CN204522964U - 常温直接制备三氯化镓-四氢呋喃溶液的装置 - Google Patents
常温直接制备三氯化镓-四氢呋喃溶液的装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN204522964U CN204522964U CN201520006961.3U CN201520006961U CN204522964U CN 204522964 U CN204522964 U CN 204522964U CN 201520006961 U CN201520006961 U CN 201520006961U CN 204522964 U CN204522964 U CN 204522964U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gallium trichloride
- retort
- tetrahydrofuran solution
- gallium
- normal temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 29
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 26
- BNFYTKXERRXJNP-UHFFFAOYSA-N oxolane;trihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.Cl.C1CCOC1 BNFYTKXERRXJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 18
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 6
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 15
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- -1 alkyl gallium Chemical compound 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010977 unit operation Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
本实用新型公开一种常温直接制备三氯化镓-四氢呋喃溶液的装置，通过设置氯化氢钢瓶进料，反应罐进行搅拌反应及溶解，反应得到的三氯化镓-四氢呋喃溶液经过出料阀门出料用于烷基镓制备，并且在冷凝器顶部连接氮气管通氮气对整个反应进行保护通入到碱性溶液吸收罐；本装置在反应同时，并能实现将反应产物即时溶解在四氢呋喃，将常规三氯化镓的生产与溶解二个不同流程合并在同一装置中实现。通过本技术方案，在获得相同三氯化镓产品时，避免了常规的高温反应；同时由于制备与溶解合并在同一个单元操作中，提高生产效率，降低生产成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及高纯度烷基镓生产技术领域，尤其涉及一种常温直接制备三氯化镓-四氢呋喃溶液的装置。
技术领域
GaN材料是是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。到目前为止， 质量最高的GaN薄膜是用金属有机物化学汽相沉积 (MOCVD) 法制成的， 此法已用来制备商用高亮度蓝光二极管。(MOCVD) 法制备氮化镓薄膜，通常用高纯度的烷基镓与高纯氨在高温反应制得。
三氯化镓-四氢呋喃溶液是制备高纯度三烷基镓的关键原材料。常规的三氯化镓-四氢呋喃溶液是先用金属镓与氯化氢或氯气在高温下反应制得三氯化镓，然后将三氯化镓溶解在四氢呋喃中，但现有方法不仅涉及高温反应，同时在溶解过程由于是放热反应，不太利于过程控制，因此，解决这一问题显得尤为重要。
实用新型内容
本实用新型提供了一种常温直接制备三氯化镓-四氢呋喃溶液的装置，通过采用该装置，不仅提高了反应的收率，还能简化生产设备，降低生产成本。
为了解决上述问题，本实用新型提供了一种常温直接制备三氯化镓-四氢呋喃溶液的装置，包括有反应罐和氯化氢钢瓶，所述反应罐和氯化氢钢瓶相连接，所述反应罐和氯化氢钢瓶通过管路连接，且在所述管路上设置有可调节流量针阀，所述反应罐上连接有冷凝器，所述冷凝器顶部连接有氮气管，所述氮气管的另一端设置有碱性溶液吸收罐，所述冷凝器底部设置有通管，所述通管上设置有视窗。
进一步改进在于：所述反应罐上设置有压料管，所述压料管的端头上设置有出料阀门，反应罐中得到的三氯化镓-四氢呋喃溶液经过出料阀门出料，用做制备三烷基镓。
进一步改进在于：所述反应罐的顶部设置有搅拌器，所述搅拌器的叶片放置在反应罐的底部。
进一步改进在于：所述反应罐上设置有加料阀门和视镜。
本实用新型的有益效果是：本实用新型通过设置氯化氢钢瓶来进料，反应罐进行搅拌反应及溶解，反应生成的三氯化镓直接溶解在四氢呋喃中，得到的三氯化镓-四氢呋喃溶液经过出料阀门出料，用做制备三烷基镓，并且冷凝器顶部连接氮气管通氮气对整个反应进行保护，尾气经碱性溶液吸收罐吸收，本装置在常温反应同时，并能实现产物三氯化镓即时溶解在四氢呋喃中，同时由于反应与溶解合并在同一个单元操作中，提高生产效率，降低生产成本。
附图说明
图1是本实用新型的示意图。
其中：1-反应罐，2-氯化氢钢瓶，3-管路，4-可调节流量针阀，5-冷凝器，6-氮气管，7-碱性溶液吸收罐，8-通管，9-视窗，10-压料管，11-出料阀门，12-搅拌器，13-加料阀门，14-视镜。
具体实施方式
为了加深对本实用新型的理解，下面将结合实施例对本实用新型作进一步详述，本实施例仅用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型保护范围的限定。
如图1所示，本实施例提供了一种常温直接制备三氯化镓-四氢呋喃溶液的装置，包括有反应罐1和氯化氢钢瓶2，所述反应罐1和氯化氢钢瓶2相连接，所述反应罐1和氯化氢钢瓶2通过管路3连接，且在所述管路3上设置有可调节流量针阀4，所述反应罐1上侧连接有冷凝器5，所述冷凝器5顶部连接有氮气管6，所述氮气管6的另一端设置有碱性溶液吸收罐7，所述冷凝器5底部设置有通管8，所述通管8上设置有视窗9。所述反应罐1上设置有压料管10，所述压料管10的端头上设置有出料阀门11，反应罐1中得到的三氯化镓-四氢呋喃溶液经过出料阀门11出料，用做制备三烷基镓。所述反应罐1的顶部设置有搅拌器12，所述搅拌器12的叶片放置在反应罐1的底部。所述反应罐1上设置有加料阀门13和视镜14。
本实用新型通过设置氯化氢钢瓶2来进料，反应罐1进行搅拌反应及溶解，反应生成的三氯化镓直接溶解在四氢呋喃中，得到的三氯化镓-四氢呋喃溶液经过出料阀门11出料，用做制备三烷基镓，并且冷凝器5顶部连接氮气管5通氮气对整个反应进行保护，尾气经碱性溶液吸收罐7吸收，本装置在常温反应同时，并能实现产物三氯化镓即时溶解在四氢呋喃中，同时由于反应与溶解合并在同一个单元操作中，提高生产效率，降低生产成本。
Claims (4)
1.一种常温直接制备三氯化镓-四氢呋喃溶液的装置，包括有反应罐（1）和氯化氢钢瓶（2），所述反应罐（1）和氯化氢钢瓶（2）相连接，其特征在于：所述反应罐（1）和氯化氢钢瓶（2）通过管路（3）连接，且在所述管路（3）上设置有可调节流量针阀（4），所述反应罐（1）上侧连接有冷凝器（5），所述冷凝器（5）顶部连接有氮气管（6），所述氮气管（6）的另一端设置有碱性溶液吸收罐（7），所述冷凝器（5）底部设置有通管（8），所述通管（8）上设置有视窗（9）。
2.如权利要求1所述的常温直接制备三氯化镓-四氢呋喃溶液的装置，其特征在于：所述反应罐（1）上设置有压料管（10），所述压料管（10）的端头上设置有出料阀门（11），反应罐（1）中得到的三氯化镓-四氢呋喃溶液经过出料阀门（11）出料，用做制备三烷基镓。
3.如权利要求1所述的常温直接制备三氯化镓-四氢呋喃溶液的装置，其特征在于：所述反应罐（1）的顶部设置有搅拌器（12），所述搅拌器（12）的叶片放置在反应罐（1）的底部。
4.如权利要求1所述的常温直接制备三氯化镓-四氢呋喃溶液的装置，其特征在于：所述反应罐（1）上设置有加料阀门（13）和视镜（14）。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520006961.3U CN204522964U (zh) | 2015-01-07 | 2015-01-07 | 常温直接制备三氯化镓-四氢呋喃溶液的装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520006961.3U CN204522964U (zh) | 2015-01-07 | 2015-01-07 | 常温直接制备三氯化镓-四氢呋喃溶液的装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN204522964U true CN204522964U (zh) | 2015-08-05 |
Family
ID=53737019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201520006961.3U Active CN204522964U (zh) | 2015-01-07 | 2015-01-07 | 常温直接制备三氯化镓-四氢呋喃溶液的装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN204522964U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104587939A (zh) * | 2015-01-07 | 2015-05-06 | 安徽亚格盛电子新材料有限公司 | 常温直接制备三氯化镓-四氢呋喃溶液的装置 |
-
2015
- 2015-01-07 CN CN201520006961.3U patent/CN204522964U/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104587939A (zh) * | 2015-01-07 | 2015-05-06 | 安徽亚格盛电子新材料有限公司 | 常温直接制备三氯化镓-四氢呋喃溶液的装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN204522964U (zh) | 常温直接制备三氯化镓-四氢呋喃溶液的装置 | |
| CN115260223B (zh) | 无氯催化剂于制备二异丙胺硅烷中的用途 | |
| CN104587939A (zh) | 常温直接制备三氯化镓-四氢呋喃溶液的装置 | |
| CN104860273A (zh) | 利用熔融态反应床制备二维六方氮化硼的方法 | |
| CN107445921A (zh) | 一种高纯度丁香酚环氧的制备方法、产物及产物的应用 | |
| CN103951591A (zh) | 一种盐酸胍生产工艺 | |
| CN105080429B (zh) | 毫米级立方氮化硼大单晶的合成方法 | |
| CN108483397B (zh) | 一锅煮法合成环状硼氮氢化合物氨基乙硼烷的方法 | |
| CN110229184A (zh) | 甲基乙基次膦酸及其铝盐的制备方法 | |
| CN105567982A (zh) | 一种从氮化镓废料中回收金属镓的方法 | |
| CN204111631U (zh) | 一种三烷基铟-乙醚配合物脱乙醚装置 | |
| CN105111039A (zh) | 一种氯代异戊烯的制备方法 | |
| CN108690063A (zh) | 一种对氯苯硼酸的制备方法 | |
| CN107604440A (zh) | 一种抑制石英容器对磷化铟熔体污染的方法 | |
| CN105315305A (zh) | 一种合成烷基膦的方法 | |
| CN103664809A (zh) | 一种多效唑的制备方法 | |
| CN106748835A (zh) | 一种盐酸肾上腺酮的制备方法 | |
| CN102583275B (zh) | 一种醇热法制备的GaN纳米晶及其制备方法 | |
| CN106241767A (zh) | 一种制备磷酸二氢钾的方法 | |
| CN101383279A (zh) | 一种用于制备氮化物半导体衬底的hvpe反应器 | |
| CN201729668U (zh) | 一种无水氯化铝生产装置 | |
| CN105153210A (zh) | 一种异丁基硼酸的制备方法 | |
| CN105271306A (zh) | 一种氯化氰粗品的提纯方法 | |
| CN103265399A (zh) | 基于催化剂的氯代特戊烷制备工艺 | |
| CN100362000C (zh) | 一种三苯基氯化锡的生产方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: No. 88 Baoshun Road, Economic and Technological Development Zone, Wuhu City, Anhui Province, 241000 Patentee after: Anhui Yagesheng Electronic New Materials Co.,Ltd. Address before: 241009 Third Floor, Management Committee of Wuhu Economic and Technological Development Zone, Anhui Province Patentee before: ANHUI ARGOSUN NEW ELECRONIC MATERIALS Co.,Ltd. |
|
| CP03 | Change of name, title or address |