CN212934607U - 三引脚晶体管封装引线框结构 - Google Patents
三引脚晶体管封装引线框结构 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及晶体管封装，尤其涉及一种三引脚晶体管封装引线框结构,包括基板与三引脚晶体管封装引线框单元，所述三引脚晶体管封装引线框单元呈阵列式设置在基板上，所述三引脚晶体管封装引线框单元包括基岛及分别与基岛连接的第一引脚、第二引脚、第三引脚，所述第一引脚设置在基岛上方的中间位置处，所述第二引脚设置在基岛下方的左侧，所述第三引脚设置在基岛下方的右侧，所述第一引脚到第二引脚之间的距离与第一引脚到第三引脚之间的距离相等。本实用新型的三引脚晶体管封装引线框结构具有散热性较好、结构上较为满足单MOS管芯片封装的要求且不会造成引脚的浪费。
Description
【技术领域】
本实用新型涉及晶体管封装，尤其涉及一种三引脚晶体管封装引线框结构。
【背景技术】
芯片封装，是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术，不仅起到安放、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁。小外形晶体管封装(SOT,Small Outline Transistor)是目前常用的一种小型贴片式封装。MOS管是目前十分常见的一种分立器件，相对IC而言，由于其独特的开关特性具有不可替代的优势，广泛应用在消费类、便携式电子产品中。单管芯MOSFET有Gate、 Source、Drain三个电极，其封装至少需要三个端子，常见的封装形式有SOT-23、SOT23-6L、SOP8等等。SOT-23封装体积小，内阻也小，但散热性相对差一些；SOP8封装散热性更好，但封装体积大，内阻较大，用来封装单管MOS则有5个端子浪费掉了； SOT23-6L散热性、内阻和体积都比较适中，但用来封装单管MOS 芯片则有3个端子被浪费掉，更适合封装双管的MOS芯片。
因此，可对与SOT23-6L具有相同封装体积的SOT23-3L封装进行重新设计，以满足单芯片MOS管的封装需求。
【实用新型内容】
为克服上述的技术问题，本实用新型提供了一种三引脚晶体管封装引线框结构。
本实用新型解决技术问题的方案是提供一种三引脚晶体管封装引线框结构，包括基板与三引脚晶体管封装引线框单元，所述三引脚晶体管封装引线框单元呈阵列式设置在基板上，所述三引脚晶体管封装引线框单元包括基岛及分别与基岛连接的第一引脚、第二引脚、第三引脚，所述第一引脚设置在基岛上方的中间位置处，所述第二引脚设置在基岛下方的左侧，所述第三引脚设置在基岛下方的右侧，所述第一引脚到第二引脚之间的距离与第一引脚到第三引脚之间的距离相等。
优选地，所述基岛的整体形状呈T形。
优选地，所述三引脚晶体管封装引线框单元设置有672个。
优选地，所述三引脚晶体管封装引线框单元还包括三个假脚，两个所述假脚设置在基岛上方且位于第一引脚的两侧，一个所述假脚设置在基岛下方且位于第二引脚与第一引脚的中间位置。
优选地，所述三引脚晶体管封装引线框结构的长度为 240mm。
优选地，所述三引脚晶体管封装引线框结构的宽度为70mm。
优选地，在所述基岛左侧设置有左精压区域，所述左精压区域与第二引脚相连接，在所述基岛右侧设置有右精压区域，所述右精压区域与第三引脚相连接。
优选地，所述左精压区域与右精压区域沿基岛轴对称设置。
优选地，所述三引脚晶体管封装引线框单元还包括两连筋，两所述连筋分别设置在基岛上方与下方。
优选地，所述假脚、第一引脚、第二引脚及第三引脚设置在两所述连筋之间。
相对于现有技术，本实用新型的三引脚晶体管封装引线框结构具有如下优点：
通过三引脚的SOT23-3L对单管MOS芯片进行封装，不会因引脚未连接而造成的浪费；相比于原有尺寸的基岛，本实用新的基岛呈T形或近视T形，增加了部分尺寸以适于单管MOS芯片的封装的同时增加了散热尺寸，使得本实用新型的产品在单管MOS 芯片的封装上的尺寸及散热性均较为符合封装要求且不会导致造成存在引脚未连接而造成的浪费。
在240mm*70mm的面积上设置有672个三引脚晶体管封装引线框单元，密度较大，对注塑、切筋等工艺在生产效率方面具有较大的提升。
【附图说明】
图1是本实用新型三引脚晶体管封装引线框结构一平面结构示意图。
图2是本实用新型三引脚晶体管封装引线框结构的三引脚晶体管封装引线框单元的具体结构示意图。
附图标记说明：
10、三引脚晶体管封装引线框结构；11、基板；12、三引脚晶体管封装引线框单元；121、基岛；122、第一引线；123、第二引线；124、第三引线；125、假脚；126、左精压区域；127、右精压区域；128、连筋。
【具体实施方式】
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用于解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
请参阅图1,本实用新型提供一种三引脚晶体管封装引线框结构10，包括基板11与三引脚晶体管封装引线框单元12，一块三引脚晶体管封装引线框结构10上设置有672个三引脚晶体管封装引线框单元12，其中三引脚晶体管封装引线框单元12呈阵列式设置在基板11上。优选地，三引脚晶体管封装引线框结构 10的长度为240mm，宽度为70mm，在本实用新型中，三引脚晶体管封装引线框结构10的长度即为基板11的长度，三引脚晶体管封装引线框结构10的宽度即为基板11的宽度。
