CN209016044U - 一种降低电磁干扰的装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型一种降低电磁干扰的装置，包括具有上表面并具有接地平面的载片台；跨越至少部分载片台的信号线；以及屏蔽键合线阵列，屏蔽键合线阵列包括多道键合线，至少部分键合线端部耦接于载片台的接地平面并位于信号线的一侧，另有至少部分键合线端部耦接于载片台的接地平面并位于信号线的另一侧；耦接于载片台的接地平面并位于信号线的一侧的端部与耦接于载片台的接地平面并位于信号线的另一侧的端部通过屏蔽键合线阵列的至少部分键合线连接屏蔽键合线阵列跨越信号线的至少一部分。本实用新型提供具备屏蔽阵列结构的降低电磁干扰的装置，提高芯片封装整体的电磁兼容性能指标。具有与现有工艺兼容，制作成本低且易实现；适用性广，可灵活应用于各种键合线封装。
Description
技术领域
本实用新型涉及到半导体技术领域，具体涉及一种用于降低方形扁平无引脚封装(QFN：QuadFlat No-lead Package)电磁干扰(EMI：Electromagnetic Interference)的屏蔽键合线阵列(BWA：Bond Wire Array)结构，可用于指导半导体芯片封装抑制EMI，提高封装的电磁可靠性。
背景技术
随着半导体技术的持续发展，集成电路(IC：integrated circuit)的时钟频率、复杂度不断提高，噪声容限、功耗和特征尺寸不断降低，其封装模块的电磁兼容(简称EMC：Electromagnetic Compatibility)问题日益突出，EMI已成为高频IC封装设计中一个不可忽视的影响因素。为提高封装后的IC在系统应用中的可靠性，其封装的EMC特性预测仿真以及如何降低其产生的EMI将成为IC封装中极为重要的一环。
以12引脚QFN的封装体模型(不含芯片部分)作为示例进行EMC研究。其结构如图1a所示，其包括塑封体001、载片台003、12引脚002、跨接5号引脚和11号引脚的待研究信号线005以及连接其余引脚和载片台的键合线004，以下简称“参照例模型”)。
图1b和图1c分别显示了不含塑封体的参照例模型的俯视图和正视图，图中注明了一些重要结构的二维平面几何尺寸参数。
表1记录了封装模型的垂直尺寸参数
基于上述模型参数，并以塑封体的尺寸为2.084mm(长)×2.084mm(宽)×0.75mm(高)的介质环境，采用ANSYS HFSS软件进行封装建模，在待研究信号线引脚两端分别设置端口(Port1与Port2)。当信号能量从Port1端口进入，经过待研究信号线传递到Port2端口时，由于阻抗失配等因素的影响，信号能量会对外产生一定的EMI能量。这些辐射能量将会耦接到封装体内其他结构部件以及封装体外部其他电路系统中，并对它们造成一定的影响，最终会影响到芯片封装的整体性能。
基于上述参照例模型结构，首先对该模型进行宽频范围的扫描仿真(扫描范围：0-50GHz，步长：0.05GHz)，图2给出了正向传输增益S21的仿真结果示例。
在上述S21结果中可以得知，该参照例模型结构的最大谐振点发生在m1(38.55GHz，-14.6756dB)处，因此，选取38.55GHz作为下一步研究该结构EMC的频率点，图3和图4分别给出了38.55GHz频率处该结构远场辐射以及近场辐射结果示例。
从图3与图4结果可知，近场辐射最大方向值为21.94V/m，3m远处远场辐射最大方向值为344.08mV。
实用新型内容
为解决上述技术问题中的一个或者多个，本实用新型提供一种降低电磁干扰的装置。
本实用新型一种降低电磁干扰的装置，包括：
载片台，具有上表面，并具有接地平面；
信号线，跨越至少部分载片台；以及
屏蔽键合线阵列，包括多道键合线，至少部分键合线端部耦接于载片台的接地平面并位于信号线的一侧，另有至少部分键合线端部耦接于载片台的接地平面并位于信号线的另一侧；
耦接于载片台的接地平面并位于信号线的一侧的端部与耦接于载片台的接地平面并位于信号线的另一侧的端部通过屏蔽键合线阵列的至少部分键合线连接；
屏蔽键合线阵列跨越信号线的至少一部分。
