CN104052244A - 功率模块 - Google Patents

功率模块 Download PDF

Info

Publication number
CN104052244A
CN104052244A CN201310082190.1A CN201310082190A CN104052244A CN 104052244 A CN104052244 A CN 104052244A CN 201310082190 A CN201310082190 A CN 201310082190A CN 104052244 A CN104052244 A CN 104052244A
Authority
CN
China
Prior art keywords
power
circuit
lead frame
power model
inverter circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201310082190.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104052244B (zh
Inventor
张有林
程海松
许敏
薄传海
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai
Original Assignee
Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai filed Critical Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai
Priority to CN201310082190.1A priority Critical patent/CN104052244B/zh
Publication of CN104052244A publication Critical patent/CN104052244A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104052244B publication Critical patent/CN104052244B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/48139—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate with an intermediate bond, e.g. continuous wire daisy chain
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/4901—Structure
    • H01L2224/4903—Connectors having different sizes, e.g. different diameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements

Landscapes

  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种功率模块，包括功率电路及控制IC，所述功率电路的功率器件设置在引线框架上，所述控制IC设置在PCB上，所述引线框架与所述PCB固定连接，并封装在一个模块内。采用引线框架与PCB集成结构，既具有引线框架散热性能好的优点，也具有PCB电路设计简单、模块体积小的优点，达到了功率模块散热性能好且封装体积小的技术效果。

Description

功率模块
技术领域
本发明涉及一种功率模块，特别是一种功率模块的集成结构。
背景技术
PFC的英文全称为“PowerFactorCorrection”，意思是“功率因数校正”。INVERTER表示逆变器，逆变器将直流电逆变为三相交流电，用于变频压缩机供电。IPM的英文全称为“IntelligentPowerModule"，意思是“智能功率模块”，把功率开关器件和驱动电路集成在一起，而且还可以包括有过电压、过电流和过热故障检测电路，并可将检测信号送到主控芯片。
现有的变频空调压缩机的功率模块，包含整流电路、PFC电路和INVERTER电路，都是将这三个电路分开制作成三个不同的模块。在同时需要逆变电路及PFC电路时，需要将这三个模块整合在一起使用。中国专利文献CN201120234912.7公开了一种智能变频复合功率模块，按此文献提供的技术方案，一种智能变频复合功率模块，将PFC电路和INVERTER电路集成在一个模块内。根据现有技术，通常会将PFC电路和INVERTER电路集成连通控制IC部分集成在同一个PCB上，然后在进行封装。但这种集成方式的散热性能差，不能满足功率器件的散热需求。
引线框架是一种借助于键合材料（金丝、铝丝、铜丝）实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，可以作为集成电路的芯片载体，主要用模具冲压法和化学刻蚀法进行生产，具有焊接方便，导热及散热性能好的优点。
目前，PCB集成与引线框架是两个技术方向，没有整合在一起的先例。
发明内容
本发明旨在解决现有功率模块散热性能差的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供的功率模块，包括功率电路及控制IC，所述功率电路的功率器件设置在引线框架上，所述控制IC设置在PCB上，所述引线框架与所述PCB固定连接，并封装在一个模块内。
优选地，所述PCB与所述引线框架设在不同的平面上。
优选地，所述符合功率模块还包括金属基板，所述引线框架焊接在所述金属基板的第一面上。
优选地，所述金属基板的第一面上涂有绝缘涂层；所述金属基板的第一面上还设置有用于对引线框架进行定位的印制线。
优选地，所述金属基板的第二面裸露于所述封装的模块表面之外。
优选地，所述功率电路包括PFC电路和逆变电路，所述控制IC分别与所述PFC电路和所述逆变电路电连接；所述功率器件包括所述PFC电路和所述逆变电路的功率器件。
优选地，所述PFC电路的功率器件、所述逆变电路的上桥的功率器件和所述逆变电路的下桥的功率器件顺序排布在所述引线框架上。
优选地，所述功率模块还包括温度传感器，所述温度传感器设置在靠近逆变电路下桥的一侧。
优选地，所述PFC电路的功率器件布置在靠近所述逆变电路上桥的一侧。
优选地，所述功率模块为智能功率模块。
本发明提供的功率模块，包括功率电路及控制IC，所述功率电路的功率器件设置在引线框架上，所述控制IC设置在PCB上，所述引线框架与所述PCB固定连接，并封装成一个模块。采用引线框架与PCB集成结构，既具有引线框架散热性能好的优点，也具有PCB电路设计简单、模块体积小的优点，达到了功率模块散热性能好且封装体积小的技术效果。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1示出了本发明的功率模块结构示意图；
图2为图1的功率模块结构示意图的右视图；
图3示出了本发明的功率模块的金属基板的结构示意图；
其中，1-引线框架、2-PFC电路、3-PCB、4-自举二极管、5-树脂、6-热敏电阻、7-逆变电路、8-金属基板、81-涂层、82-印制线、9-控制IC、10-控制端引脚。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
如图1-3所示，本实施例以变频空调的变频功率模块的BOOSTPFC电路为例，包括功率电路及控制IC，所述功率电路包括PFC电路2和逆变电路7两部分，根据PFC电路及逆变电路的走线及元器件布置的设计，冲压出相应的引线框架1后，将PFC电路2及逆变电路7的功率器件，如IGBT和二极管等放置并焊接在引线框架1上；逆变电路7一般包括上桥和下桥，为了方便电气连接及焊线，将所述PFC电路的功率器件、所述逆变电路的上桥的功率器件和所述逆变电路的下桥的功率器件顺序排布在所述引线框架上，即PFC电路2的功率器件焊接在靠近逆变电路7上桥的一侧。将控制IC9及3个自举二极管4焊接在PCB3上，PCB上还设置有很多线路，这些线路的一端通过金线焊线与所述控制IC9连接，另一端通过印刷焊接与相应的控制端引脚10连接。先将引线框架1和PCB3拼接在一起，并通过印刷焊接的方式进行固定连接，随后，将PFC电路2、逆变电路7和控制IC9的相关元器件及线路均焊接好后，控制IC9通过铝线焊接分别与PFC电路2及逆变电路7进行电连接，拼接完成后，即可进行树脂5封装，这样就集成了一个功率模块。采用这样的技术方案，将PFC电路2和逆变电路7共同集成在引线框架1上，功率器件间距更近，减小了器件之间的导线长度，降低了寄生参数及噪声，方便了功率器件的焊接，提高了功率器件的散热性能，控制IC9部分采用PCB3结构，相比全框架结构，能够缩小功率模块的封装体积，还能够满足需要布置大量线路及控制端引脚的要求，能够降低功率器件发热而对控制部分产生的影响。
为进一步降低功率器件发热对控制IC9部分产生的影响，本实施例将引线框架1与PCB3设置在不同的平面上，参见图2，引线框架1所在的平面要低于PCB3所在的平面。
为进一步提高功率模块的散热性能，满足更大发热量的要求，还可以将引线框架1焊接固定在一个金属基板8上，金属基板8一般选用铜板或者铝板。参见图3，金属基板8的第一面上涂有绝缘并且导热性能良好的涂层81，本实施例中，涂层81采用陶瓷介质填充的特殊聚合物，具有热阻小、绝缘强度高、粘弹性能优良等优点。金属基板8的第一面上还设置有印制线82，印制线82用于对引线框架1的定位，方便将引线框架1焊接在金属基板8上。当使用金属基板8时，封装的过程中，将金属基板8的第二面裸露在封装面之外，并与封装面平齐，这样能够大大提高散热性能。如果这种设计仍然不能满足散热需求的，还可以增加散热器，散热器与金属基板8第二面连接。当然，在不使用金属基板时，也可以在引线框架的封装面外增加散热器，以加强散热。
本实施例中，功率模块还包括温度传感器，如图1所示，温度传感器采用热敏电阻6，热敏电阻6布置在靠近逆变电路7下桥的一侧，通常该位置是整个模块中发热量最大的位置，温度最高，将温度传感器布置在这里，检测到的温度能够更加准确地反映功率器件的发热温度。所述热敏电阻6与相关的保护电路连接，在功率器件温度过高时进行保护控制。
本实施例是将PFC电路和逆变电路均集成在一个引线框架上，再与控制IC的PCB连接后，封装成一个模块。当然，本领域技术人员也可以根据实际电路的需要，也可以将PFC电路或逆变电路布置在一个引线框架，单独一个再与控制IC的PCB连接封装，形成功率模块。
虽然本实施例以空调的变频模块为例，但同样也能够适用于其它家用电器的功率模块中。只要其它电器的功率模块包括功率器件和控制IC，都可以将功率器件布置在引线框架上，将控制IC布置在PCB上，然后将两者封装在一起，形成功率模块。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种功率模块，包括功率电路及控制IC，其特征在于：
所述功率电路的功率器件设置在引线框架上，所述控制IC设置在PCB上，所述引线框架与所述PCB固定连接，并封装在一个模块内。
2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于：
所述PCB与所述引线框架设在不同的平面上。
3.根据权利要求1或2所述的功率模块，其特征在于：
还包括金属基板，所述引线框架焊接在所述金属基板的第一面上。
4.根据权利要求3所述的功率模块，其特征在于：
所述金属基板的第一面上涂有导热性能良好的绝缘涂层；所述金属基板的第一面上还设置有用于对引线框架进行定位的印制线。
5.根据权利要求3所述的功率模块，其特征在于：
所述金属基板的第二面裸露于所述封装的模块表面之外。
6.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于：
所述功率电路包括PFC电路和逆变电路，所述控制IC分别与所述PFC电路和所述逆变电路电连接；
所述功率器件包括所述PFC电路的功率器件和所述逆变电路的功率器件。
7.根据权利要求6所述的功率模块，其特征在于：
所述PFC电路的功率器件、所述逆变电路的上桥的功率器件和所述逆变电路的下桥的功率器件顺序排布在所述引线框架上。
8.根据权利要求6所述的功率模块，其特征在于：
还包括温度传感器，所述温度传感器设置在靠近逆变电路下桥的一侧。
9.根据权利要求6所述的功率模块，其特征在于：
所述PFC电路的功率器件布置在靠近所述逆变电路上桥的一侧。
10.根据权利要求6-9所述任意一项的功率模块，其特征在于：
所述功率模块为智能功率模块。
CN201310082190.1A 2013-03-14 2013-03-14 功率模块 Active CN104052244B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310082190.1A CN104052244B (zh) 2013-03-14 2013-03-14 功率模块

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310082190.1A CN104052244B (zh) 2013-03-14 2013-03-14 功率模块

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104052244A true CN104052244A (zh) 2014-09-17
CN104052244B CN104052244B (zh) 2019-12-13

Family

ID=51504741

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310082190.1A Active CN104052244B (zh) 2013-03-14 2013-03-14 功率模块

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104052244B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105743323A (zh) * 2014-11-28 2016-07-06 财团法人工业技术研究院 功率模块
CN106067450A (zh) * 2016-07-29 2016-11-02 广东美的制冷设备有限公司 一种智能功率模块及其制造方法
CN110391757A (zh) * 2019-07-04 2019-10-29 珠海格力新元电子有限公司 智能功率模块、电路板和电器设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040026778A1 (en) * 2000-01-12 2004-02-12 International Rectifier Corporation Low cost power semiconductor module without substate
CN101474947A (zh) * 2009-01-14 2009-07-08 广东省粤晶高科股份有限公司 系统级封装的汽车轮胎压力传感器的塑封工艺
CN201946588U (zh) * 2010-12-30 2011-08-24 比亚迪股份有限公司 一种功率半导体器件的封装结构
CN202042483U (zh) * 2011-02-25 2011-11-16 比亚迪股份有限公司 一种功率半导体器件的封装结构
CN102339818A (zh) * 2010-07-15 2012-02-01 台达电子工业股份有限公司 功率模块
CN202652061U (zh) * 2012-07-05 2013-01-02 珠海格力电器股份有限公司 智能功率模块
CN203166743U (zh) * 2013-03-14 2013-08-28 珠海格力电器股份有限公司 功率模块

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040026778A1 (en) * 2000-01-12 2004-02-12 International Rectifier Corporation Low cost power semiconductor module without substate
CN101474947A (zh) * 2009-01-14 2009-07-08 广东省粤晶高科股份有限公司 系统级封装的汽车轮胎压力传感器的塑封工艺
CN102339818A (zh) * 2010-07-15 2012-02-01 台达电子工业股份有限公司 功率模块
CN201946588U (zh) * 2010-12-30 2011-08-24 比亚迪股份有限公司 一种功率半导体器件的封装结构
CN202042483U (zh) * 2011-02-25 2011-11-16 比亚迪股份有限公司 一种功率半导体器件的封装结构
CN202652061U (zh) * 2012-07-05 2013-01-02 珠海格力电器股份有限公司 智能功率模块
CN203166743U (zh) * 2013-03-14 2013-08-28 珠海格力电器股份有限公司 功率模块

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105743323A (zh) * 2014-11-28 2016-07-06 财团法人工业技术研究院 功率模块
CN105743323B (zh) * 2014-11-28 2019-09-10 财团法人工业技术研究院 功率模块
US10492344B2 (en) 2014-11-28 2019-11-26 Industrial Technology Research Institute Power module
CN106067450A (zh) * 2016-07-29 2016-11-02 广东美的制冷设备有限公司 一种智能功率模块及其制造方法
CN110391757A (zh) * 2019-07-04 2019-10-29 珠海格力新元电子有限公司 智能功率模块、电路板和电器设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN104052244B (zh) 2019-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108091619A (zh) 智能功率模块及其制造方法、空调器
CN208240659U (zh) 高集成智能功率模块及空调器
CN208257678U (zh) 高集成智能功率模块及电器设备
US8664755B2 (en) Power module package and method for manufacturing the same
US11862531B2 (en) Power device, power device assembly, and related apparatus
CN202662593U (zh) 半导体器件
CN101494175B (zh) 一种三层立体功率封装方法及其结构
CN109980955A (zh) 智能功率模块及空调器
CN110010599A (zh) 高集成智能功率模块及其制作方法以及空调器
CN203166743U (zh) 功率模块
TWI455286B (zh) 功率模組及功率模組之製造方法
CN104052244A (zh) 功率模块
CN208240652U (zh) 功率模块及空调器
CN110085579B (zh) 高集成智能功率模块及其制作方法以及空调器
CN108054148A (zh) 智能功率模块及其制造方法、空调器
CN110060991B (zh) 智能功率模块及空调器
Pluschke et al. Novel packaging technology for power modules
CN209461457U (zh) 高集成智能功率模块及空调器
CN210129833U (zh) 驱动控制集成器件、驱动控制器以及空调器
CN210349835U (zh) 智能功率模块、智能功率模块的制作设备及空调器
KR101562661B1 (ko) 전력모듈 패키지
CN114695333A (zh) 智能功率模块及其制作方法、变频器以及空调器
JP5024439B2 (ja) 半導体装置
CN204857704U (zh) 功率模块的散热连接结构
CN209949549U (zh) 智能功率模块及空调器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant