CN208014667U - 一种晶片自动下片、测量一体机 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于半导体器件加工设备，尤其涉及一种晶片自动下片、测量一体机，用于将晶片与晶片固定环分离，该一体机至少包括传送装置、顶起装置、吸取装置、固定环收纳装置和晶片厚度测量装置，所述顶起装置设置于传送装置的下方，所述吸取装置设置于传送装置的上方，所述传送装置分为上料端和下料端，所述固定环收纳装置设置于传送转轴的下料端，所述厚度测量装置设置于所述吸取装置周边，用于测量分离后晶片的厚度。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体器件加工设备，尤其涉及一种晶片自动下片、测量一体机。
背景技术
半导体晶片在蒸镀DBR作业后，则进行隐切作业，在隐切作业前，需要人工手动将固定晶片的固定环拆除，然后测量晶片的厚度，存在大量的人力、周期上的浪费，同时在人工作业的过程中存在对晶片刮压伤，造成良率上的损失。
发明内容
为解决上述技术问题，一种晶片自动下片、测量一体机，用于将晶片与晶片固定环分离，该一体机至少包括传送装置、顶起装置、吸取装置、固定环收纳装置和晶片厚度测量装置，所述顶起装置设置于传送装置的下方，所述吸取装置设置于传送装置的上方，所述传送装置分为上料端和下料端，所述固定环收纳装置设置于传送装置的上料端，所述厚度测量装置设置于所述吸取装置周边，用于测量分离后晶片的厚度。
优选的，所述传送装置包括支架、平行设置于支架两侧的导轨、传送带以及与驱动传送带运动的第一驱动装置。
优选的，所述传送带上设置有若干个通孔结构，顶起装置通过所述通孔结构将晶片托起。
优选的，所述顶起装置包括顶起部以及驱动顶起部上、下运动的第二驱动装置。
优选的，所述吸取装置包括真空吸附机构以及与真空吸附机构连接的第一机械手臂。
优选的，所述固定环经由所述传送装置传送至下料端后滑落至所述固定环收纳装置内。
优选的，所述固定环通过机械手臂转移至固定环收纳装置内。
优选的，所述厚度测量装置包括晶片载台、厚度测量仪和数据处理单元。
优选的，所述晶片厚度测量装置位于所述吸取装置的水平距离与所述吸取装置位于传送装置的水平距离相同。
优选的，该一体机还包括一晶片收纳机构和第二机械手臂，所述第二机械手臂将晶片载台上的晶片转移至晶片收纳机构。
本实用新型提供的一种晶片自动下片、测量一体机，实现了晶片蒸镀后的下片和厚度测量的自动化作业，减少人工手动下片作业，提升工作效率，同时，减少人工作业对晶片的损伤，提升晶片的良率。
附图说明
图1为本实用新型一种晶片自动下片、测量一体机之立体图。
附图标注：10：传送装置；11：支架；12：导轨；13：传送带；14：第一驱动装置；131：通孔结构，20：顶起装置；21：顶起部；22：第二驱动装置；30：吸取装置；31：真空吸附机构；311：真空发生器；312：吸盘；32：第一机械手臂；40：固定环收纳装置；50：厚度测量装置；51：晶片载台；52：厚度测量仪；53：数据处理单元；54：第二机械手臂；60：晶片收纳机构。
具体实施方式
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
参看附图1，本实用新型提供的一种晶片自动下片、测量一体机，用于将晶片与晶片固定环分离，该一体机至少包括传送装置10、顶起装置20、吸取装置30、固定环收纳装置40和晶片厚度测量装置50，顶起装置20设置于传送装置10的下方，吸取装置30设置于传送装置10的上方，传送装置10分为上料端和下料端，固定环收纳装置40设置于传送装置的上料端，厚度测量装置50设置于所述吸取装置30一侧，用于测量分离后晶片的厚度。
传送装置10包括支架11、平行设置于支架11两侧的导轨12、传送带13以及与驱动传送带13运动的第一驱动装置14；传送带13上设置有若干个间隔分布的通孔结构131，顶起装置20通过通孔结构131将晶片托起后与晶片固定环分离。
顶起装置20包括顶起部21，以及驱动顶起部21上、下运动的第二驱动装置22，顶起部21可以为圆柱型结构或者多棱柱结构，其直径小于通孔结构131的直径，以便能在通孔结构131内自由运动。顶起部21优选为圆柱型结构、铁氟龙材质。
吸取装置30包括真空吸附机构31以及与真空吸附机构31连接的第一机械手臂32，真空吸附机构31包括吸盘312，以及与吸盘312连接的真空发生器311，顶起装置20将晶片顶起后真空吸附机构31将晶片吸住，进而使晶片与晶片固定环完全分离。分离后的固定环随传送带13继续向下料端移动，然后自动滑落至固定环收纳装置40内。当然为防止固定环在自动滑落过程中的撞击损伤，当固定环移动至下料端时，也可以通过机械手将固定环转移至收纳装置内。
晶片厚度测量装置50用于测量蒸镀后晶片的厚度，其包括晶片载台51、厚度测量仪52和数据处理单元53，厚度测量仪52优选为红外线测高仪。真空吸附机构31吸取的晶片转移至晶片载台51上，厚度测量装置50对晶片进行厚度测量，并将测量数据反馈给数据处理单元53。为了减少真空吸附机构31在转移过程中移动的距离，优选晶片厚度测量装置50位于吸取装置30的水平距离与所述吸取装置30位于传送转装置的水平距离相同。该一体机还包括一晶片收纳机构60，第二机械手臂54将晶片载台51上的晶片转移至晶片收纳机构60。
人员将由晶片固定环固定的晶片从上料端放入至传送带14上的通孔结构131处，顶起装置20通过该通孔结构131将晶片顶起，同时吸取装置30吸附该晶片并转移至晶片载台51上进行厚度测量，测量厚度晶片在通过第二机械手臂54转移至晶片收纳机构60中，完成晶片的自动下片、测试作业，减少人工手动下片作业，提升工作效率，同时，减少人工作业对晶片的损伤，提升晶片的良率。
应当理解的是，上述具体实施方案为本实用新型的优选实施例，本实用新型的范围不限于该实施例，凡依本实用新型所做的任何变更，皆属本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种晶片自动下片、测量一体机，用于将晶片与晶片固定环分离，该一体机至少包括传送装置、顶起装置、吸取装置、固定环收纳装置和晶片厚度测量装置，所述顶起装置设置于传送装置的下方，所述吸取装置设置于传送装置的上方，所述传送装置分为上料端和下料端，所述固定环收纳装置设置于传送装置的下料端，所述厚度测量装置设置于所述吸取装置周边，用于测量分离后晶片的厚度。
2.根据权利要求1所述的一种晶片自动下片、测量一体机，其特征在于：所述传送装置包括支架、平行设置于支架两侧的导轨、传送带以及与驱动传送带运动的第一驱动装置。
3.根据权利要求2所述的一种晶片自动下片、测量一体机，其特征在于：所述传送带上设置有若干个通孔结构，顶起装置通过所述通孔结构将晶片托起。
4.根据权利要求1所述的一种晶片自动下片、测量一体机，其特征在于：所述顶起装置包括顶起部以及驱动顶起部上、下运动的第二驱动装置。
5.根据权利要求1所述的一种晶片自动下片、测量一体机，其特征在于：所述吸取装置包括真空吸附机构以及与真空吸附机构连接的第一机械手臂。
6.根据权利要求1所述的一种晶片自动下片、测量一体机，其特征在于：所述固定环经由所述传送装置传送至下料端后滑落至所述固定环收纳装置内。
7.根据权利要求1所述的一种晶片自动下片、测量一体机，其特征在于：所述固定环通过机械手臂转移至固定环收纳装置内。
8.根据权利要求1所述的一种晶片自动下片、测量一体机，其特征在于：所述厚度测量装置包括晶片载台、厚度测量仪和数据处理单元。
9.根据权利要求1所述的一种晶片自动下片、测量一体机，其特征在于：所述晶片厚度测量装置位于所述吸取装置的水平距离与所述吸取装置位于传送装置的水平距离相同。
10.根据权利要求8所述的一种晶片自动下片、测量一体机，其特征在于：该一体机还包括一晶片收纳机构和第二机械手臂，所述第二机械手臂将晶片载台上的晶片转移至晶片收纳机构。
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- 2018-04-17 CN CN201820542682.2U patent/CN208014667U/zh active Active
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