CN204792711U - 剥离装置 - Google Patents
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Abstract
一种剥离装置，该剥离装置用于剥离包括基底和盖层所构成的堆叠结构，且包括：真空吸嘴头，包括具有相对上、下表面的吸盘、贯穿吸盘的上、下表面的真空孔及耦接真空孔和真空泵的中空真空管；平台，位于真空吸嘴头下方且与吸盘对准，使堆叠结构固定于平台上；控制机构，耦接真空吸嘴头，使真空吸嘴头相对于平台被举升或下降；以及第一刀具，包括第一本体及连接第一本体的第一刀刃部。其中盖层被吸盘下表面抵压住并因真空泵对中空真空管抽真空而被吸附后，第一刀刃部经堆叠结构的第一侧壁切入位于基底与盖层间的界面层，并通过真空吸嘴头的吸力及真空吸嘴头被举升所产生的举升力，使得基底与盖层被剥离。
Description
技术领域
本实用新型是关于一种剥离装置，且特别是有关于一种用于剥离芯片封装体表面盖层的剥离装置，以及一种利用此剥离装置剥离芯片封装体表面盖层的方法。
背景技术
具有感测功能的芯片封装体的感测装置在传统的制作过程中容易受到污染或破坏，造成感测装置的效能降低，进而降低芯片封装体的可靠度或质量。此外，为符合电子产品朝向微型化的发展趋势，有关电子产品封装构造中，用以承载半导体芯片的封装基板如何降低厚度，亦为电子产品研发中一项重要的课题。有关封装基板的制作过程中，其于薄形芯层上制作线路。若封装基板为符合微型化的要求，而选用厚度过薄的封装基板时，不但封装基板的生产作业性不佳，封装基板也易因厚度过薄，而于封装制程受到环境因素影响会产生变形翘曲或损坏，造成产品不良等问题。
为克服前述问题，业界发展出SLP(SmallLeadlessPackage)技术，该技术主要于封装基板制作时，预先于其另一侧压合一承载材，通过承载材对封封基板的本体提供补强与支撑的功能，克服封装基板厚度过薄，于封装制程易变形与受损的问题，待封装基板完成模压制程后，再将该承载材予以移除，而符合微型化的产品需求。
但前述封装基板中，承载材压合于封装基板的本体一侧，因承载材与本体间压合后的结合力量大，后续将承载材剥离时，易因剥离手段的处理不当而使封装基板本体上的线路层受损。
实用新型内容
本实用新型提供一种剥离装置，用于剥离包括一基底和一盖层(caplayer)所构成的堆叠结构，此剥离装置包括：一真空吸嘴头(vacuumnozzlehead)，具有相对上、下表面的吸盘、一贯穿吸盘的该上、下表面的真空孔及一耦接真空孔和一真空泵的中空真空管；一平台(stage)，位于真空吸嘴头下方，且与吸盘对准，使得堆叠结构可固定于平台上；一控制机构，耦接至真空吸嘴头，使得真空吸嘴头可相对于平台被举升或下降；及一第一刀具，具有一第一本体及一连接第一本体的第一刀刃部(knife)。其中，盖层被吸盘下表面抵压住并因该真空泵对中空真空管抽真空而被吸附后，第一刀刃部经堆叠结构的第一侧壁，切入一位于基底与盖层间的界面层，并通过真空吸嘴头的吸力及真空吸嘴头被向上举升所产生的举升力，使得基底与该盖层被剥离。
根据本实用新型所述的剥离装置，该第一刀具以相对于该堆叠结构运动的方式朝该堆叠结构的该第一侧壁接近，进而使该第一刀刃部经该第一侧壁切入该界面层。
根据本实用新型所述的剥离装置，还包括一第二刀具，该第二刀具包括一第二本体及一连接该第二本体的第二刀刃部，其中该第二刀具同样以相对于该堆叠结构运动方式，朝该堆叠结构的一第二侧壁接近，进而使该第二刀刃部经该第二侧壁切入该界面层，其中该第一侧壁及该第二侧壁位于该堆叠结构的相对侧。
根据本实用新型所述的剥离装置，该堆叠结构固定于一电路板上。
根据本实用新型所述的剥离装置，该真空吸嘴头还包括一环绕于该吸盘下表面边缘的边框，且在该吸盘下表面抵压住该盖层时，该边框能够紧抵该堆叠结构的部分侧壁。
根据本实用新型所述的剥离装置，该边框在紧抵该堆叠结构的该第一侧壁及该第二侧壁之处还包括暴露出该界面层侧边的第一缝隙及第二缝隙，使得该第一刀刃部及该第二刀刃部分别先穿过第一缝隙及第二缝隙后再切入该界面层。
本实用新型还提供一种剥离装置，用于剥离由一基底和一盖层(caplayer)所构成的堆叠结构，且包括：一真空吸嘴头(vacuumnozzlehead)，具有相对上、下表面的吸盘、一环绕于吸盘下表面边缘的边框(edgeframe)、一贯穿吸盘的上、下表面的真空孔及一耦接至真空孔和一真空泵的中空真空管；一平台(stage)，位于真空吸嘴头下方，且与吸盘对准，使得堆叠结构可固定于平台上；及一控制机构，耦接至该空吸嘴头，使得真空吸嘴头可被带动旋转，并相对于平台被举升或下降。其中，盖层被吸盘的下表面抵压住且因该真空泵对该中空真空管抽真而被吸附后，该制机构使该真空吸嘴头旋转一段时间以产生扭力并同时带动该空吸嘴头向上举升，使得盖层在一扭力以及一向上举升力的作用下被剥离。
根据本实用新型所述的剥离装置，该真空吸嘴头在300～750度/秒的转速下旋转5秒以内以产生扭力。
根据本实用新型所述的剥离装置，还包括一密封环，该密封环环绕于该边框内侧。
根据本实用新型所述的剥离装置，该堆叠结构固定于一电路板上。
本实用新型可避免堆叠结构剥离时受损。
附图说明
图1A显示一具有盖层的芯片封装体的立体透视图。
图1B～1D显示根据图1A的剖面线B-B’所呈现的剖面示意图。
图1A’～1F’显示具如图1D所示的剖面示意图的芯片封装体的制造方法。
图2A～2E显示本实用新型第一实施例的剥离装置，及利用此剥离装置剥离一芯片封装体表面盖层的剖面示意图。
图3A～3E显示本实用新型第二实施例的剥离装置，及利用此剥离装置剥离一芯片封装体表面盖层的剖面示意图。
图4A～4E显示本实用新型第三实施例的剥离装置，及利用此剥离装置剥离一芯片封装体表面盖层的剖面示意图。
图5A～5D显示本实用新型第四实施例的剥离装置，及利用此剥离装置剥离一芯片封装体表面盖层的剖面示意图
图6A～6D显示本实用新型第五实施例的剥离装置，及利用此剥离装置剥离一芯片封装体表面盖层的剖面示意图。
其中，附图中符号的简单说明如下：
100基础层；
100a，1122第一表面；
100b，1121第二表面；
120芯片区；
140导电垫；
160感测装置；
180黏着层；
200盖层；
200a结合区域；
200b周边区域；
201、301、401、501、601真空吸嘴头；
202、302、402、502、602吸盘；
204、304、404、504、604吸盘上表面；
206、306、406、506、606吸盘下表面；
208、308、408、508、608真空孔；
210、310、410、510、610中空真空管；
212、312、412、512、612中空管道；
214、314、414、514、614控制机构；
216、316、416、516、616平台；
220、330、420第一刀具；
330’、420’第二刀具
222、332、422第一刀具本体；
332’、422’第二刀具本体；
224、334、424第一刀刃部；
334’、424’第二刀刃部；
310第一开口；
320绝缘层；
340重布线层；
360钝化保护层；
380第二开口；
400导电结构；
420保护层；
426、609边框；
428第一缝隙；
430第二缝隙；
620密封环；
L切割道；
L’分隔渠道。
具体实施方式
以下将详细说明本实用新型实施例的制作与使用方式。然应注意的是，本实用新型提供许多可供应用的实用新型概念，其可以多种特定型式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本实用新型的特定方式，非用以限制本实用新型的范围。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本实用新型，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。以下将详细说明。
本实用新型实施例的芯片封装体可用以封装微机电系统芯片。然其应用不限于此，例如在本实用新型的芯片封装体的实施例中，其可应用于各种包含有源组件或无源组件(activeorpassiveelements)、数字电路或模拟电路(digitaloranalogcircuits)等集成电路的电子组件(electroniccomponents)，例如是有关于光电组件(optoelectronicdevices)、微机电系统(MicroElectroMechanicalSystem；MEMS)、微流体系统(microfluidicsystems)、或利用热、光线及压力等物理量变化来测量的物理传感器(PhysicalSensor)。特别是可选择使用晶圆级封装(waferscalepackage；WSP)制程对影像感测组件、发光二极管(light-emittingdiodes；LEDs)、太阳能电池(solarcells)、射频组件(RFcircuits)、加速计(accelerators)、陀螺仪(gyroscopes)、微制动器(microactuators)、表面声波组件(surfaceacousticwavedevices)、压力传感器(processsensors)或喷墨头(inkprinterheads)等半导体芯片进行封装。
其中上述晶圆级封装制程主要是指在晶圆阶段完成封装步骤后，再予以切割成独立的封装体，然而，在一特定实施例中，例如将已分离的半导体芯片重新分布在一承载晶圆上，再进行封装制程，亦可称为晶圆级封装制程。另外，上述晶圆级封装制程亦适用于通过堆叠(stack)方式安排具有集成电路的多片晶圆，以形成多层集成电路(multi-layerintegratedcircuitdevices)的芯片封装体。
以下将配合图1A至1D以及图1A’至第1F’，说明当前的芯片封装体结构。
请参照图1A，其显示一芯片封装体1000的立体透视图。芯片封装体1000具有一基底112、一盖层200以及一夹在基底112与盖层200之间的黏着层180。盖层200、黏着层180以及基底112的侧壁构成一第一侧壁250a、第二侧壁250b、第三侧壁250c以及第四侧壁250d，其中，第一侧壁250a、第二侧壁250b彼此相对，第三侧壁250c、第四侧壁250d彼此相对，且第一侧壁250a、第二侧壁250b同时与第三侧壁250c、第四侧壁250d相连。盖层200可为玻璃、氮化铝、透明胶带、蓝宝石或其他适合的保护材料。黏着层180可为对光敏感的树脂(例如，环氧树脂或UV胶)、无机材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氧化物或其组合)、有机高分子材料(例如，聚酰亚胺树脂、苯环丁烯、聚对二甲苯、萘聚合物、氟碳化合物、丙烯酸酯)或其他适合的黏着材料。
请参照图1B，其显示根据图1A所示的B-B’剖面线方向所呈现的芯片封装体1000的剖面图。如图1B所示，基底112包括一第一表面1122及一与其相对的第二表面1121，盖层200包括一第三表面1221及一与其相对的第四表面1222，且第二表面1121通过黏着层180与第三表面1221接触。在一实施例中，芯片封装体1000还包括一印刷电路板(未显示)，结合于基板112的第二表面1121。基板112的详细结构，将于图1C及图1D详细说明。
如图1C以及图1D所示，基底112包括一基础层100，具有一上表面100a及一下表面100b，且在邻近上表面100a处具有一感测组件160、多个邻近感测组件160的导电垫140。基础层100可为一硅基底或其他半导体基底，或一硅晶圆，以利于进行晶圆级封装制程。感测装置160可包括影像感测组件、感测装置160用以感测生物特征，例如指纹辨识组件、感测环境特征组件，例如温度感测组件、湿度感测组件、压力感测组件或其他适合的感测组件。此外，感测装置160可通过内联机结构(未绘示)而与导电垫140电性连接。
如图1C以及图1D所示，基础层100的下表面100b还包括多个露出导电垫140的第一开口310，且每一第一开口310内均具有一连接至导电垫140的重布线层340，通过一绝缘层320电性隔离重布线层340与基础层100。重布线层的导线340可包括铜、铝、金、铂、镍、锡、前述的组合、导电高分子材料、导电陶瓷材料(例如，氧化铟锡或氧化铟锌)或其他适合的导电材料。另外，在重布线层340上还覆盖有一钝化保护层360，且钝化保护层360上形成多个第二开口380，以暴露出位于基础层100的下表面100b上的重布线层340的一部分，且每一第二开口380内形成一导电结构(例如，焊球、凸块或导电柱)400，以直接接触暴露出的重布线层340。钝化保护层360可包括环氧树脂、绿漆(soldermask)、无机材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氧化物或前述的组合)、有机高分子材料(例如，聚酰亚胺树脂、苯环丁烯、聚对二甲苯、萘聚合物、氟碳化物、丙烯酸酯)或其他适合的绝缘材料。导电结构400可包括锡、铅、铜、金、镍、前述的组合或其他适合的导电材料。
相较于图1C所示的芯片封装体结构，图1D所示的芯片封装体，有部分的基础层100及黏着层180被去除，以暴露盖层200的部分第三表面1221，使得第三表面1221形成一具有面积与基础层100的上表面100a相等的结合区域200a以及一环绕于结合区域200a的周边区域200b。图1D所示的芯片封装体，其制程将于图1A’～图1F’中详细说明。
如图1A’所示，提供一基础层100，其具有一第一表面100a及与其相对的一第二表面100b，且包括多个芯片区120。基础层100的每一芯片区120内具有多个导电垫140，其可邻近于第一表面100a。为简化图式，此处仅绘示出相邻的两个芯片区120以及分别位于基础层100的单一芯片区120内的两个导电垫140。在一实施例中，导电垫140可为单层导电层或具有多层的导电层结构。此处，仅以单层导电层作为范例说明。在本实施例中，基础层100的每一芯片区120内具有一感测装置160，其可邻近于基础层100的第一表面100a。
接着，请参照图1B’，通过一黏着层180，将一具有第三表面1221以及第四表面1222的盖层200，以其第三表面1221贴附于基础层100的第一表面100a上。以盖层200作为承载基板，对基础层100的第二表面100b进行薄化制程(例如，蚀刻制程、铣削(milling)制程、机械研磨(mechanicalgrinding)制程或化学机械研磨(chemicalmechanicalpolishing)制程)，以减少基础层100的厚度。接着，可通过微影制程及蚀刻制程(例如，干蚀刻制程、湿蚀刻制程、等离子体蚀刻制程、反应性离子蚀刻制程或其他适合的制程)，在基础层100的每一芯片区120内形成多个第一开口310。第一开口310自基础层100的第二表面100b朝第一表面100a延伸，且分别暴露出邻近于第一表面100a的对应的导电垫140。接着，可通过沉积制程(例如，涂布制程、物理气相沉积制程、化学气相沉积制程或其他适合的制程)，在基础层100的第二表面100b上顺应性形成一绝缘层320，其延伸至基础层100的第一开口310内。
请参照图1C’，可通过微影制程及蚀刻制程(例如，干蚀刻制程、湿蚀刻制程、等离子体蚀刻制程、反应性离子蚀刻制程或其他适合的制程)，去除第一开口310的底部上的绝缘层320，以暴露出导电垫140的表面。接着，可通过沉积制程(例如，涂布制程、物理气相沉积制程、化学气相沉积制程、电镀制程、无电镀制程或其他适合的制程)、微影制程及蚀刻制程，在绝缘层320上形成图案化的重布线层340。
重布线层340顺应性延伸至基础层100的第一开口310的底部，且与暴露出的导电垫140直接接触，以电性连接至导电垫140，并通过绝缘层320与基础层100电性隔离。因此，第一开口310内的重布线层的导线340也称为硅通孔电极(throughsiliconvia，TSV)。接着，可通过沉积制程，在重布线层340上形成一钝化保护层360，且填入基础层100的第一开口310内，以覆盖重布线层340。然后，可通过微影制程及蚀刻制程，在每一芯片区120的钝化保护层360内形成多个第二开口380，以暴露出位于基础层100的第二表面100b上的重布线层的导线340的一部分。
接着，请参照图1D’，在钝化保护层360的第二开口380内形成导电结构(例如，焊球、凸块或导电柱)400，以直接接触暴露出的重布线层340，而与图案化的重布线层的导线340电性连接。举例来说，可通过电镀制程、网版印刷制程或其他适合的制程，在钝化保护层360的第二开口380内形成焊料(solder)，且进行回焊(reflow)制程，以形成导电结构400。另外，虽然未绘示于图式中，但从俯视方向来看，导电结构400可在基础层100的第二表面100b上排列成一矩阵。在本实施例中，导电结构400可包括锡、铅、铜、金、镍、前述的组合或其他适合的导电材料。接着，在钝化保护层360及导电结构400上形成一保护层420(例如，胶带)，以提供平坦的表面及保护导电结构400。
然后，请参照图1E’，提供另一载板270，将图1D’所示的结构翻转，使盖板200以其第四表面1222贴附于载板270上，之后去除保护层420。接着，蚀刻去除相邻芯片区120处的部分钝化保护层360、重布线层340、绝缘层320、基础层100以及黏着层180，形成一暴露出盖层200的部分第三表面1221的分隔管道L’。
最后，请参照图1F’，沿分隔管道L’自基础层100朝盖层200的方向进行切割制程，形成多个剖面示意图如图1D所示的芯片封装体1000。
[第一实施例]
图2A～2E显示根据本实用新型第一实施例以剥离如图1C或图1D所示的芯片封装体1000的盖层200的剖面示意图，为方便叙述了解本实施例的技术特征，以下将以图1B所示的剖面示意图阐述说明。
请先参照图2A，其显示根据本实用新型第一实施例的剥离装置2000。此剥离装置2000包括一真空吸嘴头201、一位于真空吸嘴头201下方的平台216、一耦接至真空吸嘴头201的控制机构214，以及一耦接至控制机构214的第一刀具220以及一供芯片封装体1000放置的平台216。其中，真空吸嘴头201包括一具有相对上、下表面204、206的真空吸盘202、一贯穿真空吸盘202上、下表面204、206的真空孔208，及一与真空泵连接的中空真空管210，且中空真空管210内具有一中空管道212与真空孔208耦接，且真空吸嘴头201可在其所耦接的控制机构214带动下，相对于平台被举升或下降。第一刀具220具有一第一本体222及一自第一本体222末端沿伸出的第一刀刃部224。
请参照图2B，先将如图1B所示的芯片封装体1000以其第二表面1121放置在平台216上。接着，请参照图2C，操作剥离装置200的控制机构214，使得真空吸嘴头201相对于平台216下降，并使真空吸盘202的下表面206抵压住盖层200的第四表面1222。然后，启动真空泵对中空真空管210抽真空，使芯片封装体1000被真空吸盘202吸住。
然后，请参照图2D，操作控制机构214，使其所耦接的第一刀具220以相对于芯片封装体1000运动的方式，朝芯片封装体1000第一侧壁250a接近，进而使其第一刀刃部224沿盖层200的第三表面1221边缘，切入黏着层180，以减少盖层200与基底112间的附着力。
接着，请参照图2E，操作控制机构214以带动真空吸嘴头201向上举升，使得盖层200及黏着层180被剥离基底112。
其中，当芯片封装体1000是如图1D所示般具有一暴露出盖层第三表面1221的周边区域200b时，将使第一刀具220的第一刀刃部224更精准地沿着周边区域200b的第三表面1221边缘切入黏着层180，且在控制机构214带动真空吸嘴头201往上举升时，通过第一刀刃部224勾住周边区域200b，并随着真空吸嘴头201被向上举升，加速盖层200以及黏着层180被剥离基底112。
此外，当本实施例的黏着层180是选用光敏感树脂(例如UV胶)时，芯片封装体1000在进行盖层200剥离制程前，可先经过照光及/或加热预处理，使得盖层200以及黏着层180更容易被剥离装置2000剥离基底112。其中，照光预处理是以波长254nm的紫外光进行照射，而加入预处理则是在温度介于25℃至60℃的环境下进行。
[第二实施例]
图3A～3E显示根据本实用新型第二实施例以剥离如图1C或图1D所示的芯片封装体1000的盖层200的剖面示意图，为方便叙述了解本实施例的技术特征，以下将以图1B所示的剖面示意图阐述说明。
请先参照图3A，其显示根据本实用新型第二实施例的剥离装置3000。此剥离装置3000包括一真空吸嘴头301、一位于真空吸嘴头301下方的平台316、一耦接至真空吸嘴头301的控制机构314，以及一耦接至控制机构314的第一刀具320、第二刀具320’以及一供芯片封装体1000放置的平台316。其中，真空吸嘴头301包括一具有相对上、下表面304、306的真空吸盘302、一贯穿真空吸盘302的上、下表面304、306的真空孔308，及一与真空泵连接的中空真空管310，且中空真空管310内具有一中空管道312与真空孔308耦接，且真空吸嘴头301可在其所耦接的控制机构314带动下，相对于平台被举升或下降。第一刀具320具有一第一本体322及一自第一本体末端沿伸出的第一刀刃部324，且通过第一本体与控制机构314耦接，第二刀具320’具有一第二本体322’及一自第二本体322’末端沿伸出的第二刀刃部324’，且通过第二本体322’与控制机构314耦接。
请参照图3B，先将如图1B所示的芯片封装体1000以其第二表面1121放置在平台316上。接着，请参照图3C，操作剥离装置3000的控制机构314，使得真空吸嘴头301相对于平台316下降，并使真空吸盘302的下表面306抵压住盖层200的第四表面1222。然后，启动真空泵对中空真空管310抽真空，使芯片封装体1000被真空吸盘302吸住。
然后，请参照图3D，操作控制机构314，使其所耦接的第一刀具320、第二刀具320’以相对于芯片封装体1000运动的方式，分别朝芯片封装体1000的第一侧壁250a、第二侧壁250b接近，进而使其第一刀刃部324、第二刀刃部324’分别切入黏着层180，以减少盖层200与基底112间的附着力。
最后，请参照图3E，操作控制机构314以带动真空吸嘴头301向上举升，使得盖层200及黏着层180被剥离基底112。
其中，当芯片封装体1000是如图1D所示般具有一暴露出盖层第三表面1221的周边区域200b时，将使第一刀具330的第一刀刃部324以及第二刀具330’的第二刀刃部324’更精准地沿着周边区域200b的第三表面1221边缘切入黏着层180，且在控制机构314带动真空吸嘴头301往上举升时，通过第一、第二刀刃部224、224’勾住周边区域200b，并随着真空吸嘴头201被向上举升，加速盖层200以及黏着层180被剥离基底112。
此外，当本实施例的黏着层180是选用光敏感树脂(例如UV胶)时，芯片封装体1000在进行盖层200剥离制程前，可先经过照光及/或加热预处理，使得盖层200以及黏着层180更容易被剥离装置3000剥离基底112。其中，照光预处理是以波长254nm的紫外光进行照射，而加入预处理则是在温度介于25℃至60℃的环境下进行。
[第三实施例]
图4A～4E显示根据本实用新型第三实施例以剥离图1C或图1D所示的芯片封装体1000的盖层200的剖面示意图，为方便叙述了解本实施例的技术特征，以下将以图1B所示的剖面示意图阐述说明。
请先参照图4A，其显示根据本实用新型第三实施例的剥离装置400。此剥离装置400包括一真空吸嘴头401、一位于真空吸嘴头401下方的平台416、一耦接至真空吸嘴头401的控制机构414，以及一耦接至控制机构414的第一刀具420、第二刀具420’以及一供芯片封装体1000放置的平台416。其中，真空吸嘴头401包括一具有相对上、下表面404、406的真空吸盘402、一贯穿真空吸盘402上、下表面404、406的真空孔408，及一与真空泵连接的中空真空管410，且真空吸盘402的下表面406边缘还环绕有一边框426，且边框426具有一第一缝隙428、第二缝隙430。此外，中空真空管410内具有一中空管道412与真空孔408耦接，且真空吸嘴头401可在其所耦接的控制机构414带动下，相对于平台被举升或下降。第一刀具420具有一第一本体422及一自第一本体末端沿伸出的第一刀刃部424，且通过第一本体与控制机构414耦接，第二刀具420’具有一第二本体422’及一自第二本体422’末端沿伸出的第二刀刃部424’，且通过第二本体422’与控制机构414耦接。
请参照图4B，先将如图1A～1C所示的芯片封装体1000以其第二表面1121放置在平台416上。接着，请参照图4C，操作剥离装置400的控制机构414，使得真空吸嘴头401相对于平台416下降，并使真空吸盘402的下表面406抵压住盖层200的第四表面1222，边框426紧抵芯片封装体1000的第一侧壁250a、第二侧壁250b、第三侧壁250c、第四侧壁250d侧壁以及平台416表面。其中，第一缝隙428及第二缝隙430分别是面向第一侧壁250a以及第二侧壁250b。然后，启动真空泵对中空真空管410抽真空，使芯片封装体1000被真空吸盘402吸住。
然后，请参照图4D，操作控制机构414，使其所耦接的第一刀具420、第二刀具420’以相对于芯片封装体1000运动的方式，分别朝芯片封装体1000的第一侧壁250a、第二侧壁250b接近，使得第一刀刃部424、第二刀刃部424’分别穿过第一缝隙428、第二缝隙430后，沿着盖层200的第三表面1221切入黏着层414，以减少盖层200与基底112间的附着力。
最后，请参照图4E，操作控制机构414以带动真空吸嘴头401向上举升，使得盖层200及黏着层180被剥离基底112的第二表面1121。
其中，当芯片封装体1000是如图1D所示般具有一暴露出盖层第三表面1221的周边区域200b时，将使第一刀具420的第一刀刃部424以及第二刀具420’的第二刀刃部424’更精准地沿着周边区域200b的第三表面1221边缘切入黏着层180，且在控制机构414带动真空吸嘴头401往上举升时，通过第一、第二刀刃部424、424’勾住周边区域200b，并随着真空吸嘴头201被向上举升，加速盖层200以及黏着层180被剥离基底112。
此外，当本实施例的黏着层180是选用光敏感树脂(例如UV胶)时，芯片封装体1000在进行盖层200剥离制程前，可先经过照光及/或加热预处理，使得盖层200以及黏着层180更容易被剥离装置400剥离基底112。其中，照光预处理是以波长254nm的紫外光进行照射，而加入预处理则是在温度介于25℃至60℃的环境下进行。
[第四实施例]
图5A～5D显示根据本实用新型第四实施例以剥离图1A～1C所示的芯片封装体1000的盖层200的剖面流程示意图，为方便叙述了解本实施例的技术特征，以下将以图1B所示的剖面示意图阐述说明。
请先参照图5A，其显示根据本实用新型第四实施例的剥离装置500。此剥离装置500包括一真空吸嘴头501、一位于真空吸嘴头501下方的平台516以及一耦接至真空吸嘴头501的控制机构514。其中，真空吸嘴头501包括一具有相对上、下表面504、506的真空吸盘502、一贯穿真空吸盘502上、下表面504、506的真空孔508，及一与真空泵连接的中空真空管510，且真空吸盘502的下表面506边缘还环绕有一边框509。此外，中空真空管510内具有一中空管道512与真空孔508耦接，且真空吸嘴头501可在其所耦接的控制机构514带动下，可受控制的旋转及相对于平台被举升或下降。
请参照图5B，先将如图1B所示的芯片封装体1000以其第二表面1121放置在平台516上。接着，请参照图5C，操作剥离装置500的控制机构514，使得真空吸嘴头501相对于平台516下降，并使真空吸盘502的下表面506抵压住盖层200的第四表面1222，边框509紧抵芯片封装体1000的第一、第二、第三、第四侧壁以及平台516表面。然后，启动真空泵对中空真空管510抽真空，以达到一预定的真空度Pi，且Pi≤-90Kpa，使芯片封装体1000被真空吸盘502吸住。
然后，请参照图5D，操作控制机构514使真空吸嘴头501以300～750度/秒的转速，旋转小于五秒钟的时间，使真空吸嘴头501相对芯片封装体1000产生一扭力(torqueforce)。之后操作控置机构514带动真空吸嘴头501向上举升以产生一向上举升力(liftforce)，使得盖层200以及黏着层180在扭力以及向上举升力的作用下，被剥离基底112的第一表面1122。
此外，当本实施例的黏着层180是选用光敏感树脂(例如UV胶)时，芯片封装体1000在进行盖层200剥离制程前，可先经过照光及/或加热预处理，使得盖层200以及黏着层180更容易被剥离装置500剥离基底112。其中，照光预处理是以波长254nm的紫外光进行照射，而加入预处理则是在温度介于25℃至60℃的环境下进行。
[第五实施例]
图6A～6D显示根据本实用新型第五实施例以剥离图1A～1C所示的芯片封装体1000的盖层200的剖面流程示意图，为方便叙述了解本实施例的技术特征，以下将以图1B所示的剖面示意图阐述说明。
请先参照图6A，其显示根据本实用新型第五实施例的剥离装置600。此剥离装置600包括一真空吸嘴头601、一位于真空吸嘴头601下方的平台616以及一耦接至真空吸嘴头601的控制机构614。其中，真空吸嘴头601包括一具有相对上、下表面604、606的真空吸盘602、一贯穿真空吸盘602上、下表面604、606的真空孔608，及一与真空泵连接的中空真空管610，且真空吸盘602的下表面606边缘还环绕有一边框609，且在边框609内侧还环绕有一密封环620，例如O型环。此外，中空真空管610内具有一中空管道612与真空孔608耦接，且真空吸嘴头601可在其所耦接的控制机构614带动下，可受控制的旋转及相对于平台被举升或下降。
请参照图6B，先将如图1B所示的芯片封装体1000以其第二表面1121放置在平台616上。接着，请参照图6C，操作剥离装置600的控制机构614，使得真空吸嘴头601相对于平台616下降，并使真空吸盘602的下表面606抵压住盖层200的第四表面1222，边框609通过其内侧的密封环620紧抵芯片封装体1000的第一侧壁250a、第二侧壁250b、第三侧壁250c、第四侧壁250d以及平台616表面。然后，启动真空泵对中空真空管610抽真空，以达到一预定的真空度Pi，且Pi≤-90Kpa，使芯片封装体1000被真空吸盘602吸住。
然后，请参照图6D，操作控制机构614使真空吸嘴头601以300～750度/秒的转速，旋转小于五秒钟的时间，使真空吸嘴头601相对芯片封装体1000产生一扭力(torqueforce)，之后操作控置机构614带动真空吸嘴头601向上举升以产生一向上举升力(liftforce)，使得盖层200以及黏着层180在扭力以及向上举升力的作用下，被剥离基底112的第一表面1122。
此外，当本实施例的黏着层180是选用光敏感树脂(例如UV胶)时，芯片封装体1000在进行盖层200剥离制程前，可先经过照光及/或加热预处理，使得盖层200以及黏着层180更容易被剥离装置600剥离基底112。其中，照光预处理是以波长254nm的紫外光进行照射，而加入预处理则是在温度介于25℃至60℃的环境下进行。
以上所述仅为本实用新型较佳实施例，然其并非用以限定本实用新型的范围，任何熟悉本项技术的人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因此本实用新型的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种剥离装置，用于剥离包括一基底和一盖层所构成的堆叠结构，其特征在于，包括：
一真空吸嘴头，包括一具有相对的上表面及下表面的吸盘、一贯穿该吸盘的该上表面及该下表面的真空孔及一耦接该真空孔和一真空泵的中空真空管；
一平台，位于该真空吸嘴头下方，且与该吸盘对准，使得该堆叠结构能够固定于该平台上；
一控制机构，耦接至该真空吸嘴头，使得该真空吸嘴头能够相对于该平台被举升或下降；以及
一第一刀具，包括一第一本体及一连接该第一本体的第一刀刃部；
其中，该盖层被该吸盘下表面抵压住并因该真空泵对该中空真空管抽真空而被吸附后，该第一刀刃部经该堆叠结构的一第一侧壁，切入一位于该基底与该盖层间的界面层，并通过该真空吸嘴头的吸力及该真空吸嘴头被向上举升所产生的举升力，使得该基底与该盖层被剥离。
2.根据权利要求1所述的剥离装置，其特征在于，该第一刀具以相对于该堆叠结构运动的方式朝该堆叠结构的该第一侧壁接近，进而使该第一刀刃部经该第一侧壁切入该界面层。
3.根据权利要求2所述的剥离装置，其特征在于，还包括一第二刀具，该第二刀具包括一第二本体及一连接该第二本体的第二刀刃部，其中该第二刀具同样以相对于该堆叠结构运动方式，朝该堆叠结构的一第二侧壁接近，进而使该第二刀刃部经该第二侧壁切入该界面层，其中该第一侧壁及该第二侧壁位于该堆叠结构的相对侧。
4.根据权利要求1所述的剥离装置，其特征在于，该堆叠结构固定于一电路板上。
5.根据权利要求3所述的剥离装置，其特征在于，该真空吸嘴头还包括一环绕于该吸盘下表面边缘的边框，且在该吸盘下表面抵压住该盖层时，该边框能够紧抵该堆叠结构的部分侧壁。
6.根据权利要求5所述的剥离装置，其特征在于，该边框在紧抵该堆叠结构的该第一侧壁及该第二侧壁之处还包括暴露出该界面层侧边的第一缝隙及第二缝隙，使得该第一刀刃部及该第二刀刃部分别先穿过第一缝隙及第二缝隙后再切入该界面层。
7.一种剥离装置，用于剥离由一基底和一盖层所构成的堆叠结构，其特征在于，包括：
一真空吸嘴头，包括一具有相对的上表面及下表面的吸盘、一环绕于该吸盘下表面边缘的边框、一贯穿该吸盘的该上表面及该下表面的真空孔及一耦接至该真空孔和一真空泵的中空真空管；
一平台，位于该真空吸嘴头下方，且与该吸盘对准，使得该堆叠结构能够固定于该平台上；以及
一控制机构，耦接至该真空吸嘴头，使得该真空吸嘴头能够被带动旋转，并相对于该平台被举升或下降；
其中，该盖层被该吸盘的该下表面抵压住且因该真空泵对该中空真空管抽真空而被吸附后，该控制机构使该真空吸嘴头旋转一段时间以产生扭力并同时带动该真空吸嘴头向上举升，使得该盖层在一扭力以及一向上举升力的作用下被剥离。
8.根据权利要求7所述的剥离装置，其特征在于，该真空吸嘴头在300～750度/秒的转速下旋转5秒以内以产生扭力。
9.根据权利要求7或8所述的剥离装置，其特征在于，还包括一密封环，该密封环环绕于该边框内侧。
10.根据权利要求9所述的剥离装置，其特征在于，该堆叠结构固定于一电路板上。
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