CN207765435U - 一种倒装焊芯片的封装结构 - Google Patents

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李宗亚
仝良玉
彭双
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    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

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Abstract

本实用新型属于半导体封装技术领域,涉及一种倒装焊芯片的封装结构,包括倒装焊芯片、有机基板、填充料、包封料、金属层和焊球,其特征在于,所述倒装焊芯片焊接在有机基板上,且倒装焊芯片和有机基板的间隙填充有填充料,所述倒装焊芯片周围包裹有包封料,所述包封料和倒装焊芯片上面覆盖有金属层;本实用新型提供的封装结构,该结构可以对芯片提供保护,同时通过封装表面的金属层,增强封装结构的耐湿特性,提高芯片的散热能力。

Description

一种倒装焊芯片的封装结构
技术领域
本实用新型涉及一种封装结构,尤其是一种倒装焊芯片的封装结构,属于集成电路制造技术领域。
背景技术
随着集成电路芯片集成度的提高,大规模、多引出端的芯片多采用倒装焊(FC)的形式。常规的FC塑封电路,通常不会对芯片进行包封保护,外部环境可能会对芯片造成机械损伤;其次,由于塑封材料的吸水特性,塑封电路的耐湿性能也是影响电路可靠性的重要因素;对于大功耗芯片,塑料封装的散热性能也极为关键。
发明内容
本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足,本实用新型提供一种倒装焊芯片的封装结构,该结构可以对芯片提供保护,同时通过封装表面的金属层,增强封装的耐湿特性,提高芯片的散热能力。
为实现以上技术目的,本实用新型采用的技术方案是:一种倒装焊芯片的封装结构,包括倒装焊芯片、有机基板、填充料、包封料、金属层和焊球,其特征在于,所述倒装焊芯片焊接在有机基板上,且倒装焊芯片和有机基板的间隙填充有填充料,所述倒装焊芯片周围包裹有包封料,所述包封料和倒装焊芯片上面覆盖有金属层。
进一步地,所述有机基板下面焊接有若干个用于实现板级连接的焊球。
进一步地,所述焊球的材料为含铅焊料或无铅焊料。
进一步地,所述填充料和包封料的材料分别为环氧树脂。
进一步地,所述金属层与倒装焊芯片的背面接触。
进一步地,所述金属层为一层或多层金属,且金属层覆盖于封装结构的上表面或侧面。
从以上描述可以看出,本实用新型的技术效果在于:
1)与传统封装结构相比,本实用新型包封材料对芯片四周进行包封,可以对芯片提供保护;
2)该封装结构的封装表面为金属层,一方面可以增强封装的耐湿能力,同时也可以提高芯片的散热能力。
附图说明
图1是本实用新型的塑料封装结构的剖视示意图。
图2是本实用新型实施例2的塑料封装结构的剖视示意图。
附图标记说明:1-倒装焊芯片,2-有机基板,3-填充料,4-包封料,5-金属层,6-焊球。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
根据附图1所示,一种倒装焊芯片的封装结构,包括倒装焊芯片1、有机基板2、填充料3、包封料4、金属层5和焊球6,其特征在于,所述倒装焊芯片1焊接在有机基板2上,且倒装焊芯片1和有机基板2的间隙填充有填充料3,所述倒装焊芯片1周围包裹有包封料4,所述包封料4和倒装焊芯片1上面覆盖有金属层5,所述金属层5与倒装焊芯片1的背面接触,所述有机基板2下面焊接有若干个用于实现板级连接的焊球6,所述焊球6的材料为含铅焊料或无铅焊料,所述填充料3和包封料4的材料为环氧树脂,所述金属层5为一层或多层金属,且金属层5覆盖于封装结构的上表面。
如图2所示为金属层5覆盖于封装结构的上表面及侧面。
本实用新型的倒装芯片1通过倒扣焊的方式贴装到有机基板2上,芯片与基板之间的空隙采用底部填充料3进行填充,然后采用包封料4对倒装芯片1进行包封,并通过研磨或其他措施让倒装芯片1背面裸露出来,倒装芯片1背面和包封料4表面齐平,然后在封装的表面通过电镀、化镀、蒸发或溅射等工艺方法制作金属层5,金属层5可以存在于封装结构的上表面,也可以存在于封装结构的上表面和侧面;金属层5需与倒装芯片1背面直接接触,以增强倒装芯片1的散热性能和耐湿特性;底部填充和芯片包封可以同时进行也可以分两步进行,通过填充料3和包封料4对倒装芯片1进行包封,对倒装芯片1提供保护。
以上对本实用新型及其实施方式进行了描述,该描述没有限制性,附图中所示的也只是本实用新型的实施方式之一,实际的结构并不局限于此。如果本领域的普通技术人员受其启示,在不脱离本实用新型创造宗旨的情况下,不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例,均应属于本实用新型的保护范围。

Claims (6)

1.一种倒装焊芯片的封装结构,包括倒装焊芯片(1)、有机基板(2)、填充料(3)、包封料(4)、金属层(5)和焊球(6),其特征在于,所述倒装焊芯片(1)焊接在有机基板(2)上,且倒装焊芯片(1)和有机基板(2)的间隙填充有填充料(3),所述倒装焊芯片(1)周围包裹有包封料(4),所述包封料(4)和倒装焊芯片(1)上面覆盖有金属层(5)。
2.根据权利要求1所述的一种倒装焊芯片的封装结构,其特征在于:所述有机基板(2)下面焊接有若干个用于实现板级连接的焊球(6)。
3.根据权利要求2所述的一种倒装焊芯片的封装结构,其特征在于:所述焊球(6)的材料为含铅焊料或无铅焊料。
4.根据权利要求1所述的一种倒装焊芯片的封装结构,其特征在于:所述填充料(3)和包封料(4)的材料分别为环氧树脂。
5.根据权利要求1所述的一种倒装焊芯片的封装结构,其特征在于:所述金属层(5)与倒装焊芯片(1)的背面接触。
6.根据权利要求1所述的一种倒装焊芯片的封装结构,其特征在于:所述金属层(5)为一层或多层金属,且金属层(5)覆盖于封装结构的上表面或侧面。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112509991A (zh) * 2020-09-10 2021-03-16 成都芯源系统有限公司 集成电路封装结构、集成电路封装单元及相关制造方法
CN113327899A (zh) * 2021-04-22 2021-08-31 成都芯源系统有限公司 倒装芯片封装单元及封装方法
CN113725169A (zh) * 2021-04-22 2021-11-30 成都芯源系统有限公司 倒装芯片封装单元及相关封装方法
CN115513147A (zh) * 2022-11-24 2022-12-23 河北北芯半导体科技有限公司 一种部分填充底填料的倒装芯片封装结构

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112509991A (zh) * 2020-09-10 2021-03-16 成都芯源系统有限公司 集成电路封装结构、集成电路封装单元及相关制造方法
CN113327899A (zh) * 2021-04-22 2021-08-31 成都芯源系统有限公司 倒装芯片封装单元及封装方法
CN113725169A (zh) * 2021-04-22 2021-11-30 成都芯源系统有限公司 倒装芯片封装单元及相关封装方法
CN115513147A (zh) * 2022-11-24 2022-12-23 河北北芯半导体科技有限公司 一种部分填充底填料的倒装芯片封装结构
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CB03 Change of inventor or designer information

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Inventor before: Tong Liangyu

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