本实用新型提供具备屏蔽阵列结构的降低电磁干扰的装置。当信号能量通过封装内信号线进行传输时，由于该结构的存在，向外辐射的能量一部分将会被此结构所吸收，从而降低产生的电磁辐射能量对其他结构所造成的EMI影响，提高芯片封装整体的EMC性能指标。具有与现有工艺兼容，制作成本低且易实现；适用性广，可灵活应用于各种键合线封装。
在一些实施方式中，屏蔽键合线阵列中耦接于载片台的接地平面并位于信号线的一侧的部分键合线的端部的数量为多个，多个部分键合线的端部线性分布于信号线的一侧；
屏蔽键合线阵列中耦接于载片台的接地平面并位于信号线的另一侧的部分键合线的端部的数量为多个，多个部分键合线的端部线性分布于信号线的另一侧。
在一些实施方式中，屏蔽键合线阵列中耦接于载片台的接地平面并位于信号线的一侧的部分键合线的端部的数量为多个，多个部分键合线的端部单线分布于信号线的一侧；
屏蔽键合线阵列中耦接于载片台的接地平面并位于信号线的另一侧的部分键合线的端部的数量为多个，多个部分键合线的端部单线分布于信号线的另一侧。
在一些实施方式中，屏蔽键合线阵列中耦接于载片台的接地平面并位于信号线的一侧的部分键合线的端部的数量为多个，多个部分键合线的端部多线分布于信号线的一侧；
屏蔽键合线阵列中耦接于载片台的接地平面并位于信号线的另一侧的部分键合线的端部的数量为多个，多个部分键合线的端部多线分布于信号线的另一侧。
作为键合线的端部与载片台接触点的分布方式，本申请优选线性分布，并进一步提出是单线分布，双线乃至多线分布的优先分布方式。
在一些实施方式中，屏蔽键合线阵列包括并排设置的多道键合线，各键合线两端分别跨接在待研究信号线两侧。
在一些实施方式中，屏蔽键合线阵列包括多道键合线，各键合线两端均分别跨接在待研究信号线两侧，至少部分键合线在载片台上的投影与其他至少部分键合线在载片台上的投影相交。
在一些实施方式中，屏蔽键合线阵列包括多组键合线，各组键合线包括二键合线，二键合线的两端均分别跨接在待研究信号线两侧，二键合线在载片台上的投影相交设置。
作为屏蔽键合线阵列的空间结构，本申请提供空间平行分布、空间交错分布的示例性方案。并将这些与触点状况作为结合，提出多种屏蔽键合线阵列，并基于其提出多种降低电磁干扰的装置，并给出了仿真验证结果。
在一些实施方式中，载片台选自引线框架、电路板、基板或再分布层。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。
图1a为参照例模型结构的立体结构示意图；
图1b为参照例模型结构的俯视图；
图1c为参照例模型结构的正视图；
图2为参照例模型结构的正向传输增益S21；
图3为参照例模型结构的辐射场分布近场辐射；
图4为参照例模型结构的辐射场分布的远场辐射；
图5a为BWA的触点单线空间平行分布键合线阵列结构的结构示意图；
图5b为BWA的触点单线空间交错分布键合线阵列结构的结构示意图；
图5c为BWA的触点双线空间网状分布键合线阵列结构的结构示意图；
图6a为平行单跨模型结构示意图；
图6b为不含塑封体的平行单跨模型结构的俯视图；
图6c为不含塑封体的平行单跨模型结构的侧视图；
图7a为平行单跨模型结构的辐射场分布的近场辐射；
图7b为平行单跨模型结构的辐射场分布的远场辐射；
图8a为交错单跨模型的结构示意图；
图8b为不含塑封体交叉模型交错单跨模型的俯视图；
图8c为不含塑封体交叉模型交错单跨模型的正视图；
图9a为交错单跨模型的辐射场分布的近场辐射；
图9b为交错单跨模型的辐射场分布的远场辐射；
图10a为网状多跨模型结构示意图；
图10b为不含塑封体的网状多跨模型的俯视图；
图10c为不含塑封体的网状多跨模型的侧视图；
图11a为网状模型结构的辐射场分布的近场辐射；
图11b为网状模型结构的辐射场分布的远场辐射；
图12为QFN12模型；
图13为采用触点单线空间平行分布键合线阵列结构形式的BWA结构的QFN12模型；
图14为采用触点单线空间交错分布键合线阵列结构形式的BWA结构的QFN12模型。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型提出了一种降低电磁干扰的装置，包括：
