CN210691250U - 一种载带芯片用开机关机重置电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种载带芯片用开机关机重置电路,包括:分压模块、一级正反器模块、储能模块和二级正反器模块;分压模块适于对供电电源进行分压,将第一节点电压传输至一级正反器模块;储能模块一端与供电电源相连,另一端与一级正反器模块、二级正反器模块之间的第二节点电压相连;开机时,第一节点电压随供电电源的上升而上升,以触发一级正反器模块正向导通;一级正反器模块正向导通后,储能模块开始储存能量,使第二节点电压逐渐减小,以触发二级正反器模块反向导通输出开机重置电压;关机时,第一节点电压随供电电源的下降而下降,以触发一级正反器模块反向导通;在一级正反器模块反向导通后,二级正反器模块正向导通输出关机重置电压。
Description
技术领域
本实用新型涉及电路设计技术领域,尤其涉及载带芯片用开机关机重置电路技术领域。
背景技术
在集成电路设计中为了避免开机(power on)时电路节点(node)中进入未知状态(unknown state)而造成误动作或漏电,因此需要使用开机重置信号(power on reset)让内部节点可以维持在预设电压,让电路可以进入预设状态,因此开机重置电路(power onreset circuit)设计对于集成电路设计是非常重要。在TFT 液晶面板应用中,关机(poweroff)时为了避免面板在关机过程中出现无法预期的画面,因此面板驱动电路芯片需要关机侦测并进行关机程序,因此开机关机重置电路可以启动在芯片设计是非常重要的。
图1是现有的开机重置电路,现有的开机重置电路是利用RC充放电,经过两级反向器来产生开机重置信号。如图2所示是现有的开机重置电路的时序图,开机时,V1点因为RC充电到第一级正反器(MP1和MN1组成)的高输入准位(Vih) 时,V2点就会转态变到接地,此时再经过一级正反器(MP2和MN2组成)则可以产生开机重置讯号(power on reset)。然而半导体制程中的电阻组值变异相当大,容易造成开机重置信号产生的起始电压与重置时间与仿真(simulation)不符。此电路在关机(power off)过程中,会因为RC延迟过大,当V1点降到正反器的低输入准位(Vil)时,供电电源(VDD)已经降到工作电压以下导致此电路在关机过程中无法作动。因此现有的重置电路(reset circuit)并非开机与关机过程都可以启动,且会使芯片在开关机过程中发生误动作。
实用新型内容
为克服现有技术中存在的无法满足开机与关机均运作,且会使芯片在开关机过程中发生误动作的问题,本实用新型提供了一种载带芯片用开机关机重置电路。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种载带芯片用开机关机重置电路,包括:分压模块、一级正反器模块、储能模块和二级正反器模块;其中所述分压模块适于对供电电源进行分压,并将第一节点电压传输至所述一级正反器模块;所述储能模块的一端与供电电源相连,其另一端与一级正反器模块、二级正反器模块之间的第二节点电压相连;开机时,第一节点电压适于随着供电电源的上升而上升,以触发一级正反器模块正向导通;在一级正反器模块正向导通后,储能模块开始储存能量,使第二节点电压逐渐减小,以触发二级正反器模块反向导通输出开机重置电压;以及关机时,第一节点电压适于随着供电电源的下降而下降,以触发一级正反器模块反向导通;在一级正反器模块反向导通后,二级正反器模块正向导通输出关机重置电压。
进一步,所述分压模块包括:电阻R1和电阻R2;供电电源依次经电阻R1、电阻R2接地,且电阻R1与电阻R2之间的电压作为所述第一节点电压。
进一步,所述一级正反器模块包括:第一PMOS管和第一NMOS管;所述第一 PMOS管的栅极接入所述第一节点电压,其源极与供电电源连接;所述第一NMOS 管的栅极接入所述第一节点电压,其源极接地;以及所述第一PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极均接入二级正反器模块。
进一步,所述二级正反器模块包括:第二PMOS管和第二NMOS管;所述第二 PMOS管的栅极接入一级正反器模块的输出,其源极与供电电源连接;所述第二 NMOS管的栅极接入一级正反器模块的输出,其源极接地;以及所述第二PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极相连,且所述第二PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极之间的电压作为所述开机重置电压或所述关机重置电压。
