CN207516562U - 一种应用于x射线探测器芯片光敏面的gos材料结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型一种应用于X射线探测器芯片光敏面的GOS材料结构，包括芯片光敏面、GOS(硫氧化钆)材料晶体出光面，所述GOS(硫氧化钆)材料晶体出光面通过胶水粘贴在芯片光敏面上，利用GOS(硫氧化钆)材料作为X射线探测器的闪烁晶体，并使GOS(硫氧化钆)材料切割成与芯片光敏面相近的尺寸，使两者贴合在一起，在使用过程中大大降低了产品耦合所需的精度，另一方面也大大的提高了产品耦合效率，此外GOS因整个面都出光，在出光的均匀性上也比其它晶体材料效果要好，因市场对间距0.78mm、0.4mm、0.2mm产品需求不断扩大，将GOS(硫氧化钆)材料应用在此类高分辨率产品上能大大降低产品晶体耦合精度并提升产品良率及生产效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及探测器、探测器芯片成光技术领域，尤其涉及一种应用于X射线探测器芯片光敏面的GOS材料结构。
背景技术
随着工业社会的进步，市场对X射线探测器成像图片分辨率要求越来越高，现有X射线探测器主要是用碘化铯(Csl)材料充当X射线探测器闪烁晶体来使用，而闪烁晶体是指，在X射线高能粒子的撞击下，能将高能粒子的动能转变为光能而发出闪光的晶体，典型代表材料有碘化铯，钨酸镉、氟化钡等。
本设计人发现，现有的晶体材料需要与X射线探测器的芯片出光面完全耦合，才能达到较好的光电转换效率，这种材料贴合过程比较麻烦，且现有的晶体材料只是出光面的部分区域出光，如耦合精度不够，会导致X射线探测器产品均匀性存在缺陷。
为此，针对上述问题，我们提出一种应用于X射线探测器芯片光敏面的GOS 材料结构来解决这一问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种应用于X射线探测器芯片光敏面的GOS 材料结构，以解决上述背景技术中提出的现有的晶体材料需要与X射线探测器的芯片光敏面完全耦合，才能达到较好的光电转换效率，这种材料贴合过程比较麻烦，且现有的晶体材料只是出光面的部分区域出光，如耦合精度不够，会导致X射线探测器产品均匀性存在缺陷的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种应用于X射线探测器芯片光敏面的GOS材料结构，包括芯片光敏面、GOS(硫氧化钆)材料晶体出光面，所述GOS(硫氧化钆)材料晶体出光面通过胶水粘贴在芯片光敏面上。
优选的，所述GOS(硫氧化钆)材料晶体贴合在X射线探测器的芯片光敏面(1)上时，整个面均为出光面。
优选的，所述GOS(硫氧化钆)材料晶体出光面在与芯片光敏面实施贴合前，需要将GOS(硫氧化钆)材料晶体切割成与芯片光敏面一样的尺寸。
与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：
本实用新型利用GOS(硫氧化钆)材料作为X射线探测器闪烁晶体，并使GOS (硫氧化钆)材料切割成与芯片光敏面相近的尺寸，使两者贴合在一起，在使用过程中大大降低了产品耦合所需的精度，另一方面也大大的提高了产品耦合效率，此外GOS因整个面都出光，在出光的均匀性上也比其它晶体材料效果要好，因市场对间距0.78mm、0.4mm、0.2mm产品需求不断扩大，将GOS(硫氧化钆)材料应用在此类高分辨率产品上能大大降低产品晶体耦合精度并提升产品良率及生产效率。
附图说明
图1为本实用新型材料贴合后出光面示意图；
图2为其它材料贴合后出光面结构示意图。
图中：1、芯片光敏面，2、GOS(硫氧化钆)材料晶体出光面。
具体实施方式
下面，将详细说明本实用新型的实施例，其实例显示在附图和以下描述中。虽然将结合示例性的实施例描述本实用新型，但应当理解该描述并非要把本实用新型限制于该示例性的实施例。相反，本实用新型将不仅覆盖该示例性的实施例，而且还覆盖各种替换的、改变的、等效的和其他实施例，其可包含在所附权利要求所限定的本实用新型的精神和范围内。
如附图1至附图2所示：
本实用新型提供一种技术方案：一种应用于X射线探测器芯片光敏面的 GOS材料结构，包括芯片光敏面1、GOS(硫氧化钆)材料晶体出光面2，GOS(硫氧化钆)材料晶体出光面2通过胶水粘贴在芯片光敏面1上。
具体的，GOS(硫氧化钆)材料晶体贴合在X射线探测器的芯片光敏面1 上时，整个面均为出光面，使GOS出光的均匀性也比其它晶体材料效果更好；
具体的，GOS(硫氧化钆)材料晶体出光面2在与芯片光敏面1实施贴合前，需要将GOS(硫氧化钆)材料晶体切割成与芯片光敏面1一样的尺寸，大大降低了芯片光敏面1与GOS(硫氧化钆)材料晶体出光面2耦合贴合时所需的精度，从而提高提高了耦合效率。
工作原理：GOS(硫氧化钆)材料晶体贴合在X射线探测器的芯片光敏面1 上时，整个面均为出光面，使GOS出光的均匀性也比其它晶体材料效果更好，使GOS(硫氧化钆)材料切割成与芯片光敏面相近的尺寸，使两者贴合在一起，在使用过程中大大降低了产品耦合所需的精度，另一方面也大大的提高了产品耦合效率，此外GOS因整个面都出光，在出光的均匀性上也比其它晶体材料效果要好，因市场对间距0.78mm、0.4mm、0.2mm产品需求不断扩大，将GOS (硫氧化钆)材料应用在此类高分辨率产品上能大大降低产品晶体耦合精度并提升产品良率及生产效率。
综上所述，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种应用于X射线探测器芯片光敏面的GOS材料结构，其特征在于：包括芯片光敏面、GOS(硫氧化钆)材料晶体出光面，所述GOS(硫氧化钆)材料晶体出光面通过胶水粘贴在芯片光敏面上。
2.根据权利要求1所述的应用于X射线探测器芯片光敏面的GOS材料结构，其特征在于：所述GOS(硫氧化钆)材料晶体贴合在X射线探测器的芯片光敏面上时，整个面均为出光面。
3.根据权利要求1所述的应用于X射线探测器芯片光敏面的GOS材料结构，其特征在于：所述GOS(硫氧化钆)材料晶体出光面在与芯片光敏面实施贴合前，需要将GOS(硫氧化钆)材料晶体切割成与芯片光敏面一样的尺寸。
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| CN201720628059.4U CN207516562U (zh) | 2017-06-01 | 2017-06-01 | 一种应用于x射线探测器芯片光敏面的gos材料结构 |
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Publications (1)
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ID=62531457
Family Applications (1)
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| CN201720628059.4U Active CN207516562U (zh) | 2017-06-01 | 2017-06-01 | 一种应用于x射线探测器芯片光敏面的gos材料结构 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN207516562U (zh) |
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2017
- 2017-06-01 CN CN201720628059.4U patent/CN207516562U/zh active Active
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