CN208538825U - 半导体功率器件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种半导体功率器件，包括设置于环氧封装体内的芯片基板、至少2个二极管芯片、至少2个连接片和至少2个负极引脚，位于芯片基板上表面的所述二极管芯片的正极端与芯片基板上表面电连接，所述二极管芯片的负极端与负极引脚一端通过连接片连接，所述芯片基板一端具有一正极引脚，还具有一散热片，此散热片通过一环氧层固定于芯片基板下表面，所述芯片基板的一端面开有至少一个凹槽，此芯片基板的拐角处具有减薄部，此减薄部的厚度低于芯片基板的厚度。本实用新型通过散热片的设置，取代了芯片基板本身的散热功能，使得芯片基板与引脚均可以使用均一厚度的薄铜材，大大减少铜材的使用量且均为标准铜材，节约了成本，提高生产使用效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体功率器件，属于半导体封装器件技术领域。
背景技术
作为电子行业应用最为广泛的电气元件之一，功率器件正沿着大功率化、高频化、高集成化的方向发展，故而，其是否具有良好的散热和抗电磁干扰设计就成为了影响功率器件工作性能和使用寿命的关键因素。
现有同类产品引线框为厚薄铜材，客户使用时需要再加装散热片，增加装配成本，厚薄铜材为异形铜材，材料成本高且铜材的用量大，此外，芯片与散热片之间不绝缘，存在一定的安全隐患。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种半导体功率器件，该半导体功率器件通过散热片的设置，取代了芯片基板本身的散热功能，使得芯片基板与引脚均可以使用均一厚度的薄铜材，大大减少铜材的使用量且均为标准铜材，节约了成本，提高生产使用效率。
为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种半导体功率器件，包括设置于环氧封装体内的芯片基板、至少2个二极管芯片、至少2个连接片和至少2个负极引脚；
位于芯片基板上表面的所述二极管芯片的正极端与芯片基板上表面电连接，所述二极管芯片的负极端与负极引脚一端通过连接片连接，所述芯片基板一端具有一正极引脚；
还具有一散热片，此散热片通过一环氧层固定于芯片基板下表面；
所述芯片基板的一端面开有至少一个凹槽，此芯片基板的拐角处具有减薄部，此减薄部的厚度低于芯片基板的厚度。
上述技术方案中进一步改进的方案如下：
1. 上述方案中，所述减薄部的上表面低于芯片基板的上表面，所述减薄部的下表面高于芯片基板的下表面。
2. 上述方案中，所述凹槽为条形凹槽。
3. 上述方案中，所述减薄部的厚度与芯片基板的厚度比值为1:2～4。
4. 上述方案中，所述环氧层的厚度为0.2mm～1.0mm。
5. 上述方案中，所述散热片为铝合金散热片或者铜散热片。
6. 上述方案中，所述散热片厚度与芯片基板厚度比值为10:2～4。
由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：
1、本实用新型半导体功率器件，其还具有一散热片，此散热片通过一环氧层固定于芯片基板下表面，散热片的集成设置，省去了后续使用时再加装散热片，节约了安装工序且方便使用；此外，散热片与芯片基板之间设置有环氧层用于绝缘，使得金属散热片与芯片基板、正负极引脚之间绝缘，保证器件使用的安全性；再次，散热片的设置，取代了芯片基板本身的散热功能，使得芯片基板与引脚均可以使用均一厚度的薄铜材，大大减少铜材的使用量且均为标准铜材，节约了成本，提高生产使用效率。
2、本实用新型半导体功率器件，其芯片基板的一端面开有至少一个凹槽，此芯片基板的拐角处具有减薄部，此减薄部的厚度低于芯片基板的厚度，凹陷部与减薄部的设置，增大了芯片基板与环氧封装体之间的结合面积，增强了芯片基板的锁环氧能力，使得芯片基板与环氧封装体之间的结合力更强，从而增强了器件整体的防水性，也避免了器件经过高低温之后环氧封装体与芯片基板之间出现裂缝而导致气密性和耐气候性变差等情况。
附图说明
附图1为本实用新型半导体功率器件结构示意图；
附图2为本实用新型半导体功率器件局部结构剖视图；
附图3为本实用新型半导体功率器件中减薄部结构剖视图。
以上附图中：1、环氧封装体；2、芯片基板；3、二极管芯片；4、连接片；5、负极引脚；6、环氧层；7、正极引脚；9、散热片；11、凹槽；12、减薄部。
具体实施方式
实施例1：一种半导体功率器件，包括设置于环氧封装体1内的芯片基板2、至少2个二极管芯片3、至少2个连接片4和至少2个负极引脚5；
位于芯片基板2上表面的所述二极管芯片3的正极端与芯片基板2上表面电连接，所述二极管芯片3的负极端与负极引脚5一端通过连接片4连接，所述芯片基板2一端具有一正极引脚7；
还具有一散热片9，此散热片9通过一环氧层6固定于芯片基板2下表面；
所述芯片基板2的一端面开有至少一个凹槽11，此芯片基板2的拐角处具有减薄部12，此减薄部12的厚度低于芯片基板2的厚度。
上述减薄部12的上表面低于芯片基板2的上表面，上述减薄部12的下表面高于芯片基板2的下表面；上述凹槽11为条形凹槽；上述减薄部12的厚度与芯片基板2的厚度比值为1:2；
上述环氧层6的厚度为0.4mm；上述散热片9为铝合金散热片；上述散热片9厚度与芯片基板2厚度比值为10:3。
实施例2：一种半导体功率器件，包括设置于环氧封装体1内的芯片基板2、至少2个二极管芯片3、至少2个连接片4和至少2个负极引脚5；
位于芯片基板2上表面的所述二极管芯片3的正极端与芯片基板2上表面电连接，所述二极管芯片3的负极端与负极引脚5一端通过连接片4连接，所述芯片基板2一端具有一正极引脚7；
还具有一散热片9，此散热片9通过一环氧层6固定于芯片基板2下表面；
所述芯片基板2的一端面开有至少一个凹槽11，此芯片基板2的拐角处具有减薄部12，此减薄部12的厚度低于芯片基板2的厚度。
上述减薄部12的上表面低于芯片基板2的上表面，上述减薄部12的下表面高于芯片基板2的下表面；上述凹槽11为条形凹槽；
上述减薄部12的厚度与芯片基板2的厚度比值为1:3；上述环氧层6的厚度为0.5mm；上述散热片9为铜散热片；上述散热片9厚度与芯片基板2厚度比值为10:4。
采用上述半导体功率器件时，其散热片的集成设置，省去了后续使用时再加装散热片，节约了安装工序且方便使用；此外，散热片与芯片基板之间设置有环氧层用于绝缘，使得金属散热片与芯片基板、正负极引脚之间绝缘，保证器件使用的安全性；再次，散热片的设置，取代了芯片基板本身的散热功能，使得芯片基板与引脚均可以使用均一厚度的薄铜材，大大减少铜材的使用量且均为标准铜材，节约了成本，提高生产使用效率；再次，凹陷部与减薄部的设置，增大了芯片基板与环氧封装体之间的结合面积，增强了芯片基板的锁环氧能力，使得芯片基板与环氧封装体之间的结合力更强，从而增强了器件整体的防水性，也避免了器件经过高低温之后环氧封装体与芯片基板之间出现裂缝而导致气密性和耐气候性变差等情况。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种半导体功率器件，其特征在于：包括设置于环氧封装体（1）内的芯片基板（2）、至少2个二极管芯片（3）、至少2个连接片（4）和至少2个负极引脚（5）；
位于芯片基板（2）上表面的所述二极管芯片（3）的正极端与芯片基板（2）上表面电连接，所述二极管芯片（3）的负极端与负极引脚（5）一端通过连接片（4）连接，所述芯片基板（2）一端具有一正极引脚（7）；
还具有一散热片（9），此散热片（9）通过一环氧层（6）固定于芯片基板（2）下表面；
所述芯片基板（2）的一端面开有至少一个凹槽（11），此芯片基板（2）的拐角处具有减薄部（12），此减薄部（12）的厚度低于芯片基板（2）的厚度。
2.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于：所述减薄部（12）的上表面低于芯片基板（2）的上表面，所述减薄部（12）的下表面高于芯片基板（2）的下表面。
3.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于：所述凹槽（11）为条形凹槽。
4.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于：所述减薄部（12）的厚度与芯片基板（2）的厚度比值为1:2～4。
5.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于：所述环氧层（6）的厚度为0.2mm～1.0mm。
6.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于：所述散热片（9）为铝合金散热片或者铜散热片。
7.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于：所述散热片（9）厚度与芯片基板（2）厚度比值为10:2～4。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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|---|---|
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201821193496.9U Active CN208538825U (zh) | 2018-07-26 | 2018-07-26 | 半导体功率器件 |
Country Status (1)
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2018
- 2018-07-26 CN CN201821193496.9U patent/CN208538825U/zh active Active
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