CN210245320U - 一种高方阻金属化薄膜 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种高方阻金属化薄膜，包括绝缘基膜，所述绝缘基膜的表面设置有金属镀层，所述金属镀层包括多组设置在绝缘基膜表面的第一镀铜层组，所述第一镀铜层组包括多个腰圆形第一镀铜层，相邻第一镀铜层之间设置有留空区；相邻第一镀铜层组之间设置有第二镀铜层组，所述第二镀铜层组由多个与留空区一一对应的第二镀铜层组成；所述金属镀层还包括设置在绝缘基膜表面且将第一镀铜层和第二镀铜层完全覆盖的镀铝层。本实用新型所述高方阻金属化薄膜的方阻大，制成的电容器芯中，金属镀层与喷金层之间的结合强度大，电容器的安全可靠性高。

Description

一种高方阻金属化薄膜

技术领域

本实用新型涉及一种高方阻金属化薄膜，属于电容器技术领域。

背景技术

电容器行业一直是电子元器件产业的重要支柱，同时电容器作为电力电子整机系统的必用元件，其产品结构、性能也在不断的更新和发展中。近年来，随着家电、风电、光伏、电力电子等技术的迅猛发展，对薄膜电容器质量也提出了更高的要求，如小尺寸、大容量、低ESR、宽温度范围、高可靠性和良好的高频特性等，这也成为薄膜电容器能全面替代高压大容量电解电容器市场的核心因素，尤其是体积小额定电压高的电容器是现阶段的研发方向之一。

金属化薄膜电容是以有机塑料薄膜做介质，以金属化薄膜做电极，通过卷绕方式制成的电容，金属化薄膜电容器所使用的薄膜有聚乙酯、聚丙烯、聚碳酸酯等，除了卷绕型之外，也有叠层型。其中以聚酯膜介质和聚丙烯膜介质应用最广。

方块电阻又称膜电阻，简称方阻。方阻仅与导电膜的厚度等因素有关，表征膜层致密性。目前市场生产的金属化薄膜，其方阻通常为5～15Ω/□，例如，厚度为65μm的镀铝层，其方阻为13Ω/□。通常，金属镀层越厚，其方阻越小；而金属镀层厚度降低，容易发生自愈，其接触电阻变大，发热比较严重，这些都限制了金属化薄膜方阻的提高。

实用新型内容

本实用新型针对现有技术存在的不足，提供了一种高方阻金属化薄膜，具体技术方案如下：

一种高方阻金属化薄膜，包括绝缘基膜，绝缘基膜的表面设置有金属镀层，所述金属镀层包括多组设置在绝缘基膜表面的第一镀铜层组，所述第一镀铜层组包括多个腰圆形第一镀铜层，相邻第一镀铜层之间设置有留空区；相邻第一镀铜层组之间设置有第二镀铜层组，所述第二镀铜层组由多个与留空区一一对应的第二镀铜层组成；所述金属镀层还包括设置在绝缘基膜表面且将第一镀铜层和第二镀铜层完全覆盖的镀铝层。

上述技术方案的进一步优化，所述镀铝层包括覆盖在第一镀铜层表面的长条状第一覆盖区、覆盖在第二镀铜层表面的长条状第二覆盖区、临近绝缘基膜侧边的长条状第三覆盖区，所述第一覆盖区的长度方向与绝缘基膜的长度方向相互平行，所述第二覆盖区的长度方向与绝缘基膜的长度方向相互平行，所述第三覆盖区的长度方向与绝缘基膜的长度方向相互平行；所述第一覆盖区外表面的横截面呈波浪状结构，所述第一覆盖区的外表面设置有第一波峰区和第一波谷区，所述第一波峰区覆盖在第一镀铜层的外部，所述第一波谷区设置在相邻两个第一镀铜层之间；所述第二覆盖区外表面的横截面呈波浪状结构，所述第二覆盖区的外表面设置有第二波峰区和第二波谷区，所述第二波峰区覆盖在第二镀铜层的外部，所述第二波谷区设置在相邻两个第二镀铜层之间；所述第一波峰区与第二波峰区相互交错，所述第一波谷区与第二波谷区相互交错。

上述技术方案的进一步优化，所述第三覆盖区与绝缘基膜的侧边之间设置有多个等腰梯形引脚，所述引脚的小端与第三覆盖区连接为一体，所述引脚的大端延伸至绝缘基膜的侧边，所述引脚呈等间距设置。

上述技术方案的进一步优化，所述引脚的两个腰边之间的夹角为α，3°≤α≤12°。

上述技术方案的进一步优化，所述第一镀铜层的长度方向与绝缘基膜的长度方向相互垂直，所述第二镀铜层的长度方向与绝缘基膜的长度方向相互垂直。

上述技术方案的进一步优化，所述第一镀铜层的长度为x，所述第二镀铜层的长度为y，y＝x；所述第一镀铜层的宽度为m，所述第二镀铜层的宽度为n，n＝m。

本实用新型所述高方阻金属化薄膜的方阻大，制成的电容器芯中，金属镀层与喷金层之间的结合强度大，电容器的安全可靠性高。

附图说明

图1为本实用新型所述高方阻金属化薄膜的结构示意图；

图2为本实用新型所述第一镀铜层组和第二镀铜层组在绝缘基膜表面的分布示意图；

图3为本实用新型所述第一镀铜层、第一覆盖区、绝缘基膜的分布示意图；

图4为本实用新型所述第二镀铜层、第二覆盖区、绝缘基膜的分布示意图；

图5为本实用新型所述镀铝层、引脚的连接示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“前端”、“后端”、“头部”、“尾部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

如图1、2所示，所述高方阻金属化薄膜，包括绝缘基膜10，绝缘基膜10的表面设置有金属镀层，所述金属镀层包括多组设置在绝缘基膜10表面的第一镀铜层组21，所述第一镀铜层组21呈等间距设置，所述第一镀铜层组21沿着绝缘基膜10的长度方向呈行状排列，所述第一镀铜层组21包括多个腰圆形第一镀铜层211，所述第一镀铜层211呈等间距设置，所述第一镀铜层211沿着绝缘基膜10的宽度方向呈列状排列，相邻第一镀铜层211之间设置有留空区212；相邻第一镀铜层组21之间设置有第二镀铜层组22，所述第二镀铜层组22由多个与留空区212一一对应的第二镀铜层221组成，所述第二镀铜层221呈等间距设置，所述第二镀铜层221与第一镀铜层211交错设置；所述金属镀层还包括设置在绝缘基膜10表面且将第一镀铜层211和第二镀铜层221完全覆盖的镀铝层30。

所述绝缘基膜10可选聚乙酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜中的一种。所述第一镀铜层211和第二镀铜层221可采用化学镀膜工艺在绝缘基膜10的表面制成，化学镀膜工艺为常规镀膜工艺，在此不再赘述；也可采用真空镀膜工艺制成第一镀铜层211和第二镀铜层221。

其中，所述第一镀铜层211的长度方向与绝缘基膜10的长度方向相互垂直，所述第二镀铜层221的长度方向与绝缘基膜10的长度方向相互垂直。所述第一镀铜层211的长度为x，所述第二镀铜层221的长度为y，y＝x；所述第一镀铜层211的宽度为m，所述第二镀铜层221的宽度为n，n＝m。

所述高方阻金属化薄膜在制作时，先制成第一镀铜层211和第二镀铜层221，然后再往绝缘基膜10的表面采用真空镀膜工艺喷涂制成镀铝层30，铝蒸汽在喷到绝缘基膜10的表面时，由于绝缘基膜10的表面存在第一镀铜层211和第二镀铜层221，在第一镀铜层211和第二镀铜层221的表面也会被覆盖，这有利于使得镀铝层30的表面形成波浪状结构。相对于将整个镀铝层30的横截面制成波浪状来说，镀铝层30的外表面形成波浪状结构，其加工难度显著降低。

如图1、3、4所示，所述镀铝层30包括覆盖在第一镀铜层211表面的长条状第一覆盖区31、覆盖在第二镀铜层221表面的长条状第二覆盖区32、临近绝缘基膜10侧边的长条状第三覆盖区33，所述第一覆盖区31的长度方向与绝缘基膜10的长度方向相互平行，所述第二覆盖区32的长度方向与绝缘基膜10的长度方向相互平行，所述第三覆盖区33的长度方向与绝缘基膜10的长度方向相互平行；所述第一覆盖区31外表面的横截面呈波浪状结构，所述第一覆盖区31的外表面设置有第一波峰区311和第一波谷区312，所述第一波峰区311覆盖在第一镀铜层211的外部，所述第一波谷区312设置在相邻两个第一镀铜层211之间；所述第二覆盖区32外表面的横截面呈波浪状结构，所述第二覆盖区32的外表面设置有第二波峰区321和第二波谷区322，所述第二波峰区321覆盖在第二镀铜层221的外部，所述第二波谷区322设置在相邻两个第二镀铜层221之间；所述第一波峰区311与第二波峰区321相互交错，所述第一波谷区312与第二波谷区322相互交错。

由于第一镀铜层211的存在以及其等间距设置，这使得第一覆盖区31外表面的横截面呈波浪状结构；同理，由于第二镀铜层221的存在以及其等间距设置，这使得第二覆盖区32外表面的横截面呈波浪状结构；由于第一镀铜层211和第二镀铜层221相互交错设置，这使得第一波峰区311与第二波峰区321相互交错，所述第一波谷区312与第二波谷区322相互交错。

铜的导电性能优于铝，第一镀铜层211和第二镀铜层221结构致密，再复合镀铝层30，使得第一镀铜层211和第二镀铜层221不易被氧化。第一镀铜层211和第二镀铜层221的存在，能够提高方阻。再加上，由于镀铝层30表面呈波浪状结构，这也有利于提高方阻，同时，第一波峰区311与第二波峰区321的存在，使得该区域的抗电强度提高；即使在第一波谷区312与第二波谷区322的抗电强度下降，由于其均匀分布，这使得所述高方阻金属化薄膜的抗电强度不低于普通金属化薄膜。

