CN211700244U - Dfn功率集成半导体器件 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种DFN功率集成半导体器件，其芯片前后端面均通过导热胶层粘接有金属散热片，所述芯片左右端面均通过导热胶层粘接有左金属散热片和右金属散热片，此左金属散热片和右金属散热片分别开有若干个供左引脚、右引脚嵌入的左通孔和右通孔，所述左通孔、右通孔分别与左引脚、右引脚之间通过环氧封装体绝缘隔离；所述芯片的上表面通过导热胶层贴合有一均热板，此均热板与芯片相背的表面具有若干个间隔设置的凸起部，此凸起部嵌入环氧封装体内。本实用新型DFN功率集成半导体器件增加了有效散热面积，提高散热效果，加快了散热的速度，也防止环氧封装体与芯片分层，从而阻止水汽进入器件中。

Description

DFN功率集成半导体器件

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种DFN功率集成半导体器件。

背景技术

DFN是一种最新的电子封装工艺.采用先进的双边扁平无铅封装。DFN平台是最新的表面贴装封装技术。印刷电路板的安装垫、阻焊层和模板样式设计以及组装过程，都需要遵循相应的原则。DFN 平台具有多功能性，可以让一个或多个半导体器件在无铅封装内连接。

现有的芯片的DFN封装结构，其通过设置散热区，然后通过散热区将芯片上的热量导出散热。然而现有技术中散热区主要通过与外界的环境接触进行散热，但是其与外界接触的面积有限，因此散热性能较为一般。如何克服上述技术问题成为本领域技术人员努力的方向。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种DFN功率集成半导体器件，该DFN功率集成半导体器件增加了有效散热面积，提高散热效果，加快了散热的速度，也防止环氧封装体与芯片分层，从而阻止水汽进入器件中。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种DFN功率集成半导体器件，包括位于环氧封装体内的芯片、一端与芯片电连接并分别位于芯片左右两侧的若干个左引脚、右引脚，所述左引脚、右引脚各自的另一端从环氧封装体中延伸出，所述芯片前后端面均通过导热胶层粘接有金属散热片，所述芯片左右端面均通过导热胶层粘接有左金属散热片和右金属散热片，此左金属散热片和右金属散热片分别开有若干个供左引脚、右引脚嵌入的左通孔和右通孔，所述左通孔、右通孔分别与左引脚、右引脚之间通过环氧封装体绝缘隔离；所述芯片的上表面通过导热胶层贴合有一均热板，此均热板与芯片相背的表面具有若干个间隔设置的凸起部，此凸起部嵌入环氧封装体内。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述金属散热片为铝散热片、铜散热片或者铝合金散热片。

2. 上述方案中，所述左金属散热片和右金属散热片均为铝散热片、铜散热片或者铝合金散热片。

3. 上述方案中，所述左引脚、右引脚各自的下端面略低于环氧封装体的下表面。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

1、本实用新型DFN功率集成半导体器件，其芯片前后端面均通过导热胶层粘接有金属散热片，所述芯片左右端面均通过导热胶层粘接有左金属散热片和右金属散热片，此左金属散热片和右金属散热片分别开有若干个供左引脚、右引脚嵌入的左通孔和右通孔，所述左通孔、右通孔分别与左引脚、右引脚之间通过环氧封装体绝缘隔离，增加了有效散热面积，提高散热效果，加快了散热的速度，也提高了器件的强度和可靠性并延长了芯片的使用寿命。

2、本实用新型DFN功率集成半导体器件，其其芯片的上表面通过导热胶层贴合有一均热板，此均热板与芯片相背的表面具有若干个间隔设置的凸起部，此凸起部嵌入环氧封装体内，既增强了器件整体强度，也防止环氧封装体与芯片分层，从而阻止水汽进入器件中；还有，其左引脚、右引脚各自的下端面略低于环氧封装体的下表面，从而在半导体器件与PCB电路板之间形成供气流流动的间隙，有利于热量被迅速带走。

附图说明

附图1为本实用新型DFN功率集成半导体器件结构示意图；

附图2为附图1的俯视剖面结构示意图。

以上附图中：1、环氧封装体；2、芯片；3、左引脚；4、右引脚；5、导热胶层；6、金属散热片；7、左金属散热片；8、右金属散热片；9、左通孔；10、右通孔；13、均热板；14、凸起部。

