CN208298817U - 一种改进的to-220d8双基岛引线框架 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种改进的TO‑220D8双基岛引线框架，包括由连接筋依次串接的若干个框架单元，每个的框架单元包括散热片区、第一载片区和引脚区，引脚区具有8个引脚，散热片区设有散热通孔，第一载片区设有第一基岛，其中一个引脚上设有第二载片区，第二载片区上设有第二基岛，一个引脚上设有连接片，引脚区通过连接片与第一载片区相连，其余引脚的顶部设有焊接区，散热片区与第一载片区的连接处设有缓冲凹槽，8个引脚中的2~4个引脚的下半部设有收缩区，其余引脚的底部设有引脚嘴。本结构能够同时安装两个芯片，定位孔设计为椭圆形阶梯孔，提高加工定位效果，防水结构等的设计使其防水效果好、产品性能好，具有较高的市场竞争力。

Description

一种改进的TO-220D8双基岛引线框架

技术领域

本实用新型属于半导体封装技术领域，具体涉及一种改进的TO-220D8双基岛引线框架。

背景技术

引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。市场上现有的引线框架多为单基岛引线框架，只能安装1个芯片，结构单一，不能满足市场的需求，而且，现有的引线框架的结构常常会存在塑封效果不好、绝缘效果差以及防水效果差等问题。

发明内容

发明目的： 本实用新型目的在于针对现有技术的不足，提供一种防水效果好、便于塑封加工的改进的TO-220D8双基岛引线框架。

技术方案： 本实用新型所述一种改进的TO-220D8双基岛引线框架，包括由连接筋依次串接的若干个框架单元，每个所述的框架单元包括散热片区、第一载片区和引脚区，所述散热片区位于第一载片区的上方，引脚区位于第一载片区的下方，所述引脚区具有8个引脚，由左至右依次为第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚、第六引脚、第七引脚和第八引脚，所述散热片区设有散热通孔，所述第一载片区设有第一基岛，所述引脚区的其中一个引脚上设有第二载片区，第二载片区上设有第二基岛，一个引脚上设有连接片，所述引脚区通过所述连接片与第一载片区相连，其余引脚的顶部设有焊接区，所述散热片区与第一载片区的连接处设有缓冲凹槽，8个引脚中的2~4个引脚的下半部设有收缩区，其余引脚的底部设有引脚嘴。

进一步地，为提高防水效果，所述第一基岛和第二基岛上设有芯片安装槽，所述芯片安装槽的四周设有防水机构。

进一步地，所述防水机构包括芯片安装槽四周的防水环槽以及防水环槽至载片区边缘的斜坡台，所述防水环槽与芯片安装槽之间设有导水过渡段，所述导水过渡段由内侧向外侧的厚度逐渐减小。

进一步地，：所述第二载片区设置在第三引脚的顶部，连接片设置在第八引脚的顶部。

进一步地，所述第二、四、五、七引脚的下半部设置收缩区，所述收缩区的高度为引脚高度的0.1~0.15倍，宽度为引脚总宽的0.4~0.6倍。

进一步地，为便于塑封作业，所述连接片为S型结构，将第一载片区和引脚区连接后处于不同的平面上。

进一步地，所述连接筋上各框架单元之间设有定位孔。

进一步地，为提高定位效果，所述定位孔为椭圆形阶梯孔。

进一步地，为提高塑封时塑封料与框架基体的结合强度，所述散热片区的两侧设有条形凹槽，条形凹槽的侧面设有若干锥形盲孔。

进一步地，为提高缓冲效果，避免框架在加工过程中被折损，所述缓冲凹槽的横截面为V型。

有益效果：本结构提供的引线框架可同时安装两个芯片，满足使用需求，通过在散热片区设置条槽，条槽上设置锥形盲孔，以及将连接片压制为S型结构，提高了塑封作业的效率，提高塑封料与框架基体的结合强度，从而提高绝缘性能；通过在载片区设置防水结构，能有效将芯片周围的水导出，防止水对芯片造成损伤，提高了框架的防水性能；此外在引脚的下半部设置收缩区，避减少引脚线之间的相互干扰，保证芯片的正常作业。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图；

图2为本实用新型的侧视图；

其中：1、框架单元，11、散热片区，111、条形凹槽，12、第一载片区，13、引脚区，131、第三引脚，132、第八引脚，1311、第二载片区，2、连接筋，3、散热通孔，4、连接片，5、焊接区，6、收缩区，7、引脚嘴，8、缓冲凹槽，9、防水机构，91、防水环槽，92、斜坡台，93、导水过渡段，10、定位孔。

具体实施方式

下面通过附图对本实用新型技术方案进行详细说明，但是本实用新型的保护范围不局限于所述实施例。

实施例1：一种改进的TO-220D8双基岛引线框架，包括由连接筋2依次串接的若干个框架单元1，每个所述的框架单元1包括散热片区11、第一载片区12和引脚区13，所述散热片区11位于第一载片区12的上方，引脚区13位于第一载片区12的下方，所述引脚区13具有8个引脚，由左至右依次为第一引脚、第二引脚、第三引脚131、第四引脚、第五引脚、第六引脚、第七引脚和第八引脚132，所述散热片区11设有散热通孔3，所述第一载片区12设有第一基岛，所述引脚区13的第三引脚131上设有第二载片区1311，第二载片区1311上设有第二基岛，第八引脚132的顶部设有连接片4，所述引脚区13通过所述连接片4与第一载片区12相连，连接片4为S型结构，将第一载片区12和引脚区13连接后处于不同的平面上；其余引脚的顶部设有焊接区5，第二、四、五、七引脚的下半部设置收缩区6，所述收缩区6的高度为引脚高度的0.1~0.15倍，宽度为引脚总宽的0.4~0.6倍，其余引脚的底部设有引脚嘴7；所述散热片区11与第一载片区12的连接处设有缓冲凹槽8，缓冲凹槽8横截面为V型结构；所述第一基岛和第二基岛上设有芯片安装槽，所述芯片安装槽的四周设有防水机构9；防水机构包括芯片安装槽四周的防水环槽91以及防水环槽至载片区边缘的斜坡台92，所述防水环槽91与芯片安装槽之间设有导水过渡段93，所述导水过渡段93由内侧向外侧的厚度逐渐减小；连接筋1上各框架单元之间设有椭圆形阶梯状定位孔10，散热片区11的两侧设有条形凹槽111，条形凹槽111的侧面设有若干锥形盲孔。

本结构能够同时安装两个芯片，定位孔设计为椭圆形阶梯孔，提高加工定位效果，防水结构等的设计使其防水效果好、产品性能好，具有较高的市场竞争力。

如上所述，尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本实用新型，但其不得解释为对本实用新型自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本实用新型的精神和范围前提下，可对其在形式上和细节上作出各种变化。

Claims (8)

1.一种改进的TO-220D8双基岛引线框架，包括由连接筋依次串接的若干个框架单元，每个所述的框架单元包括散热片区、第一载片区和引脚区，所述散热片区位于第一载片区的上方，引脚区位于第一载片区的下方，所述引脚区具有8个引脚，由左至右依次为第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚、第六引脚、第七引脚和第八引脚，所述散热片区设有散热通孔，所述第一载片区设有第一基岛，其特征在于：所述引脚区的其中一个引脚上设有第二载片区，第二载片区上设有第二基岛，一个引脚上设有连接片，所述引脚区通过所述连接片与第一载片区相连，其余引脚的顶部设有焊接区，所述散热片区与第一载片区的连接处设有缓冲凹槽，8个引脚中的2~4个引脚的下半部设有收缩区，其余引脚的底部设有引脚嘴；所述第一基岛和第二基岛上设有芯片安装槽，所述芯片安装槽的四周设有防水机构；所述防水机构包括芯片安装槽四周的防水环槽以及防水环槽至载片区边缘的斜坡台，所述防水环槽与芯片安装槽之间设有导水过渡段，所述导水过渡段由内侧向外侧的厚度逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的改进的TO-220D8双基岛引线框架，其特征在于：所述第二载片区设置在第三引脚的顶部，连接片设置在第八引脚的顶部。

3.根据权利要求2所述的改进的TO-220D8双基岛引线框架，其特征在于：所述第二、四、五、七引脚的下半部设置收缩区，所述收缩区的高度为引脚高度的0.1~0.15倍，宽度为引脚总宽的0.4~0.6倍。

4.根据权利要求1所述的改进的TO-220D8双基岛引线框架，其特征在于：所述连接片为S型结构，将第一载片区和引脚区连接后处于不同的平面上。

5.根据权利要求1所述的改进的TO-220D8双基岛引线框架，其特征在于：所述连接筋上各框架单元之间设有定位孔。

6.根据权利要求5所述的改进的TO-220D8双基岛引线框架，其特征在于：所述定位孔为椭圆形阶梯孔。

7.根据权利要求1所述的改进的TO-220D8双基岛引线框架，其特征在于：所述散热片区的两侧设有条形凹槽，条形凹槽的侧面设有若干锥形盲孔。

8.根据权利要求1所述的改进的TO-220D8双基岛引线框架，其特征在于：所述缓冲凹槽的横截面为V型。