第二凹槽150的内壁的垂直距离大于第二导电层131的厚度和第二导电层131的形变宽度之和。

具体的，第一阈值范围为0.45～0.5mm，可以是0.45mm、0.46mm、0.47mm、0.48mm、0.49mm、0.5mm中的任意一种。

需要说明的是，第二导电层131的形变宽度是指电致变色层120受挤压发生形变时，第二凹槽150内壁的第二导电层131的位移距离。

优选的，为了进一步提高第一导电层和第二导电层之间的稳定性，第一绝缘部160远离第一凹槽140的内壁的一侧到第一凹槽140的内壁的垂直距离不小于0.5mm，且第二绝缘部170远离第二凹槽150的内壁的一侧到第二凹槽150的内壁的垂直距离不小于0.5mm。

具体的，第一绝缘部160远离第一凹槽140的内壁的一侧到第一凹槽140的内壁的垂直距离小于第一凹槽140宽度的一半，且第二绝缘部170远离第二凹槽150的内壁的一侧到第二凹槽150的内壁的垂直距离小于第二凹槽150宽度的一半。

在这里示出和描述的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制，因此，示例性实施例的其他示例可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

以上实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种电致变色器件，其特征在于，包括依次层叠的第一导电基底、电致变色层和第二导电基底；

所述第一导电基底包括层叠的第一导电层和第一基底层，所述第二导电基底包括层叠的第二导电层和第二基底层，且所述第一基底层层叠在所述第一导电层远离所述电致变色层的一侧，且所述第二基底层层叠在所述第二导电层远离所述电致变色层的一侧；

所述第一导电层的硬度和所述第二导电层的硬度中，至少其一不小于第一硬度值。

2.根据权利要求1所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一导电基底的边缘设有第一容纳槽，所述第二导电基底的边缘设有第二容纳槽，所述电致变色层的边缘设有第三容纳槽；所述第一容纳槽和所述第三容纳槽连通形成第一凹槽，所述第二容纳槽和所述第三容纳槽连通形成第二凹槽；所述第一容纳槽在所述电致变色层所在平面的正投影与所述第三容纳槽重叠，且所述第二容纳槽在所述电致变色层所在平面的正投影与所述第三容纳槽重叠。

3.根据权利要求2所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一容纳槽为多个，且多个所述第一容纳槽相间隔的设置在所述第一导电基底的边缘；所述第二容纳槽为多个，且多个所述第二容纳槽相间隔的设置在所述第二导电基底的边缘；所述第三容纳槽为多个，多个所述第三容纳槽相间隔的设置在所述电致变色层的边缘。

4.根据权利要求2所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一容纳槽在所述第二导电基底所在平面的正投影与所述第二容纳槽具有间隙，所述第一硬度值为3H。

5.根据权利要求2所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一容纳槽在所述第二导电基底所在平面的正投影与所述第二容纳槽具有重叠，所述第一硬度值为5H。

6.根据权利要求2所述的电致变色器件，其特征在于，所述电致变色层包括依次层叠的电致变色材料层、电解质层和离子存储层。

7.根据权利要求6所述的电致变色器件，其特征在于，所述电解质层的厚度不小于所述第一导电层靠近所述第一凹槽的一侧的弯折高度与所述第二导电层靠近所述第二凹槽的一侧的弯折高度之和。

8.根据权利要求6所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一导电层的边缘设有第一让位槽，所述第二导电层的边缘设有第二让位槽，所述第一凹槽的内壁设有第三让位槽，所述第三让位槽位于所述电致变色材料层的边缘，且所述第三让位槽在第一导电层所在平面的正投影与第一让位槽重合，所述第一让位槽与所述第三让位槽连通形成第一蚀刻区；

所述第二凹槽的内壁设有第四让位槽，所述第四让位槽位于所述电致变色材料层的边缘，且所述第四让位槽在第二导电层所在平面的正投影与第二让位槽重合，所述第二让位槽与所述第四让位槽连通形成第二蚀刻区。

9.根据权利要求8所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一蚀刻区和所述第二蚀刻区内填充有绝缘胶。

10.根据权利要求2所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一凹槽的内壁设有第一绝缘部，且所述第一绝缘部位于所述第二导电基底靠近所述电致变色层的一侧；

所述第二凹槽的内壁设有第二绝缘部，且所述第二绝缘部位于所述第一导电基底靠近所述电致变色层的一侧。

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