具体实施方式

实施例1：一种DFN功率集成半导体器件，包括位于环氧封装体1内的芯片2、一端与芯片2电连接并分别位于芯片2左右两侧的若干个左引脚3、右引脚4，所述左引脚3、右引脚4各自的另一端从环氧封装体1中延伸出，所述芯片2前后端面均通过导热胶层5粘接有金属散热片6，所述芯片2左右端面均通过导热胶层5粘接有左金属散热片7和右金属散热片8，此左金属散热片7和右金属散热片8分别开有若干个供左引脚3、右引脚4嵌入的左通孔9和右通孔10，所述左通孔9、右通孔10分别与左引脚3、右引脚4之间通过环氧封装体1绝缘隔离；所述芯片2的上表面通过导热胶层5贴合有一均热板13，此均热板13与芯片2相背的表面具有若干个间隔设置的凸起部14，此凸起部14嵌入环氧封装体1内。

上述金属散热片6为铝散热片，上述左金属散热片7和右金属散热片8均为铝散热片。

上述左引脚3、右引脚4各自的下端面略低于环氧封装体1的下表面。

实施例2：一种DFN功率集成半导体器件，包括位于环氧封装体1内的芯片2、一端与芯片2电连接并分别位于芯片2左右两侧的若干个左引脚3、右引脚4，所述左引脚3、右引脚4各自的另一端从环氧封装体1中延伸出，所述芯片2前后端面均通过导热胶层5粘接有金属散热片6，所述芯片2左右端面均通过导热胶层5粘接有左金属散热片7和右金属散热片8，此左金属散热片7和右金属散热片8分别开有若干个供左引脚3、右引脚4嵌入的左通孔9和右通孔10，所述左通孔9、右通孔10分别与左引脚3、右引脚4之间通过环氧封装体1绝缘隔离；所述芯片2的上表面通过导热胶层5贴合有一均热板13，此均热板13与芯片2相背的表面具有若干个间隔设置的凸起部14，此凸起部14嵌入环氧封装体1内。

上述金属散热片6为铜散热片，

上述左金属散热片7和右金属散热片8均为铜散热片。

上述左引脚3、右引脚4各自的下端面略低于环氧封装体1的下表面。

采用上述DFN功率集成半导体器件时，其有效的增加了有效散热面积，提高散热效果，加快了散热的速度，也提高了器件的强度和可靠性并延长了芯片的使用寿命；还有，其既增强了器件整体强度，也防止环氧封装体与芯片分层，从而阻止水汽进入器件中；还有，其左引脚、右引脚各自的下端面略低于环氧封装体的下表面，从而在半导体器件与PCB电路板之间形成供气流流动的间隙，有利于热量被迅速带走。

上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种DFN功率集成半导体器件，其特征在于：包括位于环氧封装体（1）内的芯片（2）、一端与芯片（2）电连接并分别位于芯片（2）左右两侧的若干个左引脚（3）、右引脚（4），所述左引脚（3）、右引脚（4）各自的另一端从环氧封装体（1）中延伸出，所述芯片（2）前后端面均通过导热胶层（5）粘接有金属散热片（6），所述芯片（2）左右端面均通过导热胶层（5）粘接有左金属散热片（7）和右金属散热片（8），此左金属散热片（7）和右金属散热片（8）分别开有若干个供左引脚（3）、右引脚（4）嵌入的左通孔（9）和右通孔（10），所述左通孔（9）、右通孔（10）分别与左引脚（3）、右引脚（4）之间通过环氧封装体（1）绝缘隔离；所述芯片（2）的上表面通过导热胶层（5）贴合有一均热板（13），此均热板（13）与芯片（2）相背的表面具有若干个间隔设置的凸起部（14），此凸起部（14）嵌入环氧封装体（1）内。

2.根据权利要求1所述的DFN功率集成半导体器件，其特征在于：所述金属散热片（6）为铝散热片、铜散热片或者铝合金散热片。

3.根据权利要求1所述的DFN功率集成半导体器件，其特征在于：所述左金属散热片（7）和右金属散热片（8）均为铝散热片、铜散热片或者铝合金散热片。

4.根据权利要求1所述的DFN功率集成半导体器件，其特征在于：所述左引脚（3）、右引脚（4）各自的下端面略低于环氧封装体（1）的下表面。

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