CN207234654U - 电平偏移电路和电子装置 - Google Patents

电平偏移电路和电子装置 Download PDF

Info

Publication number
CN207234654U
CN207234654U CN201721075047.XU CN201721075047U CN207234654U CN 207234654 U CN207234654 U CN 207234654U CN 201721075047 U CN201721075047 U CN 201721075047U CN 207234654 U CN207234654 U CN 207234654U
Authority
CN
China
Prior art keywords
terminal
node
diode
level shift
coupling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201721075047.XU
Other languages
English (en)
Inventor
L·巴托罗梅奥
江口和男
G·D·布鲁诺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Italian Semiconductor International Co
Original Assignee
STMicroelectronics lnc USA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics lnc USA filed Critical STMicroelectronics lnc USA
Application granted granted Critical
Publication of CN207234654U publication Critical patent/CN207234654U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/1608—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H02M1/088—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
    • H03K17/102—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
    • H03K17/162—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/689—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
    • H03K17/691—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit using transformer coupling
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/313—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices with two electrodes, one or two potential barriers, and exhibiting a negative resistance characteristic
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0048—Circuits or arrangements for reducing losses
    • H02M1/0054—Transistor switching losses
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0063—High side switches, i.e. the higher potential [DC] or life wire [AC] being directly connected to the switch and not via the load
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0072—Low side switches, i.e. the lower potential [DC] or neutral wire [AC] being directly connected to the switch and not via the load
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Abstract

本公开涉及一种电平偏移电路和电子装置。电平偏移电路具有配置用于接收输入信号的输入端，其中输入信号具有对称的最大和最小电压。电平偏移电路进一步包括配置用于提供输出信号的输出端，其中输出信号具有非对称的最大和最小电压。响应于输入信号而产生输出信号。施加输出信号以驱动SiC MOSFET的栅极端子。

Description

电平偏移电路和电子装置
技术领域
本公开涉及集成电路，并且更具体而言涉及用于在将控制信号施加至非对称驱动器电路之前电平偏移控制信号的电平偏移电路。
背景技术
碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是在许多功率电子器件应用中的有吸引力的功率开关部件。宽带隙SiC材料的先进和创新性的特性提供了如下切换晶体管：其呈现比硅MOSFET器件或绝缘栅极双极晶体管(IGBT)器件更好的操作特性。例如，SiC MOSFET器件具有相当的Si基晶体管开关远远更低的开关损耗，并且可以以比相当的Si基晶体管开关大二至五倍的开关频率进行操作。SiC MOSFET进一步呈现非常低的泄漏电流，并且这有助于提升系统可靠性和一致性，甚至当经受提高的反向电压或温度升高时。
以此方式驱动SiC MOSFET以便于促进最低可能的导通和开关损耗是至关重要的。然而，应该注意，绝对最大额定值(AMR)设置了非对称的SiC MOSFET的最大Vgs-on和最小Vgs-off。例如，最大Vgs-on可以是+25V，而最小Vgs-off是-10V。例如，产生具有+12V的最大电压和-12V的最小电压的栅极驱动信号的常规对称驱动电路无法适当和高效地驱动SiCMOSFET。在该示例中，用于驱动电路的+12V最大驱动信号电压产生对于以最佳性能导通的SiC MOSFET而言不够高的Vgs-on，并且用于驱动电路的-12V的最小电压产生在SiC MOSFET的AMR之外的Vgs-off。
本领域需要诸如脉冲变压器之类的电平偏移电路以将具有对称电压的输入信号转换为具有非对称电压的、适用于驱动具有晶体管器件的AMR需求的SiC MOSFET的栅极的输出信号。
实用新型内容
鉴于上述问题，本公开的实施例旨在解决上述技术问题的至少一部分。
在一个实施例中，一种电子装置，包括：电平偏移电路，具有被配置用于接收具有对称的最大和最小电压的输入信号的输入端，以及被配置用于提供具有非对称的最大和最小电压的输出信号的输出端；以及SiC MOSFET，具有由所述输出信号所驱动的栅极端子。
电平偏移电路的一个实施例包括：电容器，被耦合在输入端和输出端之间；电压分压器电路，被耦合在输入端与被配置用于耦合至SiC MOSFET的源极端子的参考节点之间，电压分压器电路具有分接头节点；以及第一二极管，具有被耦合至分接头节点的阳极、以及被耦合至电容器的端子的阴极。
通过使用本公开的实施例，可以解决上述技术问题的至少一部分并且实现相应的技术效果。
附图说明
为了更好理解实施例，现在将借由示例的方式而参考附图，其中：
图1A和图1B是用于使用非对称信号驱动SiC MOSFET的栅极的电平偏移电路的示意图；
图2示出了用于图1A或图1B的电平偏移电路的操作波形；
图3A和图3B是用于使用非对称信号驱动SiC MOSFET的栅极的电平偏移电路的示意图；
图4示出了用于图3A或图3B的电平偏移电路的操作波形；
图5是具有驱动高压侧和低压侧SiC MOSFET的栅极的电平偏移电路的半桥驱动器电路的示意图；以及
图6示出了用于图5的电路的操作波形。
具体实施方式
现在参照图1A，示出了用于使用非对称信号驱动SiC MOSFET14的栅极的电平偏移电路10的示意图。SiC MOSFET 14是n沟道器件，具有漏极端子16、栅极端子18(耦合至电平偏移电路10的输出端12)以及源极端子20。漏极端子16被配置用于在节点22处连接至在低压侧驱动器操作中待被驱动的电路。源极端子20连接至低参考电源电压节点(接地)。
电平偏移电路10具有输入节点24。电容器C具有耦合至输入节点24的第一端子，以及耦合至中间节点26的第二端子。电阻器R1具有连接至中间节点26的第一端子，以及连接至输出端12并耦合至SiC MOSFET 14的栅极端子18的第二端子。电阻性分压器由串联连接在输入节点24与低参考电源电压节点之间的电阻器R2和R3形成。电阻器R2具有连接至输入节点24的第一端子，以及连接至分接头节点28的第二端子。电阻器R3具有连接至分接头节点28的第一端子，以及连接至低参考电源电压节点的第二端子。齐纳二极管D1具有连接至分接头节点28的阳极，以及连接至中间节点26的阴极。
电平偏移电路10的输入节点24被配置用于接收具有对称的最大和最小电压的输入驱动信号IN1。当最大电压和最小电压的绝对幅度实质上相等(也即在±1-3％内)时，输入驱动信号IN1的电压被视作是对称的。例如，具有对称电压的输入驱动信号IN1可以具有+12V的最大电压和-12V的最小电压，并且具有脉冲信号的形状(例如，方波或脉冲宽度调制(PWM)波)。
电平偏移电路10由合适类型的驱动电路所驱动。在示例性的实施方式中，驱动电路可以包括接收对称信号输入的脉冲变压器电路。具有连接至输入节点24的第一端子、和连接至低参考电源电压节点的第二端子的电感器L表示该脉冲变压器电路的次级绕组。
如在此应注意的那样，SiC MOSFET 14具有由晶体管器件的绝对最大额定值(AMR)所设置的、并非对称的最大Vgs-on和最小Vgs-off(也即它们的绝对幅度基本上不相等)。电平偏移电路10操作用于偏移输入驱动信号IN1的对称电压，以在输出端12处产生具有非对称电压的驱动信号。
电平偏移电路10如下操作：
由电阻器R2和R3形成的电阻性分压器将电压固定至由电平偏移电路10所偏移的电平。齐纳二极管D1操作作为整流器以在电容器C上使用相对于中间节点26的电压Vc维持正向极化(也即节点26处的电压被维持为比输入节点24处的电压高+Vc)。电压Vc是在电容器C上被维持的电平偏移电压。输入驱动信号IN1的对称电压被偏移+Vc。应该注意，对于输入驱动信号IN1的负电压而言，电容被保持为由二极管D充电。
从数学上而言：VC＝VIN+*(R2/(R2+R3))–VfD1，其中VIN+是输入驱动信号IN1的正电压，并且VfD1是二极管D1的正向电压。作为示例，通过恰当选择R2和R3的电阻，电压Vc可以被设置在+8V。在使用具有+12V的最大电压和-12V的最小电压的对称电压的输入驱动信号IN1的情形下，在输出端12处产生并施加至SiC MOSFET 14的栅极的输出电压将具有+20V的最大电压和-4V的最小电压的非对称电压。这些非对称电压恰好在SiC MOSFET的绝对最大额定值(AMR)内，并且当SiC MOSFET导通(Vgs-on＝+20V)以及也允许SiC MOSFET器件被完全关断(Vgs-off＝-4V)时进一步产生导通电阻的最优水平。
该电平偏移电路10存在许多优点：其容易制造，不昂贵，并且与现有技术电路相比具有减小的功率损耗。
应该理解，可以使用普通二极管替代齐纳二极管D1。然而，齐纳二极管的使用是优选的，因为其使得电压Vc不受电阻器R2和R3电阻的变化影响。
在操作中，存在对电容器C的电容充电所需的时间延迟。因此，在电路操作的开始处将存在如下危险：响应于输入驱动信号IN1而在输出端12处产生的输出信号将具有小于SiC MOSFET的绝对最大额定值(AMR)的电压。这在图2中示出在参考标记50处，其中在电容器C变得被充分充电以将信号电平偏移至晶体管器件的AMR内范围之前的大段时间期间，输出信号的电压小于-5.75V(在操作开始处具有-12.2V的最大值－该负电压通常低于用于SiC MOSFET的负驱动电压的AMR)。
如图3A中所示，通过添加栅极钳位电路54而解决了该问题。图3A中相同的参考数字指代图1A中相同的部件和部分，并且将不再进一步描述。栅极钳位电路54包括齐纳二极管D2，具有连接至SiC MOSFET 14的栅极端子的阳极，以及连接至中间节点56的阴极。栅极钳位电路54进一步包括齐纳二极管D3，其具有连接至中间节点56的阴极，以及连接至SiCMOSFET 14的源极端子的阳极。二极管D3在一些实施例中将取决于击穿电压而使用两个或多个串联连接的器件而实施。
二极管D2用于对SiC MOSFET 14的Vgs的负电压电平钳位。二极管D2因此应该被选择为具有比满足晶体管的绝对最大额定值(AMR)的最小Vgs-off的绝对幅度更小、并且比钳位电路的Vgs-off更大的击穿电压，以便于仅当对电容器C充电时在操作开始处激活。从数学上而言：Vgs-off<VbrD2<AMR-VfD3，其中VbrD2是二极管D2的击穿电压，VfD3是二极管D3的正向电压。二极管D3用于在晶体管导通期间阻断电流。二极管D3因此应该被选择为具有比SiC MOSFET 14的Vgs-on更大的击穿电压。优选地，二极管D3的击穿电压小于由晶体管的绝对最大额定值(AMR)所规定的最大Vgs-on。齐纳二极管用于二极管D3，以便于以更精确方式控制击穿电压。在一些实施例中，二极管D3可以取决于所需击穿电压而使用两个或更多串联连接的器件而实施。
栅极钳位电路54的有益效果在图4中以参考标记60示出。应该注意，与图2相比，负电压的钳位用于防止栅极驱动信号电压降低至低于最小Vgs-off，这将违反晶体管的绝对最大额定值(AMR)。
电阻器R1的电阻被选择为在功率损耗和开关损耗之间平衡。较大的电阻减小了钳位二极管上的功率损耗，而较小的电阻减小了开关损耗(尤其在高频下)。
图1A和图3A的电平偏移电路10示出为与低压侧SiC MOSFET驱动器电路结合使用。然而，应该理解，相同的电路配置可以用于如图1B和图3B中所示的高压侧驱动器应用(其中对参考数字添加符号(’)标记以用于如上所述的相同或类似部件)。节点22也可以表示均具有高压侧电路和低压侧电路的半桥电路配置中的公共输出端。用于高压侧电路的电平偏移器接收输入驱动信号IN2。在半桥配置中，输入信号信号IN2将与输入驱动信号IN1在相位上相差180o，并且进一步地，信号IN1和IN2可以被配置为非重叠信号以便于杜绝SiC MOSFET14和14’的击穿操作。
在图5中示出了用于半桥电路的电路图。用于图5的电路的高压侧的操作波形被示出在图6中。在此情形中：IR1’是流过电阻器R1’的电流；IC’是流过电容器C’的电流，IR2’是流过电阻器R2’的电流，ID1’是流过二极管D1’的电流，Vgs14’是在节点12(称作节点22以使其代表真实的栅极至源极电压)处的SiC MOSFET 14’的栅极驱动电压，V28’是在分压器的分接头节点28’处的电压，以及V24’是在节点24’(称作节点22)处的输入电压IN2。类似的波形应用于图5的电路的低压侧的操作。
前述说明书已经借由示例性和非限定性示例的方式提供了本实用新型示例性实施例的全面和丰富的说明。然而，当结合附图和所附权利要求阅读时，考虑到前述说明书，各种修改和改变可以变得对于相关领域技术人员是明显的。然而，对本实用新型教导的所有这种和类似的修改仍然将落入如所附权利要求中所限定的本实用新型的范围内。

Claims (15)

1.一种电平偏移电路，其特征在于，包括：
输入节点；
输出节点，被配置用于耦合至SiC MOSFET的栅极端子；
电容器，被耦合在所述输入节点和所述输出节点之间；
分压器电路，被耦合在所述输入节点与被配置用于耦合至所述SiC MOSFET的源极端子的参考节点之间，所述分压器电路具有分接头节点；以及
第一二极管，具有耦合至所述分接头节点的阳极，以及耦合至所述电容器的端子的阴极。
2.根据权利要求1所述的电平偏移电路，其特征在于，所述电容器的第一端子连接至所述输入节点，所述电容器的第二端子连接至中间节点，以及其中所述第一二极管的所述阴极连接至所述中间节点。
3.根据权利要求2所述的电平偏移电路，其特征在于，进一步包括电阻器，被耦合在所述中间节点与所述输出节点之间。
4.根据权利要求3所述的电平偏移电路，其特征在于，所述电阻器的第一端子连接至所述中间节点，以及所述电阻器的第二端子连接至所述输出节点。
5.根据权利要求1所述的电平偏移电路，其特征在于，所述第一二极管的所述阳极连接至所述分接头节点，以及所述第一二极管的所述阴极连接至所述电容器的所述端子。
6.根据权利要求1所述的电平偏移电路，其特征在于，进一步包括栅极钳位电路，被耦合在所述输出节点与所述参考节点之间，所述栅极钳位电路被配置用于钳位所述SiCMOSFET的栅极至源极电压。
7.根据权利要求6所述的电平偏移电路，其特征在于，所述栅极钳位电路包括：
第二二极管，被耦合在所述输出节点与另一中间节点之间；以及
第三二极管，被耦合在所述另一中间节点与所述参考节点之间；
其中所述第一二极管和所述第二二极管的阳极相互连接。
8.一种电子装置，其特征在于，包括：
电平偏移电路，具有被配置用于接收具有对称的最大电压和最小电压的输入信号的输入端，以及被配置用于提供具有非对称的最大电压和最小电压的输出信号的输出端；以及
SiC MOSFET，具有由所述输出信号驱动的栅极端子。
9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述电平偏移电路包括：
电容器，被耦合在所述输入端与所述输出端之间；
分压器电路，被耦合在所述输入端与被配置用于耦合至所述SiC MOSFET的源极端子的参考节点之间，所述分压器电路具有分接头节点；以及
第一二极管，具有耦合至所述分接头节点的阳极，以及耦合至所述电容器的端子的阴极。
10.根据权利要求9所述的电子装置，其特征在于，所述电容器的第一端子连接至所述输入端，所述电容器的第二端子连接至中间节点，以及其中所述第一二极管的所述阴极连接至所述中间节点。
11.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于，进一步包括电阻器，被耦合在所述中间节点与所述输出端之间。
12.根据权利要求11所述的电子装置，其特征在于，所述电阻器的第一端子连接至所述中间节点，以及所述电阻器的第二端子连接至所述输出端。
13.根据权利要求9所述的电子装置，其特征在于，所述第一二极管的所述阳极连接至所述分接头节点，以及所述第一二极管的所述阴极连接至所述电容器的所述端子。
14.根据权利要求9所述的电子装置，其特征在于，进一步包括栅极钳位电路，被耦合在所述输出端与所述参考节点之间，所述栅极钳位电路被配置用于钳位所述SiC MOSFET的栅极至源极电压。
15.根据权利要求14所述的电子装置，其特征在于，所述栅极钳位电路包括：
第二二极管，被耦合在所述输出端与另一中间节点之间；以及
第三二极管，被耦合在所述另一中间节点与所述参考节点之间；
其中所述第一二极管和所述第二二极管的阳极相互连接。
CN201721075047.XU 2017-01-03 2017-08-25 电平偏移电路和电子装置 Active CN207234654U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/396,964 US10063227B2 (en) 2017-01-03 2017-01-03 Level shifting circuit
US15/396,964 2017-01-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN207234654U true CN207234654U (zh) 2018-04-13

Family

ID=61858882

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201721075047.XU Active CN207234654U (zh) 2017-01-03 2017-08-25 电平偏移电路和电子装置
CN201710743331.8A Active CN108270344B (zh) 2017-01-03 2017-08-25 电平偏移电路

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710743331.8A Active CN108270344B (zh) 2017-01-03 2017-08-25 电平偏移电路

Country Status (2)

Country Link
US (2) US10063227B2 (zh)
CN (2) CN207234654U (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108270344A (zh) * 2017-01-03 2018-07-10 意法半导体株式会社 电平偏移电路
CN112000169A (zh) * 2020-09-02 2020-11-27 合肥恒烁半导体有限公司 一种电流缓冲器电路及其应用
CN114777818A (zh) * 2022-03-09 2022-07-22 西门子数控（南京）有限公司 编码器的信号激励单元及编码器

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11133740B2 (en) * 2019-12-18 2021-09-28 Cypress Semiconductor Corporation Startup regulator using voltage buffer to stabilize power supply voltage
US11606086B2 (en) * 2020-05-08 2023-03-14 Hamilton Sundstrand Corporation Desaturation circuit for MOSFET with high noise immunity and fast detection
CN113037261A (zh) * 2021-03-09 2021-06-25 同辉电子科技股份有限公司 一种SiC-MOSFET模块的驱动方法
CN114967815A (zh) * 2022-06-23 2022-08-30 广东美的白色家电技术创新中心有限公司 电压调节装置、方法、装置、设备及介质
CN114879802A (zh) * 2022-06-23 2022-08-09 广东美的白色家电技术创新中心有限公司 电流调节装置、方法、装置、设备及介质

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4429205A (en) * 1980-01-28 1984-01-31 Roper Corporation Induction heating apparatus
US5051613A (en) * 1990-06-04 1991-09-24 Lucerne Products, Inc. Low voltage DC one-shot circuit
US5444591A (en) * 1993-04-01 1995-08-22 International Rectifier Corporation IGBT fault current limiting circuit
JP2002281737A (ja) * 2001-03-21 2002-09-27 Fuji Electric Co Ltd Ｉｇｂｔ直列接続式ゲート駆動回路
CN101080683A (zh) * 2004-05-19 2007-11-28 国际整流器公司 用于高和宽工作电压范围的具有偏压电路的栅驱动器输出级
JP4726499B2 (ja) * 2005-01-17 2011-07-20 東芝三菱電機産業システム株式会社 電圧駆動型半導体スイッチング素子の制御装置
JP4816182B2 (ja) * 2006-03-23 2011-11-16 株式会社日立製作所 スイッチング素子の駆動回路
US8829946B2 (en) * 2008-09-30 2014-09-09 Infineon Technologies Austria Ag Circuit for driving a transistor dependent on a measurement signal
TWI439022B (zh) * 2012-03-07 2014-05-21 Holtek Semiconductor Inc 具電壓箝位功能的閘極驅動電路
JP6327991B2 (ja) * 2014-07-22 2018-05-23 富士電機株式会社 開閉器
CN204156717U (zh) * 2014-11-13 2015-02-11 李飞 带有绝缘栅装置的门驱动电路
US10063227B2 (en) * 2017-01-03 2018-08-28 Stmicroelectronics Kk Level shifting circuit

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108270344A (zh) * 2017-01-03 2018-07-10 意法半导体株式会社 电平偏移电路
CN112000169A (zh) * 2020-09-02 2020-11-27 合肥恒烁半导体有限公司 一种电流缓冲器电路及其应用
CN114777818A (zh) * 2022-03-09 2022-07-22 西门子数控（南京）有限公司 编码器的信号激励单元及编码器
CN114777818B (zh) * 2022-03-09 2024-03-15 西门子数控（南京）有限公司 编码器的信号激励单元及编码器

Also Published As

Publication number Publication date
CN108270344A (zh) 2018-07-10
US10063227B2 (en) 2018-08-28
US20180191341A1 (en) 2018-07-05
CN108270344B (zh) 2020-11-10
US20180343005A1 (en) 2018-11-29
US10418987B2 (en) 2019-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN207234654U (zh) 电平偏移电路和电子装置
CN104170254B (zh) 用于保护氮化镓场效应晶体管的栅极的驱动器电路的系统和设备
US10554128B2 (en) Multi-level boost converter
CN102437842B (zh) 一种基于集成驱动芯片的开关管驱动电路
US7688052B2 (en) Charge pump circuit and method therefor
US7750720B2 (en) Circuit arrangement and a method for galvanically separate triggering of a semiconductor switch
TWI472162B (zh) Standard displacement system and method for voltage driver
WO2015079762A1 (ja) 整流装置
CN108063542A (zh) 一种简单可靠低成本碳化硅功率开关器件驱动电路
CN105164598A (zh) 具有多个晶体管的电压调节器
CN105449997A (zh) 一种功率变换器的功率开关管隔离栅驱动电路
CN104242612A (zh) 用于驱动晶体管的方法和系统
CN106877847A (zh) 反馈控制电路
CN109302171A (zh) 具动态电平调制栅极电压的驱动控制器
CN101813757A (zh) 磁检测电路
CN106160423B9 (zh) 用于低发射开关调节器的驱动器
CN104506044B (zh) 一种变换器同步整流驱动电路
CN100508345C (zh) 同步整流型正激变流器
CN104811019B (zh) 自适应新型软开关全桥电路驱动方法及全桥驱动电路
EP1455453B1 (en) Driving circuit for a control terminal of a bipolar transistor in emitter-switching configuration having a resonant load
CN105191102B (zh) 开关模式驱动电路
CN105610307A (zh) 一种产生固定负压的功率开关管隔离栅驱动电路
US20040264217A1 (en) Level shifted drive for clamp device
US8344634B2 (en) Lamp driving apparatus and level shift driving circuit
CN116918230A (zh) 电力转换装置

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20240813

Address after: Geneva, Switzerland

Patentee after: Italian Semiconductor International Co.

Country or region after: Netherlands

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: STMicroelectronics Kabushiki Kaisha

Country or region before: Japan