CN208848034U - 边缘曝光装置 - Google Patents
边缘曝光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN208848034U CN208848034U CN201821270716.3U CN201821270716U CN208848034U CN 208848034 U CN208848034 U CN 208848034U CN 201821270716 U CN201821270716 U CN 201821270716U CN 208848034 U CN208848034 U CN 208848034U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- edge exposure
- exposure device
- optical fiber
- hood
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种边缘曝光装置。所述边缘曝光装置，包括用于传输光信号的光纤，还包括遮光罩，所述遮光罩套设于所述光纤外部，以避免自所述光纤泄露的光线照射至待曝光的晶圆边缘。本实用新型避免了晶圆边缘多次曝光，提高了机台利用率。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种边缘曝光装置。
背景技术
随着集成电路的发展，晶体管密集程度的增加和关键尺寸的缩小，光刻工艺过程中产生的缺陷对器件良率具有至关重要的影响，其中晶圆边界的清洁和定义开始变得更加重要。在光刻工艺过程中，光阻旋涂在晶圆表面上，在靠近晶圆边界处的上下表面都有光阻的堆积；在后续的蚀刻或者离子注入工艺过程中，这些堆积在晶圆边缘的光阻很可能与晶圆的机械手臂发生接触碰撞，从而导致颗粒污染的产生。所以，光刻工艺过程中通常会进行晶圆表面光阻去边以避免上述问题的产生。
现有技术中晶圆表面光阻去边的方法主要分为：化学去边法(EBR，Edge BeadRemoval)和晶圆边缘曝光法(WEE，Wafer Edge Exposure)。化学去边是利用晶圆在涂光阻过程中，向晶圆边缘喷洒溶剂以消除晶圆边缘光阻。边缘曝光法是在涂光阻后且在曝光前使用WEE装置，即：将晶圆通过真空吸附到旋转平台上，在晶圆边缘上方固定一光源，然后利用旋转台的旋转来实现晶圆边缘曝光。目前，多采用这两种方法相结合来彻底去除晶圆边缘多余的光刻胶。
但是，现有的边缘曝光装置由于快门开关位置不合适或者传输光纤老化等原因，时常会出现漏光，使得在进行正常的WEE工艺之前，晶圆的边缘为提前曝光，而正常的WEE工艺则成为二次曝光。二次曝光不仅会占用过多的机台时间，影响机台产能；而且由于在WEE工艺中通常会采用监控器监控去边效果，二次曝光则会导致WEE监控器监控失败，不能准确确定去边效果，影响半导体制程持续、稳定的进行。
因此，如何避免晶圆边缘多次曝光，以提高机台产能，是目前亟待解决的技术问题。
实用新型内容
本实用新型提供一种边缘曝光装置，用以解决现有的边缘曝光装置易导致晶圆边缘多次曝光的问题，以提高机台的利用率。
为了解决上述问题，本实用新型提供了一种边缘曝光装置，包括用于传输光信号的光纤，还包括遮光罩，所述遮光罩套设于所述光纤外部，以避免自所述光纤泄露的光线照射至待曝光的晶圆边缘。
优选的，还包括设置于所述光纤的出光端与所述晶圆之间的快门，且所述快门位于所述遮光罩围绕而成的腔体内。
优选的，所述遮光罩具有一开口，所述开口与所述光纤的出光端对应设置，光源发出的光信号经所述光纤自所述开口照射至所述晶圆边缘。
优选的，还包括控制器以及安装于所述开口内的隔板；所述控制器连接所述隔板，用于控制所述隔板的开合状态。
优选的，还包括至少一传感器；所述传感器设置于所述遮光罩围绕而成的腔体内，用于检测所述光纤是否发生漏光。
优选的，至少一传感器包括多个传感器，且多个传感器关于所述腔体的中心对称设置。
优选的，还包括环绕所述遮光罩内表面设置的反光镜。
优选的，还包括报警器；所述报警器连接所述传感器，用于在所述传感器检测到漏光时发出警报。
本实用新型提供的边缘曝光装置，通过在用于传输光信号的光纤外部，使得所述光纤泄露的光线不能照射至待曝光的晶圆表面，避免晶圆边缘多次曝光，提高机台利用率；且使得边缘曝光监控器能够准确监控边缘曝光效果，确保半导体制程持续、稳定的进行。
附图说明
附图1是本实用新型具体实施方式中边缘曝光装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型提供的边缘曝光装置的具体实施方式做详细说明。
本具体实施方式提供了一种边缘曝光装置，附图1是本实用新型具体实施方式中边缘曝光装置的结构示意图。如图1所示，本具体实施方式提供的边缘曝光装置，包括用于传输光信号的光纤12。具体来说，待曝光的晶圆10置于旋转台11上，所述旋转台11带动所述晶圆10自转。光源15发出的光线经所述光纤12照射至待曝光的晶圆10的边缘，以实现对所述晶圆10的边缘曝光。为了避免边缘曝光工艺开始前，由于所述光纤12的漏光导致所述晶圆10边缘的提前曝光，本具体实施方式提供的边缘曝光装置还包括遮光罩13，所述遮光罩13套设于所述光纤12外部，以避免自所述光纤12泄露的光线照射至待曝光的晶圆10边缘。
