CN216441021U - 减压干燥装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种能够提高基板的品质的减压干燥装置。减压干燥装置通过减压使在第一面附着有处理液的基板干燥，减压干燥装置具有腔室、支撑部、排气部以及加热部。腔室具有容纳基板的处理空间。支撑部在处理空间中以使第一面朝向上方的状态支撑基板的与第一面相反一侧的第二面。排气部通过从处理空间排出气体来使处理空间内减压。加热部从腔室外部对支撑于支撑部的基板进行加热。

Description

减压干燥装置

技术领域

本实用新型涉及一种通过减压来使附着有处理液的基板干燥的技术。

背景技术

以往，在半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、等离子显示器(PDP)用玻璃基板、光掩模用玻璃基板、滤色器用基板、记录盘用基板、太阳能电池用基板、电子纸用基板等精密电子装置用基板的制造工序中，为了使涂敷在基板上的处理液干燥，使用减压干燥装置(例如，专利文献1等)。该减压干燥装置通过对容纳基板的腔室的内部进行减压，能够使附着在基板上的处理液干燥。

在专利文献2中，记载了一种减压干燥装置，其包括：腔室，通过使盖部经由O形环与基座部接触来形成密闭的处理空间；支撑部，具有在该腔室内对载体玻璃板等基板进行支撑的多个支撑销；加热部，包括水平安装于基座部的上方的加热板和安装于盖部的橡胶加热器；减压单元，通过从基座部的底板部的开口排气来对处理空间进行减压；以及供气单元，向处理空间供给氮气等非活性气体(例如，参照专利文献2的图2等)。在该减压干燥装置中，通过贯通基座部和加热板并凸出设置于基座部的处理空间的各支撑销的头部与基板的下表面抵接，基板被水平地支撑，并且在向处理空间搬入基板或从处理空间搬出基板时支撑部上升，而在干燥基板上的处理液时支撑部下降。在具有这样的结构的减压干燥装置中，通过使加热部的加热和处理空间的减压并行执行，来促进基板上的处理液中的液体成分的气化。

专利文献1：日本特开平7-283108号公报

专利文献2：日本特开2018-40512号公报

然而，在上述专利文献2所公开的减压干燥装置中，例如，当加热部对基板进行加热时，因热膨胀等而使构成加热板的多个构件之间相互摩擦以及加热板与其周边部之间发生摩擦等，从而可能会产生灰尘。另外，例如，当支撑部升降时，因多个支撑销与加热板之间的摩擦而可能会产生灰尘。在此，例如，若为了对升降的支撑部与腔室的基座部之间进行密闭而设置有波纹管等，则可能在多个支撑销和波纹管等堆积灰尘。另外，例如，由于设有用于使支撑部升降的结构和驱动机构等，因此难以设置用于加热基座部的结构，从而来自在腔室内被加热的处理液的升华物易于在基座部的内表面冷却而成为附着物。因此，例如，在向减压后的处理空间内供给非活性气体时，可能由基座部的内表面的附着物产生颗粒。在此，例如，由于腔室内产生的灰尘和颗粒附着于基板，因此基板可能会被污染。其结果，难以将腔室内的灰尘和颗粒的产生数量和产生率降低至规定值以下，从而可能会使基板的品质降低。

另外，例如，通过利用加热板从接近基板的下表面(背面)的位置对基板进行加热，由于在加热板上设有供多个支撑销贯通的多个贯通孔等，因此基板上的处理液的干燥可能会产生不均匀(转印不均匀)。由此，例如，可能会使基板的品质降低。

实用新型内容

本实用新型鉴于上述课题而提出，其目的在于，提供一种能够提高基板的品质的减压干燥装置。

为了解决上述问题，第一方式的减压干燥装置，通过减压来使在第一面附着有处理液的基板干燥的装置，所述减压干燥装置具有腔室、支撑部、排气部以及加热部。所述腔室具有容纳所述基板的处理空间。所述支撑部在所述处理空间以使所述第一面朝向上方的状态支撑所述基板的与所述第一面相反一侧的第二面。所述排气部通过从所述处理空间排出气体来使所述处理空间内减压。所述加热部从所述腔室外部对支撑于所述支撑部的所述基板进行加热。

第二方式的减压干燥装置，在第一方式的减压干燥装置的基础上，所述加热部包括：第一加热部分，从所述腔室的上方对支撑于所述支撑部的所述基板进行加热；以及第二加热部分，从所述腔室的下方对支撑于所述支撑部的所述基板进行加热。

第三方式的减压干燥装置，在第二方式的减压干燥装置的基础上，所述加热部包括从所述腔室的侧方对支撑于所述支撑部的所述基板进行加热的第三加热部分。

第四方式的减压干燥装置，在第一至第三中的任一个方式的减压干燥装置的基础上，所述减压干燥装置包括控制部，所述控制部通过控制所述加热部和所述排气部，来使所述加热部对所述基板的加热和所述排气部对所述腔室内的减压并行执行。

第五方式的减压干燥装置，在第一至第四中的任一个方式的减压干燥装置的基础上，所述腔室包括彼此能够接触或分离的第一腔室部分和第二腔室部分，所述第二腔室部分位于所述第一腔室部分的上方，所述支撑部安装于所述第一腔室部分，所述减压干燥装置还包括驱动部，所述驱动部通过使所述第一腔室部分和所述第二腔室部分彼此接触来关闭所述处理空间，通过使所述第一腔室部分和所述第二腔室部分彼此分离来打开所述处理空间。

第六方式的减压干燥装置，在第五方式的减压干燥装置的基础上，所述支撑部包括与所述第二面接触的接触部分，所述接触部分配置于在上下方向上比所述第一腔室部分的上端更高的位置。

第七方式的减压干燥装置，在第一至第六中的任一个方式的减压干燥装置的基础上，所述减压干燥装置具有整流板，所述整流板在所述处理空间内的所述支撑部的下方沿水平方向配置。

第八方式的减压干燥装置，在第七方式的减压干燥装置的基础上，所述腔室具有排气口，所述排气口位于所述整流板的下方并与所述排气部连接。

根据第一方式的减压干燥装置，例如，由于在腔室内未设有加热部，因此能够降低腔室内的灰尘产生。由此，例如，在减压干燥装置中基板难以被污染。其结果，例如，能够提高基板的品质。

根据第二方式的减压干燥装置，例如，通过从上方和下方对基板进行加热，能够更均匀地加热基板。由此，例如，附着有处理液的基板难以产生干燥不均匀。其结果，例如，能够提高基板的品质。

根据第三方式的减压干燥装置，例如，通过从侧方对基板进行加热，由处理液内的成分产生的升华物难以附着在腔室的内表面。由此，例如，难以产生来自腔室的内表面的附着物的颗粒。其结果，例如，能够提高基板的品质。

