CN207958483U - 蒸发源装置以及溅射镀膜设备 - Google Patents

蒸发源装置以及溅射镀膜设备 Download PDF

Info

Publication number
CN207958483U
CN207958483U CN201820020691.5U CN201820020691U CN207958483U CN 207958483 U CN207958483 U CN 207958483U CN 201820020691 U CN201820020691 U CN 201820020691U CN 207958483 U CN207958483 U CN 207958483U
Authority
CN
China
Prior art keywords
evaporation
vacuum
evaporation source
cavity
crucible
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201820020691.5U
Other languages
English (en)
Inventor
徐旻生
庄炳河
龚文志
张永胜
满小花
王应斌
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Aifake China Investment Co ltd
Original Assignee
Ulvac Opto Electronics Thinfilm Technology Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Opto Electronics Thinfilm Technology Shenzhen Co Ltd filed Critical Ulvac Opto Electronics Thinfilm Technology Shenzhen Co Ltd
Priority to CN201820020691.5U priority Critical patent/CN207958483U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN207958483U publication Critical patent/CN207958483U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本实用新型属于真空溅射镀膜技术领域,尤其涉及一种蒸发源装置以及溅射镀膜设备,其中,蒸发源装置包括第一蒸发源机构、与所述第一蒸发源机构水平错位的第二蒸发源机构以及用于驱动所述第二蒸发源机构上下运动的升降驱动机构。由于将蒸发源装置分为第一蒸发源机构和第二蒸发源机构,第一蒸发源机构和第二蒸发源机构能够单独供应,且还由于第二蒸发源机构与第一蒸发源机构水平错位,升降驱动机构能够驱动第二蒸发源机构上下运动,这样,当出现出料量不同时,则可通过升降驱动机构驱动第二蒸发源机构上下运动,以改变第一出料口与第二出料口之间的出料位置,能够调整镀膜的厚度,从而提高镀膜的均匀性。

