CN103646927B - 大功率方片可控硅封装结构 - Google Patents
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Abstract
一种大功率方片可控硅封装结构，它包括从上至下依次设置的上钼片（7）、第三焊料层（6）、芯片（5）、第二焊料层（4）、下钼片（3）和第一焊料层（2），前述上钼片（7）、第三焊料层（6）、芯片（5）、第二焊料层（4）、下钼片（3）和第一焊料层（2）均置于硅胶框（8）内，芯片（5）的两端插入硅胶框（8）内部，硅胶框（8）外部安装有导电外壳（1），所述的导电外壳（1）为顶部敞开，其余三面封闭的半包围结构，所述的导电外壳（1）的底部焊接在该大功率方片可控硅需要安装的位置。本发明使用时，装配操作简易，相比于传统封装形式不良率降低一个数量级。
Description
技术领域
本发明涉及可控硅封装结构，尤其是大功率方片可控硅封装结构。
背景技术
可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
目前，大功率方片可控硅封装结构通常是通过将芯片封装在上下相通的硅胶或树脂类保护材料内，通过焊料将芯片焊接在需要安装的位置，芯片周围的硅胶或树脂类保护材料直接接触焊料，易产生硅胶保护层与芯片之间分层现象，产品抗湿能力差，工作可靠性低，容易损坏。
发明内容
本发明的目的是针对上述问题，提出一种大功率方片可控硅封装结构。
本发明的技术方案是：
一种大功率方片可控硅封装结构，它包括从上至下依次设置的上钼片、第三焊料层、芯片、第二焊料层、下钼片和第一焊料层，前述上钼片、第三焊料层、芯片、第二焊料层、下钼片和第一焊料层均置于硅胶框内，芯片的两端插入硅胶框内部，硅胶框外部安装有导电外壳，所述的导电外壳为顶部敞开，其余三面封闭的半包围结构，所述的导电外壳的底部焊接在该大功率方片可控硅需要安装的位置。
本发明的导电外壳的厚度为1.5-2.5毫米。
本发明的导电外壳的厚度为2毫米。
本发明的有益效果：
本发明由于芯片周围拥有一定厚度的金属导电外壳保护层，芯片抗机械冲击能力增加，产品在后续使用焊接过程中，由于芯片周围硅胶或树脂类保护材料不直接接触焊料，避免了传统封装形式易产生的硅胶保护层与芯片之间分层现象，产品抗湿能力得到提升，工作可靠性提高。
本发明使用时，装配操作简易，相比于传统封装形式不良率降低一个数量级。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
其中：1、导电外壳；2、第一焊料层；3、下钼片；4、第二焊料层；5、芯片；6、第三焊料层；7、上钼片；8、硅胶框。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。
如图1所示，一种大功率方片可控硅封装结构，它包括从上至下依次设置的上钼片7、第三焊料层6、芯片5、第二焊料层4、下钼片3和第一焊料层2，前述上钼片7、第三焊料层6、芯片5、第二焊料层4、下钼片3和第一焊料层2均置于硅胶框8内，芯片5的两端插入硅胶框8内部，硅胶框8外部安装有导电外壳1，所述的导电外壳1为顶部敞开，其余三面封闭的半包围结构，所述的导电外壳1的底部焊接在该大功率方片可控硅需要安装的位置。
本发明的导电外壳1为铜外壳或者铝外壳，厚度为1.5-2.5毫米左右，优选2毫米。
具体实施时：封装外壳材料为铜（或铝等散热性能、导电性能良好类金属材料），内部芯片与上下钼片之间通过焊料烧结于铜壳内部，芯片与铜壳间隙采用硅胶或树脂类保护材料填充。
本发明未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。
Claims (4)
1.一种大功率方片可控硅封装结构，其特征是它包括从上至下依次设置的上钼片（7）、第三焊料层（6）、芯片（5）、第二焊料层（4）、下钼片（3）和第一焊料层（2），前述上钼片（7）、第三焊料层（6）、芯片（5）、第二焊料层（4）、下钼片（3）和第一焊料层（2）均置于硅胶框（8）内，芯片（5）的两端插入硅胶框（8）内部，硅胶框（8）外部安装有导电外壳（1），所述的导电外壳（1）为顶部敞开，其余三面封闭的半包围结构，所述的导电外壳（1）的底部焊接在该大功率方片可控硅需要安装的位置。
2.根据权利要求1所述的大功率方片可控硅封装结构，其特征是所述的导电外壳（1）为铜外壳或者铝外壳。
3.根据权利要求1所述的大功率方片可控硅封装结构，其特征是所述的导电外壳（1）的厚度为1.5-2.5毫米。
4.根据权利要求3所述的大功率方片可控硅封装结构，其特征是所述的导电外壳（1）的厚度为2毫米。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3763403A (en) * | 1972-03-01 | 1973-10-02 | Gen Electric | Isolated heat-sink semiconductor device |
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|---|---|---|---|---|
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| US6287894B1 (en) * | 1999-10-04 | 2001-09-11 | Andersen Laboratories, Inc. | Acoustic device packaged at wafer level |
| CN1812091A (zh) * | 2004-12-28 | 2006-08-02 | 日产自动车株式会社 | 半导体装置 |
| CN202134538U (zh) * | 2011-07-14 | 2012-02-01 | 浙江华晶整流器有限公司 | 平板式可控硅 |
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