本实施例中，所述高方阻金属化薄膜中金属镀层的厚度为65～80μm的镀铝层，其方阻为37±2Ω/□，对比同等厚度金属镀层的普通金属化薄膜，所述高方阻金属化薄膜的方阻大。由于波浪状结构，这使得在后续喷金时，喷金层与所述高方阻金属化薄膜中金属镀层之间会有良好接触，可靠性高。

进一步地，如图1、5所示，所述第三覆盖区33与绝缘基膜10的侧边之间设置有多个等腰梯形引脚40，所述引脚40的小端(等腰梯形上底对应的端部)与第三覆盖区33连接为一体，所述引脚40的大端(等腰梯形下底对应的端部)延伸至绝缘基膜10的侧边，所述引脚40呈等间距设置。

当将所述高方阻金属化薄膜卷绕成芯子，芯子进行喷金作业后，喷金层渗进相邻的两个引脚40之间留有的空白区形成接触角50，该空白区为等腰梯形，所述接触角50也是等腰梯形，引脚40与接触角50之间构成卯榫结构，这能够进一步提高引脚40与喷金层之间的结合强度，所述引脚40的两个腰边之间的夹角为α，3°≤α≤12°。α值过大，这易造成喷金时的金属蒸汽不易进入到两个引脚40之间留有的空白区；α值过小，不利于提高引脚40与喷金层之间的结合强度。

在上述实施例中，所述高方阻金属化薄膜的方阻大，抗电强度不会下降，制成的电容器的自愈能力高；所述高方阻金属化薄膜制成的电容器芯，金属镀层与喷金层之间的结合强度大，增加电容的安全可靠性。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种高方阻金属化薄膜，包括绝缘基膜(10)，绝缘基膜(10)的表面设置有金属镀层，其特征在于：所述金属镀层包括多组设置在绝缘基膜(10)表面的第一镀铜层组(21)，所述第一镀铜层组(21)包括多个腰圆形第一镀铜层(211)，相邻第一镀铜层(211)之间设置有留空区(212)；相邻第一镀铜层组(21)之间设置有第二镀铜层组(22)，所述第二镀铜层组(22)由多个与留空区(212)一一对应的第二镀铜层(221)组成；所述金属镀层还包括设置在绝缘基膜(10)表面且将第一镀铜层(211)和第二镀铜层(221)完全覆盖的镀铝层(30)。

2.根据权利要求1所述的一种高方阻金属化薄膜，其特征在于：所述镀铝层(30)包括覆盖在第一镀铜层(211)表面的长条状第一覆盖区(31)、覆盖在第二镀铜层(221)表面的长条状第二覆盖区(32)、临近绝缘基膜(10)侧边的长条状第三覆盖区(33)，所述第一覆盖区(31)的长度方向与绝缘基膜(10)的长度方向相互平行，所述第二覆盖区(32)的长度方向与绝缘基膜(10)的长度方向相互平行，所述第三覆盖区(33)的长度方向与绝缘基膜(10)的长度方向相互平行；所述第一覆盖区(31)外表面的横截面呈波浪状结构，所述第一覆盖区(31)的外表面设置有第一波峰区(311)和第一波谷区(312)，所述第一波峰区(311)覆盖在第一镀铜层(211)的外部，所述第一波谷区(312)设置在相邻两个第一镀铜层(211)之间；所述第二覆盖区(32)外表面的横截面呈波浪状结构，所述第二覆盖区(32)的外表面设置有第二波峰区(321)和第二波谷区(322)，所述第二波峰区(321)覆盖在第二镀铜层(221)的外部，所述第二波谷区(322)设置在相邻两个第二镀铜层(221)之间；所述第一波峰区(311)与第二波峰区(321)相互交错，所述第一波谷区(312)与第二波谷区(322)相互交错。

3.根据权利要求2所述的一种高方阻金属化薄膜，其特征在于：所述第三覆盖区(33)与绝缘基膜(10)的侧边之间设置有多个等腰梯形引脚(40)，所述引脚(40)的小端与第三覆盖区(33)连接为一体，所述引脚(40)的大端延伸至绝缘基膜(10)的侧边，所述引脚(40)呈等间距设置。

4.根据权利要求3所述的一种高方阻金属化薄膜，其特征在于：所述引脚(40)的两个腰边之间的夹角为α，3°≤α≤12°。

5.根据权利要求1所述的一种高方阻金属化薄膜，其特征在于：所述第一镀铜层(211)的长度方向与绝缘基膜(10)的长度方向相互垂直，所述第二镀铜层(221)的长度方向与绝缘基膜(10)的长度方向相互垂直。

6.根据权利要求1所述的一种高方阻金属化薄膜，其特征在于：所述第一镀铜层(211)的长度为x，所述第二镀铜层(221)的长度为y，y＝x；所述第一镀铜层(211)的宽度为m，所述第二镀铜层(221)的宽度为n，n＝m。

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