载片台，具有上表面，并具有接地平面；
信号线，跨越至少部分载片台；以及
屏蔽键合线阵列，包括多道键合线，至少部分键合线端部耦接于载片台的接地平面并位于信号线的一侧，另有至少部分键合线端部耦接于载片台的接地平面并位于信号线的另一侧；
耦接于载片台的接地平面并位于信号线的一侧的端部与耦接于载片台的接地平面并位于信号线的另一侧的端部通过屏蔽键合线阵列的至少部分键合线连接；
屏蔽键合线阵列跨越信号线的至少一部分。
屏蔽键合线阵列(BondWireArray，以下简称BWA)是通过一定排列方式具有高密度、细间距跨接于信号线两侧形成的键合线阵列。
BWA结构不具有电气特性，不参与信号能量传输，仅作为一种能降低芯片封装EMI的屏蔽阵列结构。将此BWA结构置于封装体内部，用于跨接在信号线两侧。当信号能量通过封装内信号线进行传输时，由于BWA结构的存在，向外辐射的能量一部分将会被此结构所吸收，从而降低产生的电磁辐射能量对其他结构所造成的EMI影响，提高芯片封装整体的EMC性能指标。
本实用新型提供的BWA结构与现有工艺兼容，制作成本低且易实现；适用性广，可灵活应用于各种键合线封装。
优选的，本实用新型提供一种降低电磁干扰的装置，
屏蔽键合线阵列中耦接于载片台的接地平面并位于信号线的一侧的部分键合线的端部的数量为多个，多个部分键合线的端部线性分布于信号线的一侧；
屏蔽键合线阵列中耦接于载片台的接地平面并位于信号线的另一侧的部分键合线的端部的数量为多个，多个部分键合线的端部线性分布于信号线的另一侧。
作为键合线的端部与载片台接触点(以下简称：触点)线性分布的实施方式，可以是单线分布，也可以是双线乃至多线分布，本申请各实施例采用各线型均匀分布。
优选的，本实用新型提供一种降低电磁干扰的装置，屏蔽键合线阵列包括并排设置的多道键合线，各键合线两端分别跨接在待研究信号线两侧。
作为一种实施例，并排设置的多道键合线优选为多道键合线空间上平行分布的位置关系(以下简称“空间平行分布”)。在该优选方案的基础上结合上述触点单线分布的附加技术方案，如图5a所示，本实用新型示例性提供触点单线空间平行分布键合线阵列结构的BWA结构。
作为一种实施例，屏蔽键合线阵列可以是包括多道键合线，各键合线两端均分别跨接在待研究信号线两侧，至少部分键合线在载片台上的投影与其他至少部分键合线在所述载片台上的投影相交(以下简称：空间交错分布)。
作为空间交错分布的更具体的一个实施例，屏蔽键合线阵列包括多组键合线，各组键合线包括二键合线，二键合线的两端均分别跨接在待研究信号线两侧，二键合线在载片台上的投影相交设置。在该实施例基础上结合触点单线分布的附加技术方案，如图5b所示，本实用新型示例性提供触点单线空间交错分布键合线阵列结构的BWA结构。
作为空间交错分布的更具体，一键合线与其他键合线在所述载片台上投影的相交点数量在2以上，并结合触点双线分布的附件技术方案，本实用新型示例性提供触点双线空间网状分布键合线阵列结构的BWA结构。
更具体的，如图5c所示，触点双线空间网状分布键合线阵列结构包括多道键合线，各键合线两端均分别跨接在待研究信号线两侧，至少部分键合线在载片台上的投影与其他至少部分键合线在载片台上的投影相交，一键合线与其他键合线在载片台上投影的相交点数量为2，BWA结构的两侧端部为多线分布，即，BWA结构的多道键合线的部分端部在信号线的一侧呈一线性分布，另多道键合线的部分端部在信号线的一侧呈另一线性分布；另一侧也如是，即BWA结构的多道键合线的部分端部在信号线的另一侧呈一线性分布，另多道键合线的部分端部在信号线的另一侧呈另一线性分布。进一步，本实用新型提供的一种降低电磁干扰的装置，对构成BWA结构的多道键合线的内在结构关系不具有过多限制。
现将上述BWA结构的三种示例性结构应用于背景技术提出的参照例模型，分别对应命名为平行单跨模型、交错单跨模型及网状多跨模型，并进行仿真对比验证，本申请采用设计与分析工具为ANSYS公司的全波三维电磁仿真软件HFSS，研究本申请提供的BWA结构对EMI的抑制作用。在验证试验中采用示例的BWA结构，其材料、尺寸参数以及排列方式可根据具体应用进行相应的调整，不对保护范围具有限制。
