CN208538841U - 便于散热的半导体器件 - Google Patents

便于散热的半导体器件 Download PDF

Info

Publication number
CN208538841U
CN208538841U CN201821193138.8U CN201821193138U CN208538841U CN 208538841 U CN208538841 U CN 208538841U CN 201821193138 U CN201821193138 U CN 201821193138U CN 208538841 U CN208538841 U CN 208538841U
Authority
CN
China
Prior art keywords
chip substrate
cooling fin
heat dissipation
semiconductor devices
convenient
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201821193138.8U
Other languages
English (en)
Inventor
何洪运
郝艳霞
刘玉龙
沈加勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Good Ark Electronics Co Ltd
Original Assignee
Suzhou Good Ark Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Good Ark Electronics Co Ltd filed Critical Suzhou Good Ark Electronics Co Ltd
Priority to CN201821193138.8U priority Critical patent/CN208538841U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN208538841U publication Critical patent/CN208538841U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401Disposition
    • H01L2224/40151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本实用新型公开一种便于散热的半导体器件,包括设置于环氧封装体内的芯片基板、至少2个二极管芯片、至少2个连接片和至少2个负极引脚,位于芯片基板上表面的所述二极管芯片的正极端与芯片基板上表面电连接,所述二极管芯片的负极端与负极引脚一端通过连接片连接,所述芯片基板一端具有一正极引脚,还具有一散热片,此散热片通过一环氧层固定于芯片基板下表面。本实用新型通过散热片的集成设置,省去了后续使用时再加装散热片,节约了安装工序且方便使用且散热片与芯片基板之间设置有环氧层用于绝缘,使得金属散热片与芯片基板、正负极引脚之间绝缘,保证器件使用的安全性。

Description

便于散热的半导体器件
技术领域
本实用新型涉及一种便于散热的半导体器件,属于半导体封装器件技术领域。
背景技术
作为电子行业应用最为广泛的电气元件之一,功率器件正沿着大功率化、高频化、高集成化的方向发展,故而,其是否具有良好的散热和抗电磁干扰设计就成为了影响功率器件工作性能和使用寿命的关键因素。
现有同类产品引线框为厚薄铜材,客户使用时需要再加装散热片,增加装配成本,厚薄铜材为异形铜材,材料成本高且铜材的用量大,此外,芯片与散热片之间不绝缘,存在一定的安全隐患。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种便于散热的半导体器件,该便于散热的半导体器件使得金属散热片与芯片基板、正负极引脚之间绝缘,保证器件使用的安全性。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种便于散热的半导体器件,包括设置于环氧封装体内的芯片基板、至少2个二极管芯片、至少2个连接片和至少2个负极引脚;
位于芯片基板上表面的所述二极管芯片的正极端与芯片基板上表面电连接,所述二极管芯片的负极端与负极引脚一端通过连接片连接,所述芯片基板一端具有一正极引脚;
还具有一散热片,此散热片通过一环氧层固定于芯片基板下表面。
上述技术方案中进一步改进的方案如下:
1. 上述方案中,所述环氧层的厚度为0.2mm~1.0mm。
2. 上述方案中,所述散热片为铝合金散热片或者铜散热片。
3. 上述方案中,所述散热片厚度与芯片基板厚度比值为10:2~4。
4. 上述方案中,所述连接片具有一折弯部。
5. 上述方案中,所述负极引脚和正极引脚设置于同一水平面。
由于上述技术方案的运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
本实用新型便于散热的半导体器件,其还具有一散热片,此散热片通过一环氧层固定于芯片基板下表面,散热片的集成设置,省去了后续使用时再加装散热片,节约了安装工序且方便使用;此外,散热片与芯片基板之间设置有环氧层用于绝缘,使得金属散热片与芯片基板、正负极引脚之间绝缘,保证器件使用的安全性;再次,散热片的设置,取代了芯片基板本身的散热功能,使得芯片基板与引脚均可以使用均一厚度的薄铜材,大大减少铜材的使用量且均为标准铜材,节约了成本,提高生产使用效率。
附图说明
附图1为本实用新型便于散热的半导体器件结构示意图;
附图2为本实用新型便于散热的半导体器件局部结构剖视图。
以上附图中:1、环氧封装体;2、芯片基板;3、二极管芯片;4、连接片;5、负极引脚;6、环氧层;7、正极引脚;9、散热片。
具体实施方式
实施例1:一种便于散热的半导体器件,包括设置于环氧封装体1内的芯片基板2、至少2个二极管芯片3、至少2个连接片4和至少2个负极引脚5;
位于芯片基板2上表面的所述二极管芯片3的正极端与芯片基板2上表面电连接,所述二极管芯片3的负极端与负极引脚5一端通过连接片4连接,所述芯片基板2一端具有一正极引脚7;
还具有一散热片9,此散热片9通过一环氧层6固定于芯片基板2下表面。
上述环氧层6的厚度为0.2mm;上述散热片9为铝合金散热片;上述散热片9厚度与芯片基板2厚度比值为10:2;上述连接片4具有一折弯部。
实施例2:一种便于散热的半导体器件,包括设置于环氧封装体1内的芯片基板2、至少2个二极管芯片3、至少2个连接片4和至少2个负极引脚5;
位于芯片基板2上表面的所述二极管芯片3的正极端与芯片基板2上表面电连接,所述二极管芯片3的负极端与负极引脚5一端通过连接片4连接,所述芯片基板2一端具有一正极引脚7;
还具有一散热片9,此散热片9通过一环氧层6固定于芯片基板2下表面。
上述环氧层6的厚度为0.4mm;上述散热片9为者铜散热片;上述散热片9厚度与芯片基板2厚度比值为10:3;上述负极引脚5和正极引脚7设置于同一水平面。
采用上述便于散热的半导体器件时,其通过散热片的集成设置,省去了后续使用时再加装散热片,节约了安装工序且方便使用;此外,散热片与芯片基板之间设置有环氧层用于绝缘,使得金属散热片与芯片基板、正负极引脚之间绝缘,保证器件使用的安全性;再次,散热片的设置,取代了芯片基板本身的散热功能,使得芯片基板与引脚均可以使用均一厚度的薄铜材,大大减少铜材的使用量且均为标准铜材,节约了成本,提高生产使用效率。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施,并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种便于散热的半导体器件,其特征在于:包括设置于环氧封装体(1)内的芯片基板(2)、至少2个二极管芯片(3)、至少2个连接片(4)和至少2个负极引脚(5);
位于芯片基板(2)上表面的所述二极管芯片(3)的正极端与芯片基板(2)上表面电连接,所述二极管芯片(3)的负极端与负极引脚(5)一端通过连接片(4)连接,所述芯片基板(2)一端具有一正极引脚(7);
还具有一散热片(9),此散热片(9)通过一环氧层(6)固定于芯片基板(2)下表面。
2.根据权利要求1所述的便于散热的半导体器件,其特征在于:所述环氧层(6)的厚度为0.2mm~1.0mm。
3.根据权利要求1所述的便于散热的半导体器件,其特征在于:所述散热片(9)为铝合金散热片或者铜散热片。
4.根据权利要求1所述的便于散热的半导体器件,其特征在于:所述散热片(9)厚度与芯片基板(2)厚度比值为10:2~4。
5.根据权利要求1所述的便于散热的半导体器件,其特征在于:所述连接片(4)具有一折弯部。
6.根据权利要求1所述的便于散热的半导体器件,其特征在于:所述负极引脚(5)和正极引脚(7)设置于同一水平面。
CN201821193138.8U 2018-07-26 2018-07-26 便于散热的半导体器件 Active CN208538841U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201821193138.8U CN208538841U (zh) 2018-07-26 2018-07-26 便于散热的半导体器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201821193138.8U CN208538841U (zh) 2018-07-26 2018-07-26 便于散热的半导体器件

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN208538841U true CN208538841U (zh) 2019-02-22

Family

ID=65385147

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201821193138.8U Active CN208538841U (zh) 2018-07-26 2018-07-26 便于散热的半导体器件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN208538841U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110854096A (zh) 一种新型封装的分立器件
CN208538841U (zh) 便于散热的半导体器件
CN113782504A (zh) 一种集成散热器的功率模块简化封装结构及制作方法
CN210467825U (zh) 一种具有抗干扰结构的贴片式二极管
CN219435850U (zh) Mosfet芯片封装结构
CN210200718U (zh) 一种高功率小型封装的可控硅
CN208538827U (zh) 具有散热功能的功率器件
CN208538825U (zh) 半导体功率器件
CN208538826U (zh) 高可靠性功率器件
CN211376640U (zh) 一种用于igbt模块的二极管
CN210575922U (zh) 一种功率半导体器件的封装结构
CN210897260U (zh) 新型封装的分立器件
CN108766947B (zh) 具有散热功能的功率器件
CN212587482U (zh) 一种顶部散热半导体产品及电子产品
CN112038245A (zh) 一种功率模块内部绑定线的连接工艺
CN206301785U (zh) 一种高导电流的整流桥堆
CN211670191U (zh) 一种高散热性的贴片整流桥
CN207719203U (zh) 一种集成二极管的三极管封装结构
CN207765452U (zh) 一种贴片式散热二极管
CN215819171U (zh) 一种电路板散热结构
CN217606807U (zh) 一种p型沟道氮化镓器件
CN218896627U (zh) 一种sbd器件封装散热结构
CN220306247U (zh) 一种高散热性的贴片整流桥
CN214123866U (zh) 基于碳化硅的整流二极管
CN211880702U (zh) 一种医疗集成电极信号导出电路板

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant