CN204696113U - 一种具有电磁屏蔽效能的垂直互连结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种具有电磁屏蔽效能的垂直互连结构，其包括：实心金属通柱、金属屏蔽层和金属氧化物；其中：实心金属通柱为封装基板内任意层间垂直互连的金属导体；金属屏蔽层为包围实心金属通柱的环形金属屏蔽层；金属氧化物为实心金属通柱和金属屏蔽层之间的环形绝缘介质。本实用新型的垂直互连结构，有效解决了电磁泄漏问题。

Description

一种具有电磁屏蔽效能的垂直互连结构

技术领域

本实用新型涉及电子封装领域，特别涉及一种具有电磁屏蔽效能的垂直互连结构。 

背景技术

随着电子系统朝着高频、高速、多功能、小型化方向不断发展，封装互连越来越成为系统整体性能提高的瓶颈。特别是封装中的垂直互连结构，是信号传输路径中重要的阻抗不连续点，是反射、振铃、损耗、串扰等信号完整性问题产生的根源。由于现有加工方法的限制，目前的基板工艺没有制作垂直互连的屏蔽结构。通过垂直互连结构的电磁波可直接耦合到电源地平面，形成电源分布网络中的瞬态同步开关噪声/地弹噪声，造成电源地平面的电压波动，不仅影响高速信号的电平切换，甚至引起封装结构的谐振，造成产品的失效。

目前，多采用在垂直互连的四周增加地过孔处的方法来改善垂直互连的信号质量并抑制垂直互连的噪声辐射。但这种方法大大增加了垂直互连的布线面积，且不能完全屏蔽垂直互连的电磁辐射。

关于垂直互连的专利很多，如US6893951B2、CN102024801A、CN102437110A等，但这些结构主要应用于集成电路芯片内部单元的垂直互连，不能将垂直互连结构做到基板上，且不考虑互连的屏蔽性能。2013申请的发明专利《一种同轴垂直互连导电体的制作方法》（申请号201310280690.6）中提出了采用刻蚀、沉积、电镀等方法制作了同轴垂直互连结构，但是，这种方法成本极高，且这种工艺方法仅针对硅、玻璃片或其他有机材料，即其只适用于绝缘材料，不适用于导电金属材料。

实用新型内容

本实用新型针对上述现有技术中存在的问题，提出一种具有电磁屏蔽性能的垂直互连结构，有效解决现有垂直互连结构存在的电磁泄漏问题。

为解决上述技术问题，本实用新型是通过如下技术方案实现的：

本实用新型提供一种具有电磁屏蔽性能的垂直互连结构，其包括：实心金属通柱、金属屏蔽层和金属氧化物；其中：

所述实心金属通柱为封装基板内任意层间垂直互连的金属导体；

所述金属屏蔽层为包围所述实心金属通柱的环形金属屏蔽层；

所述金属氧化物为所述实心金属通柱和所述金属屏蔽层之间的环形绝缘介质。

较佳地，所述实心金属通柱的材料与所述金属屏蔽层的材料为同一种金属材料；

所述金属材料为可阳极氧化的金属材料。

较佳地，所述金属氧化物环形介质为所述金属材料被氧化后形成的金属氧化物。实心金属通柱和金属屏蔽层为同一种金属材质，金属氧化物层由金属材料氧化形成，结构简单，制作方便。

较佳地，所述金属材料为铌、钽、铝、钛中的任意一种，对应地，

所述金属氧化物为氧化铌、氧化钽、氧化铝、氧化钛中的任意一种。

较佳地，所述垂直互连结构为单通道垂直互连结构和/或多通道互连结构和/或差分垂直互连结构；

单通道垂直互连结构用于单个信号的传输；

多通道互连结构用于多个相邻的信号的传输，每个通道均设置有所述金属屏蔽层，相邻两个通道之间的所述金属屏蔽层共用，以减小基板布线面积。

差分垂直互连结构用于差分信号的传输。

较佳地，所述垂直互连结构的尺寸为微米级，现有的制作方法制作的垂直互连结构为最少为毫米级，本实用新型的垂直互连结构可达到微米级，实现小尺寸的垂直互连，适用于细间距的引线直接连接。

相较于现有技术，本实用新型具有以下优点：

（1）本实用新型提供的具有电磁屏蔽效能的垂直互连结构，在实心金属通柱的外侧设置金属屏蔽层相当于接地，有效地解决了封装结构中垂直互连的电磁泄露问题；

（2）本实用新型的垂直互连结构制作在基板上，基板采用金属材料，散热效果好；

（3）本实用新型的实心金属通柱可与高密度的平面传输线、金线、凸点、焊球等直接连接；

（4）本实用新型的垂直互连结构，尺寸可以达到很小，远小于传统的同轴连接器；

（5）本实用新型的垂直互连结构可用于封装基板任意层之间的互连、金线与封装基板的互连以及倒装凸点与封装基板的互连等。

当然，实施本实用新型的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明

下面结合附图对本实用新型的实施方式作进一步说明：

图1为本实用新型的垂直互连结构的剖视图；

图2为本实用新型的垂直互连结构的俯视图；

图3为本实用新型的垂直互连结构的应用示意图；

图4为本实用新型的垂直互连结构与现有的垂直互连结构的隔离度对比图。

标号说明：1-金属基板，2-单通道垂直互连结构，3-多通道垂直互连结构，4-差分垂直互连结构；

101-实心金属通柱，102-金属屏蔽层，103-金属氧化物；

111-金线，112-焊球，113-芯片。

具体实施方式

下面对本实用新型的实施例作详细说明，本实施例在以本实用新型技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本实用新型的保护范围不限于下述的实施例。

结合图1-图4，本实施例详细描述本实用新型的具有电磁屏蔽效能的垂直互连结构，可以包括单通道垂直互连结构2、多通道垂直互连结构3、差分垂直互连结构中的任意一种或多种，本实施例以包括一个单通道垂直互连结构2、一个多通道垂直互连结构3和一个差分垂直互连结构4为例，其结构示意图如图1所示，俯视图如图2所示，单通道垂直互连结构2包括实心金属通柱101、包围在实心金属通柱21的外侧的环形的金属屏蔽层102，以及位于实心金属通柱101和金属屏蔽层102之间的环形的绝缘介质金属氧化物103；多通道垂直互连结构3包括多个实心金属通柱101，此处以三个为例，每个实心金属通柱101的外侧都设置有包围其的同轴环形金属屏蔽层102，每个实心金属通柱101和金属屏蔽层102之间都设置有环形的绝缘介质金属氧化物103，相邻两个实心金属通柱101的相邻边的金属屏蔽层102可共用；差分垂直互连结构包括多个实心金属通柱101，此处以两个为例，用一个椭圆形的金属屏蔽层102包围两个实心金属通柱101，每个实心金属通柱101的外围都设置有金属氧化物103。

本实施例中，实心金属通柱101和金属屏蔽层102为相同的金属材质，金属氧化物103为此金属材质氧化后形成的金属氧化物；相邻两个垂直互连结构的金属屏蔽层之间通过此金属材质相连。

如图3所示为本实施例的垂直互连结构的应用示意图，该垂直互连结构用于金线111与封装基板、焊球112与封装基板的互连，金线111的一端于实心金属通柱101相连，另一端与芯片113相连；焊球112的一端连接实心金属通柱101，另一端连接芯片113。

如图4所示为本实施例的具有电磁屏蔽效能的垂直互连结构与现有的无屏蔽效能的垂直互连结构的隔离度对比图，图中第一隔离度为现有的无屏蔽效能的垂直互连结构的隔离度，第二隔离度为本实施例的具有电磁屏蔽效能的垂直互连结构的隔离度，从图中看出，采用本实施例的具有电磁屏蔽效能的垂直互连结构后，隔离度增加了60dB，有效解决了电磁泄漏问题。

不同实施例中，垂直互连结构不一定为三个，不一定同时包括单通道垂直互连结构2、多通道垂直互连结构3以及差分垂直互连结构4，可以只包括其中的一种或任意两种或多种，可以任意排布，根据需要来设置。

较佳实施例中，实心金属通柱101和金属屏蔽层102所采用的金属材料为铌（Nb）、钽（Ta）、铝（Al）、钛（Ti）中的任意一种，对应地，氧化形成的金属氧化物23为氧化铌（Nb₂O₅）、氧化钽（Ta₂O₅）、氧化铝（Al₂O₃）、氧化钛（TiO）中的任意一种。

本实用新型的垂直互连结构制作在基板上，结构微小，尺寸为微米级，可以实现小尺寸的微型垂直互连，可适用于细间距的引线直接互连，能用于窄间距的凸点连接。

此处公开的仅为本实用新型的优选实施例，本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用，并不是对本实用新型的限定。任何本领域技术人员在说明书范围内所做的修改和变化，均应落在本实用新型所保护的范围内。

Claims (6)

1.一种具有电磁屏蔽性能的垂直互连结构，其特征在于，包括：实心金属通柱、金属屏蔽层和金属氧化物；其中：

所述实心金属通柱为封装基板内任意层间垂直互连的金属导体；

所述金属屏蔽层为包围所述实心金属通柱的环形金属屏蔽层；

所述金属氧化物为所述实心金属通柱和所述金属屏蔽层之间的环形绝缘介质。

2.根据权利要求1所述的垂直互连结构，其特征在于，所述实心金属通柱的材料与所述金属屏蔽层的材料为同一种金属材料；

所述金属材料为可阳极氧化的金属材料。

3.根据权利要求2所述的垂直互连结构，其特征在于，所述金属氧化物环形介质为所述金属材料被氧化后形成的金属氧化物。

4.根据权利要求3所述的垂直互连结构，其特征在于，所述金属材料为铌、钽、铝、钛中的任意一种，对应地，

所述金属氧化物为氧化铌、氧化钽、氧化铝、氧化钛中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的垂直互连结构，其特征在于，所述垂直互连结构为单通道垂直互连结构和/或多通道互连结构和/或差分垂直互连结构；

单通道垂直互连结构用于单个信号的传输；

多通道互连结构用于多个相邻的信号的传输，每个通道均设置有所述金属屏蔽层，相邻两个通道之间的所述金属屏蔽层共用；

差分垂直互连结构用于差分信号的传输。

6.根据权利要求1所述的垂直互连结构，其特征在于，所述垂直互连结构的尺寸为微米级。