CN206349362U - 接触电阻测试结构 - Google Patents
接触电阻测试结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN206349362U CN206349362U CN201621492590.5U CN201621492590U CN206349362U CN 206349362 U CN206349362 U CN 206349362U CN 201621492590 U CN201621492590 U CN 201621492590U CN 206349362 U CN206349362 U CN 206349362U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- test
- voltage
- fin
- contact groove
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本实用新型提供一种接触电阻的测试结构，所述测试结构包括两个测试单元，所述测试单元位于鳍式场效应晶体管的鳍结构上，其中，任一测试单元包括：横跨所述鳍结构的第一接触槽，所述第一接触槽的一端为第一电压检测端，其另一端为参考电压端，所述参考电压端的电压小于第一、第二电压检测端的电压；与所述第一接触槽结构相同、且设有预设间距的第二接触槽，所述第二接触槽的一端为电流激励端，其另一端为第二电压检测端；其中，所述两个测试单元中第一接触槽与第二接触槽之间的预设间距不同。通过本实用新型提供的接触电阻测试结构，解决了对于后硅化物阶段，现有的TLM结构无法精确地测量接触电阻Rc的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体测试技术领域，特别是涉及一种接触电阻测试结构。
背景技术
集成电路(IC)尤其是超大规模集成电路中的主要器件是金属氧化物半导体场效应晶体管，随着半导体集成电路工业技术日益的成熟，超大规模的集成电路的迅速发展，具有更高性能和更强劲功能的集成电路要求更大的元件密度，而且各个部件、元件之间或各个元件自身的尺寸、大小和空间也需要进一步缩小。对于具有更先进的技术节点的CMOS而言，鳍式场效应晶体管(FinField-Effect Transistor：FinFET)已经被广泛地应用于CMOS器件中。
对于FinFET而言，随着沟道长度的不断减小及器件性能的不断提高，寄生外电阻Rext成为限制FinFET性能的主要因素，而寄生外电阻主要包括接触电阻Rc，因此，如何精确地测得接触电阻Rc的值则至关重要。
现有技术中，通常是采用TLM(三维传输线矩阵法)来测量接触电阻Rc；对于前硅化物阶段，硅化物电阻Rs是很容易测得的，所以通过TLM结构很容易计算出接触电阻Rc；但对于后硅化物阶段，由于硅化物只生长在接触沟槽上，其余部分则为非硅化物区，而且各个非硅化物区的距离不同，由于非硅化物区的薄膜电阻Rsh也会对接触电阻Rc产生影响，因此，采用现有的TLM测试结构则无法精确地测量接触电阻Rc。
鉴于此，有必要设计一种新的接触电阻测试结构用以解决此问题。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种接触电阻测试结构，用于解决对于后硅化物阶段，现有的TLM结构无法精确地测量接触电阻Rc的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种接触电阻测试结构，所述测试结构包括两个测试单元，所述测试单元位于鳍式场效应晶体管的鳍结构上，其中，任一测试单元包括：
横跨所述鳍结构的第一接触槽，所述第一接触槽的一端为第一电压检测端，其另一端为参考电压端，所述参考电压端的电压小于第一、第二电压检测端的电压；
与所述第一接触槽结构相同、且设有预设间距的第二接触槽，所述第二接触槽的一端为电流激励端，其另一端为第二电压检测端；
其中，所述两个测试单元中第一接触槽与第二接触槽之间的预设间距不同。
优选地，所述鳍结构的数量大于等于1。
优选地，所述两个测试单元位于一个鳍式场效应晶体管的相同鳍结构上。
优选地，所述两个测试单元位于一个鳍式场效应晶体管的不同鳍结构上，其中，所述鳍结构的数量大于1，并且所述鳍结构的宽度相同。
优选地，所述两个测试单元位于两个鳍式场效应晶体管的鳍结构上，其中，所述两个鳍式场效应晶体管的鳍结构数量相同，并且所述鳍结构的宽度相同。
优选地，所述第一、第二电压检测端、参考电压端及电流激励端均是通过金属引线引出。
优选地，所述参考电压端的电压为参考地。
如上所述，本实用新型的接触电阻测试结构，所述测试结构包括两个测试单元，所述测试单元位于鳍式场效应晶体管的鳍结构上，其中，任一测试单元包括：横跨所述鳍结构的第一接触槽，所述第一接触槽的一端为第一电压检测端，其另一端为参考电压端，所述参考电压端的电压小于第一、第二电压检测端的电压；与所述第一接触槽设有预设间距的第二接触槽，所述第二接触槽的一端为电流激励端，其另一端为第二电压检测端；其中，所述两个测试单元中第一接触槽与第二接触槽之间的预设间距不同。利用本实用新型所述的接触电阻测试结构，能够精确地测量后硅化物阶段的接触电阻。
附图说明
图1显示为本实用新型实施例一所述测试结构的结构示意图。
图2显示为本实用新型实施例二所述测试结构的结构示意图。
