CN207719203U - 一种集成二极管的三极管封装结构 - Google Patents
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- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 16
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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Abstract
本实用新型系提供一种集成二极管的三极管封装结构，包括封装外壳，封装外壳固定有负极导电片，负极导电片的两侧均设有二极管模块；二极管模块包括正极导电片，正极导电片与负极导电片之间连接有芯片，芯片的两端分别设有第一限位块和第二限位块，第一限位块与负极导电片固定连接，第二限位块与正极导电片固定连接，第一限位块与正极导电片之间固定有第一横向绝缘散热片，第二限位块与负极导电片之间固定有第二横向绝缘散热片。本实用新型使一个封装体内设置有两个二极管结构，能够同时实现两个二极管电路的功能，结构简单稳定，成品的占用空间小，且整体结构的散热性能好，能够有效确保成品的性能和使用寿命。
Description
技术领域
本实用新型涉及三极管封装结构，具体公开了一种集成二极管的三极管封装结构。
背景技术
三极管有两种含义，一种是晶体三极管，用于把微弱信号放大成幅度值较大的电信号；另一种是指有三个引脚的电子器件。二极管，是一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流功能，还用于设置保护电路。
随着科技的不断进步，电子产品逐渐向小型化、超薄式的方向发展，电子产品应用多个二极管时，每个二极管电路都需要设置一个单独封装好的二极管，占用空间较多，不利于电子产品的小型化、超薄式的设计。
实用新型内容
基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种集成二极管的三极管封装结构，一个封装体内设置有两个二极管结构，能够同时实现两个二极管电路的功能，结构稳定，尺寸小，能够有效满足电子产品的小型化设计。
为解决现有技术问题，本实用新型公开一种集成二极管的三极管封装结构，包括封装外壳，封装外壳固定有负极导电片，负极导电片的外接端凸出于封装外壳的第一侧，负极导电片的两侧均设有二极管模块；
二极管模块包括正极导电片，正极导电片的外接端凸出于封装外壳的第二侧，正极导电片与负极导电片之间连接有芯片，芯片的两端分别设有第一限位块和第二限位块，第一限位块与负极导电片固定连接，第二限位块与正极导电片固定连接，第一限位块与正极导电片之间固定有第一横向绝缘散热片，第二限位块与负极导电片之间固定有第二横向绝缘散热片。
进一步的，封装外壳内填充设置有绝缘填充体。
进一步的，第一限位块和第二限位块均为金属锡限位块。
进一步的，第一横向绝缘散热片和第二横向绝缘散热片均为绝缘陶瓷片。
进一步的，负极导电片的外接端固定有第一导电连接块，正极导电片的外接端固定有第二导电连接块。
进一步的，第一导电连接块设有第一通气管，第二导电连接块设有第二通气管。
进一步的，正极导电片远离芯片的一侧固定有纵向绝缘导热块。
进一步的，纵向绝缘导热块的尺寸与芯片的尺寸匹配。
进一步的，纵向绝缘导热块为绝缘陶瓷块。
本实用新型的有益效果为：本实用新型公开一种集成二极管的三极管封装结构，设置三极管的封装结构用于两个二极管的集成，使一个封装体内设置有两个二极管结构，能够同时实现两个二极管电路的功能，结构简单稳定，成品的尺寸小、占用空间小，能够有效满足电子产品的小型化、超薄式设计，且整体结构的散热性能好，能够有效确保成品的性能和使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
附图标记为：封装外壳10、绝缘填充体11、负极导电片20、第一导电连接块21、第一通气管211、二极管模块30、正极导电片31、芯片32、第一限位块33、第二限位块34、第一横向绝缘散热片35、第二横向绝缘散热片36、第二导电连接块37、第二通气管371、纵向绝缘导热块38。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
参考图1。
本实用新型实施例公开一种集成二极管的三极管封装结构，包括封装外壳10，封装外壳10固定有负极导电片20，负极导电片20的外接端凸出于封装外壳10的第一侧，负极导电片20的上下两侧各设有一个二极管模块30；
二极管模块30包括正极导电片31，正极导电片31的外接端凸出于封装外壳10的第二侧，正极导电片31与负极导电片20之间连接有芯片32，芯片32的两端分别设有第一限位块33和第二限位块34，第一限位块33与负极导电片20固定连接，第二限位块34与正极导电片31固定连接，第一限位块33与正极导电片31之间固定有第一横向绝缘散热片35，第一横向绝缘散热片35两端分别与芯片32和封装外壳10的第二侧接触，第二限位块34与负极导电片20之间固定有第二横向绝缘散热片36，第二横向绝缘散热片36两端分别与芯片32和封装外壳10的第一侧接触。
以上描述的封装外壳10的第一侧和第二侧分别为图1中的右侧和左侧，负极导电片20和正极导电片31的外接端均为远离芯片32的一端，即外接端为与外部电路板连接的一端。
两个芯片32分别安装于负极导电片20的两侧，两个芯片32共用一个负极，能够有效节省空间，一个芯片32设有一个正极导电片31，两个芯片32能够单独应用于不同的电路；第一横向绝缘散热片35和第二横向绝缘散热片36能够有效将芯片32的热量导至封装外壳10的边缘外，防止热量积聚于芯片32的周围；第一限位块33配合第一横向绝缘散热片35能够稳固负极导电片20的位置，第二限位块34配合第二横向绝缘散热片36能够稳固正极导电片31的位置，同时能够稳固芯片32的位置，成品的封装结构牢固，且占用空间小。
