CN209150154U - 一种cob光源的封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种COB光源的封装结构，属于半导体器件领域。该封装结构一种COB光源的封装结构，包括基板和若干芯片，还包括荧光层和折光体；所述基板具有安装面；若干所述芯片设于所述安装面上；所述芯片包括侧面、远离所述基板侧的顶面，每块所述芯片的顶面和侧面外均设有所述荧光层，所述荧光层与所述芯片组成发光单体；相邻所述发光单体之间具有间隙空间，所述折光体设于所述间隙空间内；该COB光源的封装结构通过在芯片顶面和侧面都设置荧光层，有效利用材料的光能转换效率，且同时通过折光体的配合设置，既保证较高的光效，又可避免蓝斑的出现，保证了较优的光色一致性，产品的综合性能更强。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体器件，尤其涉及一种COB光源的封装结构。
背景技术
目前，COB(Chip-on-Board)封装技术及其封装结构由于具有热阻低、光通量密度高、色容差小、组装工序少等优势，在不同领域都有较好的发展。随着COB光源应用市场的逐渐成熟，用户对COB光源的光效率、光色一致性、热稳定性的要求越来越高，特别是要求产品可以以更优的效能指标、更低的功耗实现更优的光色一致性。
现有的COB光源，芯片顶面有荧光层覆盖，芯片之间的间隙空间由封装胶填充，封装胶底部沉淀有荧光粉，芯片用于发出蓝光，芯片顶面发出的蓝光激发顶面荧光层内的荧光粉，芯片顶面可发出白光；而芯片侧面发出的蓝光激发封装胶底部的荧光粉，使得相邻芯片的间隙之间也可发出白光，这种COB光源充分利用芯片发出的蓝光，激发出的白光光通量更大，发光效率更高。
但是，现有的COB光源的封装结构存在以下缺陷：
由芯片侧面发出的蓝光，会溢出COB光源的封装结构，容易出现蓝斑，导致该COB光源的封装结构光色一致性较差。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种光效高且光色一致性好的COB光源的封装结构。
本实用新型的目的采用如下技术方案实现：
一种COB光源的封装结构，包括基板和若干芯片，还包括荧光层和折光体；所述基板具有安装面，若干所述芯片设于所述安装面上；所述芯片包括侧面、远离所述基板侧的顶面，每块所述芯片的顶面和侧面外均设有所述荧光层，所述荧光层与所述芯片组成发光单体；相邻所述发光单体之间具有间隙空间，所述折光体设于所述间隙空间内。
进一步地，所述芯片的侧面抵接所述荧光层，所述荧光层远离所述芯片侧的侧面抵接所述折光体。
进一步地，所述折光体为反射胶体或折射胶体。
进一步地，所述折光体高度不小于所述芯片高度。
进一步地，所述发光单体与所述折光体组成发光组件，所述发光组件远离所述基板侧设有聚光体，所述聚光体具有往远离所述基板方向延伸的弧形凸起。
进一步地，所述聚光体为透明硅胶体。
进一步地，还包括围坝，所述围坝由所述安装面往远离所述基板的方向延伸，所述围坝与所述安装面围成保护区，所述发光单体、所述折光体设于所述保护区内。
进一步地，所述折光体与所述围坝内壁连接。
进一步地，所述聚光体与所述安装面之间的间距的最大值为d1，所述围坝与所述安装面之间的间距的最大值为d2，d1大于d2。
进一步地，所述折光体填充所述围坝内侧壁与若干所述发光单体之间的间隙；所述荧光层为荧光胶；所述荧光胶层远离所述基板侧的侧面为第一侧面，所述折光体远离所述基板侧的侧面为第二侧面，所述第一侧面、所述第二侧面，所述芯片的顶面三面齐平。
相比现有技术，本实用新型的有益效果在于：既具有较高的光效，又具有较优的光色一致性；既可以避免芯片侧面漏出蓝光导致蓝斑，且可以避免相邻芯片侧面发出的光相互吸收，可以有效提升COB光源的视觉效能，提升材料的光能转换效率；综合性能更优。
附图说明
图1为本实用新型的COB光源的封装结构的结构示意图；