进一步地，三引脚晶体管封装引线框单元12包括基岛121、第一引脚、第二引脚、第三引脚、假脚125、左精压区域126、右精压区域127及连筋128，第一引脚设置在基岛121上方的中间位置，第二引脚设置在基岛121下方的左侧，第三引脚设置在基岛121下方的右侧，假脚125设置有三个，其中两个设置在基岛121上方且位于第一引脚的两侧，另一个设置在基岛121下方且位于第二引脚及第三引脚的中间位置处，左精压区域126设置在基岛121的左侧并与第二引脚相连接，右精压区域127设置在基岛121的右侧并与第三引脚相连接，连筋128设置有两个且分别设置在基岛121的上方与下方。第一引脚、第二引脚及第三引脚分别与基岛121相连。
具体地，假脚125用于增强三引脚晶体管封装引线框单元 12的整体强度，在连接时不进行实际连接，其可在进行切筋工艺时被切除。
优选地，第一引脚到第二引脚之间的距离与第一引脚到第三引脚之间的距离相等且第一引脚、第二引脚及第三引脚的宽度相等；假脚125的宽度相等且与第一引脚的宽度相等，位于基岛 121上方的假脚125与第一引脚之间的距离、位于基岛121下方的假脚125与第二引脚和第三引脚之间的距离与常规SOT23-6L 的引脚之间的间距一致，因此可与常规的SOT23-6L共用整套生产设备而无需单独设置配套设备。
优选地，基岛121的整体形状呈T形或近似T形，即基岛 121的形状在整体上可呈T形状或与T形状相近似的形状，在本实用新型中，基岛121的形状呈T形，在原本呈矩形的基岛两端各增设部分，增加了连接尺寸的同时增加了散热尺寸，增加了三引脚晶体管封装引线框单元12与塑封料支架的结合力同时增加了三引脚晶体管封装引线框单元12的散热能力。
优选地，左精压区域126与右精压区域127沿基岛121呈轴对称设置，外接的地线在需要设置时可直接打在左精压区域126 及右精压区域127上，有利于缩短地线的长度，有利于降低打线的难度及提高安全系数。
进一步地，假脚125、第一引脚、第二引脚及第三引脚设置在两条连筋128之间，且假脚125、第一引脚、第二引脚及第三引脚分别与连筋128相连。连筋128用于在注塑时通过对塑封料进行阻挡以防塑封料溢出，有利于避免塑封料的浪费。
相对于现有技术，本实用新型的三引脚晶体管封装引线框结构具有如下优点：
通过三引脚的SOT23-3L对单管MOS芯片进行封装，不会因引脚未连接而造成的浪费；相比于原有尺寸的基岛，本实用新的基岛呈T形或近视T形，增加了部分尺寸以适于单管MOS芯片的封装的同时增加了散热尺寸，使得本实用新型的产品在单管MOS 芯片的封装上的尺寸及散热性均较为符合封装要求且不会导致造成存在引脚未连接而造成的浪费。
在240mm*70mm的面积上设置有672个三引脚晶体管封装引线框单元，密度较大，对注塑、切筋等工艺在生产效率方面具有较大的提升。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的构思之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种三引脚晶体管封装引线框结构，其特征在于：所述三引脚晶体管封装引线框结构包括基板与三引脚晶体管封装引线框单元，所述三引脚晶体管封装引线框单元呈阵列式设置在基板上，所述三引脚晶体管封装引线框单元包括基岛及分别与基岛连接的第一引脚、第二引脚、第三引脚，所述第一引脚设置在基岛上方的中间位置处，所述第二引脚设置在基岛下方的左侧，所述第三引脚设置在基岛下方的右侧，所述第一引脚到第二引脚之间的距离与第一引脚到第三引脚之间的距离相等。
2.如权利要求1所述的三引脚晶体管封装引线框结构，其特征在于：所述基岛的整体形状呈T形。
3.如权利要求1所述的三引脚晶体管封装引线框结构，其特征在于：所述三引脚晶体管封装引线框单元设置有672个。
4.如权利要求1所述的三引脚晶体管封装引线框结构，其特征在于：所述三引脚晶体管封装引线框单元还包括三个假脚，两个所述假脚设置在基岛上方且位于第一引脚的两侧，一个所述假脚设置在基岛下方且位于第二引脚与第一引脚的中间位置。
5.如权利要求1所述的三引脚晶体管封装引线框结构，其特征在于：所述三引脚晶体管封装引线框结构的长度为240mm。
6.如权利要求1所述的三引脚晶体管封装引线框结构，其特征在于：所述三引脚晶体管封装引线框结构的宽度为70mm。
7.如权利要求1所述的三引脚晶体管封装引线框结构，其特征在于：在所述基岛左侧设置有左精压区域，所述左精压区域与第二引脚相连接，在所述基岛右侧设置有右精压区域，所述右精压区域与第三引脚相连接。
8.如权利要求7所述的三引脚晶体管封装引线框结构，其特征在于：所述左精压区域与右精压区域沿基岛轴对称设置。
9.如权利要求4所述的三引脚晶体管封装引线框结构，其特征在于：所述三引脚晶体管封装引线框单元还包括两连筋，两所述连筋分别设置在基岛上方与下方。
10.如权利要求9所述的三引脚晶体管封装引线框结构，其特征在于：所述假脚、第一引脚、第二引脚及第三引脚设置在两所述连筋之间。
Priority Applications (1)
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| CN202020699143.7U CN212934607U (zh) | 2020-04-29 | 2020-04-29 | 三引脚晶体管封装引线框结构 |
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| CN202020699143.7U Active CN212934607U (zh) | 2020-04-29 | 2020-04-29 | 三引脚晶体管封装引线框结构 |
Country Status (1)
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2020
- 2020-04-29 CN CN202020699143.7U patent/CN212934607U/zh active Active
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