CN207474489U - 大功率led器件 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种大功率LED器件，包括芯片和基板，芯片的背面交错设有若干第一焊料凸起和导热性能优于第一焊料凸起的若干第一金属凸起，基板上对应设有第二焊料凸起和导热性能优于第二焊料凸起的第二金属凸起，各第一焊料凸起与相应第二焊料凸起焊接相连，各第一金属凸起与相应第二金属凸起压合相连。本实用新型通过将第一焊料凸起与第二焊料凸起相连形成焊接层；使得第一金属凸起与第二金属凸起相连形成金属薄层；进而使焊接层和金属薄层构成固晶层；降低了固晶焊工艺难度，可以将热应力快速释放，缓解固晶界面的热应力；提高了该大功率LED器件的散热能力，使得固晶层界面具有良好的可靠性。

Description

大功率LED器件

技术领域

本实用新型属于LED固晶技术领域，更具体地说，是涉及一种大功率LED器件。

背景技术

LED是发光二极管的简称。大功率LED(功率在1w以上的芯片一般为大功率LED芯片)器件具有高效、节能、环保、安全的优点。但大功率LED散热能力差，导致LED芯片的结温高，而致使LED器件出现色温漂移、发光效率下降、使用寿命缩短等问题。因此，在将LED芯片固定在基板上时必须考虑LED芯片的散热问题。大功率LED器件固晶层的散热能力与可靠性，是决定LED器件可靠性的关键因素。

大功率LED器件的芯片封装于基板上形成的固晶层是LED芯片产生的热量散发出去的关键散热通道。传统技术中使用导热胶、银浆等固晶技术已经不能满足大功率LED器件的散热要求。为改善LED芯片的散热问题，当前常用的方案有两种：一种方案是采用焊料固晶技术，这种技术虽然降低了固晶难度，但是界面(芯片上焊料与基板上焊接之间的界面)热应力大，界面的孔洞率高、界面化合物的生长难以控制，在服役过程中界面恶化快，导致界面的可靠性低。另一种方案是采用共晶焊技术，这种技术成本高且工艺过程难以控制；另外，由于芯片与基板的热膨胀系数不一致，使得界面热应力大，尤其是界面化合物在器件服役过程中难以控制，易导致界面可靠性差，降低大功率LED器件的使用寿命。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种大功率LED器件，以解决现有技术中存在的芯片与基板晶界面的热应力大，界面可靠性差的问题。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：提供一种大功率LED器件，包括用于发光的芯片和支撑所述芯片的基板，所述芯片的背面交错设有若干第一焊料凸起和导热性能优于所述第一焊料凸起的若干第一金属凸起，所述基板上对应于各所述第一焊料凸起的位置设有第二焊料凸起，基板上对应于各所述第一金属凸起的位置设有导热性能优于所述第二焊料凸起的第二金属凸起，各所述第一焊料凸起与相应所述第二焊料凸起焊接相连，各所述第一金属凸起与相应所述第二金属凸起压合相连。

进一步地，若干所述第一焊料凸起与若干第一金属凸起相间排布。

进一步地，若干所述第一金属凸起和若干所述第一焊料凸起呈点阵状、相间设置的块状或相间设置的条状。

进一步地，所述第一焊料凸起的高度低于所述第一金属凸起的高度或/和所述第二焊料凸起的高度低于所述第二金属凸起的高度。

进一步地，还包括分别将各所述第一焊料凸起与相应所述第二焊料凸起焊接相连的若干焊料片。

进一步地，各所述第一焊料凸起或/和各所述第二焊料凸起的底部设有粘附层。

进一步地，所述芯片的背面设有若干用于定位各所述第一金属凸起的第一定位槽或/和所述基板上设有若干用于定位各所述第二金属凸起的第二定位槽。

进一步地，所述芯片的背面设有若干用于定位各所述第一焊料凸起的第一限位槽或/和所述基板上设有若干用于定位各所述第二焊料凸起的第二限位槽。

本实用新型提供的大功率LED器件的有益效果在于：与现有技术相比，本实用新型通过将第一焊料凸起与相应第二焊料凸起焊接相连，形成焊接层，同时降低固晶焊工艺难度；并使得第一金属凸起与相应第二金属凸起压合相连，形成金属薄层；进而使焊接层和金属薄层构成固晶层；该结构将固晶层设计成了焊料和金属间隔分布的结构，不仅降低了固晶焊工艺难度，而且使得焊接层和金属薄层均成为一个个横截面积较小的连接结构，当固晶层因芯片和基板的膨胀不一致产生热应力时，可以将热应力快速释放，缓解固晶界面的热应力；又由于金属薄层的导热性能优于焊接层，具有良好的热传导性，可以对芯片产生的热量进行快速散热，提高了该大功率LED器件的散热能力，使得固晶层界面具有良好的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的LED芯片固晶方法的流程图。

图2为本实用新型实施例一提供的大功率LED器件的固晶过程示意图，其中：图(a)为LED芯片的处理后的剖面结构示意图，图(b)为基板的处理后的剖面结构示意图，图(c)为固晶得到的大功率LED器件的剖面结构示意图；

图3为图1中大功率LED器件的分解结构示意图，其中：图(a)为LED芯片的处理后的结构示意图，图(b)为基板的处理后的结构示意图。

图4为本实用新型实施例二提供的大功率LED器件的固晶过程示意图，其中：图(a)为LED芯片的处理后的剖面结构示意图，图(b)为基板的处理后的剖面结构示意图，图(c)为固晶得到的大功率LED器件的剖面结构示意图；

图5为本实用新型实施例三提供的大功率LED器件的固晶过程示意图，其中：图(a)为LED芯片上制作出第一金属凸起时的剖面结构示意图，图(b)为LED芯片上制作出第一焊接层时的剖面结构示意图，图(c)为基板上制作出第二金属凸起时的剖面结构示意图，图(d)为基板上制作出第二焊接层时的剖面结构示意图，图(e)为固晶得到的大功率LED器件的剖面结构示意图；

图6为本实用新型实施例四提供的大功率LED器件的固晶过程示意图，其中：图(a)为LED芯片上制作出第一定位槽和第一限位槽时的剖面结构示意图，图(b)为LED芯片上制作出第一金属凸起与第一焊接层时的剖面结构示意图，图(c)为基板上制作出第二定位槽和第二限位槽时的剖面结构示意图，图(d)为基板上制作出第二金属凸起与第二焊接层时的剖面结构示意图，图(e)为固晶得到的大功率LED器件的剖面结构示意图；

图7为本实用新型实施例五提供的大功率LED器件的固晶过程示意图，其中：图(a)为LED芯片的处理后的剖面结构示意图，图(b)为基板的处理后的剖面结构示意图，图(c)为固晶得到的大功率LED器件的剖面结构示意图。

其中，图中各附图主要标记：

10-芯片；11-第一定位槽；12-第一限位槽；20-基板；21-第二定位槽；22-第二限位槽；30-金属薄层；31-第一金属凸起；32-第二金属凸起；40-焊接层；41-第一焊料凸起；42-第二焊料凸起；43-焊料片；44-粘附层。

具体实施方式

为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

实施例一：

请参阅图2和图3，现对本实用新型提供的大功率LED器件进行说明。所述大功率LED器件，包括芯片10和基板20，芯片10用于发光，基板20用于支撑芯片10，将芯片10安装在基板20上，以封装形成大功率LED器件。芯片10的背面设有若干第一焊料凸起41和若干第一金属凸起31，若干第一焊料凸起41和若干第一金属凸起31交错设有，并且若干第一金属凸起31的材料的导热性能优于第一焊料凸起41的材料，从而使第一金属凸起31导热性能优于第一焊料凸起41。基板20上设有若干第二焊料凸起42和若干第二金属凸起32，若干第二焊料凸起42和若干第二金属凸起32交错设有，并且若干第二金属凸起32的材料的导热性能优于第二焊料凸起42的材料，从而使第二金属凸起32导热性能优于第二焊料凸起42。并且第二金属凸起32的位置与第一金属凸起31的位置相对应，第二焊料凸起42的位置与第一焊料凸起41的位置相对应，从而在将芯片10安装在基板20上时，可以使各第一焊料凸起41对应一个第二焊料凸起42，各第一金属凸起31对应一个第二金属凸起32，各第一焊料凸起41与相应第二焊料凸起42焊接相连，各第一金属凸起31与相应第二金属凸起32压合相连。从而各第一焊料凸起41与相应第二焊料凸起42焊接形成焊接层40，各第一金属凸起31与相应第二金属凸起32相连形成金属薄层30，焊接层40和金属薄层30构成芯片10与基板20相连的固晶层。

由于芯片10和基板20具有不同的膨胀系数，当温度发生变化时，芯片10和基板20的膨胀程度不同，如果固晶层是填充在芯片10和基板20之间的一个整体，则会导致芯片10和基板20之间的固晶层产生热应力。而本实用新型中固晶层由焊接层40和金属薄层30构成，即将固晶层中的焊接层40分割为面积很小的焊点或焊块，所产生的应力很容易得到释放。另外，制作有金属薄层30，该金属薄层30的导热性能优于焊接层40，因此可对芯片10产生的热量进行快速散热，有效降低固晶焊工艺难度，缓解固晶界面的热应力，提高该大功率LED器件的散热能力。

本实用新型提供的大功率LED器件，与现有技术相比，本实用新型通过将第一焊料凸起41与相应第二焊料凸起42焊接相连，形成焊接层40，同时降低固晶焊工艺难度；并使得第一金属凸起31与相应第二金属凸起32压合相连，形成金属薄层30；进而使焊接层40和金属薄层30构成固晶层；该结构将固晶层设计成了焊料和金属间隔分布的结构，不仅降低了固晶焊工艺难度，而且使得焊接层40和金属薄层30均成为一个个横截面积较小的连接结构，当固晶层因芯片10和基板20的膨胀不一致产生热应力时，可以将热应力快速释放，缓解固晶界面的热应力；又由于金属薄层30的导热性能优于焊接层40，具有良好的热传导性，可以对芯片10产生的热量进行快速散热，提高了该大功率LED器件的散热能力，使得固晶层界面具有良好的可靠性。

进一步地，请参阅图2和图3，作为本实用新型提供的大功率LED器件的一种具体实施方式，若干第一焊料凸起41与若干第一金属凸起31相间排布。将第一焊料凸起41与第一金属凸起31相间排布，而由于第二焊料凸起42的位置与第一焊料凸起41的位置相对应，第二金属凸起32与第一金属凸起31的位置相对应，则第二焊料凸起42与第二金属凸起32相间排布，则在将芯片10安装在基板20上后，形成的焊接层40与金属薄层30相间排布，即可以提高连接强度，又可以快速散热，释放热应力，使得固晶层界面可靠性更高。

进一步地，请参阅图2和图3，作为本实用新型提供的大功率LED器件的一种具体实施方式，若干第一金属凸起31和若干第一焊料凸起41呈相间设置的块状，则对应的若干第二金属凸起32和若干第二焊料凸起42也呈相间设置的块状。以方便设计布局，同时方便连接。在其它一些实施例中，若干第一金属凸起31和若干第一焊料凸起41可以呈相间设置的点阵状，对应的若干第二金属凸起32和若干第二焊料凸起42也呈相间设置的点阵状，以但更好的释放热应力。在还有一些实施例中，若干第一金属凸起31和若干第一焊料凸起41可以呈相间设置的条状，对应的若干第二金属凸起32和若干第二焊料凸起42也呈相间设置的条状，以方便加工制作。

由于实施例中将第一焊料凸起41与第二焊料凸起42熔化并焊接在一起，形成焊接层40；使得所述第一金属凸起31与所述第二金属凸起32对应贴合并压合在一起，形成金属薄层30，使芯片10与基板20间的金属薄层30实现金属-金属连接，同时可以使金属薄层30实现了芯片10和基板20之间的电性连接。金属薄层30与焊接层40构成固晶层，则将固晶层制作成焊料和金属间隔分布的结构，使得焊料和金属都成为一个个横截面积较小的连接结构，当固晶层因芯片10和基板20的膨胀不一致产生热应力时，可以将热应力快速释放掉，缓解固晶界面的热应力；另外，金属薄层30的导热性能优于焊料，具有良好的热传导性，可对芯片10产生的热量进行快速散热，提高了散热能力，使得固晶层界面具有良好的可靠性。另外，由于通常用于金属-金属键合的金属的熔点很高，因此实现金属和金属键合的工艺难度高，本实施例中，利用第一焊料凸起41和第二焊料凸起42焊接后产生的芯片10和基板20之间的结合力，使第一金属凸起31和第二金属凸起32压合在一起。同时，可以通过调整焊接层40和金属薄层30的高度与面积，即可调整第一金属凸起31和第二金属凸起32之间，即金属和金属之间的压合力，从而可实现金属和金属之间的自协调键合。

请参阅图1至图3，本实施例的大功率LED器件的LED芯片固晶方法包括如下步骤：

芯片处理S1：在芯片10背面制作交错设置的若干第一焊料凸起41和导热性能优于所述第一焊料凸起41的若干第一金属凸起31；

基板处理S2：在基板20上对应于各所述第一金属凸起31的位置设有导热性能优于所述第二焊料凸起42的第二金属凸起32；

固晶连接S3：将所述芯片10的背面贴合于所述基板20上，将各所述第一焊料凸起41与相应所述第二焊料凸起42焊接相连，并使各所述第一金属凸起31与相应所述第二金属凸起32压合相连。

通过将第一焊料凸起41与相应第二焊料凸起42焊接相连，形成焊接层40，同时降低固晶焊工艺难度；并使得第一金属凸起31与相应第二金属凸起32压合相连，形成金属薄层30；进而使焊接层40和金属薄层30构成固晶层；该结构将固晶层设计成了焊料和金属间隔分布的结构，不仅降低了固晶焊工艺难度，而且使得焊接层40和金属薄层30均成为一个个横截面积较小的连接结构，当固晶层因芯片10和基板20的膨胀不一致产生热应力时，可以将热应力快速释放，缓解固晶界面的热应力；又由于金属薄层30的导热性能优于焊接层40，具有良好的热传导性，可以对芯片10产生的热量进行快速散热，提高了该大功率LED器件的散热能力，使得固晶层界面具有良好的可靠性。

进一步地，作为本实用新型提供的大功率LED器件的一种具体实施方式，第一金属凸起31可以采用光刻方式、电镀方式、蒸镀方式等薄膜沉积技术制作在芯片10的背面。

进一步地，作为本实用新型提供的大功率LED器件的一种具体实施方式，第一焊料凸起41可以采用光刻方式、电镀方式、蒸镀方式等薄膜沉积技术制作在芯片10的背面。

进一步地，作为本实用新型提供的大功率LED器件的一种具体实施方式，第二金属凸起32可以采用光刻方式、电镀方式、蒸镀方式等薄膜沉积技术制作在基板20上。

进一步地，作为本实用新型提供的大功率LED器件的一种具体实施方式，第二焊料凸起42可以采用光刻方式、电镀方式、蒸镀方式等薄膜沉积技术制作在基板20上。

进一步地，作为本实用新型提供的大功率LED器件的一种具体实施方式，可以在芯片10的背面涂敷光刻胶层，并光刻、显影曝光后形成预定的图形；再采用电镀或者溅射沉积技术形成具有预设凸起表面积和预定高度的第一金属凸起31和第一焊料凸起41；去除光刻胶，得到相间分布的第一金属凸起31和第一焊料凸起41。

进一步地，作为本实用新型提供的大功率LED器件的一种具体实施方式，可以在基板20涂敷光刻胶层，并光刻、显影曝光后形成预定的图形；再采用电镀或者溅射沉积技术形成具有预设凸起表面积和预定高度的第二金属凸起32和第二焊料凸起42；去除光刻胶，得到相间分布的第二金属凸起32和第二焊料凸起42。

进一步地，作为本实用新型提供的大功率LED器件的一种具体实施方式，第一金属凸起31和第二金属凸起32材料相同。可以使用金、银或铜等金属材料。第一金属凸起31和第二金属凸起32形成的金属薄层30可以是Cu-Cu、Ag-Ag或Au-Au等。

进一步地，作为本实用新型提供的大功率LED器件的一种具体实施方式，第一焊料凸起41与第二焊料凸起42的焊点连接可以是传统的焊料凸点-金属连接，如solder-Cu和solder-Au等，也可以是焊料凸点-焊料凸点连接，如AuSn-AuSn、CuSn-CuSn、SnAgCu-SnAgCu和SnBi-SnBi等。

实施例二：

请参阅图4，本实施例提供的大功率LED器件的结构与制作方法与实施例一的大功率LED器件的的结构与制作方法的区别为：

本实施例中，第二焊料凸起42的高度低于第二金属凸起32的高度。如将第二焊料凸起42的高度设置略低于第二金属凸起32的高度，则在将第二焊料凸起42与第一焊料凸起41焊接相连时，可以提供更强的压力，以将第一金属凸起31与第二金属凸起32更紧密地压合相连，以更好的拔出界面的小间隙。当然，在其它实施例中，也可以将第一焊料凸起41的高度低于第一金属凸起31的高度，或同时将第一焊料凸起41的高度低于第一金属凸起31的高度和第二焊料凸起42的高度低于第二金属凸起32的高度。

进一步地，请参阅图4，作为本实用新型提供的大功率LED器件的一种具体实施方式，该大功率LED器件还包括分别将各第一焊料凸起41与相应第二焊料凸起42焊接相连的若干焊料片43。设置焊料片43将各第一焊料凸起41与相应第二焊料凸起42焊接相连，可以更方便焊接，同时便于调整焊接层40的厚度，进而可以便于调整界面的厚度，精确控制焊接层40厚度，从而实现第一金属凸起31与第二金属凸起32自协调键合。

焊接过程中，采用回流工艺，熔化焊料，经冷却凝固，第一焊料凸起41与第二焊料凸起42实现焊点连接，此时界面结合力足以使第一金属凸起31和第二金属凸起32充分压合在一起，并排出界面的小间隙。

第一焊料凸起41与第二焊料凸起42焊点连接后，形成焊接层40，将芯片10固接在基板20上；第一金属凸起31和第二金属凸起32贴合连接后，形成金属薄层30，金属薄层30是金属-金属连接，具有高导热性和导电能力。

在一些实施例中，可以改变第一焊料凸起41与第二焊料凸起42的凸起表面积的预设值，调节焊接面积，调节界面结合力；也可以改变第一金属凸起31、第二金属凸起32、第一焊料凸起41与第二焊料凸起42的高度的预设值，调整界面的厚度，精确控制焊接层40厚度，从而实现自协调键合。

本实施例的大功率LED器件的制作方法可以采用与实施例一的大功率LED器件相近的制作方法。本实施例的大功率LED器件的制作方法与实施例一的大功率LED器件的制作方法的区别为：本实施例的制作方法为使用焊料片43将第一焊料凸起41与相应第二焊料凸起42焊接，以方便调节界面的厚度，精确控制焊接层40厚度，从而实现自协调键合。

本实施例的大功率LED器件的其它结构与制作方法与实施例一的大功率LED器件的其它结构与制作方法相同，在些不再赘述。

实施例三：

请参阅图5，本实施例提供的大功率LED器件的结构与制作方法与实施例二的大功率LED器件的的结构与制作方法的区别为：

本实施例中，芯片10背面制作第一焊料凸起41和第一金属凸起31分成两个工艺步骤，先制作在芯片10背面制作第一金属凸起31，再制作第一焊料凸起41。当然这两个步骤的顺序可以调换。

同理，基板20上制作第二焊料凸起42和第二金属凸起32也分成两个工艺步骤，先制作在基板20上制作第二金属凸起32，再制作第二焊料凸起42。当然这两个步骤的顺序可以调换。

在一些实施例，芯片处理S1和基板处理S2之间没有先后顺序，可以先进行芯片处理S1步骤，也可以先进行基板处理S2步骤，或两个步骤同时进行。

本实施例的大功率LED器件的其它结构与制作方法与实施例二的大功率LED器件的其它结构与制作方法相同，在些不再赘述。

实施例四：

请参阅图6，本实施例提供的大功率LED器件的结构与制作方法与实施例二的大功率LED器件的的结构与制作方法的区别为：

本实施例中，芯片10的背面设有若干用于定位各第一金属凸起31的第一定位槽11，从而方便在芯片10的背面加工制作第一金属凸起31，同时可以增加第一金属凸起31的高度，使得固晶后的金属薄层30的厚度更大，提升散热效果。同理，进一步地，也可以在基板20上设有若干用于定位各第二金属凸起32的第二定位槽21。

进一步地，芯片10的背面设有若干用于定位各第一焊料凸起41的第一限位槽12，从而方便在芯片10的背面加工制作第一焊料凸起41，同时可以增加第一焊料凸起41的高度，增加固晶后的焊接层40的厚度，有效地避免第一焊料凸起41或第二焊料凸起42被焊料片43消耗而导致的焊点失效，从而有效提升焊接层40连接的可靠性。同时可以使得芯片10与基板20结合更牢固，并有利于金属薄层30的热传导。同理，进一步地，也可以在基板20上设有若干用于定位各第二焊料凸起42的第二限位槽22。

请一并参阅图1，本实施例的大功率LED器件的制作方法可以采用与实施例一的大功率LED器件相近的制作方法。本实施例的大功率LED器件的制作方法与实施例一的大功率LED器件的制作方法的区别为：

在所述芯片处理S1步骤之前还包括步骤：在所述芯片10背面对应设置各所述第一金属凸起31的位置蚀刻第一定位槽11；所述第一金属凸起31嵌入相应所述第一定位槽11中。从而在芯片10背面加工出第一定位槽11。在一些实施例，可采用TSV(Through SiliconVias，中文意思为：穿过硅片通道)技术方法，在芯片10背面刻蚀第一定位槽11，使得电镀或者溅射沉积形成的第一金属凸起31厚度增加。

进一步地，在所述芯片处理S1步骤之前还包括步骤：在所述芯片10背面对应设置各所述第一焊料凸起41的位置蚀刻第一限位槽12；所述第一焊料凸起41嵌入相应所述第一限位槽12中。从而在芯片10背面加工出第一限位槽12。在一些实施例，可采用TSV技术方法，在芯片10背面刻蚀第一限位槽12，使得电镀或者溅射沉积形成的第一焊料凸起41厚度增加。

进一步地，在所述基板处理S2步骤之前还包括步骤：在所述基板20上对应设置各所述第二金属凸起32的位置蚀刻第二定位槽21；所述第二金属凸起32嵌入相应所述第二定位槽21中。从而在基板20上加工出第二定位槽21。在一些实施例，可采用TSV技术方法，在基板20上刻蚀第二定位槽21，使得电镀或者溅射沉积形成的第二金属凸起32厚度增加。

进一步地，在所述芯片处理S1步骤之前还包括步骤：在所述基板20上对应设置各所述第二焊料凸起42的位置蚀刻第二限位槽22；所述第二焊料凸起42嵌入相应所述第二限位槽22中。从而在基板20上加工出第二限位槽22。在一些实施例，可采用TSV技术方法，在基板20上刻蚀第二限位槽22，使得电镀或者溅射沉积形成的第二焊料凸起42厚度增加。

本实施例的大功率LED器件的其它结构与制作方法与实施例二的大功率LED器件的其它结构与制作方法相同，在些不再赘述。

实施例五：

请参阅图7，本实施例提供的大功率LED器件的结构与制作方法与实施例二的大功率LED器件的的结构与制作方法的区别为：

各第一焊料凸起41的底部设有粘附层44。使用粘附层44将第一焊料凸起41固定在芯片10背面，以增加结合力，进而增加固晶层界面结合力。同理，也可以在各第二焊料凸起42的底部设有粘附层44。使用粘附层44将第二焊料凸起42固定在基板20上，以增加结合力，进而增加固晶层界面结合力。

本实施例的大功率LED器件的其它结构与制作方法与实施例二的大功率LED器件的其它结构与制作方法相同，在些不再赘述。

本实施例的大功率LED器件的其它结构与制作方法与实施例二的大功率LED器件的其它结构与制作方法相同，在些不再赘述。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.大功率LED器件，包括用于发光的芯片和支撑所述芯片的基板，其特征在于：所述芯片的背面交错设有若干第一焊料凸起和导热性能优于所述第一焊料凸起的若干第一金属凸起，所述基板上对应于各所述第一焊料凸起的位置设有第二焊料凸起，基板上对应于各所述第一金属凸起的位置设有导热性能优于所述第二焊料凸起的第二金属凸起，各所述第一焊料凸起与相应所述第二焊料凸起焊接相连，各所述第一金属凸起与相应所述第二金属凸起压合相连。

2.如权利要求1所述的大功率LED器件，其特征在于：若干所述第一焊料凸起与若干第一金属凸起相间排布。

3.如权利要求2所述的大功率LED器件，其特征在于：若干所述第一金属凸起和若干所述第一焊料凸起呈点阵状、相间设置的块状或相间设置的条状。

4.如权利要求1所述的大功率LED器件，其特征在于：所述第一焊料凸起的高度低于所述第一金属凸起的高度或/和所述第二焊料凸起的高度低于所述第二金属凸起的高度。

5.如权利要求4所述的大功率LED器件，其特征在于：还包括分别将各所述第一焊料凸起与相应所述第二焊料凸起焊接相连的若干焊料片。

6.如权利要求1-5任一项所述的大功率LED器件，其特征在于：各所述第一焊料凸起或/和各所述第二焊料凸起的底部设有粘附层。

7.如权利要求1-5任一项所述的大功率LED器件，其特征在于：所述芯片的背面设有若干用于定位各所述第一金属凸起的第一定位槽或/和所述基板上设有若干用于定位各所述第二金属凸起的第二定位槽。

8.如权利要求1-5任一项所述的大功率LED器件，其特征在于：所述芯片的背面设有若干用于定位各所述第一焊料凸起的第一限位槽或/和所述基板上设有若干用于定位各所述第二焊料凸起的第二限位槽。