CN206710762U - 一种静电保护结构、阵列基板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例提供一种静电保护结构、阵列基板及显示装置，涉及显示装置技术领域，能够简化静电保护结构的层级结构，提高静电保护结构的静电保护能力。所述静电保护结构包括第一栅极、第二栅极、第一绝缘层、第一半导体图案、第二半导体图案、第二绝缘层和导电层；导电层包括相互间隔的第一部分、第二部分和第三部分；第一部分通过第一过孔与第一栅极接触；第一部分和第二部分分别通过第二过孔和第三过孔与第一半导体图案接触；第二部分通过第四过孔与第二栅极接触；第二部分和第三部分分别通过第五过孔和第六过孔与第二半导体图案接触；第一部分和第三部分通过导电走线电连接。本实用新型用于显示装置的静电保护。

Description

一种静电保护结构、阵列基板及显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示装置技术领域，尤其涉及一种静电保护结构、阵列基板及显示装置。

背景技术

在液晶显示领域，静电放电一直是影响液晶面板正常工作的不良因素之一。为了提高液晶面板对静电破坏的抵抗能力，现有技术中通常会在液晶面板中设计静电保护结构，通过静电保护结构将传导进液晶面板的静电释放到公共电极线上，从而避免烧线或击穿膜层现象的发生。

现有技术中的静电保护结构可参考图1和图2所示，其中图2为图1沿AA’方向的截面图，静电保护结构主要由两个常规TFT管构成，主要构成膜层包括栅极01、栅绝缘层02、有源层03，以及包含源极041和漏极042的源漏层04、保护层05和ITO导电层06等。由于现有的静电保护结构膜层多，结构复杂，实际使用时在栅极01与源漏层04的跨接处、源漏层04与ITO导电层06的跨接处、保护层05的过孔07处等位置容易发生静电击穿而导致静电保护结构失效，影响静电保护结构的静电保护能力。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种静电保护结构、阵列基板及显示装置，能够简化静电保护结构的层级结构，提高静电保护结构的静电保护能力。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一方面，本实用新型实施例提供一种静电保护结构，包括：

形成在基板上的第一栅极和第二栅极，形成在所述第一栅极和所述第二栅极上的第一绝缘层，形成在所述第一绝缘层上的第一半导体图案和第二半导体图案，覆盖所述第一半导体图案和所述第二半导体图案上的第二绝缘层，以及形成在所述第二绝缘层上的导电层；

所述导电层包括相互间隔的第一部分、第二部分和第三部分；所述第一部分通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第一过孔与所述第一栅极接触；所述第一部分和所述第二部分分别通过形成在所述第二绝缘层中的第二过孔和第三过孔与所述第一半导体图案接触；所述第二部分通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第四过孔与所述第二栅极接触；所述第二部分和所述第三部分分别通过形成在所述第二绝缘层中的第五过孔和第六过孔与所述第二半导体图案接触；

所述第一部分和所述第三部分通过导电走线电连接。

可选的，所述导电层的材料为铟锡氧化物。

可选的，所述导电走线与所述导电层同层设置。

可选的，所述导电走线的材料为铟锡氧化物。

可选的，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材料为无机绝缘材料。

可选的，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案的材料为氧化物半导体材料。

另一方面，本实用新型实施例提供一种阵列基板，包括第一信号线、第二信号线，以及上述中任意一种所述的静电保护结构；

所述第一栅极与所述第一信号线连接；所述第二栅极与所述第二信号线连接。

可选的，所述第一信号线为栅线或数据线，所述第二信号线为公共电极线；

或者，所述第一信号线为公共电极线，所述第二信号线为栅线或数据线。

再一方面，本实用新型实施例提供一种显示装置，包括上述任意一种所述的阵列基板。

本实用新型实施例提供一种静电保护结构，包括：形成在基板上的第一栅极和第二栅极，形成在第一栅极和第二栅极上的第一绝缘层，形成在第一绝缘层上的第一半导体图案和第二半导体图案，覆盖第一半导体图案和第二半导体图案上的第二绝缘层，以及形成在第二绝缘层上的导电层；导电层包括相互间隔的第一部分、第二部分和第三部分；第一部分通过贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的第一过孔与第一栅极接触；第一部分和第二部分分别通过形成在第二绝缘层中的第二过孔和第三过孔与第一半导体图案接触；第二部分通过贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的第四过孔与第二栅极接触；第二部分和第三部分分别通过形成在第二绝缘层中的第五过孔和第六过孔与第二半导体图案接触；第一部分和第三部分通过导电走线电连接。相较于现有技术，本实用新型实施例提供的静电保护结构中的导电层利用过孔与第一半导体图案和第二半导体图案直接接触，这样省去了现有技术中的源漏层，简化了静电保护结构的层级结构，并且由于省去了现有技术中的源漏层，这样规避了栅极和源漏层的跨接、源漏层与导电层的跨接等，从而减少了静电保护结构被静电击穿的概率，提高了静电保护结构的静电保护能力；同时，由于不需要制作源漏层，这样减少了源漏层在制作过程中出现过刻或爬坡处膜层断裂等问题时对静电保护结构的静电保护能力造成的影响，从而进一步提高了静电保护结构的静电保护能力。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术提供的一种静电保护结构示意图；

图2为图1沿AA’方向的截面图；

图3为本实用新型实施例提供的一种静电保护结构示意图；

图4为图3沿BB’方向的截面图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型实施例提供一种静电保护结构，如图3和图4所示，包括：形成在基板上的第一栅极21和第二栅极22，形成在第一栅极21和第二栅极22上的第一绝缘层30，形成在第一绝缘层30上的第一半导体图案41和第二半导体图案42，覆盖第一半导体图案41和第二半导体图案42上的第二绝缘层50，以及形成在第二绝缘层50上的导电层；所述导电层包括相互间隔的第一部分61、第二部分62和第三部分63；第一部分61通过贯穿第一绝缘层30和第二绝缘层50的第一过孔11与第一栅极21接触；第一部分61和第二部分62分别通过形成在第二绝缘层50中的第二过孔12和第三过孔13与第一半导体图案41接触；第二部分62通过贯穿第一绝缘层30和第二绝缘层50的第四过孔14与第二栅极22接触；第二部分62和第三部分63分别通过形成在第二绝缘层50中的第五过孔15和第六过孔16与第二半导体图案42接触；第一部分61和第三部分63通过导电走线64电连接。

其中，第一栅极21和第二栅极22同层设置；第一半导体图案41和第二半导体图案42同层设置。

参考图3和图4所示，当静电电荷从第一栅极21输入，即第一栅极21存在静电电荷时，静电电荷会通过第一过孔11传导到第一部分61和第二过孔12处，填充有导电层材料的第二过孔12相当于源极，此时图4中左边的TFT管的栅极和源极均获得了开启电压，左边的TFT管被打开，填充有导电层材料的第三过孔13相当于漏极，这样源极和漏极导通，静电电荷传导至第二部分62上，再通过第四过孔14传导至第二栅极22上，最后经由外接线路导出到阵列基板的公共电极线上。参考图3所示，当静电电荷传导到第一部分61上时，由于第一部分61和第三部分63通过导电走线64电连接，因而一部分静电电荷会通过导电走线64传导至第三部分63上，另一部分静电电荷会用于提供源极电压。

反向言之，当静电电荷从第二栅极22输入时，静电电荷会通过第四过孔14传导到第二部分62和第五过孔15处，填充有导电层材料的第五过孔15相当于源极，此时图4中右边的TFT管的栅极和源极均获得了开启电压，右边的TFT管被打开，填充有导电层材料的第六过孔16相当于漏极，这样源极和漏极导通，静电电荷传导至第三部分63上，然后通过导电走线64传导到第一部分61上，再通过第一过孔11传导至第一栅极21上，最后经由外接线路导出到阵列基板的公共电极线上。

这样一来，相较于现有技术，本实用新型实施例提供的静电保护结构中的导电层利用过孔与第一半导体图案和第二半导体图案直接接触，这样省去了现有技术中的源漏层，简化了静电保护结构的层级结构，并且由于省去了现有技术中的源漏层，这样规避了栅极和源漏层的跨接、源漏层与导电层的跨接等，从而减少了静电保护结构被静电击穿的概率，提高了静电保护结构的静电保护能力；同时，由于不需要制作源漏层，这样减少了源漏层在制作过程中出现过刻或爬坡处膜层断裂等问题时对静电保护结构的静电保护能力造成的影响，从而进一步提高了静电保护结构的静电保护能力。

在显示装置的阵列基板中应用所述静电保护结构时，为了避免所述静电保护结构对显示装置的显示造成影响，所述静电保护结构的导电层的材料一般为铟锡氧化物。

本实用新型实施例中，导电走线64是用于电连接导电层的第一部分61和第三部分63的，因而导电走线64可以设置在任意层级结构中，本实用新型实施例对此不做限定。参考图3所示，较佳的，导电走线64与所述导电层同层设置，这样可以避免设置过孔等结构，简化了导电走线64的制作工艺。

优选的，导电走线64为铟锡氧化物材料。导电走线64采用与导电层同样的材料制作，这样导电走线64可以与导电层采用同一制作工艺制作，简化了所述静电保护结构的制作工艺。

本实用新型实施例对于第一绝缘层30、第二绝缘层50、第一半导体图案41和第二半导体图案42的制作材料均不作限定。在实际应用中，第一绝缘层30和第二绝缘层50一般的材料为无机绝缘材料；第一半导体图案41和第二半导体图案42一般的材料为氧化物半导体材料。

本实用新型另一实施例提供一种阵列基板，包括第一信号线、第二信号线，以及上述中任意一种所述的静电保护结构；第一栅极21与所述第一信号线连接；第二栅极22与所述第二信号线连接。通过在第一信号线和第二信号线之间连接静电保护结构，可以将第一信号线上的静电传导至第二信号线上，或是将第二信号线上的静电传导至第一信号线，从而防止了第一信号线或第二信号线的静电击穿，保证了第一信号线或第二信号线上信号的正常传输，进而提高了产品的良率。

其中，所述第一信号线为栅线或数据线，所述第二信号线为公共电极线；或者，所述第一信号线为公共电极线，所述第二信号线为栅线或数据线。这样栅线或数据线上的静电可以通过静电保护结构传导到公共电极线上，防止了栅线或数据线的静电击穿。

本实用新型再一实施例提供一种显示装置，包括上述任意一种所述的阵列基板。所述阵列基板上设置了静电保护结构，而所述静电保护结构中的导电层利用过孔与第一半导体图案和第二半导体图案直接接触，这样省去了现有技术中的源漏层，简化了静电保护结构的层级结构，并且由于省去了现有技术中的源漏层，这样规避了栅极和源漏层的跨接、源漏层与导电层的跨接等，从而减少了静电保护结构被静电击穿的概率，提高了静电保护结构的静电保护能力；同时，由于不需要制作源漏层，这样减少了源漏层在制作过程中出现过刻或爬坡处膜层断裂等问题时对静电保护结构的静电保护能力造成的影响，从而进一步提高了静电保护结构的静电保护能力，减少了静电对显示装置的影响。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种静电保护结构，其特征在于，包括：

形成在基板上的第一栅极和第二栅极，形成在所述第一栅极和所述第二栅极上的第一绝缘层，形成在所述第一绝缘层上的第一半导体图案和第二半导体图案，覆盖所述第一半导体图案和所述第二半导体图案上的第二绝缘层，以及形成在所述第二绝缘层上的导电层；

所述导电层包括相互间隔的第一部分、第二部分和第三部分；所述第一部分通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第一过孔与所述第一栅极接触；所述第一部分和所述第二部分分别通过形成在所述第二绝缘层中的第二过孔和第三过孔与所述第一半导体图案接触；所述第二部分通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第四过孔与所述第二栅极接触；所述第二部分和所述第三部分分别通过形成在所述第二绝缘层中的第五过孔和第六过孔与所述第二半导体图案接触；

所述第一部分和所述第三部分通过导电走线电连接。

2.根据权利要求1所述的静电保护结构，其特征在于，所述导电层的材料为铟锡氧化物。

3.根据权利要求1所述的静电保护结构，其特征在于，所述导电走线与所述导电层同层设置。

4.根据权利要求3所述的静电保护结构，其特征在于，所述导电走线的材料为铟锡氧化物。

5.根据权利要求1所述的静电保护结构，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材料为无机绝缘材料。

6.根据权利要求1所述的静电保护结构，其特征在于，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案的材料为氧化物半导体材料。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括第一信号线、第二信号线，以及权利要求1至6中任意一项所述的静电保护结构；

所述第一栅极与所述第一信号线连接；所述第二栅极与所述第二信号线连接。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号线为栅线或数据线，所述第二信号线为公共电极线；

或者，所述第一信号线为公共电极线，所述第二信号线为栅线或数据线。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7或8所述的阵列基板。