CN209471964U - 一种基于Mg2Si半导体材料的存储器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种基于Mg2Si半导体材料的存储器，它包括：Mg2Si衬底，Mg2Si衬底上设置有设置有第一存储单元，所述第一存储单元包括分区沟槽，分区沟槽边缘处设置有Mg2Si固定薄片，Mg2Si固定薄片顶端设置有绝缘晶片；分区沟槽两侧分别设置有源区和漏区，分区沟槽上设置有第一绝缘镀膜，第一绝缘镀膜上设置有栅极区，分区沟槽内设置有通电二极管，栅极区上设置Mg2Si隔离层（8），Mg2Si隔离层上设置有第二绝缘镀膜；第二绝缘镀膜上设置有第二存储单元；解决了现有的导电栓塞很容易发生偏移，从而使得所述导电栓塞与所述半导体衬底中的有源区的有效接触面积变小，使得所述导电栓塞与所述有源区的接触电阻及所述导电栓塞自身的电阻较大的问题。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体存储器领域，具体涉及一种基于Mg2Si半导体材料的存储器。
背景技术
半导体存储器是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器,内存储器就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。按其功能可分为:随机存取存储器(简称RAM)和只读存储器(只读ROM）。体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。随着工艺的发展，半导体结构中的用于将半导体衬底中的功能器件与外部电连接的导电栓塞的尺寸越来越小，使得所述导电栓塞容易发生偏移，导电栓塞与有源区的有效接触面积变小，譬如，动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称：DRAM)是由许多重复的存储单元组成。每一个存储单元主要由一个晶体管与一个由晶体管所操控的电容器所构成，每个所述晶体管包括一个栅极以及位于衬底内的源极和漏极，源极/漏极与位线相连接，漏极/源极则通过存储单元接触(cell contact)结构与所述电容器连接。随着工艺的发展，所述动态随机存储器的尺寸微缩，所述动态随机存储器的特征尺寸、单元面积相应减小，这就使得形成的所述导电栓塞很容易发生偏移，从而使得所述导电栓塞与所述半导体衬底中的有源区的有效接触面积变小，使得所述导电栓塞与所述有源区的接触电阻及所述导电栓塞自身的电阻较大。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种基于Mg2Si半导体材料的存储器，以解决现有技术的半导体存储器动态随机存储器的特征尺寸、单元面积相应减小，这就使得形成的所述导电栓塞很容易发生偏移，从而使得所述导电栓塞与所述半导体衬底中的有源区的有效接触面积变小，使得所述导电栓塞与所述有源区的接触电阻及所述导电栓塞自身的电阻较大等技术问题。
本实用新型技术方案：
一种基于Mg2Si半导体材料的存储器，它包括：Mg2Si衬底， Mg2Si衬底上设置有设置有第一存储单元，所述第一存储单元包括分区沟槽，分区沟槽边缘处设置有Mg2Si固定薄片，Mg2Si固定薄片顶端设置有绝缘晶片；分区沟槽两侧分别设置有源区和漏区，分区沟槽上设置有第一绝缘镀膜，第一绝缘镀膜上设置有栅极区，分区沟槽内设置有通电二极管，栅极区上设置Mg2Si隔离层，Mg2Si隔离层上设置有第二绝缘镀膜；第二绝缘镀膜上设置有第二存储单元。
第二存储单元与第一存储单元结构相同，第二存储单元与第一存储单元相互对立设置；第二存储单元上设置有Mg2Si压片，Mg2Si压片上对应于第二存储单元上栅极区同样设置有分区沟槽。
所述第一存储单元上的栅极区为选择栅极，第二存储单元上的栅极区为控制栅极。
所述通电二极管为p-n二极管，型号为FR205；通电二极管一端连接至漏区，另一端连接至保护电路。
所述Mg2Si固定薄片的厚度为0.3mm，Mg2Si固定薄片焊接在分区沟槽内侧。
所述绝缘晶片与第一绝缘镀膜及第二绝缘镀膜边缘紧密贴合。
本实用新型有益效果：
