CN215896371U - 一种igbt模块的陶瓷基散热结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及散热结构技术领域，具体涉及一种IGBT模块的陶瓷基散热结构，包括陶瓷基材、设于陶瓷基材表面的第一连接层、及连接于第一连接层的第二连接层，所述第一连接层为铜层，所述第一连接层与第二连接层为焊接相连；本实用新型直接在陶瓷基材上通过真空镀上第一连接层，即铜层，后再通过焊接上第二连接层，结构连接稳定，使得焊接更加稳定，一体性更好，传热散热效果更佳。
Description
技术领域
本实用新型涉及散热结构技术领域，特别是涉及一种IGBT模块的陶瓷基散热结构。
背景技术
目前，IGBT模块在功率电子电路中的应用较为广泛，并且通常在采用半导体封装。IGBT半导体封装技术包含材料选择、结构设计、工艺设计、封装工艺等问题，把芯片通过校核计算且较为美观地匀称布局封装成模块。封装工艺需要考虑器件的电流平衡、芯片散热和工艺工序的简化等。现有的IGBT模块由于基材无法与散热或传热结构直接连接，导致传热效率较低，从而影响整体的散热效率。
实用新型内容
为解决上述问题，本实用新型提供一种直接在陶瓷基材上通过真空镀上第一连接层，即铜层，后再通过焊接上第二连接层，结构连接稳定，使得焊接更加稳定，一体性更好，传热散热效果更佳的IGBT模块的陶瓷基散热结构。
本实用新型所采用的技术方案是：一种IGBT模块的陶瓷基散热结构，包括陶瓷基材、设于陶瓷基材表面的第一连接层、及连接于第一连接层的第二连接层，所述第一连接层为铜层，所述第一连接层与第二连接层为焊接相连。
对上述方案的进一步改进为，所述陶瓷基材为氧化铝陶瓷。
对上述方案的进一步改进为，所述第一连接层通过真空镀附着于陶瓷基材表面。
对上述方案的进一步改进为，所述第一连接层的厚度为1～15μm。
对上述方案的进一步改进为，所述第二连接层为铝层。
对上述方案的进一步改进为，所述第二连接层为铜片，其厚度尺寸为0.02～2mm。
对上述方案的进一步改进为，所述第二连接层为散热片。
对上述方案的进一步改进为，所述第一连接层与第二连接层之间通过真空钎焊连接。
对上述方案的进一步改进为，所述第一连接层与第二连接层之间通过扩散焊接相连。
本实用新型的有益效果是：
相比传统的IGBT模块散热结构，本实用新型直接在陶瓷基材上通过真空镀上第一连接层，即铜层，后再通过焊接上第二连接层，结构连接稳定，使得焊接更加稳定，一体性更好，传热散热效果更佳。具体是，设置了陶瓷基材、设于陶瓷基材表面的第一连接层、及连接于第一连接层的第二连接层，所述第一连接层为铜层，所述第一连接层与第二连接层为焊接相连。根据使用情况和散热情况选择第二连接层的材质和结构，来配合第一连接层连接，可实现高效率传热和散热。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
附图标记说明：陶瓷基材1、第一连接层2、第二连接层3。
具体实施方式
为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。
如图1所示，一种IGBT模块的陶瓷基散热结构，包括陶瓷基材1、设于陶瓷基材1表面的第一连接层2、及连接于第一连接层2的第二连接层3，所述第一连接层2为铜层，所述第一连接层2与第二连接层3为焊接相连。
陶瓷基材1为氧化铝陶瓷，采用氧化铝陶瓷，结构可靠，通过真空镀附着效果好，一体性强。
本实施例中，第一连接层2通过真空镀附着于陶瓷基材1表面，第一连接层2的厚度为1～15μm，采用真空镀附着，结构可靠，一体性强。
本实施例中，第二连接层3为铜片，其厚度尺寸为0.02～2mm，采用铜片与铜层焊接，连接效果好，传热效率高。
在另一实施例中，第二连接层3为铝层或散热片，采用铝层或散热片进行传热散热，传热效率高，稳定性好。
在另一实施例中，第一连接层2与第二连接层3之间通过真空钎焊连接，采用真空钎焊连接，连接稳定，结构可靠。
在另一实施例中，第一连接层2与第二连接层3之间通过扩散焊接相连，通过扩散焊接相连，同样可将两者连接，结构稳定可靠。
本实用新型直接在陶瓷基材1上通过真空镀上第一连接层2，即铜层，后再通过焊接上第二连接层3，结构连接稳定，使得焊接更加稳定，一体性更好，传热散热效果更佳。具体是，设置了陶瓷基材1、设于陶瓷基材1表面的第一连接层2、及连接于第一连接层2的第二连接层3，所述第一连接层2为铜层，所述第一连接层2与第二连接层3为焊接相连。根据使用情况和散热情况选择第二连接层3的材质和结构，来配合第一连接层2连接，可实现高效率传热和散热。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (9)
1.一种IGBT模块的陶瓷基散热结构，其特征在于：包括陶瓷基材、设于陶瓷基材表面的第一连接层、及连接于第一连接层的第二连接层，所述第一连接层为铜层，所述第一连接层与第二连接层为焊接相连。
2.根据权利要求1所述的IGBT模块的陶瓷基散热结构，其特征在于：所述陶瓷基材为氧化铝陶瓷。
3.根据权利要求1所述的IGBT模块的陶瓷基散热结构，其特征在于：所述第一连接层通过真空镀附着于陶瓷基材表面。
4.根据权利要求1所述的IGBT模块的陶瓷基散热结构，其特征在于：所述第一连接层的厚度为1～15μm。
5.根据权利要求1所述的IGBT模块的陶瓷基散热结构，其特征在于：所述第二连接层为铝层。
6.根据权利要求1所述的IGBT模块的陶瓷基散热结构，其特征在于：所述第二连接层为铜片，其厚度尺寸为0.02～2mm。
7.根据权利要求1所述的IGBT模块的陶瓷基散热结构，其特征在于：所述第二连接层为散热片。
8.根据权利要求1所述的IGBT模块的陶瓷基散热结构，其特征在于：所述第一连接层与第二连接层之间通过真空钎焊连接。
9.根据权利要求1所述的IGBT模块的陶瓷基散热结构，其特征在于：所述第一连接层与第二连接层之间通过扩散焊接相连。
Priority Applications (1)
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| CN202121887601.0U CN215896371U (zh) | 2021-08-12 | 2021-08-12 | 一种igbt模块的陶瓷基散热结构 |
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Family Applications (1)
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