CN209544327U - 一种全包封大功率新型to-220nf-dg引线框架 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开全包封大功率新型TO‑220NF‑DG引线框架，包括散热片区、载片区和引脚区，散热片区位于载片区上方，引脚区位于载片区下方，引脚区通过连接片与载片区连接，引脚区分为内引脚和外引脚，载片区设为双层载片区，由上至下依次为第一载片区和第二载片区；第一载片区和第二载片区通过卡接的方式连接。本产品提高了产品的稳定性，使得因框架歪头造成绝缘不良的现象，得到了彻底解决；从而进一步满足了产品高电压、高绝缘的使用要求；通过将载片区设计为双层结构，在生产安装过程中先安装第一载片区的芯片再安装第二载片区的芯片，克服了现有产品中仅可安装1个芯片的缺陷，扩大了本产品的适用范围，满足不同客户的使用需求。

Description

一种全包封大功率新型TO-220NF-DG引线框架

技术领域

本发明属于半导体封装技术领域，具体涉及一种全包封大功率新型TO-220NF-DG引线框架。

背景技术

引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。220MF-DGLP引线框架是常用的一种引线框架，依照现有的加工设计，其一般仅可装载单个芯片，适用范围较窄，不能满足市场的多样性需求；此外现有的220MF-DGLP型引线框架中内引脚线较宽，约为1.28mm，两脚之间的间距较小，导致两脚之间的电压差较大，工作稳定性较差；单步距小、塑封体的厚度较低，导致框架歪头造成绝缘不良的现象，因此需要对现有的220MF-DGLP型引线框架进行改进，以提高其使用性能。

发明内容

发明目的：本发明目的在于针对现有技术的不足，提供一种性能稳定性高，便于生产加工的全包封大功率新型TO-220NF-DG引线框架。

技术方案：本发明所述的一种全包封大功率新型TO-220NF-DG引线框架，包括散热片区、载片区和引脚区，散热片区位于载片区上方，引脚区位于载片区下方，所述引脚区通过连接片与载片区连接，引脚区由上至下分为内引脚和外引脚，所述载片区设为双层载片区，由上至下依次为第一载片区和第二载片区；所述第一载片区和第二载片区通过卡接的方式连接。

进一步地，所述第一载片区顶部两侧设有滑槽轨道，所述第二载片区两侧的相应位置设有卡接片，所述第二载片区由一侧推入第一载片区内，通过滑槽轨道与卡接片的连接，实现第二载片区的安装；所述第一载片区内安装第一芯片，所述第二载片区内安装第二芯片。

进一步地，所述载片区四周设有阶梯状排水结构，且排水结构上设有喇叭状排水槽。

进一步地，为满足市场的多样化需求，所述第一载片区的主载片区分为两个对称分布的分模块载片区，所述的每个分模块载片区由上至下分为两个子模块载片区。

进一步地，为增大两脚间的间距，减小了两脚之间的电压差，所述内引脚的宽度为1～1.05mm。

进一步地，为最大化的避免在加工过程中因框架歪头造成绝缘不良的现象，所述连接片包括弧形过渡区和梯形连接区，所述弧形过渡区为阶梯状结构，包括小圆弧过渡层和大圆弧过渡层，弧形过渡区与载片区连接，梯形连接区与引脚区连接。

进一步地，所述散热片区由上至下整体呈喇叭状，其顶部设有椭圆形压槽，椭圆形压槽中心设有辅助散热孔。

进一步地，所述引脚区由左至右依次包括左引脚、中引脚和右引脚，所述左引脚和右引脚顶部设有焊接区，中引脚通过连接片与载片区连接。

进一步地，为实现注塑时减少阻力，杜绝塑封体内气孔的生产，便于脱模，所述散热片区和载片区构成的基体背部在厚度方向上设有倒流斜面，且倒流斜面的夹角为45～60°。

有益效果：(1)本实用新型产品是对220MF-DGLP型引线框架的改进，通过减小内引线脚的宽度至1～1.05mm，使得两脚间的间距加大，减小了两脚之间的电压差，增加塑封体厚度，进而提高了产品的稳定性，使得因框架歪头造成绝缘不良的现象，得到了彻底解决；从而进一步满足了产品高电压、高绝缘的使用要求；(2)通过将载片区设计为双层结构，在生产安装过程中先安装第一载片区的芯片再安装第二载片区的芯片，克服了现有产品中仅可安装1个芯片的缺陷，扩大了本产品的适用范围，满足不同客户的使用需求；(3)通过在载片区四周设置排水结构，提高了产品的防水性能。

附图说明

图1为本实用新型产品的整体结构示意图；

图2为本实用新型产品的结构侧视图；

其中：1、散热片区，11、椭圆形压槽，12、辅助散热孔，2、载片区，21、阶梯状排水结构，22、子模块载片区，3、引脚区，31、左引脚，32、中引脚，33、右引脚，4、连接片，41、弧形过渡区，411、小圆弧过渡层，412、大圆弧过渡层，42、梯形连接区，5、焊接区，6、倒流斜面。

