CN205920296U - 阵列基板及包含其的显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种阵列基板及包含其的显示面板，阵列基板包括显示区域和包围显示区域的非显示区域；阵列基板包括基板、设置于基板之上的第一绝缘层；非显示区域包括连通的第一边框区域和第二边框区域；其中，第一绝缘层在第一边框区域设置有第一通槽，第一绝缘层在第二边框区域设置有第二通槽，第一通槽与第二通槽连通；第一通槽的侧壁与底壁呈第一夹角，第二通槽的侧壁与底壁呈第二夹角，第一夹角的角度不小于第二夹角的角度；阵列基板还包括设置在第一边框区域的第一金属层，第一金属层中包括多条信号线。本申请实施例的方案，既实现了阻断外界水汽侵入显示区域的路径，又可以改善在形成信号线时曝光失败或刻蚀失败而引起的信号线短路。

Description

阵列基板及包含其的显示面板

技术领域

本公开一般涉及显示技术，具体涉及触控显示技术，尤其涉及一种阵列基板及包含其的显示面板。

背景技术

现有自容内嵌式触控结构的触控显示面板，其显示信号和触控信号由同一个集成电路生成。图1示出了现有自容内嵌式触控结构的显示面板的阵列基板的俯视示意图。如图1所示，阵列基板100包括显示区AA、位于显示区AA周围的非显示区11以及位于非显示区11的集成电路IC。

集成电路IC与显示区AA的漏/源极连接的数据线的引出区域S1和集成电路IC与显示区的触控电极连接的触控信号线的引出区域S2有交叠区域。其中，数据线用于向显示面板的漏/源极输送集成电路产生的显示信号。触控信号线用于向显示面板的触控电极输送触控驱动信号。为了防止数据线和触控信号线之间短路，数据线和触控信号线不同层设置。同时，由于不同层设置的数据线和触控信号线之间有绝缘层，因此，不同层设置的数据线和触控信号线容易形成耦合电容。而耦合电容会加大显示面板的负载。为了减少信号线和触控信号线之间的耦合电容，可以在数据线和触控信号线之间设置比较厚的有机膜层，触控信号线设置在有机膜层的上方。

另外，为了阻断水汽进入显示区AA，可以在阵列基板100的非显示区11中对上述有机膜层进行挖槽。现有技术中，为防止触控信号线由于曝光失败或刻蚀失败而引起触控信号线短路，通常对不包括触控信号线的非显示区域中的有机膜层进行挖槽，而对包括触控信号线的非显示区域中的有机膜层部分不挖槽。图1中110为不包括触控信号线的非显示区域中的有机膜层的挖槽在阵列基板的投影。但是，由于触控信号线相对应的有机膜层不挖槽，如图1所示，水汽12容易通过有机膜层进入阵列基板100的显示区AA，引起包括该阵列基板的触控显示面板可靠性变差。

实用新型内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种阵列基板及包含其的显示面板，旨在解决现有技术中存在的至少一个技术问题。

本申请一方面提供了一种阵列基板，包括显示区域和包围显示区域的非显示区域；阵列基板包括基板、设置于基板之上的第一绝缘层；非显示区域包括连通的第一边框区域和第二边框区域；其中，第一绝缘层在第一边框区域设置有第一通槽，第一绝缘层在第二边框区域设置有第二通槽，第一通槽与第二通槽连通；第一通槽的侧壁与底壁呈第一夹角，第二通槽的侧壁与底壁呈第二夹角，第一夹角的角度不小于第二夹角的角度；阵列基板还包括设置在第一边框区域的第一金属层，第一金属层中包括多条信号线。

本申请第二方面提供了一种显示面板，显示面板包括上述阵列基板。

本申请实施例提供的方案，通过在阵列基板的非显示区域设置有触控信号线的第一边框区域的有机膜层中设置第一通槽，其中第一通槽的侧壁和底壁所成夹角不小于其他部分的非显示区域中的有机膜层中的第二通槽的侧壁和底壁之间的夹角，既实现了阻断外界水汽通过有机膜层侵入显示区域的路径，又可以改善在形成触控信号线的光刻工艺时曝光失败或刻蚀失败而引起的触控信号线短路。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1示出了现有的阵列基板中显示区域、非显示区域以及位于非显示区域开槽和集成电路的相对位置关系；

图2示出了示出了本申请阵列基板的俯视示意图；

图3示出了图2所示阵列基板的第一边框区域沿CC’方向的截面示意图；

图4示出了图3所示的第一通槽的放大示意图；

图5示出了图2所示阵列基板的第二边框区域沿DD’方向的截面示意图；

图6示出了图5所示的第二通槽的放大示意图；

图7示出了图2所示阵列基板的第一边框区域沿EE’方向的截面示意图；

图8示出了本申请阵列基板的显示区AA的俯视示意图；

图9示出了本申请显示面板的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关实用新型，而非对该实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与实用新型相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

请参考图2，图2示出了本申请阵列基板的俯视示意图。如图2所示，阵列基板200包括显示区域AA和显示区域AA周围的非显示区域，也就是说非显示区域包围显示区域AA。非显示区域可以包括第一边框区域21和第二边框区域。其中，第一边框区域21和第二边框区域连通共同构成非显示区域。

如图2所示，第一边框区域21设置在显示区域AA的一侧，第二边框区域和第一边框区域21形成显示区域AA外侧的非显示区域，也就是说第一边框区域21和第二边框区域将显示区域AA包围。

在本实施例的一些可选实现方式中，显示区域AA为矩形，第二边框区域包括设置在第一边框区域21对侧的第一区域221，设置于第一边框区域21相邻侧的第二区域222和第三区域223。

可选地，可以在第一边框区域21中设置集成电路IC，集成电路IC用于在显示时向数据线提供显示信号，集成电路IC还用于在触控时，提供触控驱动信号以及接收触控检测信号。

在本实施例中，阵列基板200的非显示区域中形成有开槽。开槽包括形成在第一边框区域21中的第一通槽和形成在第二边框区域中的第二通槽。图2中的211和224分别为第一通槽和第二通槽向阵列基板200所在平面的正投影。

结合图3和图5，图3示出了图2所示阵列基板的第一边框区域沿CC’方向的截面示意图；图5示出了图2所示阵列基板的第二边框区域沿DD’方向的截面示意图；如图3、图5所示，阵列基板包括基板201、设置于基板201之上的第二金属层202、设置与第二金属层202之上的第二绝缘层203、设置在第二绝缘层203之上的第一绝缘层204。如图3所示，与第一边框区域对应的阵列基板区域还包括设置在第一绝缘层204之上的第一金属层205。可以理解的是，在第一金属层205之上通常还设置有一层对第一金属层205具有保护作用的绝缘层。

如图3和图5所示，在第一绝缘层204中设置有对应于第一边框区域的第一通槽211和对应于第二边框区域的第二通槽224。图4示出了图3所示的第一通槽的放大示意图。如图4所示，第一通槽211包括两个侧壁K2和K2’和一个底壁K1，其中侧壁K2和K2’分别与底壁K1之间的夹角相等。假设侧壁K2’和底壁K1之间的夹角为第一夹角T1。

如图6所示，其示出了图5所示第二通槽的放大示意图。在图6中，第二通槽224包括两个侧壁J2和J2’以及一个底壁J1。其中侧壁J2和J2’分别与底壁J1之间的夹角相等。假设侧壁J2’和底壁J1之间的夹角为第二夹角T2。

结合图3至图6，第一夹角T1越小，也即第一通槽211的侧壁K2和侧壁K2’的坡度(坡度是指侧壁与底壁所在平面之间所成的锐角)越大。当第一夹角T1比较小时，也即第一通槽211的侧壁K2和K2’的坡度较大时，在第一绝缘层上形成第一金属层时，在上述第一金属层上使用现有光刻工艺形成信号线时，由于侧壁K2、K2’分别与底壁K1的交界处及附近的金属堆积引起曝光不足或曝光失败而造成信号线短路的不良发生率较高。例如在第一夹角T1小于150°时，也即第一通槽211的侧壁K2和K2’的坡度大于30°时，由于上述原因引起的信号线短路的不良发生率远高于30％。无法满足批量生产显示面板的良率需求。当第一夹角T1越大，也即第一通槽211的侧壁K2和K2’的坡度越小时，在第一绝缘层之上形成第一金属层的工艺过程中，在第一通槽211侧壁K2、K2’分别与底壁K1的交界处及附近越不容易产生金属堆积。

在本实施例中，可以将第一通槽211的侧壁K2和底壁K1之间的夹角第一夹角T1设置成不小于第二通槽224的侧壁J2和底壁J1之间的夹角第二夹角T2。也就是说第一夹角T1可以大于第二夹角T2。当第一夹角T1大于第二夹角T2时，第一通槽211侧壁K2与K2’的坡度比第二通槽224侧壁J2与J2’的坡度较缓和，这样，可以改善在第一绝缘层之上形成第一金属层时，在第一通槽211侧壁K2、K2’分别与底壁K1的交界处及附近的金属堆积现象，从而降低后续使用曝光工艺在第一金属层上形成信号线时由于金属堆积引起曝光不足或曝光失败而造成的信号线短路的发生率。

另外，当第一夹角T1在155°～180°之间时，由于形成金属层时的金属堆积而引起后续曝光不足或曝光失败而造成信号线短路的不良发生率在可以接受的范围之内。当第一夹角T1等于155°时，也即第一通槽211的侧壁K2和K2’的坡度等于25°时，在现有光刻工艺条件下，由于上述原因引起的信号线短路的发生率约为2％左右；当第一夹角等于165°时，也即第一通槽211的侧壁K2和K2’的坡度等于15°时，在现有光刻工艺条件下，由于上述原因引起的信号线短路的发生率约为0.01％。也就是说，当第一夹角T1满足155°≤T1<180°时，也即第一通槽211的侧壁K2和K2’的坡度在0°～25°之间时，可以比较好的解决由于形成金属层时金属堆积而引起曝光不足或曝光失败造成的信号线短路的问题。

可以理解的是，也可以将图5与图6所示的第二通槽224的侧壁J2与J2’时间的第二夹角T2设置成与第一夹角T1相等，也即可以将第二夹角T2设置在155°≤T1<180°之间。

在本实施例的一些可选实现方式中，第一通槽211的开口宽度K4大于或等于第二通槽224的开口宽度J4。其中开口宽度为通槽的两个侧壁向阵列基板所在平面的正投影之间的最大距离。假设第一通槽211的底壁的宽度与第二通槽224的底壁的宽度相等，当第一通槽211的开口宽度K4大于第二通槽224的开口宽度J4时，第一通槽211侧壁K2与K2’的坡度比第二通槽224侧壁J2与J2’的坡度较缓和，这样，可以改善在第一绝缘层之上形成第一金属层时，在第一通槽211侧壁K2、K2’分别与底壁K1的交界处及附近的金属堆积现象，进而改善后续使用曝光工艺在第一金属层上形成信号线时由于金属堆积引起曝光不足或曝光失败而造成的信号线短路不良。

在本实施例的一些可选的实现方式中，如图3和图5所示，第一通槽211的底壁K1和第二通槽224的底壁J1与第二绝缘层203与第一绝缘层204接触的表面位于同一水平面。也就是说，第一通槽211和第二通槽224的底壁为第二绝缘层203靠近第一绝缘层204的表面的一部分。也即第一通槽211和第二通槽224的深度为第一绝缘层204的厚度。在本实施例的一些可选实现方式中，第一绝缘层204材料为有机化合物，也就是说，第一绝缘层204为有机膜层。第一绝缘层204设置为有机膜层，可以有效降低第一金属层205和第二金属层202之间的耦合电容。

在本实施例的一些可选实现方式中，第二绝缘层203的材料可以为无机化合物，例如，氮化硅(SiNx)。也就是说，第二绝缘层203为无机膜层。无机化合物的结构比较致密，水汽不容易通过。这样，由于在第一绝缘层204中设置第一通槽211和第二通槽224，水汽由外界侵入部分有机膜层204后经过第一通槽211和第二通槽224进入到无机膜层，水汽进一步侵入到显示区域的路径被第二绝缘层203切断，提高了包含该阵列基板的显示面板的可靠性。

在本实施例中，如图7所示，其示出了图2所示阵列基板的第一边框区域沿EE’的截面示意图，在图7中，第一金属层205中形成有多条信号线23。在图7中所示的信号线23与第一通槽的底壁接触；另外，信号线还可以与第一通槽的侧壁接触，也就是说信号线不是与第二绝缘层接触，而是与形成第一通槽侧壁的有机膜层接触。每条信号线23由第一边框区域延伸至显示区域。