根据第四方式的减压干燥装置，例如，通过使基板的加热和腔室内的减压并行进行，能够使附着有处理液的基板迅速地干燥。

根据第五方式的减压干燥装置，例如，能够访问腔室内的开口变大，从而能够容易地向腔室内搬入基板和从腔室内搬出基板。另外，例如，能够使腔室内的维护变得容易。

根据第六方式的减压干燥装置，例如，能够容易地向腔室内搬入基板和从腔室内搬出基板。

根据第七方式的减压干燥装置，例如，通过设置整流板来控制腔室内的气流，从而附着有处理液的基板上难以产生干燥不均匀。其结果，例如，能够提高基板的品质。

根据第八方式的减压干燥装置，例如，由于排气口位于从基板的表面沿着整流板的下表面流动的气流聚集的位置，因此，由处理液内的成分产生的升华物易于经由排气口排出。由此，例如，由处理液内的成分产生的升华物难以附着在腔室的内表面。其结果，例如，难以产生来自腔室的内表面的附着物的颗粒。因此，例如，能够提高基板的品质。

附图说明

图1是示出第一实施方式的基板处理装置的一结构例的概略图。

图2是示出第一实施方式的减压干燥装置的一结构例的概略图。

图3是例示第一实施方式的减压干燥装置的电气结构的图。

图4是示出第一实施方式的减压干燥装置的动作流程的流程图。

图5A～图5B是用于说明第一实施方式的减压干燥装置的动作的图。

图6A～图6B是用于说明第一实施方式的减压干燥装置的动作的图。

图7A～图7B是用于说明第一实施方式的减压干燥装置的动作的图。

图8是用于说明第一实施方式的减压干燥装置的动作的图。

图9是示出第二实施方式的减压干燥装置的一结构例的概略图。

图10是示出第三实施方式的减压干燥装置的一结构例的概略图。

图11是示出第四实施方式的减压干燥装置的一结构例的概略图。

附图标记的说明：

1、1A～1C：减压干燥装置

1o：排气口

2、2C：腔室

21：基座部(第一腔室部分)

22：盖部(第二腔室部分)

23、23C：密封件

24：腔室主体部

25：开闭部

2io：开口部

2m、2mC：开闭驱动部

2o：供气口

2s：处理空间

3：支撑部

3p：支撑销

3pt：接触部分

4：排气部

5、5B、5C：加热部

51：第一加热部分

52：第二加热部分

53：第三加热部分

54：第四加热部分

6：整流板

7：供气部

8：控制部

92：脱水烘干部

98：后烘干部

F：涂敷膜

G：基板

G1：第一面

G2：第二面

具体实施方式

以下，一边参照附图一边说明本实用新型的各种实施方式。这些实施方式中记载的结构构件仅为示例，并非意在将本实用新型的范围限定于此。在附图中，对具有同样的结构和功能的部分标注相同的附图标记，在以下说明中省略重复说明。另外，在附图中，为了便于理解，根据需要夸大或者简化地示出了各部的尺寸和数量。在各图中，为了说明各个构件的位置关系，在图2、图5A至图11中，采用右手系的XYZ正交坐标系。在此，X轴和Y轴沿水平方向延伸，Z轴沿铅锤方向(上下方向)延伸。另外，在以下的说明中，将箭头的顶端所朝向的方向设为+(正)方向，将其反方向设为-(负)方向。在此，铅锤方向向上方向为+Z方向，铅锤方向向下方向为-Z方向。

除非另有特别说明，否则表示相对或绝对位置关系的表述(例如，“一个方向”、“沿着一个方向”、“平行”、“正交”、“中心”、“同心”、“同轴”等)不仅严谨地表示该位置关系，也表示在能得到公差或者相同程度的功能的范围内角度或距离相对地发生位移的状态。除非另有特别说明，否则表示等同状态的表述(例如，“相同”、“等同”、“均质”等)不仅定量严谨地表示等同状态，也表示存在能得到公差或者相同程度的功能的差的状态。除非另有特别说明，表示形状的表述(例如，“四边形”或者“圆筒形”等)不仅严谨地表示几何学上的该形状，也表示在能够得到相同程度的效果的范围内例如具有凹凸或倒角等的形状。“包括”、“具备”、“包含”或“具有”一个结构构件的表述不是排除其他结构构件的存在的排他性表述。除非另有特别说明，所谓“～之上”不仅包括两个构件接触的情况，有时还包括两个构件分离的情况。除非另有特别说明，“朝特定方向移动”是不仅包括与该特定方向平行地移动的情况，还包括朝具有该特定方向的成分的方向移动的情况。

<1.第一实施方式>

<1-1.基板处理装置的结构>

图1是示出包含第一实施方式的减压干燥装置1的基板处理装置9的概略结构的一例的图。基板处理装置9是例如对基板G进行处理液的涂敷、曝光、以及曝光后的显影的装置。基板G例如应用平板状的玻璃基板等。基板G例如是具有作为第一主表面的第一面G1和作为位于该第一面G1相反一侧的第二主表面的第二面G2的平板状的基板。处理液例如应用包括聚酰亚胺前驱体和溶剂的液体(也称为PI液)或抗蚀剂液等涂敷液。聚酰亚胺前驱体例如应用聚酰胺酸(聚酰胺酸)等。溶剂例如应用NMP(N-甲基-2-吡咯烷酮：N-Methyl-2-Pyrrolidone)。

基板处理装置9例如具有作为多个处理部的搬入部90、清洗部91、脱水烘干部92、涂敷部93、作为减压干燥部的减压干燥装置1、预烘干部94、曝光部95、显影部96、冲洗部97、后烘干部98、以及搬出部99。基板处理装置9的各处理部例如按照上述处理部的记载顺序彼此相邻配置。如虚线箭头所示，基板G例如通过搬运机器人等搬运机构(省略图示)，根据处理的进行，按照上述记载顺序向各处理部搬运。

搬入部90例如将要在基板处理装置9中处理的基板G搬入到基板处理装置9内。

清洗部91例如对搬入到搬入部90的基板G进行清洗，去除以微细的颗粒为首的有机污染、金属污染、油脂以及自然氧化膜等。

脱水烘干部92例如对基板G进行加热，使作为在清洗部91中附着于基板G的处理液的清洗液气化，由此使基板G干燥。

涂敷部93例如向在脱水烘干部92进行了干燥处理后的基板G的表面涂敷处理液。在涂敷部93中，例如向基板G的表面涂敷作为涂敷液的PI液等。涂敷部93例如应用狭缝式涂敷机。狭缝式涂敷机例如通过使从吐出口吐出涂敷液的狭缝喷嘴相对于基板G相对地移动，能够在基板G上形成涂敷膜F。涂敷部93也可以应用其他涂敷方式的涂敷装置。在此，涂敷膜F的厚度例如是形成在基板G上的聚酰亚胺的膜(也称为PI膜)的厚度(也称为期望膜厚)的十倍左右。具体而言，例如，当形成5μm(微米)至20μm左右的聚酰亚胺膜时，涂敷膜F的厚度为50μm至200μm左右。

减压干燥装置1例如进行通过减压来使附着于表面的处理液干燥的处理(也称为减压干燥处理)。在此，例如通过减压及加热来使涂敷于基板G的表面的处理液的溶剂气化(蒸发)，由此使基板G干燥。例如，通过对涂敷膜F进行减压及加热的减压干燥处理来去除涂敷膜F中的溶剂，由此形成期望膜厚的聚酰亚胺前驱体的涂膜(也称为聚酰亚胺前驱体涂膜)。

预烘干部94例如是对由减压干燥装置1干燥的基板G进行加热而使处理液中包含的成分在基板G的表面上固化的加热处理部。在此，例如在基板G的表面形成有处理液的薄膜。例如，向聚酰亚胺前驱体涂膜施加热处理，由此通过聚酰亚胺前驱体的酰亚胺化而形成聚酰亚胺膜。预烘干部94例如可以是加热单个基板G的单张方式的加热处理部，也可以是同时加热多个基板G的批量方式的加热处理部。在此，例如，假设减压干燥装置1中的减压干燥处理的节拍时间与预烘干部94中的加热处理的节拍时间差异较大，并且预烘干部94具有单张方式的加热处理部的情况。在该情况下，预烘干部94例如可以具有并列地进行加热处理的多台单张式加热处理部。

曝光部95例如对形成有PI膜等薄膜的基板G的表面进行曝光处理。具体而言，曝光部95例如通过描绘有电路图案的掩模照射远紫外线等特定波长的光，向PI膜等薄膜转印图案。

显影部96例如将在曝光部95中曝光了图案的基板G浸渍于显影液中，进行显影处理。

冲洗部97例如使用作为处理液的冲洗液冲洗在显影部96中实施了显影处理的基板G。由此，使显影处理的进行停止。

后烘干部98例如对基板G进行加热，通过使作为在冲洗部97中附着于基板G的处理液的冲洗液气化，来使基板G干燥。

在基板处理装置9的各处理部中实施了处理的基板G，例如被搬运到搬出部99。然后，例如将基板G从搬出部99搬出到基板处理装置9的外部。

在第一实施方式中，基板处理装置9具有曝光部95，但是在本实用新型的基板处理装置中，例如也可以省略曝光部。在该情况下，例如可以将基板处理装置和分体的曝光装置组合使用。

<1-2.减压干燥装置的结构>

图2是示出第一实施方式的减压干燥装置1的概略结构的一例的图。图3是示出第一实施方式的减压干燥装置1的电气结构的一例的图。减压干燥装置1例如是使在第一面G1附着有PI液等处理液的基板G干燥的装置。更具体而言，例如，减压干燥装置1是通过减压及加热来使涂敷于基板G的表面的处理液的溶剂气化(蒸发)，由此使基板G干燥的装置。如图2所示，减压干燥装置1例如包括腔室2、支撑部3、排气部4、以及加热部5。另外，如图2和图3所示，减压干燥装置1例如包括控制部8。控制部8例如一并控制减压干燥装置1的各部的动作。该控制部8例如由具有中央处理装置(CPU：Central Processing Unit)、RAM(Randomaccess memory：随机存取存储器)等易失性存储器、硬盘驱动器等非易失性存储部的计算机构成。另外，减压干燥装置1例如包括整流板6和供气部7。

腔室2例如具有用于容纳在第一面G1附着有处理液的基板G的处理空间2s。该腔室2是具有用于对基板G进行减压干燥处理的处理空间2s的耐压容器。在第一实施方式中，腔室2例如包括作为第一腔室部分的基座部21和作为第二腔室部分的盖部22。盖部22位于基座部21的上方。基座部21和盖部22可以彼此接触及分离。换言之，基座部21和盖部22能够彼此接触或分离。

基座部21例如固定于装置框架(省略图示)上。基座部21例如包括水平配置的矩形形状的底板部211和沿着底板部211的各边延伸设置的角筒状的侧壁部212。在此，底板部211例如具有矩形形状的平坦的上表面211i。侧壁部212例如设置为从底板部211的各边(即周缘部)向上方垂直地突出。例如，底板部211的上表面211i和侧壁部212的内表面212i分别为平面状的表面，底板部211的上表面211i和侧壁部212的内表面212i由平滑的曲面连接。例如，当向下方俯视时，基座部21具有矩形形状的外形，并且具有向上方开口的箱状的形状。基座部21例如可以不具有侧壁部212。

盖部22例如包括水平配置的矩形形状的顶板部221和沿着顶板部221的各边延伸设置的角筒状的侧壁部222。在此，顶板部221例如具有矩形形状的平坦的下表面221i。侧壁部222例如设置为从顶板部221的各边(即周缘部)向下方垂直延伸。例如，顶板部221的下表面221i和侧壁部222的内表面222i分别为平面状的表面，顶板部221的下表面221i和侧壁部222的内表面222i由平滑的曲面连接。例如，当向上方仰视时，盖部22具有矩形形状的外形，并且具有向下方开口的箱状的形状。

另外，盖部22例如配置于基座部21的上方，盖部22的侧壁部222从+Z方向与基座部21的侧壁部212相对。在Z方向上彼此相对的基座部21与盖部22之间形成有处理空间2s。另外，腔室2例如包括沿着侧壁部222的上表面配置的O形环等密封件23。更具体而言，例如，盖部22的侧壁部222和基座部21的侧壁部212经由密封件23彼此接触。换言之，例如，盖部22和基座部21经由密封件23彼此接触。

基座部21和盖部22的坯料例如应用具有能够承受处理空间2s的减压的刚性以及强度和优良的导热性的铝等金属。

在此，减压干燥装置1例如可以包括图2中示意性地示出的开闭驱动部2m以开闭腔室2。开闭驱动部2m例如通过使基座部21和盖部22彼此接触来关闭处理空间2s，另一方面，通过使基座部21和盖部22彼此分离来打开处理空间2s。开闭驱动部2m例如应用使盖部22在Z方向上相对于基座部21驱动的促动器。开闭驱动部2m例如根据来自控制部8的指令(也称为升降指令)进行动作，从而使盖部22在Z方向上相对于基座部21升降。例如，如果控制部8向开闭驱动部2m输出下降的指令(也称为下降指令)，则开闭驱动部2m使盖部22朝向基座部21下降。此时，例如，盖部22经由密封件23按压于基座部21。由此，例如，基座部21与盖部22之间的处理空间2s被密闭。另一方面，例如，如果控制部8向开闭驱动部2m输出上升的指令(也称为上升指令)，则开闭驱动部2m使盖部22上升。此时，例如，盖部22从基座部21和密封件23向上方分离。由此，例如，基座部21与盖部22之间的处理空间2s被开放。在此，例如，如果处理空间2s开放，则能够相对于处理空间2s进行基板G的搬入或搬出。

以此方式，例如，若采用通过使盖部22在上下方向上相对于基座部21相对地升降来开闭处理空间2s的结构，则能够使可向腔室2内访问的开口变大。由此，例如，能够使向腔室2内搬入基板G和从腔室2内搬出基板G变得容易。另外，例如，能够使腔室2内的维护变得容易。

另外，在腔室2中例如也可以设置有测量腔室2内的压力的压力传感器。压力传感器例如设置于基座部21或排气用的配管(也称为排气配管)41。

支撑部3例如在处理空间2s中支撑基板G。例如，支撑部3在处理空间2s中以第一面G1朝向上方的状态支撑与基板G的第一面G1相反一侧的第二面G2。在此，例如，第一面G1成为朝向上方的面(也称为上表面或正面)，而第二面G2成为朝向下方的面(也称为下表面或背面)。支撑部3例如安装于基座部21。支撑部3例如具有多个支撑销3p。例如通过使基板G载置于多个支撑销3p彼此的上端部分(也称为接触部分)3pt，来使多个支撑销3p从第二面G2支撑基板G。换言之，各支撑销3p例如包括与第二面G2接触的接触部分3pt。各支撑销3p例如设置为向上方延伸。在第一实施方式中，例如，多个支撑销3p经由整流板6安装于基座部21。更具体而言，例如，各支撑销3p以从沿水平方向配置的整流板6的上表面向上方延伸的方式固定于整流板6上。例如，当多个支撑销3p在水平方向上分散配置时，基板G被稳定支撑。另外，例如，当多个支撑销3p的根数为数十根左右时，基板G被稳定支撑。另外，在此，例如，当各支撑销3p的接触部分3pt在上下方向上配置于比基座部21的上端更高的位置时，能够在盖部22通过开闭驱动部2m上升而使得处理空间2s开放的状态下，容易地向腔室2内的处理空间2s搬入基板G以及从腔室2内的处理空间2s搬出基板G。

排气部4例如通过从处理空间2s排出气体(也称为排气)，来使处理空间2s内减压。排气部4例如包括排气配管41、减压泵42、以及第一开闭阀43。排气配管41例如安装于基座部21(更具体而言为底板部211)的大致中央，并且从底板部211向下方突出。排气配管41的一端(也称为第一端部)E1在底板部211的开口(也称为排气口)1o与腔室2内的处理空间2s连通。在此，腔室2例如具有位于基座部21的大致中央的排气口1o。并且，例如，排气部4与腔室2的排气口1o连接。

另外，例如，在排气配管41安装有第一开闭阀43。排气配管41的另一端(也称为第二端部)E2例如与减压泵42连接。减压泵42例如与设置有基板处理装置9的设备所具有的排气用的动力设备连接。第一开闭阀43例如应用蝶阀等。在此，例如，当减压泵42进行通常运转时，第一开闭阀43响应于来自控制部8的指令(也称为开闭指令)而开闭，由此执行或停止处理空间2s的减压。在该情况下，例如，在腔室2的处理空间2s被密闭的状态下，第一开闭阀43响应于从控制部8输出的指令(也称为开指令)而打开，通过减压泵42从处理空间2s排气，由此使处理空间2s减压。另一方面，例如，第一开闭阀43响应于从控制部8输出的指令(也称为闭指令)而关闭，从而使处理空间2s的减压停止。

加热部5例如从腔室2的外部对支撑于支撑部3的基板G进行加热。在此，基板G被加热部5加热的温度(也称为加热温度)例如设定为能够促进形成于基板G的第一面G1上的涂敷膜F的溶剂的气化的温度。加热温度例如设定为摄氏80度(80℃)至100℃的范围。加热部5例如沿着腔室2的外表面配置。在此，例如，由于在腔室2内不存在用于加热基板G的加热部5，因此能够降低腔室2内的灰尘产生。由此，例如，在减压干燥装置1中，基板G难以被污染。其结果，例如，能够提高基板G的品质。

在第一实施方式中，加热部5例如包括第一加热部分51、第二加热部分52、以及第三加热部分53。例如，第一加热部分51从腔室2的上方对支撑于支撑部3的基板G进行加热。第一加热部分51例如沿着盖部22的上表面Sf1配置。例如，第一加热部分51配置为覆盖盖部22的上表面Sf1。例如，第二加热部分52从腔室2的下方对支撑于支撑部3的基板G进行加热。第二加热部分52例如沿着基座部21的外表面Sf2配置。外表面Sf2例如包括基座部21的下表面和侧面。例如，第二加热部分52配置为覆盖基座部21的外表面Sf2。例如，第三加热部分53从腔室2的侧方对支撑于支撑部3的基板G进行加热。第三加热部分53例如沿着盖部22的侧面Sf3配置。例如，第三加热部分53配置为覆盖盖部22的侧面Sf3。

第一加热部分51、第二加热部分52以及第三加热部分53例如应用护套加热器或橡胶加热器等电阻加热方式的加热器。护套加热器例如具有不锈钢制的无缝管(也称为护套管)和在护套管内配置为螺旋状的镍铬合金线等电热线。护套加热器例如可以具有铝制的外装部和由绝热材料构成的覆盖件。橡胶加热器例如具有镍铬合金线等电热线和夹持该电热线的两个硅橡胶片材。

加热部5例如根据从控制部8输出的指令(也称为加热指令)通过通电加热等发热，从腔室2的外部对支撑于支撑部3的基板G进行加热。此时，例如，通过来自被加热部5加热的腔室2的放射热，能够均匀加热支撑于支撑部3的基板G。在此，例如，第一加热部分51从上表面Sf1侧对盖部22的顶板部221进行加热，通过来自顶板部221的下表面221i的放射热，从上方加热支撑于支撑部3的基板G。例如，第二加热部分52从外表面Sf2侧对基座部21进行加热，整流板6经由基座部21被加热，进而通过来自整流板6的放射热，从下方加热支撑于支撑部3的基板G。例如，第三加热部分53从侧面Sf3侧对盖部22的侧壁部222进行加热，通过来自侧壁部222的内表面222i的放射热，从侧方加热支撑于支撑部3的基板G。

在此，例如，当通过第一加热部分51、第二加热部分52以及第三加热部分53，从腔室2的上方、下方以及侧方加热支撑于支撑部3的基板G时，基板G能够被更均匀地加热。其结果，例如，基板G上的涂敷膜F难以产生干燥不均匀。更一般地说，例如，附着有处理液的基板G难以产生干燥不均匀。因此，例如能够提高基板G的品质。另外，例如，当从腔室2的上方、下方以及侧方对支撑于支撑部3的基板G进行加热时，腔室2的内表面2i能够被大范围地加热。由此，在基板G被加热时，由基板G的第一面G1上的涂敷膜F内的成分产生的升华物变得难以附着于腔室2的内表面2i。更一般地说，例如，在基板G被加热时由附着于基板G的第一面G1的处理液内的成分产生的升华物难以附着在腔室2的内表面2i。其结果，例如，难以产生来自腔室2的内表面2i的附着物的颗粒，从而基板G难以被污染。因此，例如，能够提高基板G的品质。

在减压干燥装置1中，例如，控制部8通过控制加热部5和排气部4，使加热部5对基板G的加热和排气部4对腔室2内的减压并行执行。这样，例如，通过使基板G的加热和腔室2内的减压并行进行，能够使形成于基板G的第一面G1上的涂敷膜F迅速地干燥。更一般地说，例如，能够使附着有处理液的基板G迅速地干燥。

整流板6例如在处理空间2s内的支撑部3的下方沿水平方向配置。整流板6例如应用平板状的板材，其具有分别沿水平方向配置的上表面6a和下表面6b。上表面6a和下表面6b例如与腔室2的底板部211的上表面211i同样地，是矩形形状的平坦的表面。整流板6例如具有连接上表面6a和下表面6b的端面6c。该整流板6例如配置为，腔室2的侧壁部212和侧壁部222中的至少一方与端面6c形成狭窄的第一间隙Gp1，腔室2的底板部211与下表面6b形成狭窄的第二间隙Gp2。因此，例如，当从处理空间2s经由排气口1o进行排气时，形成从基板G的上方沿着基板G的第一面G1和侧壁部222的内表面222i经由第一间隙Gp1和第二间隙Gp2向排气口1o被吸入的气体的流动。换言之，例如，通过设置整流板6，可以调节从基板G上的涂敷膜F气化(蒸发)的溶剂流动至排气口1o的气体的流动。换言之，例如，通过设置整流板6，可以控制腔室2内的气流。并且，例如，基板G上的涂敷膜F难以产生干燥不均匀。更一般地说，例如，附着有处理液的基板G难以产生干燥不均匀。其结果，例如，能够提高基板G的品质。

另外，例如，若适当地设定整流板6的端面6c与侧壁部212、222之间的距离、以及整流板6的下表面6b与底板部211的上表面211i之间的距离，则当从处理空间2s经由排气口1o以每单位时间相同的排气量进行排气时，可以使被吸入到排气口1o的气体的流速变大。由此，例如，能够使基板G迅速地干燥。

另外，例如，如果整流板6的坯料应用具有优良的导热性的铝等金属，则根据第二加热部分52对基座部21的加热，整流板6易于被加热。由此，例如，基板G从下方被更均匀地加热，从而基板G上的涂敷膜F难以产生干燥不均匀。更一般地说，例如，附着有处理液的基板G难以产生干燥不均匀。其结果，例如，能够提高基板G的品质。

在此，例如，如果使整流板6的上表面6a与支撑于支撑部3的基板G的第二面G2之间的距离、即整流板6与支撑于支撑部3的基板G之间的距离变小，则基板G易于被来自整流板6的放射热加热。但是，例如，整流板6与支撑于支撑部3的基板G之间的距离被设定为，能够使搬运机器人等搬运机构中的用于保持基板G的机械手等插入到整流板6与支撑于支撑部的基板G之间程度的距离。由此，例如，基板G的第二面G2与整流板6的上表面6a之间隔开一定程度的距离，并且基板G上的涂敷膜F难以产生干燥不均匀(也称为转印不均匀)。更一般地说，例如，附着有处理液的基板G难以产生干燥不均匀(转印不均匀)。其结果，例如，能够提高基板G的品质。

另外，例如，整流板6被基座部21支撑。例如，整流板6被从底板部211的表面211i向上方延伸的多个柱部6s支撑。在该情况下，例如，各柱部6s的下端部与底板部211的上表面211i连接，各柱部6s的上端部与整流板6的下表面6b连接。多个柱部6s例如以适当确保从第一间隙Gp1朝向排气口1o流动的第二间隙Gp2中的气体的流动的程度，在水平方向上分散配置。在此，例如，如果多个柱部6s的坯料应用具有优良的导热性的铝等金属，则根据第二加热部分52对基座部21的加热，整流板6通过从底板部211经由多个柱部6s向整流板6的热传导而易于被加热。由此，例如，基板G从下方被更均匀地加热，从而基板G上的涂敷膜F难以产生干燥不均匀。更一般地说，例如，附着有处理液的基板G难以产生干燥不均匀。其结果，例如，能够提高基板G的品质。

在此，例如，如上所述，排气口1o在腔室2中位于整流板6的下方，若与排气部4连接，则排气口1o位于从基板G的第一面G1沿着整流板6的下表面6b流动的气流聚集的位置。在该情况下，例如，在基板G被加热时，由基板G的第一面G1上的涂敷膜F内的成分产生的升华物易于经由排气口1o从处理空间2s排出。更一般地说，例如，在基板G被加热时，由附着于基板G的第一面G1的处理液内的成分产生的升华物易于经由排气口1o从处理空间2s排出。由此，例如，在基板G被加热时，由基板G的第一面G1上的涂敷膜F内的成分产生的升华物难以附着于腔室2的内表面2i。更一般地说，例如，在基板G被加热时，由附着于基板G的第一面G1的处理液内的成分产生的升华物难以附着于腔室2的内表面2i。其结果，例如，难以产生来自腔室2的内表面2i的附着物的颗粒，从而基板G难以被污染。因此，例如，能够提高基板G的品质。

供气部7例如向处理空间2s进行气体的供给(也称为供气)。由此，例如，处理空间2s从减压的状态设定为未减压的状态(也称为常压状态)。供气部7例如包括供气配管71、气体供给源72以及第二开闭阀73。供气配管71例如安装于基座部21的底板部211，从底板部211向下方突出。供气配管71的一端(也称为第三端部)E3在底板部211的开口(也称为供气口)2o与腔室2内的处理空间2s连通。换言之，腔室2例如具有位于基座部21的供气口2o。并且，例如，供气部7与腔室2的供气口2o连接。在此，供气口2o例如与整流板6的下表面6b相对。

另外，例如，在供气配管71安装有第二开闭阀73。供气配管71的另一端(也称为第四端部)E4例如与气体供给源72连接。气体供给源72例如与设置有基板处理装置9的设备所具有的供气用的动力设备连接。气体供给源72例如供给氮气等非活性气体。第二开闭阀73例如应用各种阀。在此，例如，响应于来自控制部8的开闭指令对第二开闭阀73进行开闭，由此执行或停止从供气口2o向处理空间2s的供气。在该情况下，例如，在腔室2的处理空间2s被密闭的状态下，第一开闭阀43响应于从控制部8输出的闭指令而关闭，从而停止处理空间2s的减压，并且，第二开闭阀73响应于从控制部8输出的开指令而打开，进行从供气口2o向处理空间2s的供气。由此，例如，处理空间2s从减压状态设定为常压状态。另一方面，例如，第二开闭阀73响应于从控制部8输出的闭指令而关闭，从而停止从供气口2o向处理空间2s的供气。

在图2中，示出了减压干燥装置1具有两个供气部7的例子，但不限于此。减压干燥装置1例如可以具有一个供气部7，也可以具有三个以上任意数量的供气部7。换言之，减压干燥装置1例如可以具有一个以上的供气部7。另外，供气配管71例如可以安装于盖部22，供气口2o可以形成于顶板部221的下表面221i和侧壁部222的内表面222i中的任一方。另外，气体供给源72例如可以由多个供气部7共享。

在上述的第一实施方式的减压干燥装置1中，例如，未设有用于使支撑部3升降的结构和驱动机构。因此，例如，能够将第二加热部分52容易地配置于基座部21的外表面Sf2的更大范围。由此，例如，在基板G被加热时，由基板G的第一面G1上的涂敷膜F内的成分产生的升华物难以附着于基座部21的底板部211的上表面211i。更一般地说，例如，在基板G被加热时，由附着于基板G的第一面G1的处理液内的成分产生的升华物难以附着于腔室2的内表面2i。其结果，例如，难以产生来自腔室2的内表面2i的附着物的颗粒，从而基板G难以被污染。因此，例如，能够提高基板G的品质。另外，例如，当第二加热部分52配置于基座部21的外表面Sf2的更大范围时，可以缩短腔室2的升温所需的时间，从而可以缩短减压干燥装置1中的减压干燥处理所需的时间。换言之，例如，能够缩短减压干燥装置1中的减压干燥处理的节拍时间。

另外，在上述的第一实施方式的减压干燥装置1中，例如，在处理空间2s内未设有具有用于使多个支撑销3p贯通的多个贯通孔等的加热板等加热机构。因此，例如，能够减少位于基板G的附近的具有凹凸或者孔部等的结构体的存在数量。由此，例如，基板G上的涂敷膜F难以产生干燥不均匀(转印不均匀)。更一般地说，例如，附着有处理液的基板G难以产生干燥不均匀(转印不均匀)。其结果，例如，能够提高基板G的品质。

<1-3.减压干燥处理的流程>

图4是示出第一实施方式的减压干燥装置1的动作流程的一例的流程图。图5A至图8是用于说明减压干燥装置1的动作的图。图4的动作流程例如通过控制部8的控制来执行。在该动作流程开始前，假设例如第一开闭阀43和第二开闭阀73被关闭，如图5A所示，腔室2的处理空间2s被开放。在此，图4的步骤S1至步骤S6的处理以如下所述顺序进行。

在步骤S1中，例如，如图5B所示，第一面G1上形成有涂敷膜F的基板G被搬入到腔室2内的处理空间2s。在此，例如，通过搬运机器人等搬运机构，将基板G载置于多个支撑销3p上。

在步骤S2中，例如，如图6A所示，腔室2内的处理空间2s被密闭。在此，例如，开闭驱动部2m响应于来自控制部8的下降指令，使盖部22下降，由此盖部22经由密封件23被按压于基座部21。由此，例如，基座部21与盖部22之间的处理空间2s被密闭。

在步骤S3中，例如，图6B所示，并行执行加热部5对基板G的加热、以及排气部4通过对腔室2内排气来进行的腔室2内的减压。在此，例如，在经过了规定时间时进行响应，使加热部5对基板G的加热和排气部4对腔室2内的减压停止。更具体而言，例如，如果加热部5对基板G的加热和排气部4对腔室2内的减压中的至少一方的处理在开始之后经过了规定时间，则可以使加热部5对基板G的加热和排气部4对腔室2内的减压停止。此时，例如，可以使加热部5对基板G的加热和排气部4对腔室2内的减压中的任一方先开始或先停止，或者可以使两者同时开始或同时停止。在图6B中，使用粗双点划线箭头示出了从形成于基板G的第一面G1上的涂敷膜F气化的溶剂以第一间隙Gp1、第二间隙Gp2以及排气口1o的顺序通过它们后流入排气配管41内的路径(也称为排气路径)。另外，在图6B中，使用带有斜阴影线的向下箭头示出了基板G从上方被加热的情形，使用带有斜阴影线的向上箭头示出了基板G从下方被加热的情形。

在该步骤S3中，例如，在腔室2内的处理空间2s中，通过加热部5从腔室2的外部对支撑于支撑部3的基板G进行加热。更具体而言，例如，通过第一加热部分51从腔室2的上方对支撑于支撑部3的基板G进行加热，并且通过第二加热部分52从腔室2的下方对支撑于支撑部3的基板G进行加热。由此，例如，基板G被更均匀地加热，从而基板G上的涂敷膜F难以产生干燥不均匀。更一般地说，例如，附着有处理液的基板G难以产生干燥不均匀。其结果，例如，能够提高基板G的品质。另外，例如，当通过第一加热部分51、第二加热部分52以及第三加热部分53从腔室2的上方、下方以及侧方对支撑于支撑部3的基板G进行加热时，腔室2的内表面2i可以在宽范围上被加热。由此，例如，在基板G被加热时，由基板G的第一面G1上的涂敷膜F内的成分产生的升华物难以附着在腔室2的内表面2i。更一般地说，例如，在基板G被加热时，由附着于基板G的第一面G1的处理液内的成分产生的升华物难以附着在腔室2的内表面2i。其结果，例如，难以产生来自腔室2的内表面2i的附着物的颗粒，从而基板G难以被污染。因此，例如，能够提高基板G的品质。

在步骤S4中，例如，如图7A所示，氮气等非活性气体通过供气部7供给到腔室2内的处理空间2s。在此，例如，在腔室2的处理空间2s被密闭的状态下，第二开闭阀73响应于从控制部8输出的开指令而打开，进行从供气口2o向处理空间2s的供气。由此，例如，处理空间2s从减压状态设定为常压状态。并且，例如，在经过了规定时间时进行响应，使供气部7对处理空间2s的供气停止。更具体而言，例如，如果供气部7对处理空间2s的供气在开始后经过了规定时间，则可以使供气部7对处理空间2s的供气停止。在图7A中，使用细双点划线箭头示出了从供气口2o向处理空间2s供给的气体的流动路径(也称为供气路径)。

在步骤S5中，例如，图7B所示，腔室2内的处理空间2s被开放。在此，例如，开闭驱动部2m响应于来自控制部8的上升指令，使盖部22上升，由此盖部22从基座部21和密封件23向上方分离。由此，例如，基座部21与盖部22之间的处理空间2s被开放。

在步骤S6中，例如，如图8所示，将第一面G1上的涂敷膜F干燥后的基板G从腔室2内的处理空间2s搬出。在此，例如，通过搬运机器人等搬运机构，将载置于多个支撑销3p的上的基板G搬出到腔室2的外部。

<1-4.第一实施方式的总结>

如上所述，在第一实施方式的减压干燥装置1中，例如，在腔室2内，支撑于支撑部3的基板G通过加热部5从腔室2的外部被加热。因此，例如，用于加热基板G的加热部5不存在于腔室2内。由此，例如，可以降低腔室2内的灰尘产生。其结果，例如，在减压干燥装置1中，基板G难以被污染。因此，例如，能够提高基板G的品质。

另外，在第一实施方式的减压干燥装置1中，例如，未设有用于使支撑部3升降的结构和驱动机构。因此，例如，能够将第二加热部分52容易地配置于基座部21的外表面Sf2的更大范围。由此，例如，在基板G被加热时，由附着于基板G的第一面G1的处理液内的成分产生的升华物难以附着在腔室2的内表面2i。其结果，例如，难以产生来自腔室2的内表面2i的附着物的颗粒，从而基板G难以被污染。因此，例如，能够提高基板G的品质。另外，例如，通过使第二加热部分52配置于基座部21的外表面Sf2的更大范围，可以缩短腔室2的升温所需的时间，从而可以缩短减压干燥装置1中的减压干燥处理的节拍时间。

另外，在第一实施方式的减压干燥装置1中，例如，在处理空间2s内未设有具有用于使多个支撑销3p贯通的多个贯通孔等的加热板等加热机构。因此，例如，能够减少位于基板G的附近的具有凹凸或者孔部等的结构体的存在数量。由此，例如，附着有处理液的基板G难以产生干燥不均匀(转印不均匀)。其结果，例如，能够提高基板G的品质。

<2.其他实施方式>

本实用新型并不限于上述的第一实施方式，在不脱离本实用新型的要旨的范围内能够进行各种变更和改良等。

<2-1.第二实施方式>

在上述第一实施方式中，例如，可以没有整流板6。

图9是示出第二实施方式的减压干燥装置1A的概略结构的一例的图。图9所示的减压干燥装置1A具有如下形态：在图2所示的第一实施方式的减压干燥装置1的基础上，去掉了整流板6和多个柱部6s，多个支撑销3p被变更为从底板部211的上表面211i向上方延伸。在该情况下，例如，各支撑销3p的下端部与底板部211的上表面211i连接。在此，例如，第二加热部分52从外表面Sf2侧对基座部21进行加热，通过来自基座部21的上表面211i和内表面212i的放射热，从下方加热支撑于支撑部3的基板G。当采用这样的结构时，例如，可以简化处理空间2s内的结构，从而可以使腔室2内的维护变得容易。

<2-2.第三实施方式>

在上述各实施方式中，例如，可以没有从腔室2的侧方加热支撑于支撑部3的基板G的第三加热部分53。

图10是示出第三实施方式的减压干燥装置1B的概略结构的一例的图。图10所示的减压干燥装置1B具有如下形态：在图2所示的第一实施方式的减压干燥装置1的基础上，加热部5变更为去掉了第三加热部分53的加热部5B的形态。换言之，加热部5包括第一加热部分51、第二加热部分52。即使采用这样的结构，例如，只要通过第一加热部分51和第二加热部分52从上方和下方对基板G进行加热，就能够对基板G均匀地加热。由此，例如，基板G上的涂敷膜F难以产生干燥不均匀。更一般地说，例如，附着有处理液的基板G难以产生干燥不均匀。其结果，例如，能够提高基板G的品质。

<2-3.第四实施方式>

在上述各实施方式中，例如，腔室2可以在其侧方设置有像闸门那样的开闭部，以此代替基座部21和相对于该基座部21能够在上下方向上接触或分离的盖部22。

图11是示出第四实施方式的减压干燥装置1C的概略结构的一例的图。图11所示的减压干燥装置1C具有如下形态：在图2所示的第一实施方式的减压干燥装置1的基础上，腔室2变更为包括腔室主体部24和开闭部25的腔室2C，加热部5变更为追加了沿开闭部25的第一方向(-X方向)的侧面(也称为第一侧面)25f设置的第四加热部分54的加热部5C。

腔室主体部24例如具有在第一方向(-X方向)上开口的开口部2io，并且外形呈大致长方体形状的箱状的形状。并且，腔室主体部24在其内部设置有中空的处理空间2s。更具体而言，腔室主体部24例如包括分别沿水平方向配置的底板部241和顶板部242、以及连接底板部241和顶板部242的侧壁部243。当从下方仰视底板部241时，底板部241例如具有矩形形状。当从上方俯视顶板部242时，顶板部242例如具有矩形形状。侧壁部243例如具有沿Z方向延伸的角筒状的外形，并且在第一方向(-X方向)上设置有开口部2io。

例如，开闭部25配置于腔室主体部24的开口部2io的侧方，并且从-X方向与腔室主体部24的开口部2io相对。开闭部25例如具有沿着开口部2io的板状形状。另外，腔室2C例如具有沿着位于腔室主体部24的开口部2io的周围的侧面部24s配置的O形环等密封件23C。更具体而言，例如，开闭部25的第二方向(+X方向)的侧面(也称为第二侧面)25i和位于腔室主体部24的开口部2io的周围的侧面部24s经由密封件23C彼此接触。换言之，例如，腔室主体部24和开闭部25经由密封件23C彼此接触。腔室主体部24和开闭部25的坯料例如采用具有能够承受处理空间2s的减压的刚性以及强度和优良的导热性的铝等金属。

在此，减压干燥装置1C例如可以包括图11中示意性地示出的开闭驱动部2mC，以开闭腔室2C。开闭驱动部2mC例如能够通过使腔室主体部24和开闭部25彼此接触来关闭处理空间2s，另一方面，通过使腔室主体部24和开闭部25彼此分离来打开处理空间2s。开闭驱动部2mC例如应用使开闭部25在X方向和Z方向上相对于腔室主体部24移动的驱动机构。开闭驱动部2mC例如根据来自控制部8的指令进行动作，使开闭部25相对于腔室主体部24朝-X方向分离，进一步，使开闭部25在Z方向上上升到比开口部2io更靠上方的位置。由此，例如，处理空间2s被开放。此时，例如，可以经由开口部2io向处理空间2s搬入基板G或从处理空间2s搬出基板G。另外，开闭驱动部2mC例如根据来自控制部8的指令进行动作，使开闭部25下降到与开口部2io相对的位置，进一步，使开闭部25相对于腔室主体部24朝+X方向移动。此时，例如，开闭部25经由密封件23C被按压于腔室主体部24。由此，例如，处理空间2s通过腔室主体部24和开闭部25而被密闭。

另外，第一加热部分51例如沿着顶板部242的上表面242f配置。例如，第一加热部分51配置为覆盖顶板部242的上表面242f。例如，第二加热部分52沿着底板部241的外表面241f配置。外表面241f例如包括底板部241的下表面和侧面。例如，第二加热部分52配置为覆盖底板部241的外表面241f。第三加热部分53例如沿着侧壁部243的外表面243f配置。例如，第三加热部分53配置为覆盖侧壁部243的外表面243f。即使采用这样的结构，例如，支撑于支撑部3的基板G也可以在腔室2内通过加热部5C从腔室2的外部被加热。第四加热部分54例如沿着开闭部25的第一侧面25f配置。例如，第四加热部分54配置为覆盖开闭部25的第一侧面25f。在此，例如，在腔室2内未设有用于加热基板G的加热部5C，从而能够降低腔室2内的灰尘产生。由此，例如，在减压干燥装置1C中，基板G难以被污染。其结果，例如，能够提高基板G的品质。

另外，在此，例如，未设有用于使支撑部3升降的结构和驱动机构，从而能够将第二加热部分52容易地配置于底板部241的外表面241f的更大范围。由此，例如，在基板G被加热时，由附着于基板G的第一面G1的处理液内的成分产生的升华物难以附着在腔室2的内表面2i。其结果，例如，难以产生来自腔室2的内表面2i的附着物的颗粒，从而基板G难以被污染。因此，例如，能够提高基板G的品质。另外，例如，若第二加热部分52配置于底板部241的外表面241f的更大范围，则可以缩短腔室2的升温所需的时间，从而可以缩短减压干燥装置1中的减压干燥处理的节拍时间。

另外，例如，在处理空间2s内未设有具有用于使多个支撑销3p贯通的多个贯通孔等的加热板等加热机构，从而可以减少具有位于基板G的附近的凹凸或者孔部等的结构体的存在数量。由此，例如，附着有处理液的基板G难以产生干燥不均匀(转印不均匀)，从而能够提高基板G的品质。

<2-4.其他实施方式>

在上述各实施方式中，例如，排气口1o可以位于腔室2、2C的底板部211、241的四角部分等除了中央以外的部分。另外，例如，排气口1o可以位于腔室2、2C的侧方的部分。

在上述各实施方式中，减压干燥装置1、1A～1C是基板处理装置9的一部分，但是减压干燥装置1、1A～1C也可以是不与构成基板处理装置9的其他处理部一起设置的独立的装置。另外，上述各实施方式的减压干燥装置1、1A～1C是用于使附着有PI液或抗蚀剂液等的基板G干燥的装置，但是减压干燥装置1、1A～1C也可以是使附着有其他处理液的基板G干燥的装置。例如，也可以将具有与减压干燥装置1、1A～1C相同结构的装置(也称为烘烤装置)应用于脱水烘干部92和后烘干部98的至少一个部分。

在上述第一实施方式、上述第三实施方式以及上述第四实施方式中，例如，将两个以上的温度计配置于整流板6，并且将加热部5、5B、5C分割为多个部分，由此，控制部8可以根据由两个以上的温度计检测到的温度来控制加热部5、5B、5C，以使整流板6的温度分布更均匀。另外，例如，可以适当设定多个柱部6s的配置和分布，以使整流板6的温度分布更均匀。

在上述各实施方式中，例如，可以在排气配管41安装用于调整气体的流量的调整阀等其他结构，也可以在供气配管71安装用于调整气体的流量的调整阀和过滤器等其他结构。

在上述各实施方式中，减压干燥装置1、1A～1C将玻璃基板等作为处理对象的基板G，玻璃基板例如可以应用液晶显示装置用玻璃基板、PDP(等离子显示器)用玻璃基板或者光掩模用玻璃基板等。另外，作为处理对象的基板G，例如还可以采用与玻璃基板不同的半导体晶片、滤色器用基板、记录盘用基板或者太阳能电池用基板等其他精密电子装置用的基板。

此外，当然能够在不产生矛盾的范围内适当组合分别构成上述各实施方式和各种变形例的全部或一部分。

Claims (8)

1.一种减压干燥装置，通过减压使在第一面附着有处理液的基板干燥，其中，

所述减压干燥装置具有：

腔室，具有容纳所述基板的处理空间；

支撑部，在所述处理空间中以使所述第一面朝向上方的状态支撑所述基板的与所述第一面相反一侧的第二面；

排气部，通过从所述处理空间排出气体来使所述处理空间内减压；以及

加热部，从所述腔室的外部对支撑于所述支撑部的所述基板进行加热。

2.根据权利要求1所述的减压干燥装置，其中，

所述加热部包括：

第一加热部分，从所述腔室的上方对支撑于所述支撑部的所述基板进行加热；以及

第二加热部分，从所述腔室的下方对支撑于所述支撑部的所述基板进行加热。

3.根据权利要求2所述的减压干燥装置，其中，

所述加热部包括从所述腔室的侧方对支撑于所述支撑部的所述基板进行加热的第三加热部分。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的减压干燥装置，其中，

所述减压干燥装置包括控制部，所述控制部通过控制所述加热部和所述排气部，来使所述加热部对所述基板的加热和所述排气部对所述腔室内的减压并行执行。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的减压干燥装置，其中，

所述腔室包括彼此能够接触或分离的第一腔室部分和第二腔室部分，所述第二腔室部分位于所述第一腔室部分的上方，

所述支撑部安装于所述第一腔室部分，

所述减压干燥装置还包括驱动部，所述驱动部通过使所述第一腔室部分和所述第二腔室部分彼此接触来关闭所述处理空间，通过使所述第一腔室部分和所述第二腔室部分彼此分离来打开所述处理空间。

6.根据权利要求5所述的减压干燥装置，其中，

所述支撑部包括与所述第二面接触的接触部分，

所述接触部分配置于在上下方向上比所述第一腔室部分的上端更高的位置。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的减压干燥装置，其中，

所述减压干燥装置具有整流板，所述整流板在所述处理空间内的所述支撑部的下方沿水平方向配置。

8.根据权利要求7所述的减压干燥装置，其中，

所述腔室具有排气口，所述排气口位于所述整流板的下方并与所述排气部连接。

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