CN210692152U - 耐挠曲型同轴电缆 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种耐挠曲型同轴电缆，包括内导体及所述内导体外部依次包覆有PTFE绝缘层、PTFE半导体缠绕层、金属屏蔽层、PTFE绕包带层和硅烷接枝交联高密度聚乙烯外护套，所述内导体为若干股线复绞构成，所述若干股线由若干直径为0.02mm至0.1mm镀锡铜单丝绞合构成，所述镀锡铜单丝的绞向与所述若干股线复绞的绞向相反，所述金属屏蔽层由直径为0.01mm至0.05mm双层镀锡铜单丝互为逆向螺旋缠绕编织构成且螺旋角度不同，所述螺旋角度为25度至40度。该同轴电缆柔韧性好，抗拉强度高，屏蔽层不易断线，兼具有优异的耐挠曲性及电气特性。
Description
技术领域
本实用新型涉及电线电缆技术领域，尤其涉及一种耐挠曲型同轴电缆。
背景技术
同轴电缆是电线电缆的主要品种之一。在自动化工业生产线上，比如焊接机器人及机械手的连接和装配，或者用于连接回旋式、升降式工作台，都需要应用到柔软性、耐弯曲性及耐挠曲性等性能良好的同轴电缆，同时，同轴电缆也需要具有良好的长距离传送的电气特性。然而，一些在应用的同轴电缆绝缘层通常采用发泡树脂材质，机械强度偏弱，不抗撕裂，耐久性差，在电缆细径化发展趋势下，同轴电缆需要兼备良好的机械强度、耐挠曲性及电气特性。
实用新型内容
本实用新型针对现有技术的不足，所要解决的技术问题是提供一种耐挠曲型同轴电缆，柔韧性好，抗拉强度高，屏蔽层不易断线，兼具有优异的耐挠曲性及电气特性。
本实用新型是通过以下技术方案使上述技术问题得以解决。
耐挠曲型同轴电缆，包括内导体及所述内导体外部依次包覆有PTFE绝缘层、PTFE半导体缠绕层、金属屏蔽层、PTFE绕包带层和硅烷接枝交联高密度聚乙烯外护套，所述内导体为若干股线复绞构成，所述若干股线由若干直径为 0.02mm至0.1mm镀锡铜单丝绞合构成，所述镀锡铜单丝的绞向与所述若干股线复绞的绞向相反，所述金属屏蔽层由直径为0.01mm至0.05mm双层镀锡铜单丝互为逆向螺旋缠绕编织构成且螺旋角度不同，所述螺旋角度为25度至40度。
作为优选，所述内导体绞距为所述内导体外径的10至30倍。
作为优选，所述硅烷接枝交联高密度聚乙烯外护套密度为0.85g/ml至 0.95g/ml。
作为优选，所述PTFE绕包带层为间隙绕包结构。
作为优选，所述PTFE绕包带层的绕距为带宽的2至4倍。
作为优选，所述PTFE绕包带层带宽为所述内导体外径的2至3倍。
本实用新型的有益效果：
1.采用PTFE绝缘层和PTFE半导体缠绕层，摩擦系数小，柔韧性好，提高电缆的耐挠曲性，耐久性好，延长使用寿命，并且，有助于电缆细径化制作，具有更好的电气特性。
2.采用硅烷接枝交联高密度聚乙烯外护套静摩擦系数小，有助于提高电缆的柔韧性和耐挠曲特性，适应低温工况环境能力强，不宜开裂。
3.采用PTFE半导体缠绕层和PTFE绕包带层，摩擦系数小，减少金属屏蔽层的应力集中，降低弯曲时的扭矩力，提高耐挠曲性和耐久使用性。
4.内导体为若干股线复绞构成，股线由若干镀锡铜单丝绞合构成，股线的绞向与复绞线的绞向相反，能够降低构成股线的镀锡铜单丝的扭转应力，抑制单丝变形，提高内导体的抗拉强度，不易发生断裂。
5.内导体采用的镀锡铜单丝直径为0.02mm至0.1mm，抗拉强度大，保证内导体具有良好的长距离信号传送的电气特性，内导体的绞距为内导体外径的10至30 倍，可以兼具实现良好的耐弯曲和耐挠曲性能。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作以简单地介绍。
图1为本申请实施例的断面结构示意图。
附图标记：1-内导体，2-PTFE绝缘层，3-PTFE半导体缠绕层，4-金属屏蔽层， 5-PTFE绕包带层，6-硅烷接枝交联高密度聚乙烯外护套。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示，本实用新型实施例的耐挠曲型同轴电缆，包括内导体1及所述内导体1外部依次包覆有PTFE绝缘层2、PTFE半导体缠绕层3、金属屏蔽层4、PTFE绕包带层5和硅烷接枝交联高密度聚乙烯外护套6。其中，所述硅烷接枝交联高密度聚乙烯外护套6密度优选为0.85g/ml至0.95g/ml，柔韧性好，不易撕裂。
所述内导体1为若干股线复绞构成，所述若干股线由若干直径为0.02mm至 0.1mm镀锡铜单丝绞合构成，所述镀锡铜单丝的绞向与所述若干股线复绞的绞向相反。优选的，所述内导体1绞距为所述内导体1外径的10至30倍。所述金属屏蔽层4由直径为0.01mm至0.05mm双层镀锡铜单丝互为逆向螺旋缠绕编织构成且螺旋角度不同，所述螺旋角度为25度至40度。
具体的说，所述PTFE绕包带层5为间隙绕包结构，减少摩擦，降低成本，有益于提高耐挠曲性和耐弯曲性，进一步的，所述PTFE绕包带层5的绕距为带宽的2至4倍，所述PTFE绕包带层5带宽为所述内导体1外径的2至3倍。
以上，仅为本申请的具体实施方式，但申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (6)
1.耐挠曲型同轴电缆，其特征是：包括内导体(1)及所述内导体(1)外部依次包覆有PTFE绝缘层(2)、PTFE半导体缠绕层(3)、金属屏蔽层(4)、PTFE绕包带层(5)和硅烷接枝交联高密度聚乙烯外护套(6)，所述内导体(1)为若干股线复绞构成，所述若干股线由若干直径为0.02mm至0.1mm镀锡铜单丝绞合构成，所述镀锡铜单丝的绞向与所述若干股线复绞的绞向相反，所述金属屏蔽层(4)由直径为0.01mm至0.05mm双层镀锡铜单丝互为逆向螺旋缠绕编织构成且螺旋角度不同，所述螺旋角度为25度至40度。
2.根据权利要求1所述的耐挠曲型同轴电缆，其特征是：所述内导体(1)绞距为所述内导体(1)外径的10至30倍。
3.根据权利要求1所述的耐挠曲型同轴电缆，其特征是：所述硅烷接枝交联高密度聚乙烯外护套(6)密度为0.85g/ml至0.95g/ml。
4.根据权利要求1所述的耐挠曲型同轴电缆，其特征是：所述PTFE绕包带层(5)为间隙绕包结构。
5.根据权利要求1所述的耐挠曲型同轴电缆，其特征是：所述PTFE绕包带层(5)的绕距为带宽的2至4倍。
6.根据权利要求1所述的耐挠曲型同轴电缆，其特征是：所述PTFE绕包带层(5)带宽为所述内导体(1)外径的2至3倍。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201922053417.5U CN210692152U (zh) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | 耐挠曲型同轴电缆 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| CN201922053417.5U CN210692152U (zh) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | 耐挠曲型同轴电缆 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN210692152U true CN210692152U (zh) | 2020-06-05 |
Family
ID=70897667
Family Applications (1)
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| CN201922053417.5U Active CN210692152U (zh) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | 耐挠曲型同轴电缆 |
Country Status (1)
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2019
- 2019-11-25 CN CN201922053417.5U patent/CN210692152U/zh active Active
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