进一步,所述储能模块包括:电解电容;所述电解电容的一端与供电电源相连,其另一端与第二节点电压相连。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
本实用新型是开机关机过程中都可以运作的重置电路,开机时,第一节点电压随着供电电源的上升而上升,以触发一级正反器模块正向导通,在一级正反器模块正向导通后,储能模块开始储存能量,使第二节点电压逐渐减小,以触发二级正反器模块反向导通输出开机重置电压;关机时,第一节点电压随着供电电源的下降而下降,以触发一级正反器模块反向导通,在一级正反器模块反向导通后,二级正反器模块正向导通输出关机重置电压;本实用新型将储能模块设置为电解电容,通过调节电解电容值的大小可以设置重置时间;本实用新型设置电阻R1 和电阻R2对供电电源进行分压,进而通过改变电阻R1和电阻R2的阻值大小可以调节输入的电压值。
附图说明
图1是现有的开机重置电路的示意图;
图2是现有的开机重置电路的时序图;
图3是本实用新型的实施例1中的开机关机重置电路图;
图4是本实用新型的实施例1中的开机关机重置电路的时序图;
具体实施方式
以下结合附图和实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
如图3-4所示,本实用新型示意性的示出了一种载带芯片用开机关机重置电路,包括:
分压模块、一级正反器模块、储能模块和二级正反器模块;其中所述分压模块适于对供电电源进行分压,并将第一节点电压传输至所述一级正反器模块;所述储能模块的一端与供电电源相连,其另一端与一级正反器模块、二级正反器模块之间的第二节点电压相连;开机时,第一节点电压适于随着供电电源的上升而上升,以触发一级正反器模块正向导通;在一级正反器模块正向导通后,储能模块开始储存能量,使第二节点电压逐渐减小,以触发二级正反器模块反向导通输出开机重置电压;以及关机时,第一节点电压适于随着供电电源的下降而下降,以触发一级正反器模块反向导通;在一级正反器模块反向导通后,二级正反器模块正向导通输出关机重置电压。
所述分压模块包括:电阻R1和电阻R2;供电电源依次经电阻R1、电阻R2 接地,且电阻R1与电阻R2之间的电压作为所述第一节点电压。
所述一级正反器模块包括:第一PMOS管和第一NMOS管;所述第一PMOS管的栅极接入所述第一节点电压,其源极与供电电源连接;所述第一NMOS管的栅极接入所述第一节点电压,其源极接地;以及所述第一PMOS管的漏极与第一NMOS 管的漏极均接入二级正反器模块。
所述二级正反器模块包括:第二PMOS管和第二NMOS管;所述第二PMOS管的栅极接入一级正反器模块的输出,其源极与供电电源连接;所述第二NMOS管的栅极接入一级正反器模块的输出,其源极接地;以及所述第二PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极相连,且所述第二PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极之间的电压作为所述开机重置电压或所述关机重置电压。
所述储能模块包括:电解电容;所述电解电容的一端与供电电源相连,其另一端与第二节点电压相连。
电阻R1和电阻R2并不限于用被动电阻来设计,亦可以利用电晶体等效电阻来设计。
如图3和图4所示,利用电组R1和电阻R2的分压功能来产生一个所需要的第一电压节点V1,其中V1=VDD*(R2/(R1+R2))。开机时,第一电压节点V1随着供电电源(VDD)上升而上升,当第一电压节点V1点高于第一级正反器(第一 PMOS管和第一NMOS管组成)的高输入准位(Vih)时,第二电压节点V2马上转态到接地。因此可以通过电阻R1与电阻R2的分压功能与第一级正反器的高输入准位(Vih)来设计第一NMOS管何时打开,通过改变第一NMOS管的等效电组与电解电容(Cap)的电容值,可以决定重置电路的重置启动电压和重置时间;关机时,第一电压节点V1会随着供电电源(VDD)下降而下降,因此可以设计第一电压节点V1电压在载带芯片工作电压区间时降到正反器的低输入准位(Vil),此时关机重置电路也可以作动。当半导体电阻阻值变异时,因为电阻R1与电阻R2会同时变动,因此不会影响第一电压节点V1点的分压,以此方法来设计会与仿真相符。本实用新型的开机关机过程中都可以运作的重置电路,通过电阻R1和电阻R2 分压,第一电压节点V1经过高输入准位(Vih)与低输入准位(Vil)调整电路来设计重置启动电压,另一方面可通过电容值来决定重置时间,同时本实用新型亦在关机过程时可以运作以提供载带芯片进行关机程序,相较于现有技术有显著进步。
上述说明示出并描述了本实用新型的优选实施例,如前所述,应当理解本实用新型并非局限于本文所披露的形式,不应看作是对其他实施例的排除,而可用于各种其他组合、修改和环境,并能够在本文所述实用新型构想范围内,通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本实用新型的精神和范围,则都应在本实用新型所附权利要求的保护范围内。
Claims (5)
1.一种开机关机重置电路,其特征在于,包括:
分压模块、一级正反器模块、储能模块和二级正反器模块;其中
所述分压模块适于对供电电源进行分压,并将第一节点电压传输至所述一级正反器模块;
所述储能模块的一端与供电电源相连,其另一端与一级正反器模块、二级正反器模块之间的第二节点电压相连;
开机时,第一节点电压适于随着供电电源的上升而上升,以触发一级正反器模块正向导通;
在一级正反器模块正向导通后,储能模块开始储存能量,使第二节点电压逐渐减小,以触发二级正反器模块反向导通输出开机重置电压;以及
关机时,第一节点电压适于随着供电电源的下降而下降,以触发一级正反器模块反向导通;
在一级正反器模块反向导通后,二级正反器模块正向导通输出关机重置电压。
2.根据权利要求1所述的一种开机关机重置电路,其特征在于,
所述分压模块包括:电阻R1和电阻R2;
供电电源依次经电阻R1、电阻R2接地,且电阻R1与电阻R2之间的电压作为所述第一节点电压。
3.根据权利要求2所述的一种开机关机重置电路,其特征在于,
所述一级正反器模块包括:第一PMOS管和第一NMOS管;
所述第一PMOS管的栅极接入所述第一节点电压,其源极与供电电源连接;
所述第一NMOS管的栅极接入所述第一节点电压,其源极接地;以及
所述第一PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极均接入二级正反器模块。
4.根据权利要求3所述的一种开机关机重置电路,其特征在于,
所述二级正反器模块包括:第二PMOS管和第二NMOS管;
所述第二PMOS管的栅极接入一级正反器模块的输出,其源极与供电电源连接;
所述第二NMOS管的栅极接入一级正反器模块的输出,其源极接地;以及
所述第二PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极相连,且所述第二PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极之间的电压作为所述开机重置电压或所述关机重置电压。
5.根据权利要求4所述的一种开机关机重置电路,其特征在于,
所述储能模块包括:电解电容;
所述电解电容的一端与供电电源相连,其另一端与第二节点电压相连。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201921116574.XU CN210691250U (zh) | 2019-07-16 | 2019-07-16 | 一种载带芯片用开机关机重置电路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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Family
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Country | Link |
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Denomination of utility model: A power on / off reset circuit for carrying chip Effective date of registration: 20220121 Granted publication date: 20200605 Pledgee: China Construction Bank Corporation Changzhou Economic Development Zone sub branch Pledgor: Changzhou Xinsheng Semiconductor Technology Co.,Ltd. Registration number: Y2022320000027 |