图2为本实用新型的COB光源的封装结构的结构剖面图；
图中：10、基板；20、芯片；30、荧光层；40、折光体；50、聚光体；60、围坝。
具体实施方式
下面，结合附图以及具体实施方式，对本实用新型做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。
如图1-2所示，一种COB光源的封装结构，包括基板10和若干用于发光的芯片20，还包括荧光层30和折光体40，荧光层30内含有荧光粉；基板10具有安装面，若干芯片20设于安装面上，芯片20与基板10电性连接以形成连通电路，以实现芯片20的发光功能；芯片20包括侧面和远离基板10侧的顶面，顶面和侧面均可发光，每块芯片20的顶面和侧面外均设有荧光层30，荧光层30与芯片20组成发光单体，由芯片20发出的蓝光激发荧光层30内的荧光粉，使得发光单体向外发出白光；相邻发光单体之间具有间隙空间，折光体40设于间隙空间内，由发光单体发出的光，受到折光体40的折射或者反射，射出该封装结构的出光面；该COB光源的封装结构通过在芯片20顶面和侧面都设置荧光层30，使得芯片20发出的光都能有效利用激发荧光粉，有效利用材料的光能转换效率，还可避免蓝斑的出现；同时通过折光体40的配合设置，可以避免芯片20侧面发出的光相互吸收，可以减少光衰，提升亮度；使得产品在保证了较优的光色一致性的同时，具有较高的光效，和较优的视觉效能，产品的综合性能更强。其中，芯片20可以是正装芯片20也可以是倒装芯片20；芯片20的排列方式可以是矩阵式排列，也可以是交错式排列等；芯片20与基板10之间的电性连接，可采取本领域常规技术实现。
优选地，为了实现该封装结构的紧凑性，同时为了降低生产制造成本，侧面抵接荧光层30，荧光层30远离芯片20侧的侧面抵接折光体40；这样，在生产制造的过程中，可以先在基板10上装芯片20，然后设置折光体40，再将含有荧光粉的荧光胶注入芯片20和折光体40之间的间隙内，将荧光胶烘烤固化即可形成荧光层30，该结构基础的设计，有利于提高生产制造的效率，避免在相邻芯片20上设置荧光层30时，相邻荧光层30黏连在一起。
优选地，为了能够保证芯片20顶面和侧面发出的光能均匀刺激荧光粉，使得发光单体发光均匀，荧光层30完全覆盖芯片20的顶面和侧面。
优选地，为了避免相邻芯片20(或相邻发光单体)发出的光相互吸收，折光体40为反射胶体或折射胶体；反射胶体可以选用高粘度反射白胶；折射胶体可选用高折射硅胶。
优选地，为了避免相邻芯片20侧面发出的光相互吸收，折光体40高度不小于芯片20高度；进一步优选使用折光体40高度与芯片20高度相同的结构，这样的结构便于生产制造。
优选地，由于发光单体侧面发出的光经过折光体40的反射或折射才由光源顶部射出，为了会聚由光源顶部发出的光，以进一步提高产品的视觉效能，在该封装结构上设置有聚光体50；具体地，若干发光单体与折光体40组成发光组件，发光组件远离基板10侧设有聚光体50，聚光体50具有往远离基板10方向延伸的弧形凸起；同时该聚光体50还起到了防护发光组件的作用。
优选地，为了方便生产和为了保证透光效果，聚光体50为透明硅胶体。
优选地，还包括围坝60，围坝60由安装面往远离基板10的方向延伸，围坝60与安装面围成保护区，发光单体、折光体40设于保护区内；设置围坝60对该COB光源进行封装加工，且对该光源内部结构具有一定保护作用。当然，也可采用无围坝60的结构。其中，聚光体50也可覆盖围坝60上部，以保护围坝60。
优选地，折光体40与围坝60内壁连接。
优选地，为了更好地发挥聚光体50的聚光效果和防护作用，聚光体50与安装面之间的间距的最大值为d1，围坝60与安装面之间的间距的最大值为d2，d1大于d2。
优选地，折光体40填充围坝60内侧壁与若干发光单体之间的间隙，这样的结构便于生产制造且结构紧凑；荧光层30为荧光胶；荧光胶层远离基板10侧的侧面为第一侧面，折光体40远离基板10侧的侧面为第二侧面，第一侧面、第二侧面，芯片20的顶面三面齐平，这样便于生产。
上述COB光源的封装方法如下：
固晶、焊线：将LED芯片20通过正装或倒装设于安装面上，且实现芯片20与基板10的电性连接；
设围坝60：在产品上用围坝60胶沿着侧向出光面围一圈，形成一个保护区；
设折光体40：在约远离芯片20xμm的芯片20四周均匀地涂覆高粘度反射白胶或高折射硅胶，烘烤固化，以形成折光体40；
设荧光层30：在设置了折光体40的前提下，在高粘度反射白胶或高折射硅胶与芯片20之间的间隙内，涂覆荧光胶，同时在芯片20顶面涂覆荧光胶，烘烤固化，以形成荧光层30，荧光层30面与高粘度反射白胶或高折射硅胶层面平齐；
设聚光体50：在设置了荧光层30的前提下，在高粘度反射白胶或高折射硅胶与荧光胶层表面层，注入一些透明硅胶，注入的透明硅胶层要高于围坝60，形成一个凸起弧形的透明硅胶层，烘烤固化，以形成聚光体50。
其中，“设围坝60”步骤和“设折光体40”步骤的前后顺序可互换。
在本实施例中，荧光层30的厚度与芯片20厚度相同，为150μm±50μm，且折光体40分别设在远离芯片20约150μm±50μm处。
上述实施方式仅为本实用新型的优选实施方式，不能以此来限定本实用新型保护的范围，本领域的技术人员在本实用新型的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本实用新型所要求保护的范围。
Claims (10)
1.一种COB光源的封装结构，包括基板和若干芯片，其特征在于：
还包括荧光层和折光体；
所述基板具有安装面，若干所述芯片设于所述安装面上；所述芯片包括侧面、远离所述基板侧的顶面，每块所述芯片的顶面和侧面外均设有所述荧光层，所述荧光层与所述芯片组成发光单体；
相邻所述发光单体之间具有间隙空间，所述折光体设于所述间隙空间内。
2.如权利要求1所述的COB光源的封装结构，其特征在于：
所述芯片的侧面抵接所述荧光层，所述荧光层远离所述芯片侧的侧面抵接所述折光体。
3.如权利要求1所述的COB光源的封装结构，其特征在于：
所述折光体为反射胶体或折射胶体。
4.如权利要求1所述的COB光源的封装结构，其特征在于：
所述折光体高度不小于所述芯片高度。
5.如权利要求1-4任一项所述的COB光源的封装结构，其特征在于：
所述发光单体与所述折光体组成发光组件，所述发光组件远离所述基板侧设有聚光体，所述聚光体具有往远离所述基板方向延伸的弧形凸起。
6.如权利要求5所述的COB光源的封装结构，其特征在于：
所述聚光体为透明硅胶体。
7.如权利要求5所述的COB光源的封装结构，其特征在于：
还包括围坝，所述围坝由所述安装面往远离所述基板的方向延伸，所述围坝与所述安装面围成保护区，所述发光单体、所述折光体设于所述保护区内。
8.如权利要求7所述的COB光源的封装结构，其特征在于：
所述折光体与所述围坝内壁连接。
9.如权利要求7所述的COB光源的封装结构，其特征在于：
所述聚光体与所述安装面之间的间距的最大值为d1，所述围坝与所述安装面之间的间距的最大值为d2，d1大于d2。
10.如权利要求9所述的COB光源的封装结构，其特征在于：
所述折光体填充所述围坝内侧壁与若干所述发光单体之间的间隙；所述荧光层为荧光胶；所述荧光胶层远离所述基板侧的侧面为第一侧面，所述折光体远离所述基板侧的侧面为第二侧面，所述第一侧面、所述第二侧面，所述芯片的顶面三面齐平。
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| CN201821679471.XU CN209150154U (zh) | 2018-10-16 | 2018-10-16 | 一种cob光源的封装结构 |
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