本实用新型设置三极管的封装结构用于两个二极管的集成，使一个封装体内设置有两个二极管结构，能够同时实现两个二极管电路的功能，结构简单稳定，成品的尺寸小、占用空间小，能够有效满足电子产品的小型化、超薄式设计，且整体结构的散热性能好，能够有效确保成品的性能和使用寿命。
在本实施例中，封装外壳10内填充设置有绝缘填充体11，能进一步提高成品结构的稳定性。
在本实施例中，第一限位块33和第二限位块34均为金属锡限位块，锡具有良好的延展性和导热性，有利于稳固芯片32的位置，同时能够提高散热效率。
在本实施例中，第一横向绝缘散热片35和第二横向绝缘散热片36均为绝缘陶瓷片，绝缘陶瓷具有良好的绝缘性和导热性能，能够有效防止发生短路，还能够提高散热效率。
在本实施例中，负极导电片20的外接端固定有第一导电连接块21，正极导电片31的外接端固定有第二导电连接块37，第一导电连接块21和第二导电连接块37的截面积大于负极导电片20和正极导电片31，能够方便将成品安装于电路板中。
基于上述实施例，第一导电连接块21设有第一通气管211，第二导电连接块37设有第二通气管371，第一通气管211的两端通向第一导电连接块21的相邻两端，第二通气管371的两端通向第二导电连接块21的相邻两端，在焊接于电路板时，通气管能够有效将挤压时的空气排出，防止焊接形成气泡，能够有效提高焊接的效果。
在本实施例中，正极导电片31远离芯片32的一侧固定有纵向绝缘导热块38，能够进一步提高芯片32的纵向导电效率。
基于上述实施例，纵向绝缘导热块38的尺寸与芯片32的尺寸匹配，即纵向绝缘导热块38的长宽与芯片32的长宽相等，无需设置过大的绝缘导热块38，便能够提高芯片32的散热性能，能够有效节省成本，优选地，纵向绝缘导热块38为绝缘陶瓷块。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (9)
1.一种集成二极管的三极管封装结构，其特征在于，包括封装外壳(10)，所述封装外壳(10)固定有负极导电片(20)，所述负极导电片(20)的外接端凸出于所述封装外壳(10)的第一侧，所述负极导电片(20)的两侧均设有二极管模块(30)；
所述二极管模块(30)包括正极导电片(31)，所述正极导电片(31)的外接端凸出于所述封装外壳(10)的第二侧，所述正极导电片(31)与所述负极导电片(20)之间连接有芯片(32)，所述芯片(32)的两端分别设有第一限位块(33)和第二限位块(34)，所述第一限位块(33)与所述负极导电片(20)固定连接，所述第二限位块(34)与所述正极导电片(31)固定连接，所述第一限位块(33)与所述正极导电片(31)之间固定有第一横向绝缘散热片(35)，所述第二限位块(34)与所述负极导电片(20)之间固定有第二横向绝缘散热片(36)。
2.根据权利要求1所述的一种集成二极管的三极管封装结构，其特征在于，所述封装外壳(10)内填充设置有绝缘填充体(11)。
3.根据权利要求1所述的一种集成二极管的三极管封装结构，其特征在于，所述第一限位块(33)和所述第二限位块(34)均为金属锡限位块。
4.根据权利要求1所述的一种集成二极管的三极管封装结构，其特征在于，所述第一横向绝缘散热片(35)和所述第二横向绝缘散热片(36)均为绝缘陶瓷片。
5.根据权利要求1所述的一种集成二极管的三极管封装结构，其特征在于，所述负极导电片(20)的外接端固定有第一导电连接块(21)，所述正极导电片(31)的外接端固定有第二导电连接块(37)。
6.根据权利要求5所述的一种集成二极管的三极管封装结构，其特征在于，所述第一导电连接块(21)设有第一通气管(211)，所述第二导电连接块(37)设有第二通气管(371)。
7.根据权利要求1所述的一种集成二极管的三极管封装结构，其特征在于，所述正极导电片(31)远离所述芯片(32)的一侧固定有纵向绝缘导热块(38)。
8.根据权利要求7所述的一种集成二极管的三极管封装结构，其特征在于，所述纵向绝缘导热块(38)的尺寸与所述芯片(32)的尺寸匹配。
9.根据权利要求7或8所述的一种集成二极管的三极管封装结构，其特征在于，所述纵向绝缘导热块(38)为绝缘陶瓷块。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201820122563.1U CN207719203U (zh) | 2018-01-24 | 2018-01-24 | 一种集成二极管的三极管封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201820122563.1U CN207719203U (zh) | 2018-01-24 | 2018-01-24 | 一种集成二极管的三极管封装结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN207719203U true CN207719203U (zh) | 2018-08-10 |
Family
ID=63053007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201820122563.1U Expired - Fee Related CN207719203U (zh) | 2018-01-24 | 2018-01-24 | 一种集成二极管的三极管封装结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN207719203U (zh) |
-
2018
- 2018-01-24 CN CN201820122563.1U patent/CN207719203U/zh not_active Expired - Fee Related
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