图3显示为本实用新型实施例三所述测试结构的结构示意图，其中，图3a为第一测试单元，图3b为第二测试单元。
元件标号说明
1 第一测试单元
2 第二测试单元
3 鳍结构
4 第一接触槽
5 第二接触槽
Sense V1 第一电压检测端
Com 参考电压端
Force I 电流激励端
Sense V2 第二电压检测端
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1和图3。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。
实施例一
如图1所示，本实施例提供一种接触电阻测试结构，所述测试结构包括两个测试单元1、2，所述测试单元位于鳍式场效应晶体管的鳍结构3上，其中，任一测试单元包括：
横跨所述鳍结构3的第一接触槽4，所述第一接触槽4的一端为第一电压检测端Sense V1，其另一端为参考电压端Com，所述参考电压端的电压小于第一、第二电压检测端的电压；
与所述第一接触槽4结构相同、且设有预设间距的第二接触槽5，所述第二接触槽5的一端为电流激励端Force I，其另一端为第二电压检测端Sense V2；
其中，所述两个测试单元1、2中第一接触槽4与第二接触槽5之间的预设间距不同。
需要说明的是，所述第一测试单元中的第一、第二接触槽与第二测试单元中的第一、第二接触槽的结构相同，即所述第一、第二接触槽的长度及宽度均相同。
需要说明的是，在本实施例所述的测试单元中，对于预设间距并没有具体的数值要求，只要第一、第二测试单元的预设间距不同即可。
具体的，所述第一、第二电压检测端、参考电压端及电流激励端均是通过金属引线引出。
具体的，所述参考电压端的电压为参考地。
具体的，所述鳍结构3的数量大于等于1。优选地，在本实施例中，所述鳍结构3的数量为4个。
优选地，在本实施例中，所述第一测试单元1和第二测试单元2位于一个鳍式场效应晶体管的相同鳍结构上。
需要说明的是，所述鳍结构为非外延生长，但与所述第一、第二接触槽接触的鳍结构部分采用外延生长，并进行N型重掺杂。
下面请参阅图1对本实施例所述测试结构的测量接触电阻的方法进行说明。
如图1所示，通过本实施例所述第一、第二测试单元测得的电阻满足如下公式，即：
R＝2Rc+Rsh*(L/W) 公式一
其中，R为测得的电阻，Rc为接触电阻，Rsh为薄膜电阻，L为测试单元中第一、第二接触槽之间的预设间距，W为第一、第二接触槽的宽度。
首先，分别在第一测试单元1及第二测试单元2的电流激励端加入电流I，然后测量第一测试单元1的第一、第二电压检测端的电压差值，及第二测试单元2的第一、第二电压检测端的电压差值，根据R＝U/I分别计算得到第一测试单元1和第二测试单元的电阻R1和R2。
其次，根据公式一，第一测试单元测得的电阻R1＝2Rc+Rsh*(L1/W)，第二测试单元测得的电阻R2＝2Rc+Rsh*(L2/W)；利用第一测试单元的测得电阻减去第二测试单元的测得电阻，即：R1-R2＝(2Rc+Rsh*(L1/W))-(2Rc+Rsh*(L2/W))＝Rsh(L1-L2)/W，由此即可计算得到薄膜电阻Rsh的值。
最后，将薄膜电阻Rsh的值代入公式第一测试单元R1满足的公式或第二测试单元R2满足的公式，即可计算得到接触电阻Rc的值。
实施例二
如图2所示，本实施例提供一种接触电阻测试结构，所述测试结构包括两个测试单元1、2，所述测试单元位于鳍式场效应晶体管的鳍结构3上，其中，任一测试单元包括：
横跨所述鳍结构3的第一接触槽4，所述第一接触槽4的一端为第一电压检测端Sense V1，其另一端为参考电压端Com，所述参考电压端的电压小于第一、第二电压检测端的电压；
与所述第一接触槽4结构相同、且设有预设间距的第二接触槽5，所述第二接触槽5的一端为电流激励端Force I，其另一端为第二电压检测端Sense V2；
其中，所述两个测试单元1、2中第一接触槽4与第二接触槽5之间的预设间距不同。
需要说明的是，在本实施例所述的测试单元中，对于预设间距并没有具体的数值要求，只要第一、第二测试单元的预设间距不同即可。
具体的，所述第一、第二电压检测端、参考电压端及电流激励端均是通过金属引线引出。
具体的，所述参考电压端的电压为参考地。
优选地，在本实施例中，所述两个测试单元位于一个鳍式场效应晶体管的不同鳍结构上，其中，所述鳍结构的数量为10个，并且所述鳍结构的宽度相同。
本实施例所述接触电阻测试结构的测试方法与实施例一所述结构的测试方法相同，故不再赘述。
实施例三
如图3所示，本实施例提供一种接触电阻测试结构，所述测试结构包括两个测试单元1、2，所述测试单元位于鳍式场效应晶体管的鳍结构3上，其中，任一测试单元包括：
横跨所述鳍结构3的第一接触槽4，所述第一接触槽4的一端为第一电压检测端Sense V1，其另一端为参考电压端Com，所述参考电压端的电压小于第一、第二电压检测端的电压；
与所述第一接触槽4结构相同、且设有预设间距的第二接触槽5，所述第二接触槽5的一端为电流激励端Force I，其另一端为第二电压检测端Sense V2；
其中，所述两个测试单元1、2中第一接触槽4与第二接触槽5之间的预设间距不同。
需要说明的是，在本实施例所述的测试单元中，对于预设间距并没有具体的数值要求，只要第一、第二测试单元的预设间距不同即可。
具体的，所述第一、第二电压检测端、参考电压端及电流激励端均是通过金属引线引出。
具体的，所述参考电压端的电压为参考地。
优选地，在本实施例中，所述两个测试单元位于两个鳍式场效应晶体管的鳍结构上，其中，所述两个鳍式场效应晶体管的鳍结构数量相同，均为4个，并且所述鳍结构的宽度相同。
本实施例所述接触电阻测试结构的测试方法与实施例一所述结构的测试方法相同，故不再赘述。
综上所述，本实用新型的接触电阻测试结构，所述测试结构包括两个测试单元，所述测试单元位于鳍式场效应晶体管的鳍结构上，其中，任一测试单元包括：横跨所述鳍结构的第一接触槽，所述第一接触槽的一端为第一电压检测端，其另一端为参考电压端，所述参考电压端的电压小于第一、第二电压检测端的电压；与所述第一接触槽设有预设间距的第二接触槽，所述第二接触槽的一端为电流激励端，其另一端为第二电压检测端；其中，所述两个测试单元中第一接触槽与第二接触槽之间的预设间距不同。利用本实用新型所述的接触电阻测试结构，能够精确地测量后硅化物阶段的接触电阻。
上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。
Claims (7)
1.一种接触电阻测试结构，其特征在于，所述测试结构包括两个测试单元，所述测试单元位于鳍式场效应晶体管的鳍结构上，其中，任一测试单元包括：
横跨所述鳍结构的第一接触槽，所述第一接触槽的一端为第一电压检测端，其另一端为参考电压端，所述参考电压端的电压小于第一、第二电压检测端的电压；
与所述第一接触槽结构相同、且设有预设间距的第二接触槽，所述第二接触槽的一端为电流激励端，其另一端为第二电压检测端；
其中，所述两个测试单元中第一接触槽与第二接触槽之间的预设间距不同。
2.根据权利要求1所述的接触电阻测试结构，其特征在于，所述鳍结构的数量大于等于1。
3.根据权利要求2所述的接触电阻测试结构，其特征在于，所述两个测试单元位于一个鳍式场效应晶体管的相同鳍结构上。
4.根据权利要求2所述的接触电阻测试结构，其特征在于，所述两个测试单元位于一个鳍式场效应晶体管的不同鳍结构上，其中，所述鳍结构的数量大于1，并且所述鳍结构的宽度相同。
5.根据权利要求2所述的接触电阻测试结构，其特征在于，所述两个测试单元位于两个鳍式场效应晶体管的鳍结构上，其中，所述两个鳍式场效应晶体管的鳍结构数量相同，并且所述鳍结构的宽度相同。
6.根据权利要求1所述的接触电阻测试结构，其特征在于，所述第一、第二电压检测端、参考电压端及电流激励端均是通过金属引线引出。
7.根据权利要求1所述的接触电阻测试结构，其特征在于，所述参考电压端的电压为参考地。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201621492590.5U CN206349362U (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 接触电阻测试结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201621492590.5U CN206349362U (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 接触电阻测试结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN206349362U true CN206349362U (zh) | 2017-07-21 |
Family
ID=59319804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201621492590.5U Active CN206349362U (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 接触电阻测试结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN206349362U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113253089A (zh) * | 2021-07-15 | 2021-08-13 | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 | 一种鳍式场效应晶体管源漏寄生电阻萃取方法 |
| CN113517349A (zh) * | 2021-07-15 | 2021-10-19 | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 | 鳍式场效应晶体管源漏寄生电阻分解结构及测试结构 |
| CN116381345A (zh) * | 2022-07-21 | 2023-07-04 | 微龛(广州)半导体有限公司 | 薄膜电阻测量结构、测量方法及测量系统 |
-
2016
- 2016-12-30 CN CN201621492590.5U patent/CN206349362U/zh active Active
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113253089A (zh) * | 2021-07-15 | 2021-08-13 | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 | 一种鳍式场效应晶体管源漏寄生电阻萃取方法 |
| CN113253089B (zh) * | 2021-07-15 | 2021-09-14 | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 | 一种鳍式场效应晶体管源漏寄生电阻萃取方法 |
| CN113517349A (zh) * | 2021-07-15 | 2021-10-19 | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 | 鳍式场效应晶体管源漏寄生电阻分解结构及测试结构 |
| CN113517349B (zh) * | 2021-07-15 | 2023-07-21 | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 | 鳍式场效应晶体管源漏寄生电阻分解结构及测试结构 |
| CN116381345A (zh) * | 2022-07-21 | 2023-07-04 | 微龛(广州)半导体有限公司 | 薄膜电阻测量结构、测量方法及测量系统 |
| CN116381345B (zh) * | 2022-07-21 | 2023-10-31 | 微龛(广州)半导体有限公司 | 薄膜电阻测量结构、测量方法及测量系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN206349362U (zh) | 接触电阻测试结构 | |
| CN103575998B (zh) | 一种无结晶体管的电阻测试方法 | |
| Chauhan et al. | BSIM—Industry standard compact MOSFET models | |
| CN101673728B (zh) | 双极型晶体管器件中接触孔或通孔电阻的测量模型和方法 | |
| CN102956620B (zh) | Mos晶体管结电容测试结构及表征方法 | |
| CN103852702B (zh) | 确定半导体鳍中的载流子浓度的方法 | |
| CN105223420B (zh) | 用于测量接触电阻的tft及接触电阻的测量方法 | |
| von Kluge et al. | An analytical model of MAGFET sensitivity including secondary effects using a continuous description of the geometric correction factor G | |
| US9953118B2 (en) | Modeling method of SPICE model series of SOI FET | |
| WO2012051899A1 (zh) | Bsimsoi4直流模型参数的确定方法 | |
| CN107290594A (zh) | 测试结构及其测试方法 | |
| CN111368490B (zh) | 横向双扩散晶体管的电路系统及其建模方法 | |
| CN104377143B (zh) | 一种测试mos器件阱电阻的方法 | |
| CN112285519B (zh) | 一种二极管选通阵列中串联电阻及理想因子的测量方法 | |
| US8524513B2 (en) | Measuring floating body voltage in silicon-on-insulator (SOI) metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor (MOSFET) | |
| CN114384322A (zh) | 晶体管测试器件的接触电阻的测量方法与计算机可读介质 | |
| CN206258520U (zh) | 一种接触电阻测试结构 | |
| US9209167B2 (en) | Determining threshold voltage variations in field effect transistors | |
| CN205508781U (zh) | 一种晶体管电容测试结构 | |
| CN112651201B (zh) | 扩散电阻的建模方法 | |
| Terada | Reconsideration of effective MOSFET channel length extracted from channel resistance | |
| CN104977519A (zh) | 一种测试器件热载流子注入效应的方法 | |
| Tomaszewski et al. | A simple multi-purpose method for compact model evaluation | |
| Tsui et al. | Evaluation of ultra-low specific contact resistance extraction by cross-bridge Kelvin resistor structure and transmission line method structure | |
| Paun et al. | Offset drift dependence of Hall cells with their designed geometry |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant |