CN207135434U - 包括屏蔽罩的装置、金属屏蔽罩以及屏蔽电路 - Google Patents

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Abstract

本实用新型题为“包括屏蔽罩的装置、金属屏蔽罩以及屏蔽电路”。本实用新型公开了电子部件可使用屏蔽罩或覆盖电子部件的其它屏蔽结构进行屏蔽。电子部件和屏蔽结构可使用焊料或其它导电材料安装在基板诸如印刷电路板上。屏蔽结构可具有一个或多个屏蔽层。屏蔽层可包括用于屏蔽射频电磁干扰的高导电率材料和用于阻止磁通量的磁性材料。屏蔽结构可由诸如以下的材料形成：铁素体不锈钢；提高可焊性、抗腐蚀性和导电率的涂层；印刷的或以另外方式形式于金属层上的磁性材料；以及其它屏蔽结构。

Description

包括屏蔽罩的装置、金属屏蔽罩以及屏蔽电路
技术领域
本申请总体涉及屏蔽，并更具体地涉及屏蔽结构，诸如提供磁屏蔽和射频电磁干扰屏蔽的屏蔽罩。
背景技术
电子设备通常包含受到信号干扰的部件。金属屏蔽罩可用来覆盖集成电路和其它部件，由此有助于抑制电磁干扰。这种类型的屏蔽罩可由抑制射频信号的材料诸如铜来形成，并且有时可称为射频屏蔽件。
磁性材料可用来形成屏蔽罩，其有助于抑制较低频率的磁场。可用于形成磁屏蔽罩的磁性材料的示例是高磁导率镍铁磁合金，其有时称为高导磁合金。
为了给金属射频屏蔽罩增加磁屏蔽能力，可用粘合剂将高导磁合金材料层附接到金属射频屏蔽罩的表面，但这种布置类型会增加不合需要的体积，因为磁性材料层可与下伏的射频屏蔽罩分离而会不利影响可靠性，并且会增加组装成本和复杂性。
实用新型内容
电子部件可使用屏蔽罩或覆盖该电子部件的其它屏蔽结构进行屏蔽。该电子部件和该屏蔽结构可使用焊料或其它导电材料安装在诸如印刷电路板之类的基板上。
该屏蔽结构可具有由一个或多个屏蔽层形成的壁。该屏蔽层可包括用于屏蔽射频电磁干扰的高导电率材料和用于阻止磁通量的磁性材料。在一些配置中，可使用单个层来提供屏蔽，该单个层用作射频干扰屏蔽和磁屏蔽两者。在多层配置中，冷轧技术、冲压工艺、电镀和其它涂覆技术，以及用于将多个材料层接合在一起的其它方法可用来形成屏蔽罩壁。
屏蔽结构可由诸如以下的材料形成：不锈钢；提高可焊性、抗腐蚀性和导电率的层；印刷的或以另外方式形式于下伏金属层上的磁性材料；以及其它屏蔽结构。
附图说明
图1是根据实施方案的例示性电子设备的横截面侧视图。
图2是根据实施方案的组装有由屏蔽件所屏蔽的电子部件的例示性印刷电路板的一部分的横截面侧视图。
图3是根据实施方案的例示性屏蔽罩的透视图。
图4是根据实施方案的屏蔽结构诸如屏蔽罩或具有屏蔽材料的整流罩的横截面侧视图。
图5是根据实施方案的用于冷轧屏蔽罩的多层结构的例示性设备的图。
图6A是根据实施方案的示出模具或其它成形设备可以如何用来将一个或多个屏蔽层形成为具有所需形状的屏蔽件的图。
图6B是根据实施方案的具有内层的例示性屏蔽件的横截面侧视图，该内层通过外覆层与外部接触件完全隔离。
图7是根据实施方案的由单层屏蔽材料形成的例示性屏蔽件的横截面侧视图。
图8是根据实施方案的由两个材料层形成的示例性屏蔽件的横截面侧视图。
图9是根据实施方案的例示性屏蔽件的横截面侧视图，已经使用印刷或其它沉积技术将磁性材料并入到该屏蔽件上。
图10是根据实施方案的具有三个屏蔽材料层的例示性屏蔽罩的横截面侧视图。
图11是根据实施方案的用于形成屏蔽结构的例示性设备的图。
具体实施方式
本申请要求于2016年8月29日提交的美国专利申请15/250,066以及于2016年3月31日提交的临时专利申请62/316,436的优先权，所述专利申请全文以引用方式并入本文。
电子设备可设置有电子部件，诸如集成电路、离散电子部件(诸如电感器、电容器和电阻器)和其它电子部件。屏蔽可用来防止部件之间的干扰。屏蔽阻止了射频信号和磁场。屏蔽结构可形成为屏蔽罩的形状并可用作整流罩。
在图1中示出可包括屏蔽的电子部件的类型的例示性电子设备的横截面侧视图。电子设备10可为计算设备诸如膝上型计算机、包含嵌入式计算机的计算机监视器、平板电脑、蜂窝电话、媒体播放器、或其他手持式或便携式电子设备、较小的设备(诸如腕表设备)、挂式设备、耳机或听筒设备、被嵌入在眼镜中的设备或者佩戴在用户的头部上的其他设备，或其他可佩戴式或微型设备、电视机、不包含嵌入式计算机的计算机显示器、游戏设备、导航设备、嵌入式系统(诸如其中具有显示器的电子设备被安装在信息亭或汽车中的系统)、实现这些设备的功能中的两种或更多种功能的设备、附件(例如耳塞、遥控器、无线触控板等)，或其他电子设备。
如图1所示，设备10可包括诸如显示器14之类的部件。显示器14可安装在外壳12中。有时可被称为壳体或壳的外壳12可由塑料、玻璃、陶瓷、纤维复合材料、金属(例如，不锈钢、铝等)、其他合适的材料或这些材料的任意两种或更多种的组合形成。外壳12可使用一体式配置形成，在该一体式配置中，外壳12中的一些或全部被加工或模制成单一结构，或者可使用多个结构(例如，内框架结构、形成外部外壳表面的一种或多种结构等)形成。
显示器14可为并入了导电性电容触摸传感器电极层或者其他触摸传感器部件(例如，电阻触摸传感器部件、声学触摸传感器部件、基于力的触摸传感器部件、基于光的触摸传感器部件等)的触摸屏显示器或者可为非触敏的显示器。可使用显示器覆盖层诸如显示器覆盖层16来保护显示器14。液晶显示器模块、有机发光二极管显示器或其它显示器结构(在图1的示例中示出为显示器模块18)可安装在显示器覆盖层16下方。在设备10的一些配置中，可省略显示器14。仅图示了图1的布置，其中设备10包括显示器14。
如在图1的电子设备10的横截面侧视图中所示，电子设备10可包括内部电子部件，诸如电子部件22。电子部件22可包括传感器、集成电路、按钮、连接器、离散部件(诸如电感器、电容器和电阻器)和其它电路。如果需要，那么一个或多个电子部件22可以是系统级封装(SiP)设备。使用系统级封装技术形成的部件包括封装在共同封装件中的多个集成电路。
在电子设备10的内部，电子部件22可安装在一个或多个基板诸如基板20上。基板20可以是介电载体，诸如模制的塑料载体、陶瓷基板或印刷电路。例如，基板20可以是印刷电路，诸如由例如玻璃纤维填充的环氧树脂之类的材料形成的刚性印刷电路，或者可以是由聚酰亚胺片材或其它柔性聚合物层形成的柔性印刷电路。
为了阻止射频电磁信号干扰(EMI)和磁场，电子部件22可用屏蔽件诸如屏蔽件24覆盖。屏蔽件24可具有含顶部和四个侧面的屏蔽罩的形状或其它合适形状，屏蔽件24可用作整流罩、支架或有助于保持设备10的部分同时屏蔽电子部件22的其它零件，或者可由其它合适的屏蔽结构形成。
诸如屏蔽件24之类的屏蔽件可覆盖一个或多个电子部件22。如果需要，基板20上的一些电子部件可不由屏蔽结构覆盖(例如，见未屏蔽的电子部件22NC)。可使用焊料、焊接件、导电粘合剂、螺丝钉或其它紧固件，或其他导电附接结构来将屏蔽件24耦接到基板20上的金属迹线(例如接地迹线)。屏蔽件24可用来覆盖干扰源部件并由此阻止干扰信号的发射以及可用来覆盖敏感(受扰)部件，并由此防止干扰对那些部件进行扰乱。
在图2中示出已经由屏蔽件诸如屏蔽件24覆盖的例示性部件22组的横截面侧视图。如图2的屏蔽电路所示，部件22和屏蔽件24可使用导电材料诸如焊料30安装到基板20。基板20可以是印刷电路或包括一个或多个信号互连件32层(例如，一个或多个图案化金属迹线层)的其它基板。互连件32可包括接触件，诸如焊料衬垫32P。衬垫32P可形成于基板20的上表面上(作为示例)。由互连件32形成的接触件还可位于基板20的下表面上(例如有利于将电子部件22和附加的屏蔽件诸如屏蔽件24安装到下表面印刷电路20)。衬垫32P和其它互连件32可用来将屏蔽件24接地，可用来在电子部件22之间路由数据，可用来分配电源信号和其它信号等。
电子部件22可具有与印刷电路20的上表面上的接触件32P配合的接触件诸如焊料衬垫22P。焊接工具或其它设备可使用焊料30或其它导电材料(例如导电粘合剂等)来将电子部件22和一个或多个屏蔽件诸如屏蔽件24安装到基板20上的衬垫32P。在集成电路和其它电子部件22已经安装到基板20之后，如果需要，那么部件22可由导热材料34覆盖，诸如热化合物(热油脂)、导热泡沫或其它导热材料。导热材料34可有助于促进热量通过屏蔽件24传递离开部件22(例如，传递到散热器，传递到具有流动空气的区域等)。
屏蔽件24可具有一个或多个材料层，诸如层24L。为了给部件22提供令人满意的电磁屏蔽，屏蔽件24可包含导电材料(例如，来阻止射频电磁干扰)和/或磁性材料(来阻止磁通量)。作为示例，形成屏蔽件24的金属和其它材料可呈现出高导电率和高磁导率。可用于屏蔽件24中来为屏蔽件24提供射频屏蔽能力的高导电率金属类型的电阻率可小于2×10-8Ω·m、小于3×10-8Ω·m、小于10×10-8Ω·m或其它合适的量。层40和/或层31中的一个或多个磁性材料层的相对磁导率可为500或以上、可为2000或以上、可为5000或以上、可为10,000或以上、可为20,000或以上、可为80,000或以上、可为5,000到100,000、可为50,000到100,000，小于100,000，或者可具有允许材料用作部件22的磁屏蔽的任何其它合适的值。层40L可包括主要提供磁屏蔽的一个或多个层、主要提供射频电磁屏蔽的一个或多个层、用作磁屏蔽以及射频屏蔽两者的一个或多个层、以及为屏蔽件24提供其它所需属性(可焊性、抗腐蚀性、热传递能力、提高导电率等)的一个或多个层。
屏蔽件24可具有任何合适的形状，诸如正方形形状、矩形形状、具有不规则轮廓的形状、在基板20上具有多个不同高度的形状、具有弯曲边缘的形状和/或其它合适形状。如在图3的示例性屏蔽件24的透视图中所示，如果需要，那么屏蔽件24可具有带平坦顶面24T和垂直侧壁24W的屏蔽罩的形状。在这种布置类型下，屏蔽罩可具有开底的盒的形状，其可安装在基板20上来封围安装于基板20上的一个或多个电子部件22。具有其它形状的屏蔽罩也可用来屏蔽部件22。
如果需要，那么设备10可具有机械机构，诸如支架、夹钳和框架结构，以及有助于将设备10的各部分附接在一起或提供其它机构功能的其它结构。如果需要，那么屏蔽件24的材料，诸如图2的层24L，可并入整流罩结构中，该整流罩结构有助于将连接器、集成电路或其它电子部件保持在印刷电路板或其它基板上的适当位置。图4是可由允许整流罩用作屏蔽件的材料形成的类型的例示性整流罩的横截面侧视图。如图4中所示，整流罩24C可重叠部件22并可向下按压部件22以有助于将部件22保持在支撑结构20T上的适当位置。支撑结构20T可以是诸如印刷电路之类的基板，可以是金属支架、外壳壁、内部外壳部件、陶瓷或塑料部件或设备10中其它合适的结构。在图4的示例中，螺丝钉40具有与支撑结构20T中的配合螺纹接合的螺纹，并由此将整流罩24C固定在结构20T上的适当位置。这仅是例示性的。整流罩24C可使用任何合适的附接机构(焊接头、焊接件、粘合剂、除螺丝钉以外的紧固件等)安装在结构20T上。整流罩24C可包括诸如图2的层24L的一个或多个层，使得整流罩24C可用作由整流罩24C覆盖的部件22的屏蔽件。一般来说，任何合适的结构可用来为部件22提供屏蔽。图4的整流罩24C的使用仅是例示性的。其中使用屏蔽结构诸如图3的屏蔽件24来屏蔽部件22的配置，有时可在本文中作为示例进行描述。
在其中屏蔽件24由单层材料形成的配置中，可能需要由具有射频屏蔽能力和磁屏蔽能力两者同时提供合适的抗腐蚀性和可焊性的材料来形成屏蔽件24。在一个例示性布置中，屏蔽件24可由诸如444不锈钢或430不锈钢之类的不锈钢(例如，具有600到1100或以上的相对磁导率的不锈钢)或其它不锈钢(例如，其它400系列不锈钢，具有500或以上、600或以上，1000或以上等的相对磁导率的其它不锈钢)形成。诸如这些的不锈钢可呈现出令人满意的导电率(例如，小于65×10-8Ω·m、小于2×10-8Ω·m、小于3×10-8Ω·m、小于10×10-8Ω·m或其它合适量的电阻)以及令人满意的磁导率(例如，500或以上、600或以上，1000或以上等的相对磁导率)。
如果需要，那么层20L可包括一个或多个层，诸如一对外层和一个或多个内层(诸如不锈钢)，该外层呈现良好的可焊性和抗腐蚀性(并且如果需要，提高导电率用于射频屏蔽)，该内层用作射频屏蔽和磁屏蔽。作为示例，不锈钢层(例如430不锈钢、444不锈钢、其它不锈钢等)可使用冷轧工艺并入到一对抗腐蚀金属层或金属合金材料(例如，镍或诸如铜镍的合金)层之间的屏蔽件24中。
在图5中示出例示性冷轧设备。如图5中所示，冷轧设备50可包括诸如分配辊52、54和58之类的辊以及诸如辊56之类的压缩辊。辊52可分配内层24L-2。辊58和54可分别分配外层24L-1和24L-3。内层24L-2可用作射频屏蔽和/或磁屏蔽。例如，层24L-2可以是诸如444不锈钢、430不锈钢之类的不锈钢(例如，具有600到1100或以上的相对磁导率的不锈钢)或其它不锈钢(例如，其它400系列不锈钢，具有500或以上、600或以上，1000或以上等的相对磁导率的其它不锈钢)。外层24L-1和24L-3用作覆层并可有助于为层24L-2提供提高的抗腐蚀性和/或提高的可焊性。例如，层24L-1和24L-3可以是镍层或铜镍(例如，90％到70％的铜以及10％到30％的镍等)层。如果需要，那么其它材料可用于外层24L-1和24L-3，并且其它材料可用于内层24L-2。
作为冷轧工艺的部分，辊56可将层24L-1、24L-2和24L-3压缩在一起以形成屏蔽罩24的组合层24L。在压缩之后(并且如果需要，进行退火)，层24L-1和24L-3(例如，金层、铜镍层、镍层、银层或其它材料层)用作层24L-2的相反侧上的覆层(例如，磁屏蔽材料层)。如果需要，那么冲压、激光切割、机械加工和/或其它切割和成形技术可用来使图5的冷轧层24L形成为所需屏蔽结构(例如，图3的屏蔽罩24、图4的整流罩24C等)。冷轧技术可用来生产连续的包层不锈钢屏蔽材料卷或可用来生产具有所需覆层的离散屏蔽材料段。
如图6A中所示，诸如冲压模具工具之类的金属形成工具可用来将一个或多个金属层24L切割和/或形成为所需屏蔽结构。在图6A的示例中，冲压工具60可包括模具，诸如上模具60T和下模具60L。当模具60T和60L在方向62上朝向彼此移动时，层24L可形成为所需形状来形成屏蔽罩24。单个层24L(例如不锈钢层或其它合适的层)可使用工具60成形，或多个层24L可使用工具60成形。层24L之间的外层可用作一个或多个内层的覆层。这些层可使用图5的冷轧设备50包覆在内层24L上(例如，在冲压之前)或可在使用冲压工具60时包覆在一个或多个内层24L上。如图6B中所示，屏蔽件24可由外覆层形成，诸如大于内层(诸如内层24LC)的外覆层24LT。作为示例，如果层24LT是矩形且具有尺寸L1×L2，那么层24LC可形成有具有尺寸L1′×L2′的较小的矩形形状，其中L1′＜L1且L2′＜L2。内层24LC可使用冲压工具或其它切割设备从材料层上切割，并且可夹在外层24LC之间并使用模具诸如图6A的模具60T和60L来形成形状。如果需要，那么层24LC可使用模具诸如模具60T和60L来从较大片材上切割(例如，作为将屏蔽件24形成为所需形状的冲压工艺的部分，或作为单独切割操作的部分)。因为内层24LC具有小于外层24LT的横向尺寸，所以屏蔽件24的下边缘61将仅包含外层24LT的材料，并且将不含内层24LC的材料(即，因为屏蔽件24的外覆层大于磁屏蔽材料的内层，所以覆层的边缘部分接合在一起而没有磁屏蔽材料的任何中间部分)。这可有助于防止内层24LC的腐蚀并提高屏蔽件24的下边缘的可焊性。屏蔽件24的中心区域63包含内层24LC，因此内层24LC可用于由屏蔽罩24重叠的屏蔽部件中。任何合适的材料可用于形成图6A和图6B的屏蔽件24的内层和外层。例如，图6A和图6B的屏蔽件24的外层可由提高抗腐蚀性和/或可焊性的材料诸如用于图5的层24L-1和24L-3的材料来形成，并且图6A和图6B的屏蔽件24的内层可由磁性材料诸如用于图5的层24L-2的材料来形成。如果需要，那么可使用用于将一个或多个材料层切割并形成为屏蔽件24的所需形状的其它技术。图5、图6A和图6B的示例仅是例示性的。
如果需要，那么可使用印刷(例如，丝网印刷、衬垫印刷、喷墨印刷等)或其他技术将磁性材料或其它屏蔽材料添加到屏蔽结构上。作为示例，可固化液态树脂(例如，可固化液态聚合物)中的磁性材料颗粒可被印刷在屏蔽罩的上表面上并被固化(例如，通过加热来固化可热固化树脂，通过施加紫外光来固化紫外光固化树脂等)。
图7、图8、图9和图10是各个例示性配置中的屏蔽件24的横截面侧视图。图7、图8、图9和图10的例示性配置中的屏蔽件24的壁的厚度可为100微米到200微米、大于125微米、小于250微米或其它合适的厚度。
在图7的配置中，屏蔽件24已经由单个材料层(层24L)形成。单个材料层可具有足够的磁导率和足够的导电率来用作磁通量屏蔽件和射频电磁干扰屏蔽件两者。例如，层24L可以是不锈钢层。
在图8的布置中，第一层(24LA)已经附接到第二层(24LB)来形成屏蔽件24。层24LA和24LB中的一个层可具有高导电率且层24LA和24LB中的另一个层可具有较高相对磁导率(即，这些层中的一个层可用作射频屏蔽层，而所述层中的另一个层可用作磁屏蔽层)。如果需要，所述层中的一个层可以是不锈钢层(例如，430不锈钢、444不锈钢、其它铁素体不锈钢等)而所述层中的另一个层可由具有令人满意的抗腐蚀性和/或可焊性的材料(例如，镍、铜镍、金、银等)形成。层24LA和24LB可以使用冷轧技术轧制在一起，可以冲压在一起等。冲压设备60或其它设备可用于由层24L对屏蔽罩24成形。
在图9的布置中，第一层(24LA)已经印刷在第二层(24LB)上来形成屏蔽件24。任何合适的印刷技术或其它沉积技术可用来将层24LA沉积在层24LB上。例如，层24LA可使用丝网印刷、衬垫印刷或喷墨印刷来印刷在层24LB上，或者可使用喷射、浸渍或其它技术施加。层24LA可延伸跨过层24LB的顶部和侧壁(例如，见中心部分24LA-1和侧壁部分24LA-2)，或者可限定到层24LB的平坦上表面(例如，见中心部分24LA-1)。层24LB可以是不锈钢层，该不锈钢层能够阻止磁通量同时提供电磁射频屏蔽，或者可以是高导电率金属射频电磁屏蔽层。层24LA可以是磁性材料层，该磁性材料层可用作磁屏蔽件(即，层24LA能够阻止磁通量并可具有500或以上、1000或以上或其它合适值的相对磁导率)。
图10是具有三个材料层的例示性屏蔽件的横截面侧视图。如图10中所示，屏蔽件24可包括第一层24L-1、第二层24L-2和第三层24L-3。层24L-2可以是磁屏蔽层，诸如不锈钢层，而外层24L-1和24L-3可以是镍层、铜镍层、银层、金层或提高可焊性和抗腐蚀性的其它材料层。外层24L-1和24L-3可以是冷轧或冲压覆层，可以是电镀涂层或使用物理气相沉积进行沉积的涂层，或可以是其它外层。如果需要，内层24L-2可使用多个子层来形成(例如，高导电率电磁干扰屏蔽层和由磁性材料形成的磁屏蔽层)。具有附加层的配置也可用来形成屏蔽罩24。图10中的配置仅是例示性的。
图11示出了在制造具有屏蔽部件的设备中所涉及的例示性操作。首先，一个或多个材料层24L可使用成形工具60来成形(例如，按压或其它工具，诸如图6A的冲压工具60)来形成一个或多个成形层24LB。一个或多个层24LB可包括一个或多个射频屏蔽层、一个或多个磁屏蔽层、用作射频屏蔽层和磁屏蔽层两者的一个或多个层、一个或多个抗腐蚀和/或可焊性提高的层，和/或一个或多个其它材料层。
成形层24LB可使用沉积设备诸如沉积工具70进行处理来形成屏蔽件24。工具70可使用印刷(例如，将磁性材料印刷在中心区域24LA-1和/或侧区域24LA-2上)，使用电化学沉积(电镀)，使用物理气相沉积或使用其它沉积技术来将任选的一个或多个附加材料层(诸如层24LA)沉积在层24LB的一侧或两侧上。一个或多个附加层24A可以是抗腐蚀性层(例如，镍、铜镍等)，可以是金层、银层或其它高导电率和/或抗腐蚀性材料层，或者可以是其它材料层(例如，磁性材料)。也可以使用其中层24LB由多层冷轧层(例如，见图5)和/或已经使用诸如图6A的工具60的设备或其它设备冲压在一起的多层形成的配置。
在形成屏蔽件24之后，设备72可用来将屏蔽件24安装在基板20上，屏蔽电子部件22并将基板20与外壳12中的其它结构组装在一起来形成设备10。设备72可包括表面安装技术(SMT)焊接设备以及用于将屏蔽罩24和部件22附接到基板20的其它设备、用于将显示器覆盖层16和显示器模块18组装在外壳12中的计算机控制设备以及用于组装设备10的其它设备。
根据实施方案，提供了一种装置，所述装置包括基板、安装在基板上的至少一个电子部件和附接到基板的屏蔽罩，所述屏蔽罩覆盖并屏蔽电子部件，所述屏蔽罩包括多个材料层，所述多个材料层包括磁屏蔽材料层。
根据另一实施方案，磁屏蔽材料层具有至少500的相对磁导率。
根据另一实施方案，磁屏蔽材料层具有至少1000的相对磁导率。
根据另一实施方案，所述多个层包括射频电磁干扰屏蔽层。
根据另一实施方案，所述射频电磁干扰屏蔽层是金属层。
根据另一实施方案，所述金属层具有小于3×10-8Ω·m的电阻率。
根据另一实施方案，所述磁屏蔽材料层是所述金属层上的磁性材料印刷层。
根据另一实施方案，所述金属层是所述磁屏蔽材料层上的冷轧覆层。
根据另一实施方案，所述磁屏蔽材料层包括不锈钢层。
根据另一实施方案，所述不锈钢包括选自由以下组成的组的不锈钢：430不锈钢和444不锈钢。
根据另一实施方案，所述磁屏蔽材料层和所述金属层冲压在一起并形成所述屏蔽罩的壁。
根据另一实施方案，所述多个材料层包括位于所述磁屏蔽材料层的相反侧上的第一覆层和第二覆层。
根据另一实施方案，所述磁屏蔽材料层包括不锈钢。
根据另一实施方案，所述第一覆层和所述第二覆层包括选自由以下项组成的组的材料：镍、金、银和铜镍。
根据另一实施方案，所述第一覆层和所述第二覆层大于磁屏蔽材料层，使得所述第一覆层和第二覆层的边缘部分接合在一起而没有磁屏蔽材料的任何中间部分。
根据实施方案，提供了一种金属屏蔽罩，所述金属屏蔽罩包括顶壁和耦接到顶壁的至少一个侧壁，顶壁和侧壁由经涂覆的不锈钢形成。
根据另一个实施方案，经涂覆的不锈钢包括选自由以下项组成的组的涂层：镍、铜镍、金和银。
根据另一个实施方案，经涂覆的不锈钢包括选自由以下项组成的组的不锈钢：430不锈钢和444不锈钢。
根据另一个实施方案，金属屏蔽罩包括位于顶壁上的磁性材料印刷层。
根据实施方案，提供了屏蔽电路，所述屏蔽电路包括支撑结构、焊接到支撑结构的电子部件以及屏蔽电子部件并焊接到支撑结构的屏蔽结构，所述屏蔽结构包括不锈钢层。
根据另一个实施方案，不锈钢层具有至少500的相对磁导率。
根据另一个实施方案，不锈钢包括选自由以下组项成的组的不锈钢：430不锈钢和444不锈钢。
根据另一个实施方案，屏蔽结构包括屏蔽罩并且屏蔽罩包括位于不锈钢层的相反侧上的覆层。
根据另一个实施方案，覆层包括比不锈钢层更具可焊性的金属。
根据另一个实施方案，屏蔽结构包括整流罩，所述整流罩将电子部件保持到支撑结构。
以上内容仅是示例性的，本领域的技术人员可在不脱离所述实施方案的范围和实质的情况下作出各种修改。上述实施方案可单独实施或可以任意组合实施。

Claims (20)

1.一种包括屏蔽罩的装置，特征在于，包括：
基板；
至少一个电子部件，所述至少一个电子部件安装在所述基板上；
和
屏蔽罩，所述屏蔽罩附接到所述基板，所述屏蔽罩覆盖并屏蔽所述电子部件，其中所述屏蔽罩包括多个材料层，所述多个材料层包括磁屏蔽材料层。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述磁屏蔽材料层具有至少500的相对磁导率。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述磁屏蔽材料层具有至少1000的相对磁导率。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个层包括射频电磁干扰屏蔽层，其中所述射频电磁干扰屏蔽层是金属层，并且其中所述金属层具有小于3x 10-8Ω·m的电阻率。
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述磁屏蔽材料层是位于所述金属层上的磁性材料印刷层。
6.根据权利要求4所述的装置，其中所述金属层是位于所述磁屏蔽材料层上的冷轧覆层。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述磁屏蔽材料层包括不锈钢层，并且其中所述不锈钢包括选自由以下项组成的组的不锈钢：430不锈钢和444不锈钢。
8.根据权利要求4所述的装置，其中所述磁屏蔽材料层和所述金属层冲压在一起并形成所述屏蔽罩的壁。
9.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个材料层包括位于所述磁屏蔽材料层的相反侧上的第一覆层和第二覆层，并且其中所述磁屏蔽材料层包括不锈钢。
10.根据权利要求9所述的装置，其中所述第一覆层为镍层、金层、银层或铜镍层，并且其中所述第二覆层为镍层、金层、银层或铜镍层。
11.根据权利要求9所述的装置，其中所述第一覆层和所述第二覆层大于所述磁屏蔽材料层，使得所述第一覆层和所述第二覆层的边缘部分接合在一起而没有所述磁屏蔽材料的任何中间部分。
12.一种金属屏蔽罩，特征在于，包括：
顶壁；和
至少一个侧壁，所述至少一个侧壁耦接到所述顶壁，其中所述顶壁和所述侧壁由经涂覆的不锈钢形成。
13.根据权利要求12所述的金属屏蔽罩，其中所述经涂覆的不锈钢包含涂层，并且其中所述涂层为镍层、铜镍层、金层或银层。
14.根据权利要求13所述的金属屏蔽罩，其中所述经涂覆的不锈钢包括选自由以下项组成的组的不锈钢：430不锈钢和444不锈钢。
15.根据权利要求12所述的金属屏蔽罩，进一步包括位于所述顶壁上的磁性材料印刷层。
16.一种屏蔽电路，特征在于，包括：
支撑结构；
电子部件，所述电子部件焊接到所述支撑结构；和
屏蔽结构，所述屏蔽结构屏蔽所述电子部件并被焊接到所述支撑结构，其中所述屏蔽结构包括不锈钢层。
17.根据权利要求16所述的屏蔽电路，其中所述不锈钢层具有至少500的相对磁导率。
18.根据权利要求16所述的屏蔽电路，其中所述不锈钢包括选自由以下项组成的组的不锈钢：430不锈钢和444不锈钢。
19.根据权利要求18所述的屏蔽电路，其中所述屏蔽结构包括屏蔽罩，其中所述屏蔽罩包括位于所述不锈钢层的相反侧上的覆层，并且其中所述覆层包括比所述不锈钢层更具可焊性的金属。
20.根据权利要求16所述的屏蔽电路，其中所述屏蔽结构包括整流罩，所述整流罩将所述电子部件保持到所述支撑结构。
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