CN206828673U - 直拉单晶炉热场导流罩 - Google Patents

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CN206828673U CN201720648079.8U CN201720648079U CN206828673U CN 206828673 U CN206828673 U CN 206828673U CN 201720648079 U CN201720648079 U CN 201720648079U CN 206828673 U CN206828673 U CN 206828673U
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李德建
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Xingtai crystal dragon new energy Co., Ltd.
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HEBEI NINGTONG ELECTRONIC MATERIAL CO Ltd
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Abstract

本实用新型公开了直拉单晶炉热场导流罩,属于单晶炉技术领域,导流罩包括设置在导流筒上方的罩体,关键是:所述罩体为中空的圆台形结构,罩体下端的外壁向外侧凸出形成为圆环形的搭放沿,搭放沿的内径等于导流筒上端面的内径、搭放沿的外径小于等于导流筒上端面的外径形成为罩体的定位结构,罩体侧壁上开设有观察口。密封效果好,气流更加顺畅,热场更稳定,减少了单晶拉制时的晃动及液面的波动,提高了拉晶一次成晶率与单晶整根率,增加了单晶单产,提高了成品率,降低了生产成本。通过观察口可以时刻观察炉内单晶的生长情况以及水冷套水管的情况,视野不受影响,使用方便。

Description

直拉单晶炉热场导流罩
技术领域
本实用新型属于单晶炉技术领域,涉及到直拉单晶炉热场导流罩。
背景技术
在单晶的拉制过程中,氩气由上而下吹入硅液表面,因为各石墨件之间以及石墨件与炉体之间存在一定的缝隙,氩气会再次由下而上携带杂质从缝隙处进入液面,因此会影响单晶的成晶以及热场的稳定,产生旁路。导流罩的使用可以弥补石墨件之间的缝隙,并且可以挡住因旁路产生的氩气进入液面,使液面更加洁净和稳定。但是现有的导流罩与导流筒之间密封效果较差,使拉晶一次成晶率与单晶整根率受到影响,成品率较低。
发明内容
本实用新型为了克服现有技术的缺陷,设计了直拉单晶炉热场导流罩,密封效果好,气流更加顺畅,热场更稳定,减少了单晶拉制时的晃动及液面的波动,提高了拉晶一次成晶率与单晶整根率,增加了单晶单产,提高了成品率,降低了生产成本。
本实用新型所采取的具体技术方案是:直拉单晶炉热场导流罩,包括设置在导流筒上方的罩体,关键是:所述罩体为中空的圆台形结构,罩体下端的外壁向外侧凸出形成为圆环形的搭放沿,搭放沿的内径等于导流筒上端面的内径、搭放沿的外径小于等于导流筒上端面的外径形成为罩体的定位结构,罩体侧壁上开设有观察口。
所述罩体的壁厚为6-10mm。
所述罩体的壁厚为8mm。
所述罩体的高度为130-140mm,罩体内壁与下端面之间的夹角为60-70°,罩体上端面的内径为320-330mm。
所述罩体的高度为134mm,罩体内壁与下端面之间的夹角为66.5°,罩体上端面的内径为326.47mm。
所述的观察口为长条孔。
本实用新型的有益效果是:将罩体设置为中空的圆台形结构,并在罩体下端设置搭放沿,这样可以增大导流罩与导流筒的接触面积,密封效果好,气流更加顺畅,热场更稳定,减少了单晶拉制时的晃动及液面的波动,提高了拉晶一次成晶率与单晶整根率,增加了单晶单产,提高了成品率,降低了生产成本。通过观察口可以时刻观察炉内单晶的生长情况以及水冷套水管的情况,视野不受影响,使用方便,不会影响单晶炉的正常使用。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
附图中,1代表罩体,2代表搭放沿,3代表观察口,4代表导流筒。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型做详细说明:
具体实施例,如图1所示,直拉单晶炉热场导流罩,包括设置在导流筒4上方的罩体1,罩体1为中空的圆台形结构,罩体1下端的外壁向外侧凸出形成为圆环形的搭放沿2,搭放沿2的内径等于导流筒4上端面的内径、搭放沿2的外径小于等于导流筒4上端面的外径形成为罩体1的定位结构,罩体1侧壁上开设有观察口3。罩体1的直径由上向下逐渐增大,并在罩体1下端设置搭放沿2,这样可以增大导流罩与导流筒4的接触面积,密封效果好,使得气流更加顺畅,热场更稳定,减少了单晶拉制时的晃动及液面的波动,提高了拉晶一次成晶率与单晶整根率,增加了单晶单产,提高了成品率,降低了生产成本。观察口3为长条孔,与单晶炉的观察窗口保持一致,使视野不受影响,方便时刻观察炉内单晶的生长情况以及水冷套水管的情况。
为了使罩体1具有足够的强度,将罩体1的壁厚设置为6-10mm且优选为8mm。为了使罩体1充分起到导流作用,将罩体1的高度h设置为130-140mm且优选为134mm,罩体1内壁与下端面之间的夹角α设置为60-70°且优选为66.5°,罩体1上端面的内径R设置为320-330mm且优选为326.47mm。

Claims (6)

1.直拉单晶炉热场导流罩,包括设置在导流筒(4)上方的罩体(1),其特征在于:所述罩体(1)为中空的圆台形结构,罩体(1)下端的外壁向外侧凸出形成为圆环形的搭放沿(2),搭放沿(2)的内径等于导流筒(4)上端面的内径、搭放沿(2)的外径小于等于导流筒(4)上端面的外径形成为罩体(1)的定位结构,罩体(1)侧壁上开设有观察口(3)。
2.根据权利要求1所述的直拉单晶炉热场导流罩,其特征在于:所述罩体(1)的壁厚为6-10mm。
3.根据权利要求2所述的直拉单晶炉热场导流罩,其特征在于:所述罩体(1)的壁厚为8mm。
4.根据权利要求1所述的直拉单晶炉热场导流罩,其特征在于:所述罩体(1)的高度(h)为130-140mm,罩体(1)内壁与下端面之间的夹角(α)为60-70°,罩体(1)上端面的内径(R)为320-330mm。
5.根据权利要求4所述的直拉单晶炉热场导流罩,其特征在于:所述罩体(1)的高度(h)为134mm,罩体(1)内壁与下端面之间的夹角(α)为66.5°,罩体(1)上端面的内径(R)为326.47mm。
6.根据权利要求1所述的直拉单晶炉热场导流罩,其特征在于:所述的观察口(3)为长条孔。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111962144A (zh) * 2020-07-13 2020-11-20 大同新成新材料股份有限公司 一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩

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TR01 Transfer of patent right
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Patentee before: Hebei Ningtong Electronic Material Co., Ltd.