CN212848386U - 一种高密度框架结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种高密度框架结构，包括：密积排列设置于框架本体上的型腔，所述型腔的两面分别为毛刺面和电镀面，所述毛刺面和电镀面相背设置；每个所述型腔内是互为连通的注料空间；所述框架本体上设有与所述型腔相连通的的料柄注入口；所述型腔上的电镀面纵向尺寸为1.3‑1.6mm；所述型腔上的电镀面横向尺寸为2.53‑2.95mm；所述框架本体厚度为0.11mm，其中，误差值为0.01mm。一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种高密度框架结构，增加了芯片产能，还能适用于其他芯片的封装，当某种芯片的需求量增加时，由于模具和框架可以通用，可以再次提高产能，使芯片供应不会出现断货的情况。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种高密度框架结构。
背景技术
半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片(Die)，然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板(引线框架)架的小岛上，再利用超细的金属(金锡铜铝)导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘(Bond Pad)连接到基板的相应引脚(Lead)，并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后还要进行一系列操作，封装完成后进行成品测试，通常经过入检Incoming、测试Test和包装Packing等工序，最后入库出货。
半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。塑封之后，还要进行一系列操作，如后固化(Post Mold Cure)、切筋和成型(Trim&Form)、电镀(Plating)以及打印等工艺，在芯片封装时需要全使用相应的模具才能完成相应的操作。
目前对于芯片封装时使用的模具是与框架一一对应的，不同芯片封装使用不同的框架，其对应的模具也不相同，当某种芯片的需求量增加时，由于模具和框架兼容、不能通用而导致产能不足，供不上货的问题。
实用新型内容
鉴于上述问题，提出了本实用新型以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种高密度框架结构，增加了芯片产能，还能适用于其他芯片的封装，当某种芯片的需求量增加时，由于模具和框架可以通用，可以再次提高产能，使芯片供应不会出现断货的情况。
为了解决上述问题，本实用新型公开了一种高密度框架结构，包括：密积排列设置于框架本体上的型腔，所述型腔的两面分别为毛刺面和电镀面，
所述毛刺面和电镀面相背设置；
每个所述型腔内是互为连通的注料空间；
所述框架本体上设有与所述型腔相连通的的料柄注入口；
所述型腔上的电镀面纵向尺寸为1.3-1.6mm；
所述型腔上的电镀面横向尺寸为2.53-2.95mm；
所述框架本体厚度为0.11mm，其中，误差值为0.01mm。
优选地，所述框架本体是铜质矩形长条；
所述矩形长条的长度为216mm，宽度为28.08mm。
优选地，所述框架本体，横向排列设置为6行，纵向排列设为24组，
每组之间的中间位置的正上方和正下方设有角度为100度的钝角，其中，所述钝角对应的口宽为1.3mm，
每组设为2列，每列的正上方设有大定位孔，每组第一列下方的设有小定位孔。
优选地，所述组之间的间距为0.8mm；
所述大定位孔横向均匀分布，且孔径为1.5mm，其中，正向误差为0.04mm，负向误差为0.025mm；
所述大定位孔之间的间距为0.45mm，误差值为0.01mm；
所述小定位孔的孔径为0.8mm，误差值为0.025mm；
每组中所述小定位孔之间的间距为3.3mm。
优选地，每一组的所述大定位孔之间位置设有MARK标记。
优选地，所述框架本体上的型腔为SOT-6R型封装的型腔。
优选地，所述框架本体上的型腔为SOT-6L-6R型封装的型腔。
本实用新型包括以下优点：一种高密度框架结构，增加了芯片产能，还能适用于其他芯片的封装，当某种芯片的需求量增加时，由于模具和框架可以通用，可以再次提高产能，使芯片供应不会出现断货的情况。
附图说明
图1是本实用新型的一种高密度框架结构的结构框图；
图2是本实用新型的一种高密度框架结构的侧面视图；
图3是图1的局部放大图；
图4是图3的局部放大图。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
本实用新型的核心构思之一在于，一种高密度框架结构，增加了芯片产能，还能适用于其他芯片的封装，当某种芯片的需求量增加时，由于模具和框架可以通用，可以再次提高产能，使芯片供应不会出现断货的情况
参照图1-4，示出了本实用新型实施例的的一种高密度框架结构，具体可以包括：密积排列设置于框架本体1上的型腔11，所述型腔11的两面分别为毛刺面13和电镀面12，所述毛刺面13和电镀面12相背设置，电镀面12用于封装时进行电镀操作，例如，可以在电镀面12上镀银；
每个所述型腔11内是互为连通的注料空间；所述框架本体上设有与所述型腔11相连通的的料柄注入口；所述型腔11上的电镀面12纵向尺寸为1.3-1.6mm；所述型腔11上的电镀面12横向尺寸为2.53-2.95mm；所述框架本体1厚度为0.11mm，其中，误差值为0.01mm。
另一实施例中，所述框架本体1是铜质矩形长条；所述矩形长条的长度为216mm，宽度为28.08mm。
另一实施例中，所述框架本体1，横向排列设置为6行，纵向排列设为24组，每组之间的中间位置的正上方和正下方设有角度为100度的钝角14，方便在封后进行分切处理，其中，所述钝角14对应的口宽为1.3mm，每组设为2列，每列的正上方设有大定位孔15，每组第一列下方的设有小定位孔16，定位孔用于框架本体1在模具上的定位。
另一实施例中，所述组之间的间距为0.8mm；所述大定位孔15横向均匀分布，且孔径为1.5mm，其中，正向误差为0.04mm，负向误差为0.025mm；
所述大定位孔15之间的间距为0.45mm，误差值为0.01mm；所述小定位孔16的孔径为0.8mm，误差值为0.025mm；每组中所述小定位孔15之间的间距为3.3mm，通过精密的定位孔尺寸使框架本体1在模具上能够精密定位。
另一实施例中，每一组的所述大定位孔15之间位置设有MARK标记17，可以用于标记框架的类型，方便相关人员在使用时的快速识别，例如，MARK标记为C可以表示SOT-6R型的框架。
另一实施例中，所述框架本体1上的型腔11为SOT-6R型封装的型腔11，用于SOT23的三引脚芯片的封装。
另一实施例中，所述框架本体1上的型腔11为SOT-6L-6R型封装的型腔11，用于SOT23-6的六引脚芯片的封装。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
以上对本实用新型所提供的一种高密度框架结构，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。
Claims (7)
1.一种高密度框架结构，其特征在于，包括：密积排列设置于框架本体上的型腔，所述型腔的两面分别为毛刺面和电镀面，
所述毛刺面和电镀面相背设置；
每个所述型腔内是互为连通的注料空间；
所述框架本体上设有与所述型腔相连通的料柄注入口；
所述型腔上的电镀面纵向尺寸为1.3-1.6mm；
所述型腔上的电镀面横向尺寸为2.53-2.95mm；
所述框架本体厚度为0.11mm，其中，误差值为0.01mm。
2.根据权利要求1所述的高密度框架结构，其特征在于，所述框架本体是铜质矩形长条；
所述矩形长条的长度为216mm，宽度为28.08mm。
3.根据权利要求2所述的高密度框架结构，其特征在于，所述框架本体，横向排列设置为6行，纵向排列设为24组，
每组之间的中间位置的正上方和正下方设有角度为100度的钝角，其中，所述钝角对应的口宽为1.3mm，
每组设为2列，每列的正上方设有大定位孔，每组第一列下方的设有小定位孔。
4.根据权利要求3所述的高密度框架结构，其特征在于，所述组之间的间距为0.8mm；
所述大定位孔横向均匀分布，且孔径为1.5mm，其中，正向误差为0.04mm，负向误差为0.025mm；
所述大定位孔之间的间距为0.45mm，误差值为0.01mm；
所述小定位孔的孔径为0.8mm，误差值为0.025mm；
每组中所述小定位孔之间的间距为3.3mm。
5.根据权利要求3所述的高密度框架结构，其特征在于，每一组的所述大定位孔之间位置设有MARK标记。
6.根据权利要求1所述的高密度框架结构，其特征在于，所述框架本体上的型腔为SOT-6R型封装的型腔。
7.根据权利要求1所述的高密度框架结构，其特征在于，所述框架本体上的型腔为SOT-6L-6R型封装的型腔。
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2020
- 2020-09-02 CN CN202021898814.9U patent/CN212848386U/zh active Active
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