CN206059338U - 真空集成电子器件 - Google Patents

真空集成电子器件 Download PDF

Info

Publication number
CN206059338U
CN206059338U CN201621269087.3U CN201621269087U CN206059338U CN 206059338 U CN206059338 U CN 206059338U CN 201621269087 U CN201621269087 U CN 201621269087U CN 206059338 U CN206059338 U CN 206059338U
Authority
CN
China
Prior art keywords
chamber
insulation layer
tip portion
extend
insulating barrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201621269087.3U
Other languages
English (en)
Inventor
D·帕蒂
M·S·金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SA
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SA
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SA, STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SA
Application granted granted Critical
Publication of CN206059338U publication Critical patent/CN206059338U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J19/00—Details of vacuum tubes of the types covered by group H01J21/00
    • H01J19/02—Electron-emitting electrodes; Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J21/00—Vacuum tubes
    • H01J21/02—Tubes with a single discharge path
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J21/00—Vacuum tubes
    • H01J21/02—Tubes with a single discharge path
    • H01J21/04—Tubes with a single discharge path without control means, i.e. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J21/00—Vacuum tubes
    • H01J21/02—Tubes with a single discharge path
    • H01J21/06—Tubes with a single discharge path having electrostatic control means only
    • H01J21/10—Tubes with a single discharge path having electrostatic control means only with one or more immovable internal control electrodes, e.g. triode, pentode, octode
    • H01J21/105—Tubes with a single discharge path having electrostatic control means only with one or more immovable internal control electrodes, e.g. triode, pentode, octode with microengineered cathode and control electrodes, e.g. Spindt-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J21/00—Vacuum tubes
    • H01J21/20—Tubes with more than one discharge path; Multiple tubes, e.g. double diode, triode-hexode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/027—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of thin film cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/18—Assembling together the component parts of electrode systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2209/00—Apparatus and processes for manufacture of discharge tubes
    • H01J2209/01—Generalised techniques
    • H01J2209/012—Coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2209/00—Apparatus and processes for manufacture of discharge tubes
    • H01J2209/02—Manufacture of cathodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种真空集成电子器件，具有导电材料的阳极区；阳极区之上的绝缘区；延伸穿过绝缘区并且具有侧壁的腔；以及阴极区。阴极区具有尖端部分，尖端部分在腔内的周边地延伸并且邻近腔的侧壁。阴极区通过倾斜沉积形成，以相对于器件表面的垂线呈30‑60°角实现倾斜沉积。

Description

真空集成电子器件
技术领域
本公开涉及一种改良的真空集成电子器件。
背景技术
众所周知，小型化真空集成电子器件的想法可追溯至1961年。然而，由于它们在处理高电压和高功率时的好的特性，对高速度、高功率远程通信系统的增长的需求最近给出了在微米电子学以及纳米电子学领域研究的新动力。
因此，融合了以上优点以及固态技术优点的设备的可用性将打开用于远距离远程通信、航空航天以及医疗系统的未来市场和产品的新的潜在场景。
不幸地，制造这种设备已经被证明是困难的，特别是关于阴极的形状和表面复合物。具体地，浓缩电场具有足够的强度来通过接通电压产生发射的技术已经在研究，并且具有低功函数、好的化学、热学、机械以及电性质的材料已经在研究。这些材料也必须适用于具有小半径和大展弦比(基圆直径和尖端高度之间的比)的技巧的实现。
通常，这种结构具有圆锥形或角锥形金属微尖阴极。
例如，图1示出具有圆锥状尖端的三极管的结构。图1的三极管包括第一、第二和第三层金属层2、3、4，其被沉积在玻璃衬底1上电介质层5、6分离。。第一金属层2在玻璃衬底1上延伸并且形成阴极；第二金属层3在第一金属层和第三金属层2、4之间延伸并且形成栅极，以及第三金属层4形成阳极。腔8在电介质层5、6中以及在第二金属层3中形成并且并包围尖端9，尖端9从第一金属层2延伸指向第二金属层3。
这里，发射是由栅极-阴极电压引起并且发射的电子被阳极4收集。
该解决方案的制造十分复杂。
如图2中所示出的，另一个已知的解决方案是横向结构，其能够以平面的方式被制造。这里，阳极区10、阴极区11以及两个栅极区12在单个金属层中形成并且被成形以获得电子的被控制的发射。横向结构提供了更简单的制造工艺以及通过光刻的电极的简单成形，但是其以大面积占用和减小的电流密度为代价。
在另一个可能的结构中，如图3中所示出的，电子发射不是从一个小尖端区起源，但是相反，从一个穿孔的薄金属阴极区20的外围边缘14起源。阳极区21和栅极区22与图1中的阳极区和栅极区相似。该解决方案的主要的缺点是大面积占用。
在一个备选结构中，在编号5,463,269的美国专利中公开，真空集成微电子器件是通过在腔中绝缘材料的保形沉积被制造，因此形成了对称的尖端，对称的尖端能够被用作模具来形成微尖阴极。两个电极形成简单的二极管，同时三个、四个或五个电极能够分别形成三极管、四极管和五极管。由于尖端是自对齐于腔的中心，因此它也对齐于电极的中心。然而，上述真空集成微电子器件的制造具有高制造成本并且它的操作特性能够被例如电离辐射和在功率输出处的噪声改变。
MI2013A000897(US 2014/0353576)描述了一种电子发射器件，其中阴极是通过在具有腔的电介质层上沉积金属层形成。在沉积期间，金属材料形成水平部分，水平部分在腔之上突出并且连接以形成尖端。腔的宽度以使金属层不掉入腔中，因此腔被金属层密封。
尽管在很多情况中，该解决方案已经证明是令人满意的，但其不能被使用在所有应用或器件中。事实上，引起电子发射启动的电压非常高，例如，高至20V，对于一些电子应用，该电压太高。另外，该电压远高于在VLSI/ULSI技术中集成的部件的普通阈值电压。因此，期望在普通半导体电压中使用的电压的更好的兼容性。
因此，本公开的目的是提供改进的真空集成电子器件。
实用新型内容
为了至少部分地解决上述和其他问题，本实用新型提供了一种真空集成电子器件，其具有在普通半导体电压中使用的电压的更好的兼容性。
根据本实用新型的一个方面，真空集成电子器件，包括：导电材料的阳极区；在所述阳极区之上的绝缘区；延伸穿过所述绝缘区并且具有侧壁的腔；以及具有尖端部分的阴极区，所述尖端部分在所述腔内周边地延伸并且邻近所述腔的所述侧壁。
根据一个实施例，所述阴极区是金属层，所述金属层包括与所述尖端部分一体的闭合部分，所述闭合部分在所述绝缘区之上延伸并且闭合所述腔，所述尖端部分在所述腔中从所述闭合部分延伸。
根据一个实施例，所述尖端部分具有三角形截面，其具有指向所述阳极区的顶点。
根据一个实施例，所述尖端部分包含多个梢端，所述多个梢端均具有总体上为半锥形的形状以及指向所述阳极区的尖端。
根据一个实施例，所述尖端部分仅有两个梢端。
根据一个实施例，所述尖端部分沿所述腔的所述侧壁环绕地延伸并且具有单个梢端。
根据一个实施例，所述绝缘区包括多个绝缘层；所述多个绝缘层被至少一个导电层彼此分离；所述器件还包括侧绝缘层，所述侧绝缘层在所述绝缘区和所述尖端部分之间在所述腔的所述侧壁上延伸。
根据一个实施例，所述器件是三极管，并且所述绝缘区包括第一绝缘层和第二绝缘层以及位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的导电栅极层，所述腔延伸穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层以及所述导电栅极层。
根据本实用新型的另一个方面，真空集成电子器件包括：导电材料的阳极区；阴极区；位于所述阳极区和所述阴极区之间的绝缘区；以及延伸穿过所述绝缘区并且具有侧壁的腔，其中所述阴极区具有延伸到所述腔中并且延伸至所述腔的所述侧壁的尖端部分。
根据一个实施例，所述阴极区是金属层，所述金属层包括与所述尖端部分一体的闭合部分，所述闭合部分在所述绝缘区之上延伸并且闭合所述腔，所述尖端部分在所述腔中从所述闭合部分延伸。
根据一个实施例，所述尖端部分具有三角形截面，其具有指向所述阳极区的顶点。
根据一个实施例，所述绝缘区包括多个绝缘层，所述多个绝缘层被至少一个导电层彼此分离，所述器件还包括侧绝缘层，所述侧绝缘层在所述绝缘区和所述尖端部分之间在所述腔的所述侧壁上延伸。
通过本实用新型的真空集成电子器件，能够实现具有在普通半导体电压中使用的电压的更好的兼容性。
附图说明
为理解本公开，现在根据附图，描述仅作为非限制性示例的优选的实施例，其中：
图1是真空微三极管结构的截面图；
图2是备选的真空微三极管结构的俯视图；
图3是另一个备选的真空微三极管结构的截面图；
图4是本电子发射结构的透视示意截面图；
图5是图4的电子发射结构的仰视图；
图6A-6H是图4的电子发射器件的后续制造步骤中半导体晶片的截面图；
图7A和7B是在中间制造步骤中图4的电子发射器件的仰视图；
图8是图4的电子发射器件的俯视图；
图9是本电子发射器件不同实施例的截面图；
图10是本电子发射器件的另一个实施例的截面图；
图11是本电子发射器件又一个实施例的截面图；
图12是图11的电子发射器件的俯视图；以及
图13是本电子发射器件的不同实施例的俯视图。
具体实施方式
图4示意性地示出电子发射结构或阳极50，其包括实现为第一和第二半锥51、52的尖端部分。如也在图5的仰视图中所示出的，半锥51、52在具有圆柱形状的腔54的内侧壁53上形成。因此，电子发射结构50具有第一尖端和第二尖端55、56，其由半锥51、52的顶点形成并且被布置邻近于腔54的侧壁53。
所描述的发射结构50能够生成电场，相对于已知的解决方案，由于两个尖端55、56的非常尖的圆锥形状，电场能够大幅增强。
事实上，当表面电场在大约2×107V/cm-1的范围时，来自金属的电子的显著发射发生。表面电场与应用的栅极电压和场增强因素有关。增强因素依赖于电子发射器的几何结构并且与电子发射器尖端的半径负相关。因此，尖端越尖，电场越强。
如根据图6A-6H所描述的，图4和图5的电子发射结构50可以通过以下工艺步骤被实现。
图6A示出晶片100，晶片100包含衬底101(例如，高掺杂N型硅)，衬底101具有平面表面101A。(例如，二氧化硅的)第一绝缘层102在衬底101的表面101A上生长或沉积。第一绝缘层102的厚度以便其能够抵抗栅极电极(见下文)和硅衬底101之间的电压。例如，对于包括在200nm到600nm之间的腔54的直径，第一绝缘层102的厚度可以被包括在300nm到1500nm之间。
然后，导电层103沉积在第一绝缘层102上。导电层103(例如，非铁磁金属)是高度掺杂的多晶硅或具有高导电率的与真空集成微电子器件的制造兼容的另一个材料。
(例如，二氧化硅的)第二绝缘层104之后沉积在导电层103上。第二绝缘层104的厚度取决于尖端部分51、52的垂直长度(图4)并且可以是例如300nm-900nm之间，因此获得图6A的结构。
此后，图6B，腔54具有侧壁53以及底部105是通过光刻技术，使用选择性各向异性蚀刻形成。如所指示的，腔54是具有圆截面的柱形并且延伸向下至硅衬底101。
此后，图6C，(例如，氮化硅的)绝缘材料106是被保形地沉积在第二绝缘层104、腔105的侧壁53以及底部105上。绝缘材料106的厚度可以是20-100nm。
此后，图6D，覆盖腔54的底部105以及第二绝缘层104的上表面104A的绝缘层106的部分通过各向异性蚀刻被选择性的移除，这样为只留下覆盖腔54的侧壁53的部分，形成垂直绝缘层107。
后续地，图6E，使用金属沉积方法(例如蒸发、喷溅或CVD)，第一半锥51在腔54内形成，。沉积是以倾斜的方式在真空下实现，引起金属元素(例如，钛)的原子以相对于垂直衬底101表面101A的垂直平面(图6E的平行于YZ平面)呈30-60°角来撞击第二绝缘层104和垂直绝缘层107。例如，沉积在10-7-10-5托的压力下实现。因此，第一半锥51在腔54中在垂直绝缘层107上生长(同样见图7A的仰视图)，其第一尖端55指向衬底101的表面101A。同时，金属层108在第二绝缘层104上生长并且在腔54的上边缘积聚。在第一沉积步骤结束时，金属层108可以具有在腔直径的一半到三分之二之间的厚度(例如，100nm-400nm)。
此后，图6F，通过以与图6E金属原子的撞击角度对称的撞击角度(即以图6F的平面YZ对称)实现的沉积步骤，第二半锥52在腔54内形成。所有其他的参数都可以相同。因此，如图7B中所示出的，第二半锥52在第一半锥51前面垂直绝缘层107上形成。因此，第二尖端56形成，指向衬底101的表面101A，并且被粗略地布置在第一尖端55的对面。
同时，随着第二半锥52的形成，金属层108均垂直地并且水平地从腔54的上边缘生长，直到它闭合并且密封后者。因此，作为沉积的副作用，腔54内保留了真空。继续沉积直到金属层108达到500nm的厚度。然后，图6G，金属层108被限定以形成闭合部分57；上绝缘层(例如，氧化硅)110被沉积；并且孔117在上绝缘层110和第二绝缘层104中形成，向下至导电层103。
因此，闭合部分57和半锥51、52是彼此集成的并且形成阴极109。
此后，图6H，充当触点金属层的铝层，沉积在金属层108上和孔117中，形成金属塞118。在备选实施例中，当需要非常小的触点区时，孔可以被另一个材料填充(例如，钨)。在这种情况下，之后“回蚀”步骤被实现以将金属塞118外部的钨移除。如图8中所示出的，之后，铝层被限定来形成阴极触点115和栅极触点116，阴极触点115被电力耦合至阴极109，栅极触点116被电力耦合至金属塞118。另外，以已知的方式(未示出)，阳极触点结构在衬底101下形成。
在切割后，获得电子发射真空三极管120。
如上文所解释的，相对于已知的解决方案，所描述的电子发射真空三极管120能够产生显著增强的电场。
已经由申请人的示出所描述的具有大约2V的启动电压的电子发射真空二极管120的仿真。这个值非常适合用于高功率切换应用并且远低于具有甚至更小尖端半径和栅极孔的之前器件的电压。
归因于结构的自动对齐与IC技术的兼容性，所描述的电子发射真空二极管120也是有利的。另外，因为金属层108形成阴极和阴极电极，所描述的结构非常致密。阴极和阴极电极的通过单个金属层的这种实现，允许实现高集成密度。电子发射真空二极管120还具有低阈值。
在本真空电子发射器件的另一个实施例中，如图9中所示出的，尖端部分形成作为单电子发射结构122，单电子发射结构122实质上在腔54的侧壁53的整个圆周表面上延伸。
单电子发射结构122可以在(例如)通过绕其轴旋转晶片100的单沉积步骤期间形成，因此引起金属原子(例如，钛)在腔54的整个周围上撞击。所有其它参数可以与上文讨论的相同。
因此，电子发射结构122具有指向腔54底部的圆周尖端123。而且这里，类似于图6H的实施例，闭合部分57在腔54的上边缘之上延伸，并且密封腔54。
本真空集成电子器件也可以实现作为二极管、四极管、五极管。
例如，图10示出二极管150。这里，腔54仅延伸穿过第一层绝缘层102。
图11示出四极管155。这里，第二导电层156在第二绝缘层104上沉积，并且在其上，第三绝缘层157沉积。另外，第一金属塞118连接第一导电层103，并且第二金属塞158连接第二导电层156至四极管155的表面。图12示出至四极管155的导电部分的触点结构。
图13示出作为热三极管160实现的真空集成电子器件的触点结构。热三极管160具有与图11的四极管155相同的截面结构。这里，形成金属路径161来耦合第二导电层115至金属加热器(未示出)。金属路径161在相对的部分接触导电层103。通过合适地偏置金属路径161，电流流动通过导电层104，导电层104充当电阻器加热。
所有的上述实施例共享上述的优点，并且具有通过尖端55、56或圆周尖端123产生的增强电场。
最后，应清楚，很多变体和修改可以实现为这里所描述和图示的器件，所有变体和修改都属于本实用新型的范围。
例如，通过添加另一个绝缘层和另一个导电层以及相关触点，真空集成电子器件也可是五极管。
真空集成电子器件的尖端部分可以是不同的材料，例如钼、锌、锶、铈、钕。
以上描述的各种实施例能够被组合来提供另外的实施例。根据以上的详细描述，实施例可发生这些变化和其他变化。总之，在以下权利要求中，使用的术语不应该被解释来限制权利要求为在说明书和权利要求中公开的具体实施例，而应该被解释为包含根据此权利要求授权的等价物的全部范围的所有可能的实施例。相应地，权利要求不被本公开限制。

Claims (12)

1.一种真空集成电子器件，其特征在于，包括：
导电材料的阳极区；
在所述阳极区之上的绝缘区；
延伸穿过所述绝缘区并且具有侧壁的腔；以及
具有尖端部分的阴极区，所述尖端部分在所述腔内周边地延伸并且邻近所述腔的所述侧壁。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述阴极区是金属层，所述金属层包括与所述尖端部分一体的闭合部分，所述闭合部分在所述绝缘区之上延伸并且闭合所述腔，所述尖端部分在所述腔中从所述闭合部分延伸。
3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述尖端部分具有三角形截面，其具有指向所述阳极区的顶点。
4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述尖端部分包含多个梢端，所述多个梢端均具有总体上为半锥形的形状以及指向所述阳极区的尖端。
5.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，所述尖端部分仅有两个梢端。
6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述尖端部分沿所述腔的所述侧壁环绕地延伸并且具有单个梢端。
7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述绝缘区包括多个绝缘层；所述多个绝缘层被至少一个导电层彼此分离；所述器件还包括侧绝缘层，所述侧绝缘层在所述绝缘区和所述尖端部分之间在所述腔的所述侧壁上延伸。
8.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件是三极管，并且所述绝缘区包括第一绝缘层和第二绝缘层以及位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的导电栅极层，所述腔延伸穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层以及所述导电栅极层。
9.一种真空集成电子器件，其特征在于，包括：
导电材料的阳极区；
阴极区；
位于所述阳极区和所述阴极区之间的绝缘区；以及
延伸穿过所述绝缘区并且具有侧壁的腔，其中所述阴极区具有延伸到所述腔中并且延伸至所述腔的所述侧壁的尖端部分。
10.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述阴极区是金属层，所述金属层包括与所述尖端部分一体的闭合部分，所述闭合部分在所述绝缘区之上延伸并且闭合所述腔，所述尖端部分在所述腔中从所述闭合部分延伸。
11.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述尖端部分具有三角形截面，其具有指向所述阳极区的顶点。
12.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述绝缘区包括多个绝缘层，所述多个绝缘层被至少一个导电层彼此分离，所述器件还包括侧绝缘层，所述侧绝缘层在所述绝缘区和所述尖端部分之间在所述腔的所述侧壁上延伸。
CN201621269087.3U 2015-11-23 2016-09-29 真空集成电子器件 Active CN206059338U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT102015000075586 2015-11-23
ITUB20155820 2015-11-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN206059338U true CN206059338U (zh) 2017-03-29

Family

ID=55359681

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201621269087.3U Active CN206059338U (zh) 2015-11-23 2016-09-29 真空集成电子器件
CN201611048211.8A Active CN106783474B (zh) 2015-11-23 2016-09-29 改良的真空集成电子器件及其制造工艺

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611048211.8A Active CN106783474B (zh) 2015-11-23 2016-09-29 改良的真空集成电子器件及其制造工艺

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9754756B2 (zh)
EP (1) EP3171387B1 (zh)
CN (2) CN206059338U (zh)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0799666B2 (ja) 1990-07-18 1995-10-25 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 集積真空超小型電子素子の製造方法及びその構造
US5140219A (en) 1991-02-28 1992-08-18 Motorola, Inc. Field emission display device employing an integral planar field emission control device
DE69331709D1 (de) * 1993-01-19 2002-04-18 Leonid Danilovic Karpov Feldeffekt-emissionsvorrichtung
JP2000057940A (ja) * 1998-08-10 2000-02-25 Yamaha Corp 電界放射型素子及びその製造方法
RU2332745C1 (ru) 2006-11-22 2008-08-27 Геннадий Яковлевич Красников Вакуумный интегральный микроэлектронный прибор и способ его изготовления
JP2011258470A (ja) * 2010-06-10 2011-12-22 Canon Inc 電子放出素子およびそれを用いた画像表示装置ならびに放射線発生装置および放射線撮像システム
ITMI20130897A1 (it) * 2013-05-31 2014-12-01 St Microelectronics Srl Dispositivo microelettronico a vuoto integrato e relativo metodo di fabbricazione.

Also Published As

Publication number Publication date
EP3171387A1 (en) 2017-05-24
EP3171387B1 (en) 2022-11-30
CN106783474A (zh) 2017-05-31
US9754756B2 (en) 2017-09-05
CN106783474B (zh) 2019-03-29
US20170148604A1 (en) 2017-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN203932001U (zh) 集成真空微电子器件
CN106170858B (zh) 电容器结构
CN104241347B (zh) 半导体装置
CN105097471B (zh) 具有掺杂的中间层的金属-半导体接触件结构
CN204516775U (zh) 肖特基二极管
CN105321996A (zh) 半导体装置
CN109904166B (zh) 三维存储器及形成三维存储器的方法
CN206059338U (zh) 真空集成电子器件
CN107810559A (zh) 具有高的电子可运动性的晶体管
CN105097390B (zh) 集成真空微电子结构及其制造方法
CN110277348B (zh) 一种半导体tsv结构的制造工艺方法及半导体tsv结构
CN113725299A (zh) 一种无结型自耗尽晶体管及其制备方法
CN106098627A (zh) 带有完全自对准的发射极-硅的BiMOS器件及其制造方法
CN105529332B (zh) 一种解码型垂直栅3d nand及其形成方法
CN208315547U (zh) 基于bjt的集成电路抗静电转接板
CN108109989A (zh) 集成电路转接板
CN108109996A (zh) 基于二极管的集成电路抗静电转接板及其制备方法
CN108321155A (zh) 基于bjt的集成电路抗静电转接板
CN108109959A (zh) 基于bjt的集成电路抗静电转接板及其制备方法
TWI566421B (zh) 垂直式二極體及其製造方法
CN102376758A (zh) 绝缘栅双极晶体管、制作方法及沟槽栅结构制作方法
CN108109961A (zh) 基于二极管的集成电路抗静电转接板及其制备方法
CN108206135A (zh) 一种沟槽型igbt及其制造方法和电子装置
CN106449418A (zh) 一种获得清洁沟槽侧壁的方法

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant