CN212695140U - 一种散热增强型smc封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型适用于SMC封装技术领域,提供了一种散热增强型SMC封装结构,包括胶体,所述胶体的底部设置有下框架,所述胶体的内腔设置有上框架,所述上框架底部的左侧设置有焊料,所述焊料包括合金基材层,所述焊料的底部设置有芯片,所述芯片的底部与下框架顶部的连接处设置有焊接层,所述焊接层为树脂粘合剂,所述芯片的底部与下框架的顶部接触,所述上框架的左侧贯穿至胶体的左侧,通过胶体、下框架、上框架、焊料、芯片和焊接层的设置,达到了散热效果好的优点,解决现有的增强型SMC封装结构散热效果差,无法针对性的优化散热结构,无法满足使用者的需求,降低了增强型SMC封装结构实用性的问题。
Description
技术领域
本实用新型属于SMC封装技术领域,尤其涉及一种散热增强型SMC封装结构。
背景技术
瞬态抑制二极管TVS产品,广泛应用于太阳能逆变器、机顶盒、MOSFET保护、工业控制、电信基站和以太网供电之类的应用中,在实际应用中,当脉冲能量超过TVS管所能承受的能量时,TVS管就会产生过电应力损伤,从而导致TVS管失效,目前现有的增强型SMC封装结构,散热效果差,无法针对性的优化散热结构,无法满足使用者的需求,降低了增强型SMC封装结构的实用性。
实用新型内容
本实用新型提供一种散热增强型SMC封装结构,旨在解决现有的增强型SMC封装结构散热效果差,无法针对性的优化散热结构,无法满足使用者的需求,降低了增强型SMC封装结构实用性的问题。
本实用新型是这样实现的,一种散热增强型SMC封装结构,包括胶体,所述胶体的底部设置有下框架,所述胶体的内腔设置有上框架,所述上框架底部的左侧设置有焊料,所述焊料的底部设置有芯片,所述芯片的底部与下框架的顶部接触,所述上框架的左侧贯穿至胶体的左侧。
优选的,所述芯片的底部与下框架顶部的连接处设置有焊接层,所述焊接层为树脂粘合剂。
优选的,所述焊料包括合金基材层,所述合金基材层的外表面设置有阻燃材料层,所述阻燃材料层的外表面设置有耐高温层。
优选的,所述芯片包括玻璃纤维层,所述玻璃纤维层的外表面设置有硅材质层,所述硅材质层和合金基材层的厚度相同。
优选的,所述芯片的外表面与玻璃纤维层的内腔粘连,所述玻璃纤维层的外表面与硅材质层的内腔粘连。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型的一种散热增强型SMC封装结构:
1)通过胶体、下框架、上框架、焊料、芯片和焊接层的设置,达到了散热效果好的优点,解决现有的增强型SMC封装结构散热效果差,无法针对性的优化散热结构,无法满足使用者的需求,降低了增强型SMC封装结构实用性的问题;
2)通过设置玻璃纤维层,玻璃纤维通常用作复合材料中的增强材料,电绝缘材料和绝热保温材料,优点是绝缘性好、耐热性强、抗腐蚀性好,机械强度高,增加了该装置绝缘性能和耐腐蚀性能,通过设置硅材质层,可以耐200℃以上的高温,在高温的环境下可以使用,还可以防水、防热,可适应于不同的作业环境,同时具有相当高的化学安定性,不易与周遭的生理组织产生反应,因此易于使用在生物的应用中,尤其是芯片的制造,提高了该装置耐高温性能,通过设置合金基材层,具有硬度大、耐热性好、抗腐蚀好的优点,利用合金的这一特性,可以制造高电阻和高热阻材料,还可制造有特殊性能的材料,增加了该装置的实用性。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构示意图;
图2为本实用新型的胶体结构俯视图;
图3为本实用新型的焊料结构示意图;
图4为本实用新型的芯片结构示意图。
图中:1-胶体;2-下框架;3-上框架;4-焊料;401-合金基材层;402-阻燃材料层;403-耐高温层;5-芯片;501-玻璃纤维层;502-硅材质层;6-焊接层。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
请参阅图1-4,本实用新型提供一种散热增强型SMC封装结构:包括胶体1,胶体1的底部设置有下框架2,胶体1的内腔设置有上框架3,上框架3底部的左侧设置有焊料4,焊料4的底部设置有芯片5,芯片5的底部与下框架2的顶部接触,上框架3的左侧贯穿至胶体1的左侧。
进一步的,芯片5的底部与下框架2顶部的连接处设置有焊接层6,焊接层6为树脂粘合剂;
本实施例中,通过设置焊接层6,SMC的下框架2改成跟PCB直接整体接触焊接,而芯片5直接焊于下框架2上,这个结构大大降低了封装热阻,上框架3结构保持不变,仍是引脚跟PCB焊接,传统的SMC框架进行修改,将下框架2的折弯结构进行了简化和加大加厚,并且塑封体的厚度也大大减小。
进一步的,焊料4包括合金基材层401,合金基材层401的外表面设置有阻燃材料层402,阻燃材料层402的外表面设置有耐高温层403;