本具体实施方式中将所述光纤12容纳于由所述遮光罩13围绕而成的腔体131，这样即便所述光纤12因为老化等原因而漏光，所述遮光罩13也能将泄露的光线吸收或者限定在所述腔体131内，避免所述光线提前照射至所述晶圆边缘，避免了晶圆多次曝光的发生。其中，所述遮光罩的具体形状以及具体材质，本领域技术人员可以根据实际需要进行设置，例如根据光纤的形状、材质等因素进行选择。
为了进一步避免晶圆边缘在边缘曝光工艺开始前提高曝光，优选的，所述边缘曝光装置还包括设置于所述光纤12的出光端与所述晶圆10之间的快门16，且所述快门16位于所述遮光罩13围绕而成的腔体131内。正常情况下，所述快门16用于控制所述光纤12的出光端与所述晶圆10边缘之间的光路是否导通，例如所述快门16关闭、阻断光路，自所述光纤12的出光端发出的光线不能照射至所述晶圆10边缘；所述快门16开启、光路导通，自所述光纤12的出光端发出的光线能够照射至所述晶圆10边缘。但是，由于快门制造或者安装因素等原因，既使在快门关闭时，也可能有光线照射至所述晶圆表面。本具体实施方式将所述快门16也置于所述遮光罩13围绕而成的腔体131内，使得所述遮光罩13不仅能够遮蔽由于所述光纤12老化等原因导致的漏光，还能够遮蔽由于所述快门16制造或者安装因素等导致的漏光，进一步避免了所述晶圆边缘多次曝光的发生。
为了进一步提高所述边缘曝光装置的自动化、智能化程度，优选的，所述遮光罩13具有一开口，所述开口与所述光纤12的出光端对应设置，光源15发出的光信号经所述光纤12自所述开口照射至所述晶圆10边缘。更优选的，所述边缘曝光装置还包括控制器以及安装于所述开口内的隔板17；所述控制器，连接所述隔板17，用于控制所述隔板17的开合状态。采用上述结构，在边缘曝光工艺开始之前，可以通过所述控制器控制所述隔板17关闭，避免自所述光纤12和/或所述快门16处的漏光照射至所述晶圆10边缘；在所述边缘曝光工艺开始后，可以通过所述控制器控制所述隔板17开启，所述光源15发出的光线依次经所述光纤12、所述开口传输至所述晶圆边缘。
优选的，所述边缘曝光装置还包括至少一传感器18；所述传感器18设置于所述遮光罩13围绕而成的腔体131内，用于检测所述光纤12是否发生漏光。
为了进一步提高漏光检测的灵敏度，优选的，至少一传感器18包括多个传感器18，且多个传感器18关于所述腔体131的中心对称设置。
为了在提高漏光检测灵敏度的同时，降低所述边缘曝光装置的整体成本，优选的，所述边缘曝光装置还包括环绕所述遮光罩13内表面设置的反光镜14。通过于所述遮光罩13的内表面设置反光镜14，无论哪个方向上的漏光都可以被所述传感器18检测到。
为了使得用户可以直观、及时的了解漏光情况，优选的，所述边缘曝光装置还包括报警器；所述报警器，连接所述传感器18，用于在所述传感器18检测到漏光时发出警报。其中，所述报警器可以是LED闪烁灯或者蜂鸣器。
本具体实施方式提供的边缘曝光装置，通过在用于传输光信号的光纤外部，使得所述光纤泄露的光线不能照射至待曝光的晶圆表面，避免晶圆边缘多次曝光，提高机台利用率；且使得边缘曝光监控器能够准确监控边缘曝光效果，确保半导体制程持续、稳定的进行。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (8)
1.一种边缘曝光装置，包括用于传输光信号的光纤，其特征在于，还包括遮光罩，所述遮光罩套设于所述光纤外部，以避免自所述光纤泄露的光线照射至待曝光的晶圆边缘。
2.根据权利要求1所述的边缘曝光装置，其特征在于，还包括设置于所述光纤的出光端与所述晶圆之间的快门，且所述快门位于所述遮光罩围绕而成的腔体内。
3.根据权利要求1所述的边缘曝光装置，其特征在于，所述遮光罩具有一开口，所述开口与所述光纤的出光端对应设置，光源发出的光信号经所述光纤自所述开口照射至所述晶圆边缘。
4.根据权利要求3所述的边缘曝光装置，其特征在于，还包括控制器以及安装于所述开口内的隔板；所述控制器连接所述隔板，用于控制所述隔板的开合状态。
5.根据权利要求1所述的边缘曝光装置，其特征在于，还包括至少一传感器；所述传感器设置于所述遮光罩围绕而成的腔体内，用于检测所述光纤是否发生漏光。
6.根据权利要求5所述的边缘曝光装置，其特征在于，至少一传感器包括多个传感器，且多个传感器关于所述腔体的中心对称设置。
7.根据权利要求5所述的边缘曝光装置，其特征在于，还包括环绕所述遮光罩内表面设置的反光镜。
8.根据权利要求5所述的边缘曝光装置，其特征在于，还包括报警器；所述报警器连接所述传感器，用于在所述传感器检测到漏光时发出警报。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201821270716.3U CN208848034U (zh) | 2018-08-07 | 2018-08-07 | 边缘曝光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201821270716.3U CN208848034U (zh) | 2018-08-07 | 2018-08-07 | 边缘曝光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN208848034U true CN208848034U (zh) | 2019-05-10 |
Family
ID=66355363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201821270716.3U Expired - Fee Related CN208848034U (zh) | 2018-08-07 | 2018-08-07 | 边缘曝光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN208848034U (zh) |
-
2018
- 2018-08-07 CN CN201821270716.3U patent/CN208848034U/zh not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100403862B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 검사 장치 및 그 방법 | |
| US20060055910A1 (en) | Exposure apparatus adapted to detect abnormal operating phenomenon | |
| JP3584262B2 (ja) | 蛍光ｘ線分析用試料前処理システムおよびそれを備えた蛍光ｘ線分析システム | |
| KR19990083340A (ko) | 도포막형성장치및그방법 | |
| US6431769B1 (en) | Substrate processing system and substrate processing method | |
| US10083845B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium | |
| CN208848034U (zh) | 边缘曝光装置 | |
| US12025533B2 (en) | System and method for liquid leak detection | |
| JPH0989657A (ja) | 測定用センサ及び測定用センサを用いる拡散反射スペクトル測定方法並びに乳剤製造装置 | |
| JP2011023669A (ja) | 処理液供給装置及び処理液供給方法 | |
| CN208432850U (zh) | 一种曝光装置 | |
| KR20200133892A (ko) | 스핀 코터 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 | |
| US5216487A (en) | Transmissive system for characterizing materials containing photoreactive constituents | |
| JP2000042472A (ja) | 塗布異常検出手段を有す薄膜塗布装置と露光装置及び薄膜塗布方法 | |
| US7420690B2 (en) | End point detection in workpiece processing | |
| WO2021164624A1 (zh) | 疏水膜结构及其检测方法、检测系统、晶圆载具 | |
| JP5407900B2 (ja) | 流量測定装置及び流量測定方法 | |
| JPH0341482Y2 (zh) | ||
| JPS5910658Y2 (ja) | 走行エナメル線の接着検査装置 | |
| JPH02268866A (ja) | 液処理装置 | |
| KR100587908B1 (ko) | 웨이퍼 카운터를 포함하는 코팅 장치 | |
| JPS5848673A (ja) | 金属薄膜のエツチング装置 | |
| KR20020096276A (ko) | 반도체 제조용 포토 장치 | |
| NL2024620A (en) | A Substrate Container, a Lithographic Apparatus and a Method using a Lithographic Apparatus | |
| KR20060131504A (ko) | 스핀 코팅 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20190510 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |