CN206200376U - 新型陶瓷焊接结构 - Google Patents
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Abstract
一种新型陶瓷焊接结构，包括导体和焊接陶瓷，其中焊接陶瓷与导体焊接接触面的表面设置有金属化层，所述导体的焊接面贴合在焊接陶瓷表面的金属化层上并通过焊料与焊接陶瓷焊接，其中所述导体与焊接陶瓷接触面的表面或者焊接陶瓷与导体接触面的表面开设有释放空隙。本实用新型通过在导体与焊接陶瓷接触面的表面或者焊接陶瓷与导体接触面的表面开设有释放空隙，在焊接的过程中导体与焊接陶瓷所产生的应力、以及焊料产生的气泡和气体等物质在通过释放空隙向外和向内两个方向都得到了有效的释放，这样得以解决两个构件之间的应力释放不彻底问题，以及焊接解决焊料的浸润问题，和焊接牢固和气密性问题，彻底消除陶瓷崩裂的危险，增加焊接强度。
Description
技术领域
本实用新型涉及焊接结构领域，尤指一种电子元器件行业中的引出端与陶瓷绝缘体的焊接的新型陶瓷焊接结构。
背景技术
目前，陶瓷与金属件的焊接结构中，两个焊接面都是平整的，都是一个平面，在焊接过程中，因为导体的应力参数和陶瓷的应力参数不同，两个大面在一起焊接，应力无法得到释放，同时焊接产生的气体等无法释放排除，造成焊料浸润不好，焊缝存在砂眼，焊接强度和焊接泄漏率都不达标，出现很多陶瓷崩裂的情况和潜在崩裂的危险。
实用新型内容
为解决上述问题，本实用新型提供一种在焊接过程中可有效释放两焊接件的应力以及产生的气体，彻底消除陶瓷崩裂的危险，增加焊接强度新型陶瓷焊接结构。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种新型陶瓷焊接结构，包括导体和焊接陶瓷，其中焊接陶瓷与导体焊接接触面的表面设置有金属化层，所述导体的焊接面贴合在焊接陶瓷表面的金属化层上并通过焊料与焊接陶瓷焊接，其中所述导体与焊接陶瓷接触面的表面或者焊接陶瓷与导体接触面的表面开设有释放空隙。
本实用新型的有益效果在于：本实用新型通过在导体与焊接陶瓷接触面的表面或者焊接陶瓷与导体接触面的表面开设有释放空隙，在焊接的过程中导体与焊接陶瓷所产生的应力、以及焊料产生的气泡和气体等物质在通过释放空隙向外和向内两个方向都得到了有效的释放，这样得以解决两个构件之间的应力释放不彻底问题，以及焊接解决焊料的浸润问题，和焊接牢固和气密性问题，彻底消除陶瓷崩裂的危险，增加焊接强度。
附图说明
图1 是本实用新型的结构示意图；
图2 是释放空隙设置在导体上的结构示意图；
图3 是图1另一实施例结构示意图；
图4 是释放空隙设置在焊接陶瓷上的结构示意图。
附图标号说明：1-导体；2-焊接陶瓷；21-金属化层；3-释放空隙；4-焊料爬坡。
具体实施方式
请参阅图1-4所示，本实用新型关于一种新型陶瓷焊接结构，包括导体1和焊接陶瓷2，其中焊接陶瓷2与导体1焊接接触面的表面设置有金属化层21，所述导体1的焊接面贴合在焊接陶瓷2表面的金属化层21上并通过焊料与焊接陶瓷2焊接，其中所述导体1与焊接陶瓷2接触面的表面或者焊接陶瓷2与导体接触面的表面开设有释放空隙3，如图2-4所示。
相较于现有的技术，本实用新型通过在导体1与焊接陶瓷2接触面的表面或者焊接陶瓷2与导体1接触面的表面开设有释放空隙3，在焊接的过程中导体1与焊接陶瓷2所产生的应力、以及焊料产生的气泡和气体等物质在通过释放空隙向外和向内两个方向都得到了有效的释放，这样得以解决两个构件之间的应力释放不彻底问题，以及焊接解决焊料的浸润问题，和焊接牢固和气密性问题，彻底消除陶瓷崩裂的危险，增加焊接强度。
作为本实用新型具体的实施方式，所述导体1的焊接面面积小于与焊接陶瓷2表面的金属化层21的面积，且导体1的焊接面均贴合在金属化层21表面。
采用上述方案，通过设置导体1的焊接面面积小于与焊接陶瓷2金属化层21的面积，确保在焊接后，在导体1与焊接陶瓷2的边沿之间形成一个焊料爬坡4，这个焊料爬坡4的作用是增强焊接强度，如图1所示。
作为本实用新型具体的实施方式，所述释放空隙3的宽度小于金属化层21的宽度。
采用上述方案，通过设置释放空隙3的宽度小于金属化层21的宽度，确保在焊接过程中，两个构件的应力都得以释放，彻底消除质量隐患。
焊接后对焊接面的密封性进行测试，并对传统陶瓷焊接结构的焊接面进行测试，经比对，本实用新型的陶瓷焊接结构的焊接泄漏率额为，1*10-7Pa.cm3/s，而传统陶瓷焊接结构的焊接泄漏率额最高只能达到1*10-1Pa.cm3/s。
以上实施方式仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神的前提下，本领域普通工程技术人员对本实用新型的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本实用新型的权利要求书确定的保护范围内。
Claims (3)
1.一种新型陶瓷焊接结构，其特征在于，包括导体和焊接陶瓷，其中焊接陶瓷与导体焊接接触面的表面设置有金属化层，所述导体的焊接面贴合在焊接陶瓷表面的金属化层上并通过焊料与焊接陶瓷焊接，其中所述导体与焊接陶瓷接触面的表面或者焊接陶瓷与导体接触面的表面开设有释放空隙。
2.根据权利要求1所述的新型陶瓷焊接结构，其特征在于，所述导体的焊接面面积小于与焊接陶瓷表面的金属化层的面积，且导体的焊接面均贴合在金属化层表面。
3.根据权利要求1所述的新型陶瓷焊接结构，其特征在于，所述释放空隙的宽度小于金属化层的宽度。
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