在本实施例的一些可选实现方式中，如图3和图5所示，第二通槽224底壁的宽度J3小于或者等于第一通槽211底壁的宽度K3，也就是说，第一通槽211的底壁的宽度K3可以大于第二通槽224底壁J3的宽度。当将第一通槽211底壁的宽度K3设置成大于第二通槽224底壁的宽度J3时，第一通槽211的两个侧壁之间的距离加大，这样，在第一绝缘层204上形成第一金属层205时，在第一通槽211的两个侧壁分别与底壁的交界处以及附近所产生金属层堆积不容易交叠在一起，降低后续光刻工艺的对较厚金属层的曝光不足或曝光失败的几率。另外，通槽的底壁的宽度越宽，对水汽阻断的作用越大。第一通槽211的底壁的宽度K3的设置可以根据综合考虑对水汽的阻断的需要、光刻工艺条件以及对第一金属层205以及第二金属层202之间耦合电容的要求来进行设置。可选的，也可以将第二通槽224底壁的宽度J3设置成与第一通槽211的底壁的宽度K3相同。当第二通槽224底壁的宽度J3与第一通槽211的底壁的宽度K3相同时，可以使用相同的工艺条件形成第一通槽211和第二通槽224，简化了形成第一通槽211和第二通槽224的工艺。

请继续参考图8，其示出了本申请阵列基板的显示区AA的俯视示意图。如图8所示，在阵列基板的显示区域AA中设置有多个触控电极24，其中多个触控电极24呈阵列排布。图7中所示的第一金属层205中的信号线23可以为触控信号线。每一个触控电极24与其相对应的触控信号线23延伸至显示区域AA的一端电连接。触控信号线23的另一端与设置在第一边框区域的集成电路电连接。多个触控电极在触控阶段可以为触控电极，在图像显示阶段上述多个触控电极可以复用为公共电极。

在本实施例的一些可选实现方式中，如图7所示，设置在第二绝缘层203和基板201之间的第二金属层202中形成有多条数据线22，每条数据线22与设置在第一边框区域的集成电路连接以接收集成电路发送的显示信号。

可以理解的是，本申请阵列基板还包括一些公知结构，例如，形成阵列基板上的多个像素单元，为了不必要地模糊本公开的实施例，这些公知的结构未在本实施例中给出说明。

本申请还提供一种显示面板，请参考图9，其示出了本申请显示面板的结构示意图。如图9所示，本申请显示面板包括上述的阵列基板200，与上述阵列基板200相对设置的彩膜基板300，设置在阵列基板200与彩膜基板300之间的液晶层L以及设置在阵列基板与彩膜基板之间的间隔柱P。

以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的实用新型范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述实用新型构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (12)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括显示区域和包围所述显示区域的非显示区域；

所述阵列基板包括基板、设置于所述基板之上的第一绝缘层；

所述非显示区域包括连通的第一边框区域和第二边框区域；

其中，所述第一绝缘层在所述第一边框区域设置有第一通槽，所述第一绝缘层在所述第二边框区域设置有第二通槽，所述第一通槽与所述第二通槽连通；

所述第一通槽的侧壁与底壁呈第一夹角，所述第二通槽的侧壁与底壁呈第二夹角，所述第一夹角的角度不小于所述第二夹角的角度；

所述阵列基板还包括设置在所述第一边框区域的第一金属层，所述第一金属层中包括多条信号线。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括集成电路，所述集成电路设置在所述第一边框区域；

多条所述信号线与所述集成电路电连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一边框区域设置在所述显示区域的一侧，所述第二边框区域包括设置于所述第一边框区域对侧的第一区域、设置于所述第一边框区域相邻侧的第二区域和第三区域。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一夹角的角度大于155°，小于180°。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二通槽底壁的宽度小于或者等于所述第一通槽底壁的宽度。

6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一通槽 的开口宽度大于或等于所述第二通槽的开口宽度。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层设置在所述第一绝缘层之上，所述信号线与所述第一通槽的底壁或者所述第一通槽的侧壁相接触。

8.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述信号线为触控信号线；

所述阵列基板的所述显示区包括阵列排布的多个触控电极，每个所述触控电极与其相对应的所述触控信号线的一端电连接；

所述触控信号线的另一端与所述集成电路电连接；

其中，所述多个触控电极复用为公共电极。

9.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

所述阵列基板还包括设置在所述基板与所述第一绝缘层之间的第二绝缘层；以及

设置在所述基板与所述第二绝缘层之间的第二金属层；

所述第二金属层上形成有多条数据线；

所述数据线与所述集成电路电连接。

10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层材料为有机化合物。

11.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘层材料为无机化合物。

12.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1-11任意一项所述的阵列基板。