本实用新型通过分区沟槽将第一存储单元上各部分进行分区设置，所述分区沟槽两侧分别设置有源区和漏区，分区沟槽上设置有第一绝缘镀膜，第一绝缘镀膜上设置有栅极区，栅极区上设置有通电二极管，通电二极管一端连接至漏区；利用Mg2Si的特殊性能，Mg2Si固定薄片固定栅极区内的导电电路，并且使其接触电阻减小，解决了现有的导电栓塞很容易发生偏移，从而使得所述导电栓塞与所述半导体衬底中的有源区的有效接触面积变小，使得所述导电栓塞与所述有源区的接触电阻及所述导电栓塞自身的电阻较大的问题。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构示意图。
图中：1、Mg2Si衬底；2、第一存储单元；21、源区；22、漏区；23、栅极区；24、通电二极管；3、分区沟槽；4、Mg2Si固定薄片；5、绝缘晶片；6、第一绝缘镀膜；7、通电二极管；8、Mg2Si隔离层；9、第二绝缘镀膜；10、第二存储单元；11、Mg2Si压片。
具体实施方式
请参阅图1，本实用新型提供一种基于Mg2Si半导体材料的存储器，包括Mg2Si衬底1、分区沟槽3、第一存储单元2和第二存储单元10；所述Mg2Si衬底1上设置有第一存储单元2，第一存储单元2包括源区21、漏区22和栅极区23；所述Mg2Si衬底1上设置有分区沟槽3，分区沟槽3边缘处设置有Mg2Si固定薄片4，Mg2Si固定薄片4顶端设置有绝缘晶片5；所述分区沟槽两侧分别设置有源区21和漏区22，分区沟槽3上设置有第一绝缘镀膜6，第一绝缘镀膜6上设置有栅极区23，分区沟槽3内设置有通电二极管7，通电二极管7一端连接至漏区22；所述栅极区23上设置Mg2Si隔离层，Mg2Si隔离层8上设置有第二绝缘镀膜9；第二绝缘镀膜9上设置有第二存储单元10，第二存储单元10上设置有Mg2Si压片11，Mg2Si压片11上对应于第二存储单元10上栅极区23同样设置有分区沟槽3；第二存储单元10与第一存储单元相同，第二存储单元10与第一存储单元2相互对立设置。
进一步的，所述第一存储单元2上的栅极区23为选择栅极，第二存储单元10上的栅极区23为控制栅极。
进一步的，所述通电二极管7采用p-n二极管，具体型号为FR205。通电二极管一端连接至漏区，另一端连接至保护电路；保护电路属于本领域的常规配置，在此不再赘述其电性连接关系以及具体的电路结构。通电二极管在一定程度上起到保护电路的作用，提供存储器的安全性。
进一步的，所述Mg2Si固定薄片4的厚度为0.3mm，Mg2Si固定薄片4焊接在分区沟槽3内侧。
进一步的，所述绝缘晶片5与第一绝缘镀膜6及第二绝缘镀膜9边缘紧密贴合。
工作原理：动态随机存储器的尺寸微缩，所述动态随机存储器的特征尺寸、单元面积相应减小，这就使得形成的所述导电栓塞很容易发生偏移，从而使得所述导电栓塞与所述半导体衬底中的有源区的有效接触面积变小，使得所述导电栓塞与所述有源区的接触电阻及所述导电栓塞自身的电阻较大
Mg2Si衬底1上设置有第一存储单元2，第一存储单元2包括源区21、漏区22和栅极区23；所述Mg2Si衬底1上设置有分区沟槽3，分区沟槽3边缘处设置有Mg2Si固定薄片4，Mg2Si固定薄片4顶端设置有绝缘晶片5；通过分区沟槽3将第一存储单元上2各部分进行分区设置，所述分区沟槽3两侧分别设置有源区21和漏区22，分区沟槽3上设置有第一绝缘镀膜6，第一绝缘镀膜6上设置有栅极区23，分区沟槽3内设置有通电二极管7，通电二极管7一端连接至漏区22；利用Mg2Si的特殊性能，Mg2Si固定薄片4固定栅极区23内的导电电路，并且使其接触电阻减小，解决了现有的导电栓塞很容易发生偏移，从而使得所述导电栓塞与所述半导体衬底中的有源区的有效接触面积变小，使得所述导电栓塞与所述有源区的接触电阻及所述导电栓塞自身的电阻较大的问题；
所述栅极区23上设置Mg2Si隔离层，Mg2Si隔离层8上设置有第二绝缘镀膜9；第二绝缘镀膜9上设置有第二存储单元10，第二存储单元10上设置有Mg2Si压片11，Mg2Si压片11上对应于第二存储单元10上栅极区23同样设置有分区沟槽3；第二存储单元10与第一存储单元相同，第二存储单元10与第一存储单元2相互对立设置；对立设置的两个存储单元可通过Mg2Si隔离层8直接进行装配，减小了连接电阻。
值得注意的是：整个装置通过总控制按钮对其实现控制，由于控制按钮匹配的设备为常用设备，属于现有常熟技术，在此不再赘述其电性连接关系以及具体的电路结构。
Claims (6)