本申请重点采用引线框架作为载片台验证上述装置的功用，当然，在本领域技术人员认知内，载片台还可以选用电路板、基板或再分布层等其他电路载片台。
平行单跨模型
如图6a所示，该结构具有a1～a13共13个阵列单元，依次并排跨接在待研究信号线两侧，两端与载片台相连接，图6b、图6c分别显示了不含塑封体的平行单跨模型结构的俯视图和正视图，示例性采用跨接宽度W＝0.212mm，跨接高度H＝0.2mm(H低于塑封体上表面高度)，跨接间隔L＝0.1mm，BWA结构键合线与载片台的触点线性分布，BWA结构键合线直径R＝0.025mm，使用材料为铜。
基于上述平行单跨模型，对此进行同参照例模型结构相同的频率扫描仿真，在38.55GHz处S21增加为-1.8974dB；同样选取38.55GHz作为研究EMC的频率点，图7a和图7b分别给出了38.55GHz频率处该结构远场辐射以及近场辐射结果示例。
可见，该结构近场辐射最大方向值为12.43V/m，3m远处远场辐射最大方向值为188.43mV。
交错单跨模型
如图8a所示，示例性地，该结构由a1～a7与b1～b7两组共14个阵列单元交叉组合构成，依次交叉跨接在待研究信号线两侧，两端与载片台相连接，图8b、8c分别显示了不含塑封体的交错单跨模型的俯视图和正视图，从图中可知，交错单跨模型跨接宽度W1＝W2＝0.468mm，a结构跨接高度H2＝0.2mm，b结构跨接高度H1＝0.17mm(H1、H2低于塑封体上表面高度)，不同高度结构跨接间隔L1＝0.1mm，相同高度结构跨接间隔L2＝0.2mm，BWA结构键合线单元直径R＝0.025mm，a、b结构与载片台的触点均线性分布，a、b结构的分布线相同位置设置，使用材料为铜。
基于上述交错单跨模型，对此进行同参照例模型结构相同的频率扫描仿真，在38.55GHz处S21增加为-5.0099dB；同样选取38.55GHz作为研究EMC的频率点，图9a和图9b分别给出了38.55GHz频率处该结构远场辐射以及近场辐射结果示例。
从图9a与图9b结果可知，该结构塑封体上表面电场分布最大值为9.3179E+02V/m，近场辐射最大方向值为14.81V/m，3m远处远场辐射最大方向值为263.07mV。
网状多跨模型
如图10a所示，示例性地，该结构由a1～a13与b1～b13两组共26个阵列单元组合构成，b1～b13跨接在靠近待研究信号线两端，a1～a13跨接在远离待研究信号线两端，共同交错形成网状，两端与载片台相连接。图10b、图10c分别显示了不含塑封体的网状多跨模型的俯视图和正视图，a结构跨接宽度W1＝0.51mm，b结构跨接宽度W2＝0.31mm，a结构跨接高度H2＝0.25mm，b结构跨接高度H1＝0.2mm(H1、H2低于塑封体上表面高度)，b结构跨接于a结构的内侧，a、b结构跨接间隔L1＝L2＝0.1mm，a、b结构与载片台的触点均线性分布，b结构的分布线位于a结构分布线朝向待研究信号线的一侧，BWA结构键合线直径R＝0.025mm，使用材料为铜。
基于上述网状多跨模型，对此进行同参照例模型结构相同的频率扫描仿真，在38.55GHz处S21增加为-1.9622dB；同样选取38.55GHz作为研究EMC的频率点，图11a和图11b分别给出了38.55GHz频率处该结构远场辐射以及近场辐射结果示例。结果可知，该结构近场辐射最大方向值为11.79V/m，3m远处远场辐射最大方向值为169.60mV。在对参照例模型结构中应用三种示例性的BWA模型结构并分别在相同条件下进行了0-50GHz宽频率范围的扫描仿真以及最大谐振频率38.55GHz下的EMC辐射仿真。
表2记录了参照例模型与三示例性BWA结构的模型的仿真数据对比。
表2参照例模型与三示例性BWA结构的模型仿真数据对比
从表2中可以得知，相对于参照例模型结构，平行单跨模型近场辐射为原来的56.655％，3m远场辐射为原来的54.763％；交错单跨模型结构近场辐射为原来的67.502％，3m远场辐射为原来的76.456％；网状单跨模型近场辐射为原来的53.737％，3m远场辐射为原来的49.291％；
