CN205398461U - 镀膜设备的下极板结构及镀膜设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种镀膜设备的下极板结构及镀膜设备，所述下极板结构包括用于承载待镀膜基板的基板承载板；在所述基板承载板上设置有用于对待镀膜基板进行对位的对位结构，所述对位结构包括用于容置待镀膜基板，以对待镀膜基板进行对位的对位区。本实用新型提供的下极板结构能够保证玻璃每次落放在下极板的位置固定，因下极板独自能够实现对位功能，对下极板的位置要求降低，能够有效减少玻璃传送机械手的停机时间，提高整体设备稼动率。

Description

镀膜设备的下极板结构及镀膜设备

技术领域

本实用新型涉及面板制造技术领域，尤其涉及一种镀膜设备的下极板结构及镀膜设备。

背景技术

在液晶面板、薄膜太阳能的生产工艺中，通常会采用PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积法)设备来进行镀膜工艺。本技术可以使用在液晶显示器制造的阵列(Array)工艺技术和薄膜太阳能电池制造领域，主要用在沉积非晶硅、氮化硅、氧化硅等膜层的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备上。

在液晶面板制造工艺中，采用PECVD镀膜设备进行镀膜工艺时，玻璃基板由机器人手臂送入到基台(Susceptor)上，在基台上分布有若干的通孔，在通孔内设置有支撑杆(Pin)。玻璃基板与基台接触之前，支撑杆伸出基台表面，由支撑杆来托起玻璃基板；支撑杆保持不动，基台上升，玻璃基板即与基台接触。

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备上，进行镀膜工艺的腔体中，下极板(Susceptor)是非常重要的备件。TFT-LCD制造工艺中，需要镀膜的玻璃是平放在下极板上，但因每次玻璃平放的位置发生变化，导致玻璃四边没法进行镀膜工艺，使玻璃整体面积有效利用率降低。

以下对传统的PECVD设备所存在的问题进行说明：

每次玻璃在下极板的位置发生变化，因为大量量产的过程中，一张玻璃需要进入到多个设备进行多次的工艺，但因每个设备状态及设备不一样，导致进入PECVD设备之前每张玻璃的位置不一样。图1是PECVD设备的结构示意图，为了矫正玻璃歪斜现象，PECVD设备本身装载单元11中具有玻璃对位等结构，但因该装载单元11需要对应5个沉积腔体12，传送单元13上对位的位置不能全部满足5个沉积腔体12的条件，因5个沉积腔体12中下极板的位置不同，导致从一个装载单元11里送进来的玻璃难于满足严格的要求。经过设备精密的调整及设定，还能满足一些基本位置不变的功能，但其误差范围在±5mm；在现有的PECVD设备中，因存在每个下极板上玻璃位置的不一定性，导致玻璃上镀膜区域减少，没法有效利用整个玻璃面积；此外，实际生产使用设备中，为了满足严格的玻璃位置情况，需要对下极板位置的准确性提出了更好的要求，因此导致每次设备维护之后恢复之前，调整下极板与玻璃传送的玻璃机械手之间的位置。如图1所示，PECVD设备的中间机械手传送单元13负责向各镀膜工艺腔体12传送玻璃，该部分发生停机时，导致整体设备发生停机情况。为了校准机械手与某一个工艺腔体内下极板的位置，需要对机械手停机，影响了工作效率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种镀膜设备的下极板结构及镀膜设备，能够保证玻璃每次落放在下极板的位置固定，因下极板独自能够实现对位功能，对下极板的位置要求降低，能够有效减少玻璃传送机械手的停机时间，提高整体设备稼动率。

本实用新型所提供的技术方案如下：

一种镀膜设备的下极板结构，包括用于承载待镀膜基板的基板承载板；在所述基板承载板上设置有用于对待镀膜基板进行对位的对位结构，所述对位结构包括用于容置待镀膜基板，以对待镀膜基板进行对位的对位区。

进一步的，所述对位结构包括：能够围设于待镀膜基板的四周外侧，以对待镀膜基板进行对位的框架结构，所述框架结构的中部中空而形成所述对位区。

进一步的，所述框架结构包括分别设置在所述基板承载板的四周的四个边框。

进一步的，所述框架结构中部中空的对位区的内侧壁在靠近所述基板承载板的部分为垂直于所述基板承载板的承载面的平面结构。

进一步的，所述框架结构中部中空的中空对位区的内侧壁在远离所述基板承载板的承载面的部分为能够引导待镀膜基板进入由所述平面结构限定的区域内的引导面结构。

进一步的，所述引导面结构为斜面结构，所述斜面结构包括靠近所述对位区中心的第一端和远离所述对位区中心的第二端，其中所述斜面结构自所述第二端至所述第一端逐渐向靠近基板承载板的方向倾斜。

进一步的，所述基板承载板的承载面上设有多个吹气孔，所述吹气孔均匀分布在所述基板承载板的承载面上所述对位区所对应的位置。

进一步的，所述框架结构为陶瓷材质的陶瓷框架。

进一步的，所述基板承载板上的承载面上还设置有能够升降的多个支撑杆，且多个支撑杆的支撑高度从所述基板承载板的一侧至另一侧逐渐增大。

一种镀膜设备，包括如上所述的下极板结构。

进一步的，所述镀膜设备还包括遮挡板，其中所述遮挡板在所述基板承载板的承载面上的正投影位于所述对位结构的对位区之外。

本实用新型的有益效果如下：

本实用新型所提供的镀膜设备的下极板结构，能够保证待镀膜基板每次落放在下极板的位置固定，待镀膜基板的边缘覆盖区域减少，扩大待镀膜基板镀膜面积，待镀膜基板面积使用率提高，使生产TFT的工厂设计产品时，产品的种类增加，相同玻璃上产出的产品尺寸变大，增加公司利润；此外，本实用新型所提供的镀膜设备的下极板结构，可以取消待镀膜基板边缘覆盖的情况，使覆盖物与待镀膜基板没有接触点，从而从根本上消除该原因导致的待镀膜基板破碎情况；此外，本实用新型所提供的镀膜设备因下极板独自能够实现对位功能，对下极板的位置要求降低，能够有效减少待镀膜基板传送机械手的停机时间，提高整体设备稼动率。

附图说明

图1表示现有技术中PECVD设备的结构示意图；

图2表示现有技术中PECVD设备中沉积腔体中下极板与玻璃的相对位置示意图；

图3表示现有技术中PECVD设备中沉积腔体中玻璃下降至下极板的示意图；

图4表示本实用新型提供的PECVD设备中沉积腔体中下极板结构的结构示意图；

图5表示本实用新型提供的下极板结构的对位结构的结构示意图；

图6表示本实用新型提供的下极板结构在玻璃下降时的示意图；

图7表示本实用新型提供的下极板结构上分布吹气孔的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例的附图，对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

针对现有技术中PECVD设备中镀膜的玻璃是平放在下极板上，但因每次玻璃平放的位置发生变化，导致玻璃四边没法进行镀膜工艺，使玻璃整体面积有效利用率降低的技术问题，本实用新型提供了一种镀膜设备的下极板结构，其能够保证待镀膜基板每次落放在下极板的位置固定，待镀膜基板的边缘覆盖区域减少，扩大待镀膜基板镀膜面积，待镀膜基板面积使用率提高。

如图4所示，本实用新型所提供的一种镀膜设备的下极板结构，包括用于承载待镀膜基板10的基板承载板100；在所述基板承载板100上设置有用于对待镀膜基板10进行对位的对位结构200，所述对位结构200包括用于容置待镀膜基板10，以对待镀膜基板10进行对位的对位区。

上述方案中，通过在镀膜设备的下极板结构上设置对位结构200，利用所述对位结构200的对位区在镀膜时对待镀膜基板10进行对位，使得待镀膜基板10每次落放在下极板的位置固定，待镀膜基板10的边缘覆盖区域减少，扩大待镀膜基板10镀膜面积，待镀膜基板10面积使用率提高，使生产TFT的工厂设计产品时，产品的种类增加，相同玻璃上产出的产品尺寸变大，增加公司利润；此外，本实用新型所提供的镀膜设备的下极板结构，可以取消待镀膜基板10边缘覆盖的情况，使覆盖物与待镀膜基板10没有接触点，从而从根本上消除该原因导致的待镀膜基板10破碎情况；此外，本实用新型所提供的镀膜设备因下极板独自能够实现对位功能，对下极板的位置要求降低，能够有效减少待镀膜基板10传送机械手的停机时间，提高整体设备稼动率。

以下说明本实用新型所提供的镀膜设备的下极板结构的优选实施例。

如图7所示，在本实施例中，所述对位结构200包括：能够围设于待镀膜基板10的四周外侧，以对待镀膜基板10进行对位的框架结构，所述框架结构的中部中空而形成所述对位区。

采用上述方案，所述对位结构200利用一中部中空的框架结构来形成，在进行镀膜时，利用框架结构来对待镀膜基板10进行对位，结构简单。应当理解的是，在本实用新型的其他实施例中，所述对位结构200也可以采用其他结构实现，在此不再一一列举。

如图7所示，在本实施例中，优选的，所述框架结构包括分别设置在所述基板承载板100的四周的四个边框。

此外，在本实施例中，如图4和图5所示，所述框架结构中部中空的对位区的内侧壁在靠近所述基板承载板100的部分为垂直于所述基板承载板100的承载面的平面结构201。

上述方案中，所述框架结构的对位区的内侧壁在靠近所述基板承载板100的部分为平面结构201，其可以与待镀膜基板10的四周外缘齐平，而对待镀膜基板10进行对位。

此外，在本实施例中，如图4和图5所示，所述框架结构中部中空的对位区的内侧壁在远离所述基板承载板100的承载面的部分为能够引导待镀膜基板10进入由所述平面结构201限定的区域内的引导面结构202。

采用上述方案，将所述框架结构中部中空的对位区的内侧壁在远离所述基板承载板100的承载面的部分设计为引导面结构202，可以在待镀膜基板10放置在所述基板承载板100上时，引导所述待镀膜基板10进入到由所述框架结构的平面结构201所限定的区域内。

优选的，如图4和图5所示，所述引导面结构202为斜面结构，所述斜面结构包括靠近所述对位区中心的第一端和远离所述对位区中心的第二端，其中所述斜面结构自所述第二端至所述第一端逐渐向靠近基板承载板100的方向倾斜。

在上述方案中，所述引导面结构202采用斜面结构，当待镀膜基板10下落至所述框架结构的过程中，待镀膜基板10在偏移的情况下，所述斜面结构可以引导待镀膜基板10进入到由所述框架结构的所述平面结构201所限定的区域内，从而能够自动进入指定的位置，而对待镀膜基板10进行对位。

需要说明的是，在本实用新型的其他实施例中，所述引导面结构202也可以采用其他结构，例如：弧形引导面结构等，对于所述引导面结构202的具体结构在此不再一一列举。

此外，在本实施例中，所述框架结构为陶瓷材质的陶瓷框架。由于在PECVD设备上进行镀膜工艺时，上极板与下极板之间会产生等离子状态，下极板上除了待镀膜基板10存在的区域外，其他区域若存在金属材质等物质，就容易发生瞬间放电现象，陶瓷的材质可以避免发生瞬间放电效应的产生。

此外，现有的PECVD设备中，所以玻璃下降过程如图3所示，玻璃15在下极板14的支撑杆17支撑下，首先下降玻璃15中间位置，然后向边缘逐渐下降过程。这种下降过程使玻璃歪斜状态下下降后，保持位置不发生变化，并且，下极板表面是平整的，玻璃在落上去之后，因物质的静电等效应，很难再发生左右平移的现象。

为了解决这个问题，需要对玻璃完全与下极板接触之前进行悬空处理，并且悬空的高度控制在1～2mm左右，为了实现悬空的状态，在本实施例中，如图7所示，在所述基板承载板100的承载面上设有多个吹气孔300，所述吹气孔300均匀分布在所述基板承载板100的承载面上所述对位区所对应的位置。通过在基板承载板100的承载面上设置吹气孔300，防止待镀膜基板10由于静电原因而粘附在下极板表面，其中所述吹气孔300的大小、形状、位置及分布情况，可根据实际需求进行设置。

此外，现有的PEVCD设备中，待镀膜基板10的下降过程是如图3所示，先中间部位下降后，再往四边扩散缓慢下降过程。为了更好的使整张待镀膜基板15放置在指定的位置，待镀膜基板15由支撑杆17支撑的状态下，下降到下极板的过程是非常重要。而如图6所示，本实用新型所提供的镀膜设备的所述基板承载板100上的承载面上还设置有能够升降的多个支撑杆400，且多个支撑杆400的支撑高度从所述基板承载板100的一侧至另一侧逐渐增大，如此，如图所示，在待镀膜基板10下降至基板承载板100上时，从待镀膜基板10的一边开始下降，并且保证一个角落先下降，使得待镀膜基板10的一侧边先进入到正确的位置，然后逐渐的往另一边过渡，使得待镀膜基板10的另一侧边再进入到正确的位置。

此外，本实用新型还提供了一种镀膜设备，包括如上所述的下极板结构。

在现有技术中，PECVD设备进行镀膜工艺时，上极板与下极板之间产生等离子状态，下极板上没有待镀膜基板覆盖的区域容易发生离子放电现象，导致等离子状态不稳定，进行的薄膜品质受影响，所以需要设置遮挡板来对无待镀膜基板的区域进行遮挡，但因待镀膜基板位置的不准确性，需要遮挡板遮挡住5mm左右的待镀膜基板10的边缘区域，因此，导致没法有效利用整个待镀膜基板面积，再加上用遮挡板挡住部分区域时，与待镀膜基板的接触点增多，导致在长期的设备运营过程中，遮挡板发生异常情况，接触点状态不好等情况时，发生待镀膜基板10破碎等现象。

而在本实用新型所提供的镀膜设备中，由于在下极板结构中设置了对位结构200，如图4所示，在所述镀膜设备的遮挡板500在所述基板承载板100的承载面上的正投影位于所述对位结构200的对位区之外，也就是说，所述遮挡板500不会覆盖住待镀膜基板10的边缘，因此，可以取消待镀膜基板10边缘被遮挡板500覆盖的情况，避免了上述无法有效利用整个待镀膜基板10面积，且使遮挡板500与待镀膜基板10没有接触点，从而从根本上消除该原因导致的待镀膜基板10破碎的现象。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (11)

1.一种镀膜设备的下极板结构，包括用于承载待镀膜基板的基板承载板；其特征在于，在所述基板承载板上设置有用于对待镀膜基板进行对位的对位结构，所述对位结构包括用于容置待镀膜基板，以对待镀膜基板进行对位的对位区。

2.根据权利要求1所述的下极板结构，其特征在于，

所述对位结构包括：能够围设于待镀膜基板的四周外侧，以对待镀膜基板进行对位的框架结构，所述框架结构的中部中空而形成所述对位区。

3.根据权利要求2所述的下极板结构，其特征在于，

所述框架结构包括分别设置在所述基板承载板的四周的四个边框。

4.根据权利要求3所述的下极板结构，其特征在于，

所述框架结构中部中空的对位区的内侧壁在靠近所述基板承载板的部分为垂直于所述基板承载板的承载面的平面结构。

5.根据权利要求4所述的下极板结构，其特征在于，

所述框架结构中部中空的对位区的内侧壁在远离所述基板承载板的承载面的部分为能够引导待镀膜基板进入由所述平面结构限定的区域内的引导面结构。

6.根据权利要求5所述的下极板结构，其特征在于，

所述引导面结构为斜面结构，所述斜面结构包括靠近所述对位区中心的第一端和远离所述对位区中心的第二端，其中所述斜面结构自所述第二端至所述第一端逐渐向靠近所述基板承载板的方向倾斜。

7.根据权利要求1所述的下极板结构，其特征在于，

所述基板承载板的承载面上设有多个吹气孔，所述吹气孔均匀分布在所述基板承载板的承载面上所述对位区所对应的位置。

8.根据权利要求2所述的下极板结构，其特征在于，

所述框架结构为陶瓷材质的陶瓷框架。

9.根据权利要求1所述的下极板结构，其特征在于，

所述基板承载板上的承载面上还设置有能够升降的多个支撑杆，且多个支撑杆的支撑高度从所述基板承载板的一侧至另一侧逐渐增大。

10.一种镀膜设备，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的下极板结构。

11.根据权利要求10所述的镀膜设备，其特征在于，所述镀膜设备还包括遮挡板，其中所述遮挡板在所述基板承载板的承载面上的正投影位于所述对位结构的对位区之外。