具体实施方式

下面通过附图对本发明技术方案进行详细说明，但是本发明的保护范围不局限于所述实施例。

实施例：一种全包封大功率新型TO-220NF-DG引线框架，包括散热片区1、载片区2和引脚区3，散热片区1位于载片区2上方，引脚区3位于载片区2下方，所述引脚区3通过连接片4与载片区2连接，引脚区3由左至右依次包括左引脚31、中引脚32和右引脚33，所述左引脚31和右引脚33顶部设有焊接区5，中引脚32通过连接片4与载片区2连接。引脚区3由上至下分为内引脚和外引脚，内引脚的宽度为1.05mm，所述载片2区设为双层载片区，由上至下依次为第一载片区和第二载片区；所述第一载片区和第二载片区通过卡接的方式连接；所述第一载片区顶部两侧设有滑槽轨道，所述第二载片区两侧的相应位置设有卡接片，所述第二载片区由一侧推入第一载片区内，通过滑槽轨道与卡接片的连接，实现第二载片区的安装；所述第一载片区内安装第一芯片，所述第二载片区内安装第二芯片；散热片区和载片区构成的基体背部在厚度方向上设有倒流斜面6，且倒流斜面的夹角为60°。

载片区2四周设有阶梯状排水结构21，且排水结构上设有喇叭状排水槽。

第一载片区的主载片区分为两个对称分布的分模块载片区，所述的每个分模块载片区由上至下分为两个子模块载片区22。

连接片4包括弧形过渡区41和梯形连接区42，所述弧形过渡区为阶梯状结构，包括小圆弧过渡层411和大圆弧过渡层412，弧形过渡区41与载片区2连接，梯形连接区42与引脚区3连接。

散热片1区由上至下整体呈喇叭状，其顶部设有椭圆形压槽11，椭圆形压槽中心设有辅助散热孔12。

本产品结构新颖，是针对220MF-DGLP型引线框架的改进，通过减小内引线脚的宽度至1～1.05mm，使得两脚间的间距加大，减小了两脚之间的电压差，增加塑封体厚度，进而提高了产品的稳定性，使得因框架歪头造成绝缘不良的现象，得到了彻底解决；从而进一步满足了产品高电压、高绝缘的使用要求；通过将载片区设计为双层结构，在生产安装过程中先安装第一载片区的芯片再安装第二载片区的芯片，克服了现有产品中仅可安装1个芯片的缺陷，扩大了本产品的适用范围，满足不同客户的使用需求；通过在载片区四周设置排水结构，提高了产品的防水性能。

如上所述，尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本发明，但其不得解释为对本发明自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本发明的精神和范围前提下，可对其在形式上和细节上作出各种变化。

Claims (9)

1.一种全包封大功率新型TO-220NF-DG引线框架，包括散热片区、载片区和引脚区，散热片区位于载片区上方，引脚区位于载片区下方，所述引脚区通过连接片与载片区连接，引脚区由上至下分为内引脚和外引脚，其特征在于：所述载片区设为双层载片区，由上至下依次为第一载片区和第二载片区；所述第一载片区和第二载片区通过卡接的方式连接。

2.根据权利要求1所述的全包封大功率新型TO-220NF-DG引线框架，其特征在于：所述第一载片区顶部两侧设有滑槽轨道，所述第二载片区两侧的相应位置设有卡接片，所述第二载片区由一侧推入第一载片区内，通过滑槽轨道与卡接片的连接，实现第二载片区的安装；所述第一载片区内安装第一芯片，所述第二载片区内安装第二芯片。

3.根据权利要求1所述的全包封大功率新型TO-220NF-DG引线框架，其特征在于：所述载片区四周设有阶梯状排水结构，且排水结构上设有喇叭状排水槽。

4.根据权利要求1所述的全包封大功率新型TO-220NF-DG引线框架，其特征在于：所述第一载片区的主载片区分为两个对称分布的分模块载片区，所述的每个分模块载片区由上至下分为两个子模块载片区。

5.根据权利要求1所述的全包封大功率新型TO-220NF-DG引线框架，其特征在于：所述内引脚的宽度为1～1.05mm。

6.根据权利要求1所述的全包封大功率新型TO-220NF-DG引线框架，其特征在于：所述连接片包括弧形过渡区和梯形连接区，所述弧形过渡区为阶梯状结构，包括小圆弧过渡层和大圆弧过渡层，弧形过渡区与载片区连接，梯形连接区与引脚区连接。

7.根据权利要求1所述的全包封大功率新型TO-220NF-DG引线框架，其特征在于：所述散热片区由上至下整体呈喇叭状，其顶部设有椭圆形压槽，椭圆形压槽中心设有辅助散热孔。

8.根据权利要求1所述的全包封大功率新型TO-220NF-DG引线框架，其特征在于：所述引脚区由左至右依次包括左引脚、中引脚和右引脚，所述左引脚和右引脚顶部设有焊接区，中引脚通过连接片与载片区连接。

9.根据权利要求1所述的全包封大功率新型TO-220NF-DG引线框架，其特征在于：所述散热片区和载片区构成的基体背部在厚度方向上设有倒流斜面，且倒流斜面的夹角为45～60°。