CN207711092U - 一种多晶硅去头尾装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种多晶硅去头尾装置，属于多晶硅加工设备领域，包括底座，所述底座两边装有侧面支撑板，所述侧面支撑板上设有支撑板凹槽，所述支撑板凹槽内装有硅块固定板，所述硅块固定板上设有硅块挡板和硅块固定槽，所述硅块固定板下方装有气缸，所述侧面支撑板上装有转轮支柱，所述转轮支柱外端装有传动轮，所述传动轮通过传动带连接在电机上。本实用新型结构简单，操作方便，可以同时进行三块多晶硅硅块的两端去头尾，提高了多晶硅的处理加工效率，节省了生产的时间，减少了因移动翻转多晶硅造成的硅块损坏等可能性，实用性强。

Description

一种多晶硅去头尾装置

技术领域

本实用新型属于多晶硅加工设备领域，主要涉及一种多晶硅去头尾装置。

技术背景

多晶硅是单质硅的一种形态，具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料。多晶硅又是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料。

单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度6N以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到9N，人们已经能制造出纯度为12N的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。

多晶硅的生产技术主要为改良西门子法和硅烷法。西门子法通过气相沉积的方式生产柱状多晶硅，为了提高原料利用率和环境友好，在前者的基础上采用了闭环式生产工艺即改良西门子法。该工艺将工业硅粉与HCl反应，加工成 SiHCl3，再让SiHCl3在H2气氛的还原炉中还原沉积得到多晶硅。还原炉排出的尾气H2、SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2和HCl经过分离后再循环利用。硅烷法是将硅烷通入以多晶硅晶种作为流化颗粒的流化床中，使硅烷裂解并在晶种上沉积，从而得到颗粒状多晶硅。改良西门子法和硅烷法主要生产电子级晶体硅，也可以生产太阳能级多晶硅。

多晶硅片的生产流程主要包括:多晶原料清洗、检测→坩埚喷涂→多晶铸锭→硅锭剖方→硅块检验→去头尾→磨面、倒角→粘胶→切片→硅片脱胶→硅片清洗→硅片的包装。在多晶硅铸锭完成后，由于多晶硅铸锭生产工艺的原因，造成多晶硅块头尾中含有较多杂质，形成杂质区。头尾杂质区不能用于切片，因此切片前需要用切割设备将多晶硅块头尾部分的杂质区去掉，这个过程就是去头尾。目前多晶硅块去头尾切割工序通常采用电镀金刚石内圆切割片为切割工具，一次只能一个内圆切割片进行切割工作，多晶硅块的头尾分两次切割完成，因此切割效率不高，另外内圆切割片装夹不方便，费用较高，使得设备的使用受到极大地局限性，因此需要一种结构简单、成本低、切割效率高的多晶硅去头尾装置以解决目前常见设备的缺点。

发明内容

为了提高多晶硅的处理加工效率，节省了生产的时间，本实用新型提供一种多晶硅去头尾装置，可同时进行三块多晶硅硅块的两端去头尾处理，操作方便且实用性很强。

本实用新型所采用的设计方案是：一种多晶硅去头尾装置，包括底座1，所述底座1两边装有侧面支撑板2，所述侧面支撑板2上设有支撑板凹槽3，所述支撑板凹槽3内装有硅块固定板4，所述硅块固定板4上设有硅块挡板12和硅块固定槽13，所述硅块固定板4下方装有气缸5，所述侧面支撑板2上装有转轮支柱9，所述转轮支柱9外端装有传动轮6，所述传动轮6通过传动带7连接在电机8上，所述转轮支柱9内端装有转轮10，所述转轮10通过电镀金刚石带锯11传动。

本实用新型提供的设计方案中，所述侧面支撑板2的结构一样，所述气缸5、传动轮6、传动带7和电机8均有两个，分别位于侧面支撑板2的两侧。

本实用新型提供的设计方案中，所述转轮支柱9和转轮10分别有六个，分为两组，每组呈正三角形分布，且对称安装在两个侧面支撑板2上。

本实用新型提供的设计方案中，所述电镀金刚石带锯11有两条，分别安装在两组转轮10上。

本实用新型提供的设计方案中，所述硅块挡板12将硅块固定槽13分成三个卡槽，且硅块固定槽13的两端不设硅块挡板12。

本实用新型具有以下优点：

本实用新型结构简单，操作方便，可以同时进行三块多晶硅硅块的两端去头尾，提高了多晶硅的处理加工效率，节省了生产的时间，减少了因移动翻转多晶硅造成的硅块损坏等可能性，实用性强。

下面结合附图对本实用新型作进一步说明。

附图说明

图1为多晶硅去头尾装置的侧视三维结构图，1-底座，2-侧面支撑板，3- 支撑板凹槽，4-硅块固定板，5-气缸，6-传动轮，7-传动带，8-电机。

图2为多晶硅去头尾装置的俯视三维结构图，9-转轮支柱，10-转轮，11- 电镀金刚石带锯，12-硅块挡板，13-硅块固定槽。

具体实施方式

下面将结合本实用新型附图和具体设计方案，对本实用新型实施例中的设计方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型专利中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利保护的范围。

实施例1

如图1多晶硅去头尾装置的侧视三维结构图和图2多晶硅去头尾装置的俯视三维结构图所示，一种多晶硅去头尾装置，包括底座1，所述底座1两边装有侧面支撑板2，所述侧面支撑板2上设有支撑板凹槽3，所述支撑板凹槽3内装有硅块固定板4，所述硅块固定板4上设有硅块挡板12和硅块固定槽13，所述硅块固定板4下方装有气缸5，所述侧面支撑板2上装有转轮支柱9，所述转轮支柱9外端装有传动轮6，所述传动轮6通过传动带7连接在电机8上，所述转轮支柱9内端装有转轮10，所述转轮10通过电镀金刚石带锯11传动。

所述侧面支撑板2的结构一样，所述气缸5、传动轮6、传动带7和电机8 均有两个，分别位于侧面支撑板2的两侧。

所述转轮支柱9和转轮10分别有六个，分为两组，每组呈正三角形分布，且对称安装在两个侧面支撑板2上。

所述电镀金刚石带锯11有两条，分别安装在两组转轮10上。

所述硅块挡板12将硅块固定槽13分成三个卡槽，且硅块固定槽13的两端不设硅块挡板12。

在装置使用时，将三块铸锭后的多晶硅硅块放置在硅块固定槽中，打开电机开关，传动带带动传动轮转动，使得转轮上的电镀金刚石带锯转动，同时气缸推动硅块固定板向上运动，硅块接触到电镀金刚石带锯，进行三块多晶硅硅块的两端同时去头尾，完成后，关闭设备，将处理好的多晶硅硅块和废料取下，重复操作，进行下一次去头尾。

本实用新型结构简单，操作方便，可以同时进行三块多晶硅硅块的两端去头尾，提高了多晶硅的处理加工效率，节省了生产的时间，减少了因移动翻转多晶硅造成的硅块损坏等可能性，实用性强。

各位技术人员须知：虽然本实用新型已按照上述具体实施方式做了描述，但是本实用新型的发明思想并不仅限于此专利，任何运用本实用新型思想的改装，都将纳入本专利专利权保护范围内。

Claims (5)

1.一种多晶硅去头尾装置，其特征在于，包括底座(1)，所述底座(1)两边装有侧面支撑板(2)，所述侧面支撑板(2)上设有支撑板凹槽(3)，所述支撑板凹槽(3)内装有硅块固定板(4)，所述硅块固定板(4)上设有硅块挡板(12)和硅块固定槽(13)，所述硅块固定板(4)下方装有气缸(5)，所述侧面支撑板(2)上装有转轮支柱(9)，所述转轮支柱(9)外端装有传动轮(6)，所述传动轮(6)通过传动带(7)连接在电机(8)上，所述转轮支柱(9)内端装有转轮(10)，所述转轮(10)通过电镀金刚石带锯(11)传动。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅去头尾装置，其特征在于，所述侧面支撑板(2)的结构一样，所述气缸(5)、传动轮(6)、传动带(7)和电机(8)均有两个，分别位于侧面支撑板(2)的两侧。

3.根据权利要求1所述的一种多晶硅去头尾装置，其特征在于，所述转轮支柱(9)和转轮(10)分别有六个，分为两组，每组呈正三角形分布，且对称安装在两个侧面支撑板(2)上。

4.根据权利要求1所述的一种多晶硅去头尾装置，其特征在于，所述电镀金刚石带锯(11)有两条，分别安装在两组转轮(10)上。

5.根据权利要求1所述的一种多晶硅去头尾装置，其特征在于，所述硅块挡板(12)将硅块固定槽(13)分成三个卡槽，且硅块固定槽(13)的两端不设硅块挡板(12)。