CN204792754U - 半导体封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种半导体封装结构。根据本实用新型一实施例的半导体封装结构包括：芯片，具有设置电子线路的正面及与该正面相对的背面；引脚，藉由引线与芯片连接；塑封壳体，自上遮蔽芯片、引脚及引线；其中芯片的背面及引脚的背面暴露于塑封壳体的下表面，且芯片的背面凹陷于半导体封装结构内。本实用新型的半导体封装结构由于不具有导线框架的基底层，从而降低半导体封装结构的厚度；并且由于芯片的一面暴露在半导体封装结构外，提高了半导体封装结构的散热性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体封装领域，尤其涉及一种半导体封装结构。
背景技术
随着半导体及电子技术的发展，半导体封装结构的厚度越来越薄，集成度越来越高。例如，部分半导体封装结构的厚度已经可以做到0.33mm。鉴于目前的半导体封装结构通常包含导线框架(或基板)、芯片(die)、引线(wire)以及注塑壳体，因此封装结构的厚度与导线框架(或基板)、芯片、引线高度和标刻深度(markingdepth)等均有关系。在这一情形下，0.33mm的半导体封装结构厚度已是目前半导体封装工艺所能做到的极限。
然而市场上仍期待电子产品，例如智能手机可进一步轻薄化，这就给半导体封装技术提出了新的挑战。
实用新型内容
本实用新型的目的之一在于提供一种半导体封装结构，能够使得进一步降低芯片封装结构的厚度。
本实用新型的一实施例提供一半导体封装结构，其包括：具有设置电子线路的正面及与该正面相对的背面的芯片，藉由引线与芯片连接的引脚，及自上遮蔽该芯片、该引脚及该引线的塑封壳体。其中该芯片的背面及该引脚的背面暴露于该塑封壳体的下表面，且该芯片的背面凹陷于该半导体封装结构内。
在一实施例中，芯片的背面的边缘为直角型、倾斜型或者阶梯型，并且芯片的背面的边缘的切割面分别与塑封壳体相接触。封装结构该半导体封装结构的厚度大于等于0.2mm小于0.33mm。
根据本实用新型实施例的半导体封装结构由于去除了导线框架的基底层而进一步降低半导体封装结构的厚度，从而可获得极薄的半导体封装结构。另外，根据本实用新型实施例的半导体封装结构所包含的芯片，如芯片的背面可暴露在半导体封装结构外，可进一步提高半导体封装结构的散热性能。
附图说明
图1-5是根据本实用新型一实施例的半导体封装结构的封装方法的流程示意图；
图6是根据本实用新型一实施例的半导体封装结构30的结构示意图；
图7是根据本实用新型另一实施例的半导体封装结构30的结构示意图；
图8是根据本实用新型又一实施例的半导体封装结构30的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部内容。
鉴于电子产品日益轻薄化的趋势，业内期待更先进的半导体封装结构及其封装方法，其可进一步降低半导体封装结构的厚度，提高半导体封装结构的散热效果。根据本实用新型一实施例的半导体封装方法可实现上述目的，其包括：固化涂覆于芯片背面上的粘结剂；将芯片背面固定于导线框架上，该导线框架包含基底层及设置于基底层上的引脚；引线连接芯片与引脚；注塑而于导线框架上形成遮蔽芯片与引脚及相互间引线的塑封壳体；移除导线框架的基底层；以及移除芯片背面上的粘结剂。
具体的，图1-5演示了根据本实用新型一实施例的半导体封装结构的封装方法的流程示意图。
图1所示是根据本实用新型一实施例所要处理的晶圆11的结构示意图。如图1所示，为提高生产效率，封装前期若干芯片10(参见图2-7)可以矩阵方式排列于一晶圆11上从而可一并处理而非单独处理。在晶圆11的正面(即芯片设置电子线路的一面)上黏贴保护胶带15以防止其被划伤。然后将该晶圆11放置于高速旋转装置13上而在晶圆11背面涂覆粘结剂12。涂覆的粘结剂12可形成胶膜，其厚度约小于20um。粘结剂12为MMA(甲醛丙烯酸甲酯)与PU(聚氨酯)树脂合成的热可塑粘着材料，其是低粘度、光固化，且使用可高温溶剂移除。图2所示即是根据本实用新型一实施例的半导体封装结构封装方法在完成粘结剂12涂覆后的中间产品结构示意图。
涂覆后的粘结剂12需进一步的固化处理，例如可使用能量为75-150mW/cm紫外线照射该粘结剂12达110-150秒。如本领域技术人员所了解的也可使用烤箱烘烤的方式。
固化粘结剂12后即可将各芯片10进行分离。本实施例中，可按照通常的处理方式将晶圆11粘结在切割保护膜上，去掉其正面的保护胶带15，然后送到芯片切割机上进行切割分离。对晶圆11的切割可以通过线性切割、斜切或者梯切的方式进行。采用线性切割，即直接将晶圆11的各个芯片10进行直线分割，以使切割后芯片10的背面100的边缘基本保持直角型(具体可参见图6中所示的芯片61)；采用斜切，即在进行晶圆11的各个芯片10切割时，对芯片10的背面100的边缘进行倾斜切割，以使切割后的芯片10的背面100的边缘为倾斜型(具体可参见图7中所示的芯片71)；而采用梯切，即在进行晶圆11的各个芯片10切割时，将芯片10的背面100的边缘切去一个矩形块，以使切割后的芯片10的背面100的边缘的切割面为阶梯型(具体可参见图8中所示芯片81)。
接着，将切割后的单独芯片10的背面100固定在导线框架22上。图3所示即根据本实用新型一实施例的半导体封装结构封装方法在将芯片10的背面100固定在导线框架22后的中间产品的结构示意图。该芯片10可以是图2中晶圆11上的一者。该导线框架22包含基底层222以及位于该基底层222上的引脚221。具体的，在本实施例，可在100-150℃下以轨道加热方式将芯片10的背面100粘合于导线框架22的基底层222上，在165-180℃下以硬烘烤的方式加热导线框架22及粘合于其上的芯片10达30-60分钟。轨道加热的温度取决于粘结剂12的特性，不同的粘结剂12可能有不同的温度需求。类似的，硬烘烤的方式也可由其它的加热方式代替。该导线框架22可通过电精密成型(ElectroFineForming)方法得到，其基底层222可以是金属板，厚度小于210μm。导线框架22的基底层222的设置可影响粘结剂12的选择，如本领域技术人员所了解的粘结剂12需能将基底层222与芯片10的背面100粘连在一起，并在需要的时候通过适当的方式去除而不影响半导体封装结构其它器件的特性。
此后可进行常规的打线(wirebonding)和注塑封装等处理。使用引线231连接芯片10与引脚221并形成遮蔽芯片10与引脚221及相互间引线231的塑封壳体24。图4所示即图3中所示的中间产品在完成注塑处理后的结构示意图。在对芯片10的背面100的边缘进行切割的实施中，芯片10的背面100的边缘的切割面，也就是没有被粘结剂12覆盖的部分，在进行塑封时就会与塑封壳体24直接接触。
接着可移除导线框架22的基底层222，如可在90-110℃下将其撕除。图5所示即图4中所示的中间产品在移除基底层222后的结构示意图。
基底层222移除后可移除芯片10背面100上的粘结剂。可采用的方式之一是在85-90℃下使用3-15％的氢氧化钾水溶液浸泡该中间产品5-10分钟以移除粘结剂12，也可以使用异丙醇、丙酮或乙醇等有机溶液去除该粘结剂12。根据不同的粘结剂12，可采用不同的移除方式。此后再进行一些常规的处理，如清洗等即可得到极薄的半导体封装结构30。
图6所示是根据本实用新型一实施例的半导体封装结构30的结构示意图，其可由前述的半导体封装方法得到。如图6所示，本实用新型实施例提供了一种半导体封装30，包含芯片61、引脚221和塑封壳体24。其中，芯片61具有设置电子线路的正面及与该正面相对的背面100，引脚221藉由引线231与芯片61连接，例如，可以通过引线键合的方式与芯片61进行连接，形成焊点232，塑封壳体24自上遮蔽该芯片61、该引脚221及该引线231。本实施例中，芯片61的背面100的边缘可以为直角型。其中该芯片61的背面100及该引脚221的背面暴露于该塑封壳体24的底面240，且该芯片61的背面100凹陷于该半导体封装结构30内。例如，在本实施例中该芯片61的背面与该塑封壳体24底面240间的距离d为2-20μm。
类似的，图7是根据本实用新型另一实施例的半导体封装结构30的结构示意图，图8是根据本实用新型又一实施例的半导体封装结构30的结构示意图，两者均可由前述的半导体封装方法得到。其中在附图7所示的实施例中，芯片71是通过斜切方式得到，其边缘为倾斜型；而在在附图8所示的实施例中，芯片81是通过梯切方式得到，其边缘为阶梯型。倾斜型芯片71和阶梯型芯片81的边缘的切割面，也就是没有被粘结剂12覆盖的部分，被所述塑封壳体24覆盖，从而增强了对芯片71、81的固定作用，并且能够降低湿气的浸入，从而提高了芯片封装的安全系数。
本申请实施例通过移除导线框架的基底层，从而减低了半导体封装结构的整体封装厚度，使得本实用新型的半导体封装结构可达0.20-0.45mm的极薄厚度。最薄0.20mm的厚度相对于现有技术可取得的最薄厚度0.33降低了将近40％。而且，芯片10的背面100暴露在封装结构30外使得该半导体封装结构具备良好的散热性能，可很好的满足大功率的半导体封装结构30。
以上仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种半导体封装结构，其包括：
芯片，具有设置电子线路的正面及与该正面相对的背面；
引脚，藉由引线与芯片连接；
塑封壳体，自上遮蔽所述芯片、所述引脚及所述引线；
其特征在于所述芯片的背面及所述引脚的背面暴露于所述塑封壳体的下表面，且所述芯片的背面凹陷于所述半导体封装结构内。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于所述芯片的背面距离所述塑封壳体底面2-20μm。
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于所述芯片的背面的边缘为直角型、倾斜型或者阶梯型，并且所述芯片的背面的边缘的切割面分别与所述塑封壳体相接触。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于所述半导体封装结构的厚度大于等于0.2mm小于0.33mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520434671.9U CN204792754U (zh) | 2015-06-23 | 2015-06-23 | 半导体封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201520434671.9U CN204792754U (zh) | 2015-06-23 | 2015-06-23 | 半导体封装结构 |
Publications (1)
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| CN204792754U true CN204792754U (zh) | 2015-11-18 |
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ID=54532750
Family Applications (1)
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| CN201520434671.9U Active CN204792754U (zh) | 2015-06-23 | 2015-06-23 | 半导体封装结构 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN204792754U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105097727A (zh) * | 2015-06-23 | 2015-11-25 | 苏州日月新半导体有限公司 | 半导体封装结构及其封装方法 |
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2015
- 2015-06-23 CN CN201520434671.9U patent/CN204792754U/zh active Active
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