1.一种基于Mg2Si半导体材料的存储器，它包括：Mg2Si衬底（1），其特征在于：Mg2Si衬底（1）上设置有第一存储单元（2），所述第一存储单元（2）包括分区沟槽（3），分区沟槽（3）边缘处设置有Mg2Si固定薄片（4），Mg2Si固定薄片（4）顶端设置有绝缘晶片（5）；分区沟槽（3）两侧分别设置有源区（21）和漏区（22），分区沟槽（3）上设置有第一绝缘镀膜（6），第一绝缘镀膜（6）上设置有栅极区（23），分区沟槽（3）内设置有通电二极管（7），栅极区（23）上设置Mg2Si隔离层（8），Mg2Si隔离层（8）上设置有第二绝缘镀膜（9）；第二绝缘镀膜（9）上设置有第二存储单元（10）。
2.根据权利要求1所述的一种基于Mg2Si半导体材料的存储器，其特征在于：第二存储单元（10）与第一存储单元（2）结构相同，第二存储单元（10）与第一存储单元（2）相互对立设置；第二存储单元（10）上设置有Mg2Si压片（11），Mg2Si压片（11）上对应于第二存储单元（10）上栅极区（23）同样设置有分区沟槽（3）。
3.根据权利要求2所述的一种基于Mg2Si半导体材料的存储器，其特征在于：所述第一存储单元（2）上的栅极区为选择栅极，第二存储单元（10）上的栅极区为控制栅极。
4.根据权利要求1所述的一种基于Mg2Si半导体材料的存储器，其特征在于：所述通电二极管（7）为p-n二极管，型号为FR205；通电二极管（7）一端连接至漏区（22），另一端连接至保护电路。
5.根据权利要求1所述的一种基于Mg2Si半导体材料的存储器，其特征在于：所述Mg2Si固定薄片（4）的厚度为0.3mm，Mg2Si固定薄片（4）焊接在分区沟槽（3）内侧。
6.根据权利要求1所述的一种基于Mg2Si半导体材料的存储器，其特征在于：所述绝缘晶片（5）与第一绝缘镀膜（6）及第二绝缘镀膜（9）边缘紧密贴合。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201920376582.1U CN209471964U (zh) | 2019-03-22 | 2019-03-22 | 一种基于Mg2Si半导体材料的存储器 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN201920376582.1U CN209471964U (zh) | 2019-03-22 | 2019-03-22 | 一种基于Mg2Si半导体材料的存储器 |
Publications (1)
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| CN209471964U true CN209471964U (zh) | 2019-10-08 |
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ID=68094937
Family Applications (1)
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| CN201920376582.1U Active CN209471964U (zh) | 2019-03-22 | 2019-03-22 | 一种基于Mg2Si半导体材料的存储器 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN209471964U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109817621A (zh) * | 2019-03-22 | 2019-05-28 | 贵州大学 | 一种基于Mg2Si半导体材料的存储器结构 |
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2019
- 2019-03-22 CN CN201920376582.1U patent/CN209471964U/zh active Active
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| CN109817621A (zh) * | 2019-03-22 | 2019-05-28 | 贵州大学 | 一种基于Mg2Si半导体材料的存储器结构 |
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