综上所述，本实用新型提出的BWA结构能够显著降低封装模型的EMI，提高了封装模型的EMC性能指标。同时，本实用新型也可以用于指导其他半导体芯片封装进行EMI的抑制。
本实用新型对BWA结构至少提出了包括触点单线空间平行分布键合线阵列结构、触点单线空间交错分布键合线阵列结构、触点双线空间网状分布键合线阵列结构并对上述列举的三种模型结构进行EMC分析，EMC抑制效显著。
当然，本实用新型提供的BWA结构远不限于上述三种结构。具体应用仍以QFN12封装为例，如图12所示，封装结构中键合线(Bond wire)实现芯片与引脚之间的连接，然后引脚直接与外部印制电路板(PCB：Printed Circuit Board)焊盘进行连接，实现芯片与其他电子元件的物理和电气连接。
图13与图14分别呈现了触点单线空间平行分布键合线阵列结构的BWA结构和触点单线空间交错分布键合线阵列结构的BWA结构在QFN12封装中的具体应用场景示例。当然，载片台还可以选用电路板、基板或再分布层等其他电路载片台。
以上所述的仅是本实用新型的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。
Claims (8)
1.一种降低电磁干扰的装置，其特征在于，包括：
载片台，具有上表面，并具有接地平面；
信号线，跨越至少部分载片台；以及
屏蔽键合线阵列，包括多道键合线，至少部分键合线端部耦接于载片台的接地平面并位于信号线的一侧，另有至少部分键合线端部耦接于载片台的接地平面并位于信号线的另一侧；
耦接于载片台的接地平面并位于信号线的一侧的端部与耦接于载片台的接地平面并位于信号线的另一侧的端部通过所述屏蔽键合线阵列的至少部分键合线连接；
所述屏蔽键合线阵列跨越信号线的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的一种降低电磁干扰的装置，其特征在于，
所述屏蔽键合线阵列中耦接于载片台的接地平面并位于信号线的一侧的部分键合线的端部的数量为多个，多个部分键合线的端部线性分布于信号线的一侧；
所述屏蔽键合线阵列中耦接于载片台的接地平面并位于信号线的另一侧的部分键合线的端部的数量为多个，多个部分键合线的端部线性分布于信号线的另一侧。
3.根据权利要求2所述的一种降低电磁干扰的装置，其特征在于，
所述屏蔽键合线阵列中耦接于载片台的接地平面并位于信号线的一侧的部分键合线的端部的数量为多个，多个部分键合线的端部单线分布于信号线的一侧；
所述屏蔽键合线阵列中耦接于载片台的接地平面并位于信号线的另一侧的部分键合线的端部的数量为多个，多个部分键合线的端部单线分布于信号线的另一侧。
4.根据权利要求2所述的一种降低电磁干扰的装置，其特征在于,
所述屏蔽键合线阵列中耦接于载片台的接地平面并位于信号线的一侧的部分键合线的端部的数量为多个，多个部分键合线的端部多线分布于信号线的一侧；
所述屏蔽键合线阵列中耦接于载片台的接地平面并位于信号线的另一侧的部分键合线的端部的数量为多个，多个部分键合线的端部多线分布于信号线的另一侧。
5.根据权利要求1～4任一项所述的一种降低电磁干扰的装置，其特征在于，
所述屏蔽键合线阵列包括并排设置的多道键合线，各所述键合线两端分别跨接在待研究信号线两侧。
6.根据权利要求1～4任一项所述的一种降低电磁干扰的装置，其特征在于，
所述屏蔽键合线阵列包括多道键合线，各所述键合线两端均分别跨接在待研究信号线两侧，至少部分键合线在所述载片台上的投影与其他至少部分键合线在所述载片台上的投影相交。
7.根据权利要求1～4任一项所述的一种降低电磁干扰的装置，其特征在于，
所述屏蔽键合线阵列包括多组键合线，各组键合线包括二键合线，所述二键合线的两端均分别跨接在待研究信号线两侧，二键合线在所述载片台上的投影相交设置。
8.根据权利要求1所述的一种降低电磁干扰的装置，其特征在于，所述载片台选自引线框架、电路板、基板或再分布层。
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