Description

蒸发源装置以及溅射镀膜设备
技术领域
本实用新型属于真空溅射镀膜技术领域,尤其涉及一种蒸发源装置以及溅射镀膜设备。
背景技术
蒸发源装置包括具有蒸发腔的蒸发箱以及两个置于蒸发腔内的坩埚,蒸发箱于其侧壁开设于蒸发腔连通与真空镀膜室对接的出料口,其中,由于两坩埚均置于同一蒸发箱内,而蒸发箱仅开设有一个出料口,这样,在使用过程中,当出料口的上下区域的出料量不同时,不能进行调整,从而导致镀膜的均匀性较差。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述现有技术的不足,提供了一种蒸发源装置,其旨在解决镀膜的均匀性较差的问题。
本实用新型是这样实现的:
一种蒸发源装置,与真空镀膜室配合使用,包括第一蒸发源机构、与所述第一蒸发源机构水平错位的第二蒸发源机构以及用于驱动所述第二蒸发源机构上下运动的升降驱动机构,所述第一蒸发源机构包括具有第一蒸发腔的第一蒸发箱以及置于所述第一蒸发腔内的第一坩埚,所述第一坩埚开设有开口朝上设置并用于存放药液的第一存药腔,所述第一蒸发箱于其侧壁开设于所述第一蒸发腔连通与所述真空镀膜室对接的第一出料口,所述第二蒸发源机构包括具有第二蒸发腔的第二蒸发箱以及置于所述第二蒸发腔内的第二坩埚,所述第二坩埚开设有开口朝上设置并用于存放药液的第二存药腔,所述第二蒸发箱于其侧壁开设于第二蒸发腔连通与所述真空镀膜室对接的第二出料口。
由于将蒸发源装置分为第一蒸发源机构和第二蒸发源机构,第一蒸发源机构和第二蒸发源机构能够单独供应,且还由于第二蒸发源机构与第一蒸发源机构水平错位,升降驱动机构能够驱动第二蒸发源机构上下运动,这样,当出现出料量不同时,则可通过升降驱动机构驱动第二蒸发源机构上下运动,以改变第一出料口与第二出料口之间的出料位置,能够调整镀膜的厚度,从而提高镀膜的均匀性。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型实施例提供的蒸发源装置的结构示意图,其中,第一蒸发箱部分结构透视,以便于观察显示出第一坩埚,第二蒸发箱部分结构透视,以便于观察显示出第二坩埚;
图2是图1中AA方向的剖视图。
附图标号说明:
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
本实用新型实施例提供一种蒸发源装置,与真空镀膜室配合使用,可以用于镀制AR膜以及在镀制AG膜后的基础上再镀制AF膜。
请参阅图1和图2,该蒸发源装置包括第一蒸发源机构100、与第一蒸发源机构100水平错位的第二蒸发源机构200以及用于驱动第二蒸发源机构200上下运动的升降驱动机构300。第一蒸发源机构100包括具有第一蒸发腔1101的第一蒸发箱110以及置于第一蒸发腔1101内的第一坩埚120,第一坩埚120开设有开口朝上设置并用于存放药液的第一存药腔,第一蒸发箱110于其侧壁开设于第一蒸发腔1101连通与真空镀膜室对接的第一出料口,在具体实施中,第一蒸发源机构100还包括用于加热第一坩埚120的第一加热器,以使放置于第一坩埚120上的药液气化。第二蒸发源机构200包括具有第二蒸发腔2101的第二蒸发箱210以及置于第二蒸发腔2101内的第二坩埚220,第二坩埚220开设有开口朝上设置并用于存放药液的第二存药腔,第二蒸发箱210于其侧壁开设于第二蒸发腔2101连通与真空镀膜室对接的第二出料口,在具体实施中,第二蒸发源机构200还包括用于加热第二坩埚220的第二加热器,以使放置于第二坩埚220上的药液气化。
基于此结构设计,由于将蒸发源装置分为第一蒸发源机构100和第二蒸发源机构200,第一蒸发源机构100和第二蒸发源机构200能够单独供应,且还由于第二蒸发源机构200与第一蒸发源机构100水平错位,升降驱动机构300能够驱动第二蒸发源机构200上下运动,这样,当出现出料量不同时,则可通过升降驱动机构300驱动第二蒸发源机构200上下运动,以改变第一出料口与第二出料口之间的出料位置,能够调整镀膜的厚度,从而提高镀膜的均匀性。
请参阅图1和图2,第一蒸发源机构100还包括用于驱动第一坩埚120以使第一坩埚120在第一初始状态和第一蒸镀状态之间切换的第一驱动器130,第一坩埚120在第一初始状态时第一存药腔腔口朝上设置,而在第一蒸镀状态时第一存药腔腔口朝向第一出料口设置。
基于此结构设计,在使用过程中,首先,将药液放置到第一坩埚120200的第一存药腔,其次,驱动机构300驱动坩埚200进入蒸镀状态,然后,再利用加热器加热坩埚200,以使药液气化。其中,当气化的药液溢出存药腔时,气化的药液将沿着存药腔的腔口开设方向溢出,而由于坩埚200在蒸镀状态时,存药腔腔口朝向出料口,从存药腔溢出的气化的药液将沿水平方向直接进入到真空镀膜室,这样,相对于现有技术,减少了气化的药液进入到真空镀膜室的路径,有利于减少药液的浪费。
此外,减少了气化的药液进入到真空镀膜室的路径,还能让气化的药更快地进入到真空镀膜室,有利于提高蒸镀效率。
请参阅图1和图2,第二蒸发源机构200还包括用于驱动第二坩埚220以使二坩埚在第二初始状态和第二蒸镀状态之间切换的第二驱动器230,第二坩埚220在第二初始状态时第二存药腔腔口朝上设置,而在第二蒸镀状态时第二存药腔腔口朝向第二出料口设置。
请参阅图1和图2,在本实用新型实施例中,第一蒸发箱110开设有均与第一蒸发腔1101连通的第一真空放气口、第一真空抽气口以及供药液送入的第一入料口,第二蒸发箱210开设有均与第二蒸发腔2101连通的第二真空放气口、第二真空抽气口以及供药液送入的第二入料口。
在本实用新型实施例中,第一蒸发源机构100还包括设于第一出料口处并用于截断或导通第一蒸发腔1101和真空镀膜室的第一插板阀140、设于第一入料口处并用于截断或导通第一蒸发腔1101与外部的第一真空阀、设于第一真空放气口处的第一真空放气阀以及设于第一真空抽气口处的第一真空抽气阀,第二蒸发源机构200还包括设于第二出料口处并用于截断或导通第二蒸发腔2101和真空镀膜室的第二插板阀240、设于第二入料口处并用于截断或导通第二蒸发腔2101与外部的第二真空阀、设于第二真空放气口处的第二真空放气阀250以及设于第二真空抽气口处的第二真空抽气阀。其中,第一插板阀140优选为方形插板阀。
蒸发源装置还包括通管结构400以及通过通管结构400与第一真空抽气阀和第二真空抽取阀连接的真空泵,通管结构400具有与真空泵连接的第一管口、与第一真空抽气阀连接的第二管口和与第二真空抽气阀连接的第三管口,真空泵在第一插板阀140截断第一蒸发腔1101和真空镀膜室、第一真空阀关闭、第一真空放气阀关闭、第一真空抽气阀打开时用于将第一蒸发腔1101抽真空,而在第二插板阀240截断第二蒸发腔2101和真空镀膜室、第二真空阀关闭、第二真空放气阀250关闭、第二真空抽气阀打开时用于将第二蒸发腔2101抽真空。其中,第一插板阀140优选为方形插板阀。
进一步地,第一入料口开设于第一蒸发箱110的上侧,并位于第一坩埚120的上方,这样,可通过第一入料口直接滴落到第一坩埚120,而不要供料组件进入到第一蒸发腔1101内,能够便于药液的补给,而第二入料口开设于第二蒸发箱210的上侧,并位于第二坩埚220的上方,则可通过第二入料口直接滴落到第二坩埚220,而不要供料组件进入到第二蒸发腔2101内,能够便于药液的补给。
请参阅图1和图2,在本实用新型实施例中,蒸发源装置包括送料组件500,送料组件500包括具有第一出料管口的第一引料管510、第二出料管口的第二引料管520、用于存放药液的药瓶530、用于将药液从药瓶530抽至第一引料管510并直至药液从第一出料管口溢出且还用于将药液从药瓶530抽至第二引料管520并直至药液从第二出料管口溢出的柱塞泵,第一出料管口位于第一入料口上方,第二出料管口位于第二入料口上方。
基于上述结构设计,在使用过程中,当第一坩埚120上的药液使用完后,补充药液的操作步骤如下:
让第一坩埚120恢复到初始状态;
第一插板阀140截断第一蒸发腔1101和真空镀膜室之间的连通;
第一真空放气阀打开,放入气体使第一蒸发腔1101内的真空状态变化到大气状态;
第一真空阀打开,导通第一蒸发腔1101与外部,也即是打开了第一入料口;
第一柱塞泵550启动,药液从药瓶530抽至第一引料管510,药液从第一出料管口和流出,并从第一出料管口直接滴落至第一坩埚120;
充完药液,第一柱塞泵550停止;
第一真空阀关闭,截断第一蒸发腔1101与外部,也即是关闭了第一入料口;
第一真空抽气阀打开,真空泵启动,并将第一蒸发腔1101抽真空,并在真空泵将第一蒸发腔1101抽完真空后,第一真空抽气阀关闭;
第一插板阀140打开,导通第一蒸发腔1101和真空镀膜室之间的连通。
而当第二坩埚220上的药液使用完后,补充药液的操作步骤如下:
让第二坩埚220恢复到初始状态;
第二插板阀240截断第二蒸发腔2101和真空镀膜室之间的连通;
第二真空放气阀250打开,放入气体使第二蒸发腔2101内的真空状态变化到大气状态;
第二真空阀打开,导通第二蒸发腔2101与外部,也即是打开了第一入料口;
第二柱塞泵560启动,药液从药瓶530抽至第二引料管520,药液从第二出料管口和流出,并从第二出料管口直接滴落至第一坩埚120;
充完药液,第二柱塞泵560停止;
第二真空阀关闭,截断第二蒸发腔2101与外部,也即是关闭了第二入料口;
第二真空抽气阀打开,真空泵启动,并将第二蒸发腔2101抽真空,并在真空泵将第二蒸发腔2101抽完真空后,第二真空抽气阀关闭;
第二插板阀240打开,导通第二蒸发腔2101和真空镀膜室之间的连通。
上述使用过程,第一蒸发源机构100和第二蒸发源机构200可以分别运行,也可以同时运行。
本实用新型还提出一种溅射镀膜设备,该溅射镀膜设备包括蒸发源装置,该蒸发源装置的具体结构参照上述实施例,由于本溅射镀膜设备采用了上述所有实施例的全部技术方案,因此同样具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果,在此不再一一赘述。
以上仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种蒸发源装置,与真空镀膜室配合使用,其特征在于,包括第一蒸发源机构、与所述第一蒸发源机构水平错位的第二蒸发源机构以及用于驱动所述第二蒸发源机构上下运动的升降驱动机构,所述第一蒸发源机构包括具有第一蒸发腔的第一蒸发箱以及置于所述第一蒸发腔内的第一坩埚,所述第一坩埚开设有开口朝上设置并用于存放药液的第一存药腔,所述第一蒸发箱于其侧壁开设于所述第一蒸发腔连通与所述真空镀膜室对接的第一出料口,所述第二蒸发源机构包括具有第二蒸发腔的第二蒸发箱以及置于所述第二蒸发腔内的第二坩埚,所述第二坩埚开设有开口朝上设置并用于存放药液的第二存药腔,所述第二蒸发箱于其侧壁开设于第二蒸发腔连通与所述真空镀膜室对接的第二出料口。
2.如权利要求1所述的蒸发源装置,其特征在于,所述第一蒸发源机构还包括用于驱动所述第一坩埚以使所述第一坩埚在第一初始状态和第一蒸镀状态之间切换的第一驱动器,所述第一坩埚在第一初始状态时所述第一存药腔腔口朝上设置,而在所述第一蒸镀状态时所述第一存药腔腔口朝向所述第一出料口设置。
3.如权利要求1所述的蒸发源装置,其特征在于,所述第二蒸发源机构还包括用于驱动所述第二坩埚以使所述二坩埚在第二初始状态和第二蒸镀状态之间切换的第二驱动器,所述第二坩埚在第二初始状态时所述第二存药腔腔口朝上设置,而在所述第二蒸镀状态时所述第二存药腔腔口朝向所述第二出料口设置。
4.如权利要求1至3中任一项所述的蒸发源装置,其特征在于,所述第一蒸发箱开设有均与所述第一蒸发腔连通的第一真空放气口、第一真空抽气口以及供所述药液送入的第一入料口,所述第二蒸发箱开设有均与所述第二蒸发腔连通的第二真空放气口、第二真空抽气口以及供所述药液送入的第二入料口;
所述第一蒸发源机构还包括设于所述第一出料口处并用于截断或导通所述第一蒸发腔和所述真空镀膜室的第一插板阀、设于所述第一入料口处并用于截断或导通所述第一蒸发腔与外部的第一真空阀、设于所述第一真空放气口处的第一真空放气阀以及设于所述第一真空抽气口处的第一真空抽气阀,所述第二蒸发源机构还包括设于所述第二出料口处并用于截断或导通所述第二蒸发腔和所述真空镀膜室的第二插板阀、设于所述第二入料口处并用于截断或导通所述第二蒸发腔与外部的第二真空阀、设于所述第二真空放气口处的第二真空放气阀以及设于所述第二真空抽气口处的第二真空抽气阀;
所述蒸发源装置还包括通管结构以及通过所述通管结构与所述第一真空抽气阀和所述第二真空抽取阀连接的真空泵,所述通管结构具有与所述真空泵连接的第一管口、与所述第一真空抽气阀连接的第二管口和与所述第二真空抽气阀连接的第三管口,所述真空泵在所述第一插板阀截断所述第一蒸发腔和所述真空镀膜室、所述第一真空阀关闭、所述第一真空放气阀关闭、所述第一真空抽气阀打开时用于将所述第一蒸发腔抽真空,而在所述第二插板阀截断所述第二蒸发腔和所述真空镀膜室、所述第二真空阀关闭、所述第二真空放气阀关闭、所述第二真空抽气阀打开时用于将所述第二蒸发腔抽真空。
5.如权利要求4所述的蒸发源装置,其特征在于,所述第一入料口开设于所述第一蒸发箱的上侧,并位于所述第一坩埚的上方,所述第二入料口开设于所述第二蒸发箱的上侧,并位于所述第二坩埚的上方。
6.如权利要求5所述的蒸发源装置,其特征在于,所述蒸发源装置包括送料组件,所述送料组件包括具有第一出料管口的第一引料管、第二出料管口的第二引料管、用于存放所述药液的药瓶、用于将所述药液从所述药瓶抽至所述第一引料管并直至所述药液从所述第一出料管口溢出的第一柱塞泵以及用于将所述药液从所述药瓶抽至所述第二引料管并直至所述药液从所述第二出料管口溢出的第二柱塞泵,所述第一出料管口位于所述第一入料口上方,所述第二出料管口位于所述第二入料口上方。
7.如权利要求4所述的蒸发源装置,其特征在于,所述第一插板阀为方形插板阀。
8.一种溅射镀膜设备,其特征在于,包括权利要求1至7中任一项所述的蒸发源装置。
CN201820020691.5U 2018-01-03 2018-01-03 蒸发源装置以及溅射镀膜设备 Active CN207958483U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201820020691.5U CN207958483U (zh) 2018-01-03 2018-01-03 蒸发源装置以及溅射镀膜设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201820020691.5U CN207958483U (zh) 2018-01-03 2018-01-03 蒸发源装置以及溅射镀膜设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN207958483U true CN207958483U (zh) 2018-10-12

Family

ID=63732300

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201820020691.5U Active CN207958483U (zh) 2018-01-03 2018-01-03 蒸发源装置以及溅射镀膜设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN207958483U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111850479A (zh) * 2020-08-19 2020-10-30 布勒莱宝光学设备(北京)有限公司 一种真空蒸发镀膜设备
CN114277354A (zh) * 2021-12-28 2022-04-05 深圳奥卓真空设备技术有限公司 一种af连续真空镀膜设备及其均匀性控制方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111850479A (zh) * 2020-08-19 2020-10-30 布勒莱宝光学设备(北京)有限公司 一种真空蒸发镀膜设备
CN114277354A (zh) * 2021-12-28 2022-04-05 深圳奥卓真空设备技术有限公司 一种af连续真空镀膜设备及其均匀性控制方法
CN114277354B (zh) * 2021-12-28 2023-09-19 深圳奥卓真空设备技术有限公司 一种af连续真空镀膜设备及其均匀性控制方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN207958483U (zh) 蒸发源装置以及溅射镀膜设备
US9080238B2 (en) Raw material supplying device and film forming apparatus
TW201818469A (zh) 氣體導入機構及處理裝置
US20170067146A1 (en) Evaporation crucible and evaporation device
CN109487216A (zh) 线源装置和oled蒸镀机
TW200832540A (en) Mechanism and method for supplying process gas and gas processing apparatus
CN102956470A (zh) 基板处理装置
CN101783397A (zh) 有机el器件制造装置、成膜装置及其成膜方法、液晶显示基板制造、定位装置及定位方法
US9236283B2 (en) Chamber apparatus and heating method
CN105861991A (zh) 一种线性加热源
CN104593731B (zh) 蒸镀换料一体化设备及其使用方法
US20140318456A1 (en) Horizontal-type atomic layer deposition apparatus for large-area substrates
US20220349044A1 (en) Device for vapor depositing metal
CN101556911B (zh) 基板处理装置
CN201826007U (zh) 一种防着板和薄膜沉积设备
CN101501238A (zh) 成膜装置、成膜系统及成膜方法
CN101331596A (zh) 气体导入装置及其制造方法以及处理装置
CN202022972U (zh) 基片镀膜处理设备
CN209702839U (zh) 蒸镀装置
CN207608619U (zh) 蒸发源装置以及溅射镀膜设备
CN107287561A (zh) 防止堵塞的坩埚
CN211199385U (zh) 蒸发源机构以及溅射镀膜设备
CN206570393U (zh) 免开腔加料式蒸镀机
CN218321594U (zh) 一种用于五金件的磁控溅射连续镀膜线
CN108998764B (zh) 一种蒸发源装置

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20201210

Address after: 201100 4a, building 1, No.1000 Qishen Road, Minhang District, Shanghai

Patentee after: Aifake (China) Investment Co.,Ltd.

Address before: Area a, 2 / F, Howe building, No. 28, Keji North 2nd Road, Xili street, Nanshan District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee before: ULVAC HIVAC OPTOELECTRONIC FILMS (SHENZHEN) Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right