CN206986325U - 一种单晶炉导流筒防沉积结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种单晶炉导流筒防沉积结构，包括单晶炉内由上至下依次设置的提升板、封闭环和支撑环，所述支撑环固装在单晶炉炉体内，所述封闭环固装在支撑环上，所述支撑环和封闭环同轴心设置，该封闭环内径大于支撑环内径，所述支撑环凸出封闭环内侧面的部位形成环状密封部，所述导流筒固装在提升板上，该导流筒侧壁顶端设有向外的环状外沿，所述环状外沿底面和环状密封部顶面相贴。本实用新型所述的一种单晶炉导流筒防沉积结构中，拉晶时，设置在导流筒的环状外沿底面和设置在支撑环的环状密封部顶面相贴，防止热场内的气流在封闭环和导流筒间的缝隙产生涡流，杜绝挥发物沉积的产生，进而提高了单晶炉内环境，保证了拉晶质量。
Description
技术领域
本实用新型属于单晶硅生产领域，尤其是涉及一种单晶炉导流筒防沉积结构。
背景技术
太阳能硅单晶在生产过程中，为了提高单晶生长速度和提高装料量，需要加装可提升的导流筒来提高单晶的纵向温度梯度和装料空间。为了方便吊装导流筒顺利下降，需要在导流筒外侧与封闭环内侧之间留有足够空隙，如附图1所示，在单晶生长过程中，会持续通入氩气等保护气体，气流在缝隙处会出现严重涡流现象，由于缝隙处保温差，温度较低，因此导流筒外沿下方附近常常会产生沉积物，单晶生长过程中，沉积物脱落会影响单晶正常生长，使单晶成晶率变低，成本升高。
发明内容
有鉴于此，本实用新型旨在提出一种单晶炉导流筒防沉积结构，以避免单晶硅生产中因氩气等保护气体涡流现象导致沉积物产生，进而导致单晶硅质量欠佳问题。
为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：
一种单晶炉导流筒防沉积结构，包括单晶炉内由上至下依次设置的提升板、封闭环和支撑环，所述提升板吊装在单晶炉炉盖上，所述支撑环固装在单晶炉炉体内，所述封闭环固装在支撑环上，所述支撑环和封闭环同轴心设置，该封闭环内径大于支撑环内径，所述支撑环凸出封闭环内侧面的部位形成环状密封部，导流筒固装在提升板上，该导流筒侧壁顶端设有向外的环状外沿，所述环状外沿底面和环状密封部顶面相贴。
进一步的，所述封闭环为柱状筒结构。
进一步的，所述支撑环厚度为3-5mm。
进一步的，所述导流筒和提升板间通过螺钉连接。
相对于现有技术，本实用新型所述的一种单晶炉导流筒防沉积结构具有以下优势：
本实用新型所述的一种单晶炉导流筒防沉积结构中，拉晶时，设置在导流筒的环状外沿底面和设置在支撑环的环状密封部顶面相贴，防止热场内的气流在封闭环和导流筒间的缝隙产生涡流，杜绝沉积的产生，进而保证了拉晶质量。
附图说明
构成本实用新型的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：
图1为现有技术中单晶炉内导流筒使用状态示意图；
图2为本实用新型实施例所述的一种单晶炉导流筒防沉积结构示意图；
附图标记说明：
1-导流筒； 11-环状外沿； 2-提升板；
3-封闭环； 4-支撑环； 41-环状密封部。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。
如图2所示，一种单晶炉导流筒防沉积结构，包括单晶炉内由上至下依次设置的提升板2、封闭环3和支撑环4，支撑环4由3-5mm厚度平板制造而成，所述封闭环3为柱状筒结构，所述支撑环4固装在单晶炉炉体内，所述封闭环3固装在支撑环4上，所述支撑环4和封闭环3同轴心设置，该封闭环3内径大于支撑环4内径，所述支撑环4凸出封闭环3内侧面的部位形成环状密封部41，提升板2吊装在单晶炉内，导流筒1通过螺钉固装在提升板2上，该导流筒1侧壁顶端设有向外的环状外沿11，所述环状外沿11底面和环状密封部41顶面相贴。拉晶时，导流筒的环状外沿底面和设置在支撑环的环状密封部顶面相贴，防止热场内的气流在封闭环和导流筒间的缝隙产生涡流，杜绝沉积的产生，进而降低导流筒沉积物清理时间，提高工时利用率20％，减轻操作员劳动强度30％，同时避免因导流筒沉积物反复清理造成导流筒使用寿命降低，降低辅料成本5％；另外，避免导流筒沉积物在单晶生长时脱落影响单晶成晶，单晶成晶率提高5％，降低开炉成本10％。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种单晶炉导流筒防沉积结构，其特征在于：包括单晶炉内由上至下依次设置的提升板(2)、封闭环(3)和支撑环(4)，所述提升板(2)吊装在单晶炉炉盖上，所述支撑环(4)固装在单晶炉炉体内，所述封闭环(3)固装在支撑环(4)上，所述支撑环(4)和封闭环(3)同轴心设置，该封闭环(3)内径大于支撑环(4)内径，所述支撑环(4)凸出封闭环3内侧面的部位形成环状密封部(41)，导流筒(1)固装在提升板(2)上，该导流筒(1)侧壁顶端设有向外的环状外沿(11)，所述环状外沿(11)底面和环状密封部(41)顶面相贴。
2.根据权利要求1所述的一种单晶炉导流筒防沉积结构，其特征在于：所述封闭环(3)为柱状筒结构。
3.根据权利要求1所述的一种单晶炉导流筒防沉积结构，其特征在于：所述支撑环(4)厚度为3-5mm。
4.根据权利要求1所述的一种单晶炉导流筒防沉积结构，其特征在于：所述导流筒(1)和提升板(2)间通过螺钉连接。
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| CN (1) | CN206986325U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023280024A1 (zh) * | 2021-07-06 | 2023-01-12 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种热屏外胆及热屏、拉晶热场 |
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2017
- 2017-04-25 CN CN201720441029.2U patent/CN206986325U/zh active Active
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