CN206098385U - Ic器件用半导体的引线框架 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种IC器件用半导体的引线框架，每个框架单元自上而下具有依次连接的上边角区、载片区、过度区、三根引脚，另有包围连接在三根引脚周围的下边角区。上边角区具有圆形定位孔，载片区与过渡区之间具有锁料孔，下边角区在过度区与三根引脚之间的部分留有切割凹槽。每个框架单元封装后的下边角区更方便切割去除，而且提高了焊接键合的可靠性。
Description
技术领域
本实用新型涉及微电子封装行业使用的引线框架。
背景技术
微电子封装行业经常使用的引线框架，一般由铜材料整体制成，引线框架自上而下具有依次连接在一起的上边角区、载片区、过度区、三根引脚，另有连接或者包围在三根引脚周围的下边角区。载片区供装载电子元器件或IC器件，接着用键合丝将电子元器件与框架的载片区或引脚连接起来（简称键合），然后将电子元器件以及周围的部分框架用塑胶封装起来，最后加多余的边角或过长的引脚减去即成。
发明内容
实用新型目的：
提供一种塑封材料与芯片和框架连接牢固、框架的边角料和多余的塑胶废料容易切割去除的IC器件用半导体的引线框架。
技术方案：
本实用新型提供了一种IC器件用半导体的引线框架，由多个框架单元依次并排连接而成一个整体，每个框架单元自上而下具有依次连接的上边角区、载片区（供装载半导体芯片）、过度区（或称精压区）、三根引脚，另有包围连接在三根引脚周围的下边角区。上边角区具有圆形定位孔，上边角区与载片区之间、载片区与过渡区之间分别具有锁料孔，供封装用塑胶流入填充，保证在封装温度循环变化后，塑胶与载片区凝结牢固不易分离、不易断裂。过度区有折弯形状，使得载片区与三根引脚位于相互平行的两个不同平面。下边角区在过度区与三根引脚之间的部分留有切割凹槽，便于封装完成后对下边角区的切割去除（因为引脚与载片区，尤其是封装片靠得太近，避免切刀刀刃触碰到封装好的塑胶）。
相邻的两个框架单元之间具有塑料流道，供封装半导体芯片和载片区的塑胶流动使用。塑料流道上具有流道孔，便于塑胶凝固后脱模时顶出多余的塑胶废料。相邻的两个框架单元的上边角区之间，具有高出上边角区平面的档料筋，阻挡塑胶流到相邻的框架单元。
框架单元为铜材制成，载片区可不镀银层（减少镀银面积，降低成本），改为过渡区（或及三个引脚）表面镀银层，由键合丝将芯片与过渡区键合连接，以提高芯片电极与引脚的导电性，同时因为芯片与过渡区不在同一平面，可以在温度循环时增加焊接键合的可靠性。而原来芯片与载片区的焊接不够牢固，因为在同一个平面不便于焊接键合操作。
有益效果：
本实用新型中，封装的塑胶壳体与载片区（含半导体芯片）连接牢固，相邻框架单元之间容易分割，每个框架单元封装后的下边角区更方便切割去除。多余的塑胶废料容易脱模除去。而且提高了芯片与框架焊接键合的可靠性。
附图说明
图1是本实用新型的一个俯视图；
图2是图1的左视图；
图中，框架单元（1-上边角区3-载片区；14-过度区；5-引脚；8-下边角区）；10-圆形定位孔；2、9-锁料孔；4-切割凹槽；7-塑料流道；6-流道孔；11-档料筋。
具体实施方式
如图1、2所示的IC器件用半导体的引线框架，由多个框架单元依次并排连接而成一个整体，每个框架单元自上而下具有依次连接的上边角区1、载片区3、过度区14、三根引脚5，另有包围连接在三根引5脚周围的下边角区8，上边角区1具有圆形定位孔10，上边角区1与载片区3之间、载片区3与过渡区14之间分别具有锁料孔9；过度区14有折弯形状，使得载片区3与三根引脚5位于相互平行的两个不同平面。
下边角区8在过度区14与三根引脚5之间的部分留有切割凹槽4，
相邻的两个框架单元之间具有塑料流道7，塑料流道7上具有流道孔6。
相邻的两个框架单元的上边角区1之间，具有高出上边角区1平面0.1-1mm的档料筋11。
Claims (5)
1.一种IC器件用半导体的引线框架，由多个框架单元依次并排连接而成一个整体，每个框架单元自上而下具有依次连接的上边角区、载片区、过度区、三根引脚，另有包围连接在三根引脚周围的下边角区，其特征在于：上边角区具有圆形定位孔，上边角区与载片区之间、载片区与过渡区之间分别具有锁料孔；过度区有折弯形状，使得载片区与三根引脚位于相互平行的两个不同平面。
2.如权利要求1所述的IC器件用半导体的引线框架，其特征在于：下边角区在过度区与三根引脚之间的部分留有切割凹槽。
3.如权利要求1所述的IC器件用半导体的引线框架，其特征在于：相邻的两个框架单元之间具有塑料流道，塑料流道上具有流道孔。
4.如权利要求1或3所述的IC器件用半导体的引线框架，其特征在于：相邻的两个框架单元的上边角区之间，具有高出上边角区平面的档料筋。
5.如权利要求1、2或3所述的IC器件用半导体的引线框架，其特征在于：框架单元为铜材制成，载片区不镀银层，过渡区表面镀有银层。
Priority Applications (1)
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| CN201620939759.0U CN206098385U (zh) | 2016-08-25 | 2016-08-25 | Ic器件用半导体的引线框架 |
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|---|---|---|---|---|
| CN109904081A (zh) * | 2019-01-18 | 2019-06-18 | 深圳赛意法微电子有限公司 | 基于idf引线框架的半导体产品的封装方法 |
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2016
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| CN109904081A (zh) * | 2019-01-18 | 2019-06-18 | 深圳赛意法微电子有限公司 | 基于idf引线框架的半导体产品的封装方法 |
| CN109904081B (zh) * | 2019-01-18 | 2020-11-20 | 深圳赛意法微电子有限公司 | 基于idf引线框架的半导体产品的封装方法 |
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