CN212907706U - 一种10000w的smc封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型适用于SMC封装技术领域，提供了一种10000W的SMC封装结构，包括下框架、胶体和上框架，所述下框架的顶部与胶体底部的右侧接触，所述胶体左侧的底部与下框架的左侧接触，所述下框架的顶部设置有芯片，所述芯片的数量有两个，所述上框架底部的右侧设置有焊料，所述焊料的底部与芯片的顶部接触，通过下框架、胶体、上框架、芯片和焊料的设置，达到了可以容纳更大芯片的优点，解决现有的SMC封装结构无法容纳更大的芯片，且不能进行叠片增加功率，耐腐蚀性能和使用强度低，会影响SMC封装结构的使用寿命，无法用普通的TVS芯片达到10000W水平，无法满足使用者的需求，降低了SMC封装结构实用性的问题。
Description
技术领域
本实用新型属于SMC封装技术领域，尤其涉及一种10000W的 SMC封装结构。
背景技术
瞬态抑制二极管TVS产品，广泛应用于太阳能逆变器、机顶盒、 MOSFET保护、工业控制、电信基站和以太网供电之类的应用中，在实际应用中，当脉冲能量超过TVS管所能承受的能量时，TVS管就会产生过电应力损伤，从而导致TVS管失效，传统的SMC封装结构，无法容纳更大的芯片，且不能进行叠片增加功率，耐腐蚀性能和使用强度低，会影响SMC封装结构的使用寿命，无法用普通的TVS芯片达到10000W水平，无法满足使用者的需求，降低了SMC封装结构的实用性。
实用新型内容
本实用新型提供一种10000W的SMC封装结构，旨在解决现有的SMC封装结构无法容纳更大的芯片，且不能进行叠片增加功率，耐腐蚀性能和使用强度低，会影响SMC封装结构的使用寿命，无法用普通的TVS芯片达到10000W水平，无法满足使用者的需求，降低了SMC封装结构实用性的问题。
本实用新型是这样实现的，一种10000W的SMC封装结构，包括下框架、胶体和上框架，所述下框架的顶部与胶体底部的右侧接触，所述胶体左侧的底部与下框架的左侧接触，所述下框架的顶部设置有芯片，所述芯片的数量有两个，所述上框架底部的右侧设置有焊料，所述焊料的底部与芯片的顶部接触。
优选的，所述焊料包括铜合金层，所述铜合金层的外表面包裹有镀锌层，所述镀锌层的厚度与铜合金层的厚度相同。
优选的，所述胶体包括陶瓷基板，所述陶瓷基板的外表面设置有环氧树脂层，所述环氧树脂层的外表面设置有氧化铝层。
优选的，所述胶体的外表面与陶瓷基板的内腔粘连，所述陶瓷基板的外表面与环氧树脂层的内腔粘连，所述环氧树脂层的外表面与氧化铝层的内腔粘连。
优选的，所述焊料的外表面与铜合金层的内腔粘连，所述铜合金层的外表面与镀锌层的内腔粘连。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型的一种 10000W的SMC封装结构：
1)通过下框架、胶体、上框架、芯片和焊料的设置，达到了可以容纳更大芯片的优点，解决现有的SMC封装结构无法容纳更大的芯片，且不能进行叠片增加功率，耐腐蚀性能和使用强度低，会影响 SMC封装结构的使用寿命，无法用普通的TVS芯片达到10000W水平，无法满足使用者的需求，降低了SMC封装结构实用性的问题；
2)通过设置环氧树脂层，不但具有密实、抗水、抗渗漏好、强度高等特点，同时具有附着力强、常温操作、施工简便等良好的工艺性，而且价格适中，增加了胶体耐腐蚀性能和使用强度，提高了胶体的使用寿命，通过设置陶瓷基板和氧化铝层，是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝或氮化铝、陶瓷基片表面上的特殊工艺板，所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力，增加了胶体的使用强度和优良电绝缘性能，通过设置铜合金层和镀锌层，其中铜合金层铜密度为8.96、熔点为1083℃，具有优良的导电性、导热性、延展性和耐蚀性，提高了焊料5的导线性能和耐蚀性能，延长了焊料的使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构示意图；
图2为本实用新型的胶体结构俯视图；
图3为本实用新型的胶体结构示意图；
图4为本实用新型的焊料结构示意图。
图中：1-下框架；2-胶体；201-陶瓷基板；202-环氧树脂层；203- 氧化铝层；3-上框架；4-芯片；5-焊料；501-铜合金层；502-镀锌层。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
请参阅图1-4，本实用新型提供一种10000W的SMC封装结构：包括下框架1、胶体2和上框架3，下框架1的顶部与胶体2底部的右侧接触，胶体2左侧的底部与下框架1的左侧接触，下框架1的顶部设置有芯片4，芯片4的数量有两个，上框架3底部的右侧设置有焊料5，焊料5的底部与芯片4的顶部接触。
进一步的，焊料5包括铜合金层501，铜合金层501的外表面包裹有镀锌层502，镀锌层502的厚度与铜合金层501的厚度相同；
本实施例中，通过设置铜合金层501和镀锌层502，其中铜合金层501铜密度为8.96、熔点为1083℃，具有优良的导电性、导热性、延展性和耐蚀性，提高了焊料5的导线性能和耐蚀性能，延长了焊料 5的使用寿命。
进一步的，胶体2包括陶瓷基板201，陶瓷基板201的外表面设置有环氧树脂层202，环氧树脂层202的外表面设置有氧化铝层203；
本实施例中，通过设置陶瓷基板201和氧化铝层203，是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝或氮化铝、陶瓷基片表面上的特殊工艺板，所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力，增加了胶体2的使用强度和优良电绝缘性能。
进一步的，胶体2的外表面与陶瓷基板201的内腔粘连，陶瓷基板201的外表面与环氧树脂层202的内腔粘连，环氧树脂层202的外表面与氧化铝层203的内腔粘连；
本实施例中，通过设置氧化铝层203，是一种高硬度的化合物，熔点为2054℃，沸点为2980℃，在高温下可电离的离子晶体，增加了焊料5的耐高温性能。
进一步的，焊料5的外表面与铜合金层501的内腔粘连，铜合金层501的外表面与镀锌层502的内腔粘连；
本实施例中，通过镀锌层502，经钝化处理、染色或涂覆护光剂后，能显著提高其防护性和装饰性。
在本实施方式中，具体安装时，首先检查本装置各部件之间的连接情况，确保各部件连接紧密后，将本装置胶体2改大改厚。
具体使用时，通过设置环氧树脂层202，不但具有密实、抗水、抗渗漏好、强度高等特点，同时具有附着力强、常温操作、施工简便等良好的工艺性，而且价格适中，增加了胶体2耐腐蚀性能和使用强度，提高了胶体2的使用寿命，通过设置陶瓷基板201和氧化铝层203，是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝或氮化铝、陶瓷基片表面上的特殊工艺板，所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力，增加了胶体2的使用强度和优良电绝缘性能，通过设置铜合金层501和镀锌层502，其中铜合金层501 铜密度为8.96、熔点为1083℃，具有优良的导电性、导热性、延展性和耐蚀性，提高了焊料5的导线性能和耐蚀性能，延长了焊料5的使用寿命，通过设置氧化铝层203，是一种高硬度的化合物，熔点为 2054℃，沸点为2980℃，在高温下可电离的离子晶体，增加了焊料5 的耐高温性能，通过镀锌层502，经钝化处理、染色或涂覆护光剂后，能显著提高其防护性和装饰性，从而达到了可以容纳更大芯片的优点，解决现有的SMC封装结构无法容纳更大的芯片，且不能进行叠片增加功率，耐腐蚀性能和使用强度低，会影响SMC封装结构的使用寿命，无法用普通的TVS芯片达到10000W水平，无法满足使用者的需求，降低了SMC封装结构实用性的问题。
还应说明的是：芯片的数量可以叠加，通过胶体2加大从而可以容纳更大的芯片4，可以增加功率，用普通的TVS芯片4亦可达到 10000W水平。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种10000W的SMC封装结构，其特征在于：包括下框架(1)、胶体(2)和上框架(3)，所述下框架(1)的顶部与胶体(2)底部的右侧接触，所述胶体(2)左侧的底部与下框架(1)的左侧接触，所述下框架(1)的顶部设置有芯片(4)，所述芯片(4)的数量有两个，所述上框架(3)底部的右侧设置有焊料(5)，所述焊料(5)的底部与芯片(4)的顶部接触。
2.如权利要求1所述的一种10000W的SMC封装结构，其特征在于：所述焊料(5)包括铜合金层(501)，所述铜合金层(501)的外表面包裹有镀锌层(502)，所述镀锌层(502)的厚度与铜合金层(501)的厚度相同。
3.如权利要求1所述的一种10000W的SMC封装结构，其特征在于：所述胶体(2)包括陶瓷基板(201)，所述陶瓷基板(201)的外表面设置有环氧树脂层(202)，所述环氧树脂层(202)的外表面设置有氧化铝层(203)。
4.如权利要求1所述的一种10000W的SMC封装结构，其特征在于：所述胶体(2)的外表面与陶瓷基板(201)的内腔粘连，所述陶瓷基板(201)的外表面与环氧树脂层(202)的内腔粘连，所述环氧树脂层(202)的外表面与氧化铝层(203)的内腔粘连。
5.如权利要求1所述的一种10000W的SMC封装结构，其特征在于：所述焊料(5)的外表面与铜合金层(501)的内腔粘连，所述铜合金层(501)的外表面与镀锌层(502)的内腔粘连。
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