本实施例中,通过设置合金基材层401,具有硬度大、耐热性好、抗腐蚀好的优点,利用合金的这一特性,可以制造高电阻和高热阻材料,还可制造有特殊性能的材料,增加了该装置的实用性。
进一步的,芯片5包括玻璃纤维层501,玻璃纤维层501的外表面设置有硅材质层502,硅材质层502和合金基材层401的厚度相同;
本实施例中,通过设置玻璃纤维层501,玻璃纤维通常用作复合材料中的增强材料,电绝缘材料和绝热保温材料,优点是绝缘性好、耐热性强、抗腐蚀性好,机械强度高,增加了该装置绝缘性能和耐腐蚀性能。
进一步的,芯片5的外表面与玻璃纤维层501的内腔粘连,玻璃纤维层501的外表面与硅材质层502的内腔粘连;
本实施例中,通过设置硅材质层502,可以耐200℃以上的高温,在高温的环境下可以使用,还可以防水、防热,可适应于不同的作业环境,同时具有相当高的化学安定性,不易与周遭的生理组织产生反应,因此易于使用在生物的应用中,尤其是芯片5的制造,提高了该装置耐高温性能。
在本实施方式中,具体安装时,首先检查本装置各部件之间的连接情况,确保各部件连接紧密后,将本装置针对TVS二极管的特点,针对性的优化散热结构,在尽量节省成本的前提下,极大提升TVS二极管的散热性能,只需要不多的投入,全面升级了SMC封装的散热性能,并且用于抛负载防护也有良好的表现,SMC的下框架2改成跟PCB直接整体接触焊接,而芯片5直接焊于下框架2上,这个结构大大降低了封装热阻,上框架3结构保持不变,仍是引脚跟PCB焊接,传统的SMC框架进行修改,将下框架2的折弯结构进行了简化和加大加厚,并且塑封体的厚度也大大减小。
具体使用时,通过设置玻璃纤维层501,玻璃纤维通常用作复合材料中的增强材料,电绝缘材料和绝热保温材料,优点是绝缘性好、耐热性强、抗腐蚀性好,机械强度高,增加了该装置绝缘性能和耐腐蚀性能,通过设置硅材质层502,可以耐200℃以上的高温,在高温的环境下可以使用,还可以防水、防热,可适应于不同的作业环境,同时具有相当高的化学安定性,不易与周遭的生理组织产生反应,因此易于使用在生物的应用中,尤其是芯片5的制造,提高了该装置耐高温性能,通过设置合金基材层401,具有硬度大、耐热性好、抗腐蚀好的优点,利用合金的这一特性,可以制造高电阻和高热阻材料,还可制造有特殊性能的材料,增加了该装置的实用性,从而达到了散热效果好的优点。
还应说明的是:通过胶体1、下框架2、上框架3、焊料4、芯片5和焊接层6的设置,达到了散热效果好的优点,解决现有的增强型SMC封装结构散热效果差,无法针对性的优化散热结构,无法满足使用者的需求,降低了增强型SMC封装结构实用性的问题。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种散热增强型SMC封装结构,其特征在于:包括胶体(1),所述胶体(1)的底部设置有下框架(2),所述胶体(1)的内腔设置有上框架(3),所述上框架(3)底部的左侧设置有焊料(4),所述焊料(4)的底部设置有芯片(5),所述芯片(5)的底部与下框架(2)的顶部接触,所述上框架(3)的左侧贯穿至胶体(1)的左侧。
2.如权利要求1所述的一种散热增强型SMC封装结构,其特征在于:所述芯片(5)的底部与下框架(2)顶部的连接处设置有焊接层(6),所述焊接层(6)为树脂粘合剂。
3.如权利要求1所述的一种散热增强型SMC封装结构,其特征在于:所述焊料(4)包括合金基材层(401),所述合金基材层(401)的外表面设置有阻燃材料层(402),所述阻燃材料层(402)的外表面设置有耐高温层(403)。
4.如权利要求1所述的一种散热增强型SMC封装结构,其特征在于:所述芯片(5)包括玻璃纤维层(501),所述玻璃纤维层(501)的外表面设置有硅材质层(502),所述硅材质层(502)和合金基材层(401)的厚度相同。
5.如权利要求1所述的一种散热增强型SMC封装结构,其特征在于:所述芯片(5)的外表面与玻璃纤维层(501)的内腔粘连,所述玻璃纤维层(501)的外表面与硅材质层(502)的内腔粘连。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN202021903498.XU CN212695140U (zh) | 2020-09-03 | 2020-09-03 | 一种散热增强型smc封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN212695140U true CN212695140U (zh) | 2021-03-